动态随机存取存储器(DRAM)
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操作
- 存储容量
- 16Gbit
- 工作电压
- 1.14V~1.26V
描述H5ANAG4NCJR-xxC、H5ANAG8NCJR-xxC、H5ANAG6NCJR-xxC 是 16Gb 的互补金属氧化物半导体（CMOS）双倍数据速率 IV（DDR4）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。16Gb DDR4 SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿（CK 的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿均进行采样
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SMT扩展库
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描述256 Mb HYPERRAMTM 是一款高速CMOS自刷新DRAM，支持xSPI (Octal)接口。该设备在1.8V下运行，具有低功耗模式和多种工作温度范围。
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- 存储器构架(格式)
- DRAM
- 工作电压
- 1.8V
描述512 Mb HYPERRAM™ 器件是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM，具备 HYPERBUS™ 接口。该 DRAM 阵列采用动态单元，需要定期刷新。当 HYPERBUS™ 接口主控（主机）未对存储器进行主动读写操作时，器件内部的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列的刷新操作
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