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首页 > 商品目录 > 光耦 > 逻辑输出光耦 >
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逻辑输出光耦

”共 2785件相关商品
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    • FOD3120SD
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOP-8-2.54mm
    • 描述: FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器,能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度,具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。
    • 输入类型: DC
    • 工作电压: 15V~30V
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    • 输入类型: DC
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    • HCPL2630SDM
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOP-8-2.54mm
    • 描述: 6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极,允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制,通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
    • 输入类型: DC
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    • 输入类型: DC
    • 工作电压: 4.5V~5.5V
    • 隔离电压(Vrms): 5kV
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    • 6N137SDM
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOP-8-2.54mm
    • 描述: 6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极,允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制,通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
    • 输入类型: DC
    • 工作电压: 4.5V~5.5V
    • 隔离电压(Vrms): 5kV
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    • HCPL0601R2
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED,该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门(单通道器件)。 这些器件采用紧凑型小尺寸封装。 该输出具有开路集电极,从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管,而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管,以降低功耗。 在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。 内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。
    • 输入类型: DC
    • 工作电压: 4.5V~5.5V
    • 隔离电压(Vrms): 3.75kV
    • CMTI(kV/us): 15kV/us
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    • 输入类型: DC
    • 工作电压: 4.5V~15V
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    • 输入类型: DC
    • 工作电压: 10V~30V
    • 隔离电压(Vrms): 3.75kV
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    • 输入类型: DC
    • 工作电压: 4.5V~5.5V
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    • FOD3184SDV
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOP-8-2.54mm
    • 描述: FOD3184 是一款 3A 输出电流,高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中,可兼容 260°C 回流工艺,用于实现无引线焊接机合规性。
    • 输入类型: DC
    • 工作电压: 15V~30V
    • 隔离电压(Vrms): 5kV
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    • 输入类型: DC
    • 工作电压: 4.5V~26.4V
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    • 输入类型: DC
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    • 输入类型: DC
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    • 6N139SDM
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOP-8-2.54mm
    • 描述: 6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比,分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来,使得输出饱和电压更低,运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中,集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口,同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。
    • 输入类型: DC
    • 隔离电压(Vrms): 5kV
    • 通道数: 1
    • 工作温度: -40℃~+100℃
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    • 输入类型: DC
    • 工作电压: 3V~15V
    • 隔离电压(Vrms): 3.75kV
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