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碳化硅(SiC)器件

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GC2M0080120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 36A Pd-功耗: 192W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435046 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存301) SMT扩展库 1+: ￥21.16 10+: ￥20.13 30+: ￥17.54 90+: ￥16.92 600+: ￥16.64 900+: ￥16.51 现货最快4H发广东仓: 281 江苏仓: 1181 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交51单已加购

GC2M0080120D1 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅场效应管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 34A Pd-功耗: 190W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19271983 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥17.28 10+: ￥16.34 30+: ￥15.79 90+: ￥15.22 450+: ￥14.96 900+: ￥14.84 现货最快4H发广东仓: 518 江苏仓: 161 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交25单已加购

GC3M0065090D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 900V Id-漏极电流(25℃): 36A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435034 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥30.16 10+: ￥26.31 30+: ￥23.97 90+: ￥22 现货最快4H发广东仓: 54 江苏仓: 330 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交21单已加购

GC2M1000170D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 5A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435057 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存307) SMT扩展库 1+: ￥13.1 10+: ￥11.23 30+: ￥10.05 90+: ￥8.85 600+: ￥8.31 900+: ￥8.07 现货最快4H发广东仓: 287 江苏仓: 576 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交25单已加购

GC3M0040120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 66A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435043 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥54.28 10+: ￥47.36 30+: ￥43.14 90+: ￥39.6 现货最快4H发广东仓: 20 江苏仓: 233 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购

9.5折 KN3D10065G 品牌: KNSCHA(科尼盛) 封装: DFN-5(8x8) 描述: 碳化硅二极管 SiC SBD 贴片封装应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控二极管配置: 独立式整流电流(Io): 10A 正向压降(Vf): 1.5V 直流反向耐压(Vr): 650V 类目: 碳化硅二极管编号: C5373124 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥5.89 ￥5.0065 ￥4.522 ￥3.971 ￥3.7335 ￥3.6195 原价￥6.2 ￥5.27 ￥4.76 ￥4.18 ￥3.93 ￥3.81 1+: ￥5.89 10+: ￥5.0065 30+: ￥4.522 100+: ￥3.971 500+: ￥3.7335 1000+: ￥3.6195 现货最快4H发广东仓: 2522 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购

CI90N120SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 90A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5364636 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存357) SMT扩展库 1+: ￥66.91 10+: ￥58.7 30+: ￥53.66 90+: ￥49.44 现货最快4H发广东仓: 357 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交12单已加购

GC3M0032120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 63A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435042 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥49.76 10+: ￥43.41 30+: ￥39.54 90+: ￥36.3 现货最快4H发广东仓: 156 江苏仓: 14 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购

GC2M0045170D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 72A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435058 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥145.77 3+: ￥141.9 30+: ￥135.45 现货最快4H发广东仓: 22 江苏仓: 111 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购

CI7N170SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 7A Pd-功耗: 62W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2842690 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存858) SMT扩展库 1+: ￥22.01 10+: ￥19.77 30+: ￥13.45 90+: ￥12.1 510+: ￥11.48 1020+: ￥11.2 现货最快4H发广东仓: 838 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交19单已加购

CI02S120E3 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-252 描述: 碳化硅SiC 二极管配置: 独立式整流电流(Io): 10A 正向压降(Vf): 1.4V@2A 直流反向耐压(Vr): 1.2kV 类目: 碳化硅二极管编号: C967720 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存2201) SMT扩展库 1+: ￥4.88 10+: ￥4.09 30+: ￥3.7 100+: ￥3.3 500+: ￥2.62 1000+: ￥2.5 现货最快4H发广东仓: 2148 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交43单已加购

GC4D40120H 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-2 描述: 总电容电荷（Qc）:99nC 总功率(Ptot):532W 整流电流(Io): 128A 正向压降(Vf): 1.5V 直流反向耐压(Vr): 1.2kV 类目: 碳化硅二极管编号: C7435091 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥34.26 10+: ￥29.84 30+: ￥27.14 90+: ￥24.88 现货最快4H发广东仓: 38 江苏仓: 90 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交24单已加购

GC3D10065A 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-220-2 描述: 总电容电荷（Qc）:25nC 总功率(Ptot):136W 整流电流(Io): 30A 正向压降(Vf): 1.5V 直流反向耐压(Vr): 650V 类目: 碳化硅二极管编号: C7435068 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存628) SMT扩展库 1+: ￥4.3 10+: ￥3.5 50+: ￥3.1 100+: ￥2.71 500+: ￥2.47 1000+: ￥2.35 现货最快4H发广东仓: 628 江苏仓: 98 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交64单已加购

9.5折 KN3D06065G 品牌: KNSCHA(科尼盛) 封装: DFN-5(8x8) 描述: 碳化硅二极管 SiC SBD 贴片封装应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控二极管配置: 独立式整流电流(Io): 6A 正向压降(Vf): 1.5V 直流反向耐压(Vr): 650V 类目: 碳化硅二极管编号: C5373184 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥5.9185 ￥5.035 ￥4.5505 ￥4.009 ￥3.762 ￥3.648 原价￥6.23 ￥5.3 ￥4.79 ￥4.22 ￥3.96 ￥3.84 1+: ￥5.9185 10+: ￥5.035 30+: ￥4.5505 100+: ￥4.009 500+: ￥3.762 1000+: ￥3.648 现货最快4H发广东仓: 2816 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购

CI60N120SM4 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-4L 描述: 碳化硅MOS 1200V60A 内阻40毫欧封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 60A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2980704 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存359) SMT扩展库 1+: ￥39.47 10+: ￥34.86 30+: ￥30.36 90+: ￥28 现货最快4H发广东仓: 359 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购

GC4D20120A 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-220-2 描述: 总电容电荷（Qc）:99nC 总功率(Ptot):242W 整流电流(Io): 54.5A 正向压降(Vf): 1.5V 直流反向耐压(Vr): 1.2kV 类目: 碳化硅二极管编号: C7435079 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥13 10+: ￥11.12 50+: ￥9.94 100+: ￥8.74 500+: ￥8.19 1000+: ￥7.95 现货最快4H发广东仓: 100 江苏仓: 239 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购

7.5折 HC4D40120H 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-247-2L 描述: 这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装，拥有1200V高反向耐压和高达40A的大电流处理能力，其正向导通电压VF为1.5V。特别适用于高端电源转换、新能源汽车及工业逆变器的高效整流环节，具备卓越的高温稳定性和快速恢复特性。二极管配置: 独立式正向压降(Vf): 1.5V@40A 直流反向耐压(Vr): 1.2kV 类目: 碳化硅二极管编号: C19723893 详细: 数据手册领券 200-60 立即领取 7.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯7.5折第二阶梯7.5折第三阶梯7.5折第四阶梯7.5折领券 PLUS专享立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存20) SMT扩展库 7.5 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥35.0475 ￥30.7275 ￥28.0875 ￥25.875 原价￥46.73 ￥40.97 ￥37.45 ￥34.5 1+: ￥35.0475 10+: ￥30.7275 30+: ￥28.0875 90+: ￥25.875 现货最快4H发广东仓: 20 江苏仓: 80 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


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9.3折 GC4D30120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: 总电容电荷（Qc）:77.5nC 总功率(Ptot):440W 整流电流(Io): 44A 正向压降(Vf): 1.5V 直流反向耐压(Vr): 1.2kV 类目: 碳化硅二极管编号: C7435100 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 9.3 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯10折第四阶梯9.3折第五阶梯9.3折第六阶梯9.3折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9.3 折 1+: 10+: 30+: 90+: 600+: 900+: 折后价￥31.15 ￥27.13 ￥24.74 ￥20.7576 ￥19.7253 ￥19.251 原价￥22.32 ￥21.21 ￥20.7 1+: ￥31.15 10+: ￥27.13 30+: ￥24.74 90+: ￥20.7576 600+: ￥19.7253 900+: ￥19.251 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 268 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购

9.3折 GC3D20060D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: 总电容电荷（Qc）:110nC 总功率(Ptot):250W 整流电流(Io): 27.5A 正向压降(Vf): 1.5V 直流反向耐压(Vr): 650V 类目: 碳化硅二极管编号: C7435095 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 9.3 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯10折第四阶梯9.3折第五阶梯9.3折第六阶梯9.3折 9.3 折 1+: 10+: 30+: 90+: 600+: 900+: 折后价￥14.13 ￥12.94 ￥12.19 ￥10.6299 ￥10.3137 ￥10.1742 原价￥11.43 ￥11.09 ￥10.94 1+: ￥14.13 10+: ￥12.94 30+: ￥12.19 90+: ￥10.6299 600+: ￥10.3137 900+: ￥10.1742 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 484 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购

CI04S65E3 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-252-2 描述: 碳化硅SiC 二极管配置: 独立式整流电流(Io): 13.5A 正向压降(Vf): 1.4V@4A 直流反向耐压(Vr): 650V 类目: 碳化硅二极管编号: C967703 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1632) SMT扩展库 1+: ￥5.86 10+: ￥4.88 30+: ￥4.4 100+: ￥3.92 500+: ￥3.02 1000+: ￥2.87 现货最快4H发广东仓: 1392 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交19单已加购

9折 SCS310AHGC9 品牌: ROHM(罗姆) 封装: TO-220ACP 整流电流(Io): 10A 正向压降(Vf): 1.5V@10A 直流反向耐压(Vr): 650V 反向电流(Ir): 50uA@650V 类目: 碳化硅二极管编号: C3759373 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥9.32 ￥8.49 ￥7.173 ￥6.687 ￥6.471 ￥6.381 原价￥7.97 ￥7.43 ￥7.19 ￥7.09 1+: ￥9.32 10+: ￥8.49 30+: ￥7.173 100+: ￥6.687 500+: ￥6.471 1000+: ￥6.381 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 783 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购


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GC3D10060A 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-220-2 描述: 总电容电荷（Qc）:25nC 总功率(Ptot):136W 整流电流(Io): 30A 正向压降(Vf): 1.5V 直流反向耐压(Vr): 600V 类目: 碳化硅二极管编号: C7435067 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥4.86 10+: ￥3.96 50+: ￥3.51 100+: ￥3.06 500+: ￥2.79 1000+: ￥2.65 现货最快4H发广东仓: 88 江苏仓: 411 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交18单已加购

9.8折 IDH10SG60C 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-220-2 整流电流(Io): 10A 正向压降(Vf): 1.8V@10A 直流反向耐压(Vr): 600V 反向电流(Ir): 800nA@600V 类目: 碳化硅二极管编号: C535874 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 9.8 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯10折第四阶梯9.8折第五阶梯9.8折第六阶梯9.8折嘉立创贴片惊喜价格(库存402) SMT扩展库 9.8 折 1+: 10+: 50+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥28.78 ￥24.96 ￥22.68 ￥19.9822 ￥18.9434 ￥18.473 原价￥20.39 ￥19.33 ￥18.85 1+: ￥28.78 10+: ￥24.96 50+: ￥22.68 100+: ￥19.9822 500+: ￥18.9434 1000+: ￥18.473 现货最快4H发广东仓: 402 江苏仓: 9 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购


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GC3M0075120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 32A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435045 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥25.43 10+: ￥21.97 30+: ￥19.91 90+: ￥17.83 600+: ￥16.87 900+: ￥16.43 现货最快4H发广东仓: 179 江苏仓: 58 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购

CI20S120D3 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅SiC 二极管配置: 1对共阴极整流电流(Io): 34A 正向压降(Vf): 1.5V@10A 直流反向耐压(Vr): 1.2kV 类目: 碳化硅二极管编号: C967729 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存557) SMT扩展库 1+: ￥21.89 10+: ￥19.5 30+: ￥13.39 90+: ￥11.86 510+: ￥11.17 1020+: ￥10.87 现货最快4H发广东仓: 557 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购

STPSC6H065D 品牌: ST(意法半导体) 封装: TO-220AC 描述: 650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管整流电流(Io): 6A 正向压降(Vf): 1.75V@6A 直流反向耐压(Vr): 650V 类目: 碳化硅二极管编号: C472624 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存4830) SMT扩展库 1+: ￥8.28 10+: ￥6.93 50+: ￥6.18 100+: ￥5.34 500+: ￥4.96 1000+: ￥4.8 现货最快4H发广东仓: 4810 江苏仓: 2 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购


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GC4D20120H 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-2 描述: 总电容电荷（Qc）:52nC 总功率(Ptot):352W 整流电流(Io): 54A 正向压降(Vf): 1.5V 直流反向耐压(Vr): 1.2kV 类目: 碳化硅二极管编号: C7435089 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥13.87 10+: ￥11.86 30+: ￥10.61 90+: ￥9.32 600+: ￥8.74 900+: ￥8.48 现货最快4H发广东仓: 181 江苏仓: 63 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交18单已加购

NTH4L040N120M3S 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-247-4 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19673849 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥45.84 10+: ￥39.92 30+: ￥36.31 90+: ￥33.28 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 406 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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9.5折 HC3M0045065D 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-247 描述: 此款碳化硅MOS器件，专为高性能电源管理系统打造，耐压等级达到650V，确保系统运行的安全边际。内阻最大仅为45毫欧，优化了导通性能，有助于降低功耗。提供49安培的连续电流承载能力，适合于中等功率应用，平衡了功率与效率的需求，是现代高效能电子产品设计的理想组件。沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 49A Vgs(th)-栅源阈值电压: 2V 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C22449546 详细: 数据手册领券 200-60 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折领券 PLUS专享立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥73.7295 ￥64.8755 ￥59.47 ￥54.9385 原价￥77.61 ￥68.29 ￥62.6 ￥57.83 1+: ￥73.7295 10+: ￥64.8755 30+: ￥59.47 90+: ￥54.9385 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 54 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购


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CI08S65M3 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-263-2 描述: 碳化硅SiC 二极管配置: 独立式整流电流(Io): 20A 正向压降(Vf): 1.5V@8A 直流反向耐压(Vr): 650V 类目: 碳化硅二极管编号: C967709 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存730) SMT扩展库 1+: ￥6.78 10+: ￥6.17 50+: ￥4.89 100+: ￥4.52 500+: ￥4.35 1000+: ￥4.28 现货最快4H发广东仓: 710 江苏仓: 4 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购

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