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首页 > 商品目录 > 碳化硅(SiC)器件 >
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碳化硅(SiC)器件

”共 2935件相关商品
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2935
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • KN3D10065G
  • 品牌: KNSCHA(科尼盛)
  • 封装: DFN-5(8x8)
  • 描述: 碳化硅二极管 SiC SBD 贴片封装 应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控
  • 二极管配置: 独立式
  • 整流电流: 10A
  • 正向压降(Vf): 1.5V
  • 直流反向耐压(Vr): 650V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 36A
    • 耗散功率(Pd): 192W
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 36A
    • 耗散功率(Pd): 150W
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    • 二极管配置: 独立式
    • 整流电流: 10A
    • 正向压降(Vf): 1.4V@2A
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    • KN3D06065G
    • 品牌: KNSCHA(科尼盛)
    • 封装: DFN-5(8x8)
    • 描述: 碳化硅二极管 SiC SBD 贴片封装 应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控
    • 二极管配置: 独立式
    • 整流电流: 6A
    • 正向压降(Vf): 1.5V
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    • HC3D04065E
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: TO-252-2L
    • 描述: 此碳化硅二极管特为高效电源方案打造,耐压达650伏特,支持4安培持续电流,加之仅1.3伏特的低正向压降,有效提升了电能使用效率,减少了热量输出,是构建高能效、紧凑型电子设备的优选元件。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.3V@4A
    • 直流反向耐压(Vr): 650V
    • 反向电流(Ir): 50uA@650V
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    • SP20D120CTT
    • 品牌: Siliup(矽普)
    • 封装: TO-247-2L
    • 描述: 碳化硅二极管产品,耐压:1200V,电流:20A,Vf:1.42V@20A, Qc:116nC
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    • 第二阶梯9.5
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    • 第六阶梯9.5
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    • 990+: 

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    • 漏源电压(Vdss): 1700V
    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 耗散功率(Pd): 62W
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    • 漏源电压(Vdss): 1700V
    • 连续漏极电流(Id): 5.2A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 120A
    • 耗散功率(Pd): 416W
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    • 漏源电压(Vdss): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 100A
    • 耗散功率(Pd): 469W
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    • 连续漏极电流(Id): 115A
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    • HC3D06065E
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: TO-252-2L
    • 描述: 此款碳化硅二极管专为高性能应用设计,具备650V高耐压,能承载6A强劲电流,其优异的1.3V低正向压降特性,大幅降低了能量损耗,提升了系统效率,是高能效电源管理及精密电路的优选组件。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.3V@6A
    • 直流反向耐压(Vr): 650V
    • 反向电流(Ir): 50uA@650V
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    • 封装:  TO-252-2L
      描述: 此款碳化硅二极管专为高性能应用设计,具备650V高耐压,能承载6A强劲电流,其优异的1.3V低正向压降特性,大幅降低了能量损耗,提升了系统效率,是高能效电源管理及精密电路的优选组件。
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    • 二极管配置: 独立式
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    • 整流电流: 6A
    • 正向压降(Vf): 1.75V@6A
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    • HC1D20065G
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: TO-263
    • 描述: 这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性,其最大工作电流IF可达20安培,反向击穿电压VR高达650伏特,正向电压降VF仅为1.3伏特,能够在高频率与严苛条件下保持稳定性能。适用于需要高效能与可靠性的电路设计中,如电源转换、逆变以及其他对效率和热性能有严格要求的应用领域。
    • 整流电流: 51A
    • 正向压降(Vf): 1.35V@20A
    • 直流反向耐压(Vr): 650V
    • 反向电流(Ir): 2uA@650V
  • 领券
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    • 第三阶梯9.3
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    • 第五阶梯9.3
    • 第六阶梯9.3
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      • ¥20.3112
      • ¥18.3117
      • ¥16.2936
      • ¥15.3636
      • ¥14.9451
      • 原价
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      ¥15.3636
    • 800+: 

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    • 广东仓: 162
      江苏仓: 0
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    • 二极管配置: 独立式
    • 整流电流: 86A
    • 正向压降(Vf): 1.35V@20A
    • 直流反向耐压(Vr): 650V
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    • 广东仓: 465
      江苏仓: 0
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    • 广东仓: 140
      江苏仓: 148
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    • HC3M001K170J
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: TO-263-7L
    • 描述: 这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计,具备超高的1700V耐压,确保在高电压系统中的稳定性和安全性。虽然内阻较高,最大为1000毫欧,但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。提供6安培的电流能力,是特殊高压环境下,追求可靠性和耐用性的理想选择。
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 1700V
    • 连续漏极电流(Id): 6.7A
    • 阈值电压(Vgs(th)): 1.8V
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    • 订单数量按照以下:
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    • 第三阶梯9
    • 第四阶梯9
    • 第五阶梯9
    • 第六阶梯9
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    • 广东仓: 133
      江苏仓: 71
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    • 封装:  TO-263-7L
      描述: 这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计,具备超高的1700V耐压,确保在高电压系统中的稳定性和安全性。虽然内阻较高,最大为1000毫欧,但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。提供6安培的电流能力,是特殊高压环境下,追求可靠性和耐用性的理想选择。
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        25+
    • 总额: ¥7236
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 60A
    • 耗散功率(Pd): 330W
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      ¥31.08
    • 10+: 

      ¥26.66
    • 30+: 

      ¥22.89
    • 90+: 

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    • 510+: 

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    • 1020+: 

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    • 广东仓: 369
      江苏仓: 0
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