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碳化硅(SiC)器件

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综合排序
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销量
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自营结果数1500+
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

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  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

CI7N170SM
CI7N170SM
品牌
Tokmas(托克马斯)
封装
TO-247-3
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C2842690
类型
1个N沟道
漏源电压
1700V
连续漏极电流
7A
耗散功率
62W

描述碳化硅

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存781
  • 22.58
  • 19.78
  • 13.38
  • 11.58
  • 10.77
  • 10.42
现货最快4小时发货
广东仓
752

30/

总额0

近期成交26单

KN3D10065G
KN3D10065G
品牌
KNSCHA(科尼盛)
封装
DFN-5(8x8)
类目
碳化硅二极管
编号
C5373124
二极管配置
独立式
整流电流
10A
正向压降
1.5V
直流反向耐压
650V

描述碳化硅二极管 SiC SBD 贴片封装 应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存925
9.5
  • 6.346
  • 5.282
  • 4.7025
  • 4.047
  • 3.7525
  • 3.6195
现货最快4小时发货
广东仓
917

3000/圆盘

总额0

近期成交9单

CI05S120E3
CI05S120E3
品牌
Tokmas(托克马斯)
封装
TO-252
类目
碳化硅二极管
编号
C2718438
二极管配置
独立式
整流电流
20A
正向压降
1.4V@5A
直流反向耐压
1.2kV

描述碳化硅SiC

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5020
  • 8.45
  • 7.01
  • 6.22
  • 5.32
  • 4.42
  • 4.24
现货最快4小时发货
广东仓
5000

2500/圆盘

总额0

近期成交14单

HC3D05120E
HC3D05120E
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
类目
碳化硅二极管
编号
C22449567
二极管配置
独立式
正向压降
1.4V@5A
直流反向耐压
1.2kV
反向电流
100uA@1200V

描述这款1200V碳化硅二极管,专为高电压环境设计,能承受5A持续电流,其正向压降低至1.4V,确保了在高压工作状态下的高效与稳定性。适用于需要高耐压与良好热管理的精密电子设备,是实现高效能电力转换系统的理想元件。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1015
9.3
  • 15.1869
  • 12.9456
  • 11.5413
  • 10.0998
  • 9.4581
  • 9.1698
现货最快4小时发货
广东仓
995

2500/圆盘

总额0

近期成交11单

HC3D05120E
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
备注
流动库存,下单前请提前咨询
批次
25+
立推售价
  • 7.63
库存
150K

2500/圆盘

总额0

IMW120R060M1H
类型
1个N沟道
漏源电压
1200V
连续漏极电流
36A
耗散功率
150W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存23
  • 34.39
  • 29.3
  • 26.21
  • 23.61
现货最快4小时发货
广东仓
23
江苏仓
351

30/

总额0

近期成交83单

GC3M0015065K
类型
1个N沟道
漏源电压
650V
连续漏极电流
120A
耗散功率
416W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存128
  • 68.28
  • 58.11
  • 51.92
  • 46.72
现货最快4小时发货
广东仓
128
江苏仓
59

30/

总额0

近期成交13单

KN3D06065G
KN3D06065G
品牌
KNSCHA(科尼盛)
封装
DFN-5(8x8)
类目
碳化硅二极管
编号
C5373184
二极管配置
独立式
整流电流
6A
正向压降
1.5V
直流反向耐压
650V

描述碳化硅二极管 SiC SBD 贴片封装 应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2677
9.5
  • 4.788
  • 4.3415
  • 4.104
  • 3.8285
  • 3.705
  • 3.648
现货最快4小时发货
广东仓
2657

3000/圆盘

总额0

近期成交25单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压
1200V
连续漏极电流
36A
耗散功率
192W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存186
  • 28.45
  • 24.78
  • 19.45
  • 17.24
  • 16.22
  • 15.76
现货最快4小时发货
广东仓
166
江苏仓
433

30/

总额0

近期成交38单

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存279
  • 55.77
  • 47.47
  • 42.41
  • 38.16
现货最快4小时发货
广东仓
279
江苏仓
183

30/

总额0

近期成交8单

IMZA65R027M1H
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247-4
立推售价
  • 24
库存
30K

30/

总额0

GC3D10065A
GC3D10065A
品牌
SUPSiC(国晶微半导体)
封装
TO-220-2
类目
碳化硅二极管
编号
C7435068
整流电流
30A
正向压降
1.5V
直流反向耐压
650V

描述总电容电荷(Qc):25nC 总功率(Ptot):136W

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存863
  • 4.47
  • 3.61
  • 3.08
  • 2.65
  • 2.39
  • 2.26
现货最快4小时发货
广东仓
863
江苏仓
445

50/

总额0

近期成交71单

HC3D04065E
HC3D04065E
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
类目
碳化硅二极管
编号
C22449553
二极管配置
独立式
正向压降
1.3V@4A
直流反向耐压
650V
反向电流
50uA@650V

描述此碳化硅二极管特为高效电源方案打造,耐压达650伏特,支持4安培持续电流,加之仅1.3伏特的低正向压降,有效提升了电能使用效率,减少了热量输出,是构建高能效、紧凑型电子设备的优选元件。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存761
8.3
  • 5.6025
  • 4.6812
  • 4.1666
  • 3.5939
  • 3.3366
  • 3.2287
现货最快4小时发货
广东仓
741

2500/圆盘

总额0

近期成交12单

GC2M0080120D1
类型
1个N沟道
漏源电压
1200V
连续漏极电流
34A
耗散功率
190W

描述碳化硅场效应管

  • 收藏
  • 对比
  • 25.19
  • 21.57
  • 18.74
  • 16.57
  • 15.57
  • 15.12
现货最快4小时发货
广东仓
213
江苏仓
304

30/

总额0

近期成交20单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压
1200V
连续漏极电流
32A
耗散功率
136W
  • 收藏
  • 对比
9.6
  • 29.09
  • 24.94
  • 22.01
  • 18.7296
  • 17.6256
  • 17.1264
现货最快4小时发货
广东仓
135
江苏仓
90

30/

总额0

近期成交8单

IMBF170R1K0M1XTMA1
类型
1个N沟道
漏源电压
1700V
连续漏极电流
5.2A
耗散功率
68W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存481
  • 29.56
  • 25.66
  • 23.35
  • 19.19
现货最快4小时发货
广东仓
476

1000/圆盘

总额0

近期成交36单

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存416
8
  • 12.536
  • 10.608
  • 9.4
  • 8.168
  • 7.608
  • 7.368
现货最快4小时发货
广东仓
396

30/

总额0

近期成交12单

CI20S65D3
CI20S65D3
品牌
Tokmas(托克马斯)
封装
TO-247-3
类目
碳化硅二极管
编号
C967714
二极管配置
1对共阴极
整流电流
27.5A
正向压降
1.5V@10A
直流反向耐压
650V

描述碳化硅SiC

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存376
8
  • 14.464
  • 12.248
  • 10.368
  • 8.944
  • 8.304
  • 8.024
现货最快4小时发货
广东仓
376
江苏仓
1

30/

总额0

近期成交13单

耐压:1.2kV 电流:30A

描述1200V 80mΩ

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存628
  • 19.83
  • 17.18
  • 12.76
  • 11.06
  • 10.29
  • 9.96
现货最快4小时发货
广东仓
608

30/

总额0

近期成交15单

CI40N65SM(TOKMAS)

描述碳化硅

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存366
9.2
  • 23.5796
  • 20.1572
  • 17.3512
  • 15.2996
  • 14.352
  • 13.9196
现货最快4小时发货
广东仓
366

30/

总额0

近期成交6单

GC3M0015065D
类型
1个N沟道
漏源电压
650V
连续漏极电流
120A
耗散功率
416W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存37
9.5
  • 72.9
  • 63.21
  • 56.05
  • 48.545
现货最快4小时发货
广东仓
37
江苏仓
109

30/

总额0

近期成交10单

CI04S65E3
CI04S65E3
品牌
Tokmas(托克马斯)
封装
TO-252
类目
碳化硅二极管
编号
C967703
二极管配置
独立式
整流电流
13.5A
正向压降
1.4V@4A
直流反向耐压
650V

描述碳化硅SiC

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2468
  • 3.46
  • 3.1
  • 2.92
  • 2.74
  • 2.3
  • 2.25
现货最快4小时发货
广东仓
2226

2500/圆盘

总额0

近期成交32单

CI02S120E3
CI02S120E3
品牌
Tokmas(托克马斯)
封装
TO-252
类目
碳化硅二极管
编号
C967720
二极管配置
独立式
整流电流
10A
正向压降
1.4V@2A
直流反向耐压
1.2kV

描述碳化硅SiC

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3930
  • 5.24
  • 4.29
  • 3.81
  • 3.34
  • 2.61
  • 2.47
现货最快4小时发货
广东仓
3871

2500/圆盘

总额0

近期成交32单

HC1D06065N
HC1D06065N
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
QPFN-8(5x6)
类目
碳化硅二极管
编号
C41428799
整流电流
23A
正向压降
1.3V@6A
直流反向耐压
650V
反向电流
50uA@650V

描述这款碳化硅二极管具备6A的正向电流(IF)承载能力,以及650V的反向电压(VR)耐受性,确保了在高压应用中的可靠性。其较低的正向电压(VF)为1.3V,有助于减少导通时的功率损耗。适用于需要高效率与稳健性能的场合,如高性能的开关电源转换、光伏能源转换系统及消费类电子产品中的整流应用,可以提升整体电路的效能与耐用性。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1323
  • 5.4
  • 4.36
  • 3.84
  • 3.33
  • 2.95
  • 2.79
现货最快4小时发货
广东仓
1288

5000/圆盘

总额0

近期成交23单

HC1D06065N
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
QPFN-8(5x6)
备注
流动库存,下单前请提前咨询
批次
25+
立推售价
  • 2.4525
库存
150K

5000/圆盘

总额0

YJD106506PQG2
YJD106506PQG2
品牌
YANGJIE(扬杰)
封装
TO-220-2
类目
碳化硅二极管
编号
C20605563
整流电流
21A
正向压降
1.5V@6A
直流反向耐压
650V
反向电流
25uA@650V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存898
  • 6.58
  • 5.3
  • 4.66
  • 4.02
  • 3.64
现货最快4小时发货
广东仓
898

50/

总额0

近期成交5单

HC3D06065E
HC3D06065E
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
类目
碳化硅二极管
编号
C22449555
二极管配置
独立式
正向压降
1.3V@6A
直流反向耐压
650V
反向电流
50uA@650V

描述此款碳化硅二极管专为高性能应用设计,具备650V高耐压,能承载6A强劲电流,其优异的1.3V低正向压降特性,大幅降低了能量损耗,提升了系统效率,是高能效电源管理及精密电路的优选组件。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存649
8.8
  • 8.5008
  • 7.1016
  • 6.336
  • 5.4736
  • 5.0864
  • 4.9192
现货最快4小时发货
广东仓
649

2500/圆盘

总额0

近期成交2单

HC3D06065E
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
备注
流动库存,下单前请提前咨询
批次
25+
立推售价
  • 4.1202
库存
200K

2500/圆盘

总额0

CI08S65E3
CI08S65E3
品牌
Tokmas(托克马斯)
封装
TO-252
类目
碳化硅二极管
编号
C967708
二极管配置
独立式
整流电流
20A
正向压降
1.8V@8A
直流反向耐压
650V

描述碳化硅SiC

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1851
  • 8.54
  • 7.13
  • 6.36
  • 5.49
  • 4.55
  • 4.38
现货最快4小时发货
广东仓
1831

2500/圆盘

总额0

近期成交30单

YJD112010DQG2
YJD112010DQG2
品牌
YANGJIE(扬杰)
封装
TO-252
类目
碳化硅二极管
编号
C20605590
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 12.29
  • 10.37
  • 9.17
  • 7.95
  • 7.39
  • 7.15
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2483

2500/圆盘

总额0

近期成交2单

SIC MOS
SP20D120CTT
品牌
Siliup(矽普)
封装
TO-247-2L
类目
碳化硅二极管
编号
C22466833

描述碳化硅二极管产品,耐压:1200V,电流:20A,Vf:1.42V@20A, Qc:116nC

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存325
9.5
  • 15.0765
  • 12.692
  • 11.191
  • 9.652
  • 8.968
  • 8.664
现货最快4小时发货
广东仓
325
江苏仓
484

30/

总额0

近期成交9单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压
1200V
连续漏极电流
63A
耗散功率
283W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11
9.6
  • 49.18
  • 40.74
  • 36.67
  • 31.92
现货最快4小时发货
广东仓
11
江苏仓
115

30/

总额0

近期成交7单

IMW120R030M1H
类型
1个N沟道
漏源电压
1200V
连续漏极电流
56A
耗散功率
227W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存195
  • 91.56
  • 84.11
  • 77.24
  • 71.26
现货最快4小时发货
广东仓
195

30/

总额0

近期成交14单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压
1200V
连续漏极电流
90A
耗散功率
378W
  • 收藏
  • 对比
9.6
  • 102.8
  • 95.94
  • 87.7
  • 77.28
现货最快4小时发货
广东仓
60
江苏仓
12

30/

总额0

近期成交4单