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碳化硅(SiC)器件

”共 2856件相关商品
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2856
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • KN3D10065G
  • 品牌: KNSCHA(科尼盛)
  • 封装: DFN-5(8x8)
  • 描述: 碳化硅二极管 SiC SBD 贴片封装 应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控
  • 二极管配置: 独立式
  • 整流电流: 10A
  • 正向压降(Vf): 1.5V
  • 直流反向耐压(Vr): 650V
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    • SP20D120CTT
    • 品牌: Siliup(矽普)
    • 封装: TO-247-2L
    • 描述: 碳化硅二极管产品,耐压:1200V,电流:20A,Vf:1.42V@20A, Qc:116nC
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    • KN3D06065G
    • 品牌: KNSCHA(科尼盛)
    • 封装: DFN-5(8x8)
    • 描述: 碳化硅二极管 SiC SBD 贴片封装 应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控
    • 二极管配置: 独立式
    • 整流电流: 6A
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    • HC3D06065E
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: TO-252-2L
    • 描述: 此款碳化硅二极管专为高性能应用设计,具备650V高耐压,能承载6A强劲电流,其优异的1.3V低正向压降特性,大幅降低了能量损耗,提升了系统效率,是高能效电源管理及精密电路的优选组件。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.3V@6A
    • 直流反向耐压(Vr): 650V
    • 反向电流(Ir): 50uA@650V
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    • HC3M001K170J
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: TO-263-7L
    • 描述: 这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计,具备超高的1700V耐压,确保在高电压系统中的稳定性和安全性。虽然内阻较高,最大为1000毫欧,但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。提供6安培的电流能力,是特殊高压环境下,追求可靠性和耐用性的理想选择。
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 1700V
    • 连续漏极电流(Id): 6.7A
    • 阈值电压(Vgs(th)): 1.8V
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    • 封装:  TO-263-7L
      描述: 这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计,具备超高的1700V耐压,确保在高电压系统中的稳定性和安全性。虽然内阻较高,最大为1000毫欧,但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。提供6安培的电流能力,是特殊高压环境下,追求可靠性和耐用性的理想选择。
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    • 沟道类型: 1个N沟道
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    • HC3D05120E
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: TO-252-2L
    • 描述: 这款1200V碳化硅二极管,专为高电压环境设计,能承受5A持续电流,其正向压降低至1.4V,确保了在高压工作状态下的高效与稳定性。适用于需要高耐压与良好热管理的精密电子设备,是实现高效能电力转换系统的理想元件。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.4V@5A
    • 直流反向耐压(Vr): 1.2kV
    • 反向电流(Ir): 100uA@1200V
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    • 整流电流: 54A
    • 正向压降(Vf): 1.5V
    • 直流反向耐压(Vr): 1.2kV
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 1700V
    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 耗散功率(Pd): 62W
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 66A
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 98A
    • 耗散功率(Pd): 375W
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    • 二极管配置: 独立式
    • 整流电流: 13.5A
    • 正向压降(Vf): 1.4V@4A
    • 直流反向耐压(Vr): 650V
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    • 整流电流: 27.5A
    • 正向压降(Vf): 1.5V
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 60A
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    • HC3M0045065D
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: TO-247
    • 描述: 此款碳化硅MOS器件,专为高性能电源管理系统打造,耐压等级达到650V,确保系统运行的安全边际。内阻最大仅为45毫欧,优化了导通性能,有助于降低功耗。提供49安培的连续电流承载能力,适合于中等功率应用,平衡了功率与效率的需求,是现代高效能电子产品设计的理想组件。
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 49A
    • 阈值电压(Vgs(th)): 2V
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 46A
    • 耗散功率(Pd): 176W
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      江苏仓: 208
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 56A
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    • 广东仓: 205
      江苏仓: 0
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    • 二极管配置: 独立式
    • 整流电流: 20A
    • 正向压降(Vf): 1.4V@5A
    • 直流反向耐压(Vr): 1.2kV
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    • 二极管配置: 独立式
    • 整流电流: 20A
    • 正向压降(Vf): 1.5V@8A
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    • 二极管配置: 独立式
    • 整流电流: 19A
    • 正向压降(Vf): 1.4V@5A
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