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碳化硅(SiC)器件

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2436
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  • 沟道类型: 1个N沟道
  • Vds-漏源击穿电压: 1200V
  • Id-漏极电流(25℃): 36A
  • Pd-功耗: 192W
  • 领券
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  • SMT扩展库
    • 1+: 

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    • 10+: 

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    • 30+: 

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    • 广东仓: 1118
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    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交58单
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 90A
    • 1+: 

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    • 10+: 

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    • 30+: 

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    • 广东仓: 119
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    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交9单
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 115A
    • Pd-功耗: 556W
    • 1+: 

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    • 30+: 

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    • 广东仓: 19
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    • 30个/管
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    • 近期成交11单
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    • 整流电流(Io): 30A
    • 正向压降(Vf): 1.4V
    • 直流反向耐压(Vr): 1.2kV
    • 1+: 

      ¥16.23
    • 10+: 

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    • 广东仓: 362
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    • 25个/管
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    • 近期成交23单
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1700V
    • Id-漏极电流(25℃): 72A
  • 领券
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    • 1+: 

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    • 3+: 

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    • 30+: 

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    • 广东仓: 47
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    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交8单
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1700V
    • Id-漏极电流(25℃): 81A
    • 1+: 

      ¥200.22
    • 30+: 

      ¥191.54
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    • 广东仓: 2
      江苏仓: 118
    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交4单
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 66A
    • Pd-功耗: 326W
    • 1+: 

      ¥76.53
    • 10+: 

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    • 30+: 

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    • 广东仓: 175
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    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交31单
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    • 二极管配置: 独立式
    • 整流电流(Io): 43.5A
    • 正向压降(Vf): 1.6V@15A
    • 直流反向耐压(Vr): 1.2kV
    • 1+: 

      ¥16.58
    • 10+: 

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    • 30+: 

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    • 90+: 

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    • 510+: 

      ¥9.28
    • 1020+: 

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    • 广东仓: 540
      江苏仓: 3
    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交10单
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 127A
    • 1+: 

      ¥165.83
    • 30+: 

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    • 广东仓: 195
      江苏仓: 0
    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交9单
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    • 二极管配置: 独立式
    • 整流电流(Io): 70A
    • 正向压降(Vf): 1.5V@25A
    • 直流反向耐压(Vr): 1.7kV
    • 1+: 

      ¥50.52
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    • 30+: 

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    • 90+: 

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    • 广东仓: 190
      江苏仓: 3
    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交11单
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    • 整流电流(Io): 102A
    • 正向压降(Vf): 1.6V
    • 直流反向耐压(Vr): 1.2kV
    • 1+: 

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    • 广东仓: 0
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    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交5单
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    • 二极管配置: 1对共阴极
    • 整流电流(Io): 34A
    • 正向压降(Vf): 1.5V@10A
    • 直流反向耐压(Vr): 1.2kV
    • 1+: 

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    • 广东仓: 147
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    • 近期成交11单
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 60A
    • 1+: 

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    • 广东仓: 480
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    • 总额: ¥0
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    • 近期成交15单
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 19A
    • 1+: 

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    • 10+: 

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    • 广东仓: 146
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    • 整流电流(Io): 6A
    • 正向压降(Vf): 1.75V@6A
    • 直流反向耐压(Vr): 650V
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    • 广东仓: 4990
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    • 近期成交2单
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 100A
  • 领券
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    • 近期成交6单
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 36A
    • Pd-功耗: 192W
    • 1+: 

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    • 广东仓: 46
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    • 总额: ¥0
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    • 近期成交10单
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 650V
    • Id-漏极电流(25℃): 21A
    • Pd-功耗: 103W
    • 1+: 

      ¥32.42
    • 10+: 

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    • 30+: 

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    • 广东仓: 430
      江苏仓: 1
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    • 总额: ¥0
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 63A
  • 领券
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    • 近期成交8单
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 13A
    • Pd-功耗: 75W
    • 1+: 

      ¥42.61
    • 10+: 

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    • 30+: 

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      ¥32.5
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    • 广东仓: 100
      江苏仓: 0
    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 整流电流(Io): 30A
    • 正向压降(Vf): 1.5V
    • 直流反向耐压(Vr): 650V
  • 领券
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    • 广东仓: 2407
      江苏仓: 0
    • 50个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交29单
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 66A
  • 领券
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    • 1+: 

      ¥55
    • 10+: 

      ¥48.08
    • 30+: 

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    • 90+: 

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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 177
    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交13单
      已加购
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 34A
    • Pd-功耗: 190W
  • 领券
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    • 1+: 

      ¥27.21
    • 10+: 

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    • 广东仓: 848
      江苏仓: 854
    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交20单
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 32A
  • 领券
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    • 1+: 

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    • 广东仓: 90
      江苏仓: 42
    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交5单
      已加购
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1700V
    • Id-漏极电流(25℃): 7A
    • Pd-功耗: 62W
    • 1+: 

      ¥24.65
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    • 广东仓: 442
      江苏仓: 0
    • 30个/管
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    • 近期成交22单
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 66A
  • 领券
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    • 10+: 

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    • 广东仓: 4
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    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交8单
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 900V
    • Id-漏极电流(25℃): 36A
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    • 近期成交25单
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 55A
  • 领券
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    • 广东仓: 100
      江苏仓: 130
    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交13单
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 650V
    • Id-漏极电流(25℃): 46A
    • Pd-功耗: 176W
    • 1+: 

      ¥90.89
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      ¥87.05
    • 30+: 

      ¥80.39
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      ¥74.58
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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 448
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    • 直流反向耐压(Vr): 650V
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