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碳化硅(SiC)器件

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自营结果数1500+
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  • 库存交期

  • 操作

GC3M0015065K
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
120A
耗散功率(Pd)
416W
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存181
  • 81.65
  • 69.49
  • 62.08
  • 55.87
现货最快4小时发货
广东仓
181
江苏仓
13

30/

总额0

近期成交14单

GC3D10065A
GC3D10065A
品牌
SUPSiC(国晶微半导体)
封装
TO-220-2
类目
碳化硅二极管
编号
C7435068
整流电流
30A
正向压降(Vf)
1.5V
直流反向耐压(Vr)
650V

描述总电容电荷(Qc):25nC 总功率(Ptot):136W

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1560
  • 4.47
  • 3.61
  • 3.08
  • 2.65
  • 2.39
  • 2.26
现货最快4小时发货
广东仓
1558
江苏仓
3

50/

总额0

近期成交70单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
36A
耗散功率(Pd)
192W
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存126
9.5
  • 28.45
  • 24.78
  • 19.45
  • 16.378
  • 15.409
  • 14.972
现货最快4小时发货
广东仓
125
江苏仓
176

30/

总额0

近期成交36单

HC1D06065N
HC1D06065N
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
QPFN-8(5x6)
类目
碳化硅二极管
编号
C41428799
整流电流
23A
正向压降(Vf)
1.3V@6A
直流反向耐压(Vr)
650V
反向电流(Ir)
50uA@650V

描述这款碳化硅二极管具备6A的正向电流(IF)承载能力,以及650V的反向电压(VR)耐受性,确保了在高压应用中的可靠性。其较低的正向电压(VF)为1.3V,有助于减少导通时的功率损耗。适用于需要高效率与稳健性能的场合,如高性能的开关电源转换、光伏能源转换系统及消费类电子产品中的整流应用,可以提升整体电路的效能与耐用性。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1172
9.5
  • 5.4
  • 4.36
  • 3.84
  • 3.1635
  • 2.8025
  • 2.6505
现货最快4小时发货
广东仓
1095

5000/圆盘

总额0

近期成交30单

CI05S120E3
CI05S120E3
品牌
Tokmas(托克马斯)
封装
TO-252
类目
碳化硅二极管
编号
C2718438
二极管配置
独立式
整流电流
20A
正向压降(Vf)
1.4V@5A
直流反向耐压(Vr)
1.2kV

描述碳化硅SiC

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5824
  • 8.45
  • 7.01
  • 6.22
  • 5.32
  • 4.42
  • 4.24
现货最快4小时发货
广东仓
5669

2500/圆盘

总额0

近期成交27单

HC3D05120E
HC3D05120E
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
类目
碳化硅二极管
编号
C22449567
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1.4V@5A
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
100uA@1200V

描述这款1200V碳化硅二极管,专为高电压环境设计,能承受5A持续电流,其正向压降低至1.4V,确保了在高压工作状态下的高效与稳定性。适用于需要高耐压与良好热管理的精密电子设备,是实现高效能电力转换系统的理想元件。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存978
9.3
  • 15.1869
  • 12.9456
  • 11.5413
  • 10.0998
  • 9.4581
  • 9.1698
现货最快4小时发货
广东仓
977

2500/圆盘

总额0

近期成交11单

CI7N170SM
CI7N170SM
品牌
Tokmas(托克马斯)
封装
TO-247-3
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C2842690
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
7A
耗散功率(Pd)
62W

描述碳化硅

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存571
  • 22.58
  • 19.78
  • 13.38
  • 11.58
  • 10.77
  • 10.42
现货最快4小时发货
广东仓
563

30/

总额0

近期成交25单

IMW120R060M1H
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
36A
耗散功率(Pd)
150W
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1151
  • 34.35
  • 29.27
  • 26.18
  • 23.58
现货最快4小时发货
广东仓
1151
江苏仓
169

30/

总额0

近期成交72单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
55A
耗散功率(Pd)
278W
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存298
  • 46.23
  • 40.47
  • 35.45
  • 32.5
现货最快4小时发货
广东仓
298
江苏仓
23

30/

总额0

近期成交8单

KN3D10065G
KN3D10065G
品牌
KNSCHA(科尼盛)
封装
DFN-5(8x8)
类目
碳化硅二极管
编号
C5373124
二极管配置
独立式
整流电流
10A
正向压降(Vf)
1.5V
直流反向耐压(Vr)
650V

描述碳化硅二极管 SiC SBD 贴片封装 应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存850
9.5
  • 4.7595
  • 4.313
  • 4.0755
  • 3.8
  • 3.6765
  • 3.6195
现货最快4小时发货
广东仓
846

3000/圆盘

总额0

近期成交14单

KN3D06065G
KN3D06065G
品牌
KNSCHA(科尼盛)
封装
DFN-5(8x8)
类目
碳化硅二极管
编号
C5373184
二极管配置
独立式
整流电流
6A
正向压降(Vf)
1.5V
直流反向耐压(Vr)
650V

描述碳化硅二极管 SiC SBD 贴片封装 应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2662
9.5
  • 4.788
  • 4.3415
  • 4.104
  • 3.8285
  • 3.705
  • 3.648
现货最快4小时发货
广东仓
2661

3000/圆盘

总额0

近期成交21单

GC2M0080120D1
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
34A
耗散功率(Pd)
190W

描述碳化硅场效应管

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  • 对比
  • 25.19
  • 21.57
  • 18.74
  • 16.57
  • 15.57
  • 15.12
现货最快4小时发货
广东仓
43
江苏仓
231

30/

总额0

近期成交21单

IMZA65R027M1H
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
59A
阈值电压(Vgs(th))
5.7V
栅极电荷量(Qg)
63nC
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存279
  • 55.41
  • 47.11
  • 42.05
  • 37.8
现货最快4小时发货
广东仓
279
江苏仓
106

30/

总额0

近期成交8单

HC3D25170H
HC3D25170H
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-2L
类目
碳化硅二极管
编号
C22449570
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1.4V@30A
直流反向耐压(Vr)
1.7kV
反向电流(Ir)
10uA@1700V

描述这款碳化硅二极管突破性地达到了1700V的工作电压,同时提供25A的大电流处理能力,加之1.4V的低正向压降,成为高电压大功率应用领域的佼佼者。它完美融合了高耐压、强载流与高效能特性,是先进电源技术和能源系统升级的优选器件。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存140
8
  • 106.984
  • 101.808
现货最快4小时发货
广东仓
140

30/

总额0

近期成交4单

HC3D04065E
HC3D04065E
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
类目
碳化硅二极管
编号
C22449553
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1.3V@4A
直流反向耐压(Vr)
650V
反向电流(Ir)
50uA@650V

描述此碳化硅二极管特为高效电源方案打造,耐压达650伏特,支持4安培持续电流,加之仅1.3伏特的低正向压降,有效提升了电能使用效率,减少了热量输出,是构建高能效、紧凑型电子设备的优选元件。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存733
8.3
  • 5.3452
  • 4.4239
  • 3.9093
  • 3.3366
  • 3.0793
  • 2.9714
现货最快4小时发货
广东仓
718

2500/圆盘

总额0

近期成交17单

碳化硅功率N沟道增强型MOSFET
类型
N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
5A
耗散功率(Pd)
69W
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存394
8
  • 12.536
  • 10.608
  • 9.4
  • 8.168
  • 7.608
  • 7.368
现货最快4小时发货
广东仓
394

30/

总额0

近期成交17单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
32A
耗散功率(Pd)
136W
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存248
  • 33.24
  • 29.09
  • 25.69
  • 23.19
  • 22.04
  • 21.52
现货最快4小时发货
广东仓
238
江苏仓
31

30/

总额0

近期成交4单

IMZA120R040M1HXKSA1
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
55A
耗散功率(Pd)
227W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存897
  • 33.56
  • 28.47
  • 25.44
  • 22.38
  • 20.97
现货最快4小时发货
广东仓
897

30/

总额0

近期成交30单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
72A
耗散功率(Pd)
520W
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  • 对比
  • 140.97
  • 130.98
  • 124.32
现货最快4小时发货
广东仓
39
江苏仓
138

30/

总额0

近期成交10单

CI04S65E3
CI04S65E3
品牌
Tokmas(托克马斯)
封装
TO-252
类目
碳化硅二极管
编号
C967703
二极管配置
独立式
整流电流
13.5A
正向压降(Vf)
1.4V@4A
直流反向耐压(Vr)
650V

描述碳化硅SiC

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2086
  • 4.69
  • 3.83
  • 3.4
  • 2.97
  • 2.38
  • 2.25
现货最快4小时发货
广东仓
2086

2500/圆盘

总额0

近期成交34单

HC4D05120A
HC4D05120A
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220-2L
类目
碳化硅二极管
编号
C19723882
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1.8V@5A
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
150uA@1200V

描述这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装,具有1200V高反向耐压和5A连续正向电流承载力,其正向导通电压VF低至1.4V。适用于高效能电源转换、工业逆变器及新能源系统,具备卓越的高温稳定性和快速恢复特性,实现小型化与节能型整流方案。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存498
  • 7.02
  • 5.83
  • 5.03
  • 4.29
  • 3.96
  • 3.81
现货最快4小时发货
广东仓
498
江苏仓
1

50/

总额0

近期成交8单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
5A
耗散功率(Pd)
69W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存279
  • 14.23
  • 12.27
  • 10.72
  • 9.46
  • 8.9
  • 8.65
现货最快4小时发货
广东仓
279
江苏仓
43

30/

总额0

近期成交12单

GC4D20120H
GC4D20120H
品牌
SUPSiC(国晶微半导体)
封装
TO-247-2
类目
碳化硅二极管
编号
C7435089
整流电流
54A
正向压降(Vf)
1.5V
直流反向耐压(Vr)
1.2kV

描述总电容电荷(Qc):52nC 总功率(Ptot):352W

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存67
  • 18.31
  • 15.9
  • 13.19
  • 11.64
  • 10.95
  • 10.64
现货最快4小时发货
广东仓
67
江苏仓
187

30/

总额0

近期成交14单

GC4D30120H
GC4D30120H
品牌
SUPSiC(国晶微半导体)
封装
TO-247-2
类目
碳化硅二极管
编号
C7435090
整流电流
94A
正向压降(Vf)
1.5V
直流反向耐压(Vr)
1.2kV

描述总电容电荷(Qc):77.5nC 总功率(Ptot):440W

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存197
9.5
  • 29.8965
  • 25.8305
  • 21.584
  • 19.133
  • 18.0025
  • 17.4895
现货最快4小时发货
广东仓
197
江苏仓
7

30/

总额0

近期成交7单

GC4D40120H
GC4D40120H
品牌
SUPSiC(国晶微半导体)
封装
TO-247-2
类目
碳化硅二极管
编号
C7435091
整流电流
128A
正向压降(Vf)
1.5V
直流反向耐压(Vr)
1.2kV

描述总电容电荷(Qc):99nC 总功率(Ptot):532W

  • 收藏
  • 对比
  • 40.31
  • 35.05
  • 30.75
  • 27.6
  • 26.14
  • 25.48
现货最快4小时发货
广东仓
140

30/

总额0

近期成交11单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
63A
耗散功率(Pd)
283W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存151
  • 54.5
  • 46.07
  • 41.99
  • 38.57
现货最快4小时发货
广东仓
151

30/

总额0

近期成交7单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
66A
耗散功率(Pd)
326W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存180
  • 67.65
  • 59.35
  • 52.13
  • 47.88
现货最快4小时发货
广东仓
180
江苏仓
22

30/

总额0

近期成交5单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
90A
耗散功率(Pd)
378W
  • 收藏
  • 对比
  • 102.8
  • 95.94
  • 87.7
  • 80.5
现货最快4小时发货
广东仓
44
江苏仓
10

30/

总额0

近期成交6单

GC3N150PF 碳化硅超高压MOS
漏源电压(Vdss)
1.5kV
连续漏极电流(Id)
3.7A
耗散功率(Pd)
35W
栅极电荷量(Qg)
14nC
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存742
  • 5.84
  • 4.72
  • 4.16
  • 3.6
  • 3.27
现货最快4小时发货
广东仓
742

30/

总额0

近期成交13单

耐压:1.2kV 电流:30A
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
31A
耗散功率(Pd)
200W
阈值电压(Vgs(th))
4V

描述1200V 80mΩ

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存380
  • 21.04
  • 18.18
  • 13.4
  • 11.57
  • 10.74
  • 10.38
现货最快4小时发货
广东仓
379

30/

总额0

近期成交15单