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氮化镓(GaN)器件

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共 193 件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

MX1020W 品牌: Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微) 封装: CSP-6 描述: 氮化镓高速驱动类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C5875701 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存3620) SMT扩展库 1+: ￥2.72 10+: ￥2.16 30+: ￥1.92 100+: ￥1.62 500+: ￥1.49 1000+: ￥1.41 现货最快4H发广东仓: 3600 江苏仓: 965 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交26单已加购


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MX1025D 品牌: Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微) 封装: DFN-6L(2x2) 描述: 低边驱动@@单通道类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C5341121 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1248) SMT扩展库 5+: ￥1.3806 50+: ￥1.1916 150+: ￥1.1106 500+: ￥1.0095 3000+: ￥0.9645 现货最快4H发广东仓: 1220 江苏仓: 1865 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交47单已加购


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RC65D110A 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-220 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 20A Pd-功耗: 96W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547820 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存155) SMT扩展库 1+: ￥11.86 10+: ￥10.23 50+: ￥9.21 100+: ￥8.16 现货最快4H发广东仓: 155 江苏仓: 117 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交51单已加购


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CID10N65F 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-220F-3L 描述: 单管650V200毫欧沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 10A Pd-功耗: 75W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446732 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取 1+: ￥5.1 10+: ￥4.98 50+: ￥4.9 100+: ￥4.82 现货最快4H发广东仓: 263 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交18单已加购

RC65D160A 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-220F 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 16A Pd-功耗: 78W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19630736 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥8.09 10+: ￥6.83 50+: ￥6.14 100+: ￥5.36 现货最快4H发广东仓: 50 江苏仓: 203 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交16单已加购


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INN650D260A 品牌: Innoscience(英诺赛科) 封装: DFN(8x8) 描述: 氮化镓MOS管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 22A Pd-功耗: 75W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C5121645 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1128) SMT扩展库 1+: ￥8.79 10+: ￥7.47 30+: ￥6.75 100+: ￥5.93 500+: ￥5.57 1000+: ￥5.4 现货最快4H发广东仓: 1108 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交57单已加购


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GN1065T4ZG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: DFN-3L(5x6) 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 3.6A Pd-功耗: 13.2W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633388 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取 1+: ￥4.49 10+: ￥3.7 30+: ￥3.31 100+: ￥2.91 500+: ￥2.68 1000+: ￥2.56 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 3985 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购

9折 YHJ-65H225DDC 品牌: 誉鸿锦封装: DFN-8(8x8) 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22458938 详细: 数据手册领券 20-15 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥5.4 ￥4.59 ￥4.14 ￥3.636 ￥3.42 ￥3.312 原价￥6 ￥5.1 ￥4.6 ￥4.04 ￥3.8 ￥3.68 1+: ￥5.4 10+: ￥4.59 30+: ￥4.14 100+: ￥3.636 500+: ￥3.42 1000+: ￥3.312 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2960 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购


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GN2065T5ZG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: DFN-3L(8x8) 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 6.5A Pd-功耗: 21W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633392 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取 1+: ￥7.32 10+: ￥6.18 30+: ￥5.56 100+: ￥4.85 500+: ￥4.53 1000+: ￥4.39 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 3000 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！已加购

GN3065T5ZG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: DFN-3L(8x8) 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 13A Pd-功耗: 52W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633396 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取 1+: ￥11.31 10+: ￥9.76 30+: ￥8.78 100+: ￥7.78 500+: ￥7.33 1000+: ￥7.14 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 3000 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！已加购

9折 YHJ-65P150AMC 品牌: 誉鸿锦封装: DFN-8(8x8) 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22458936 详细: 数据手册领券 20-15 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥6.84 ￥5.814 ￥5.247 ￥4.608 ￥4.329 ￥4.203 原价￥7.6 ￥6.46 ￥5.83 ￥5.12 ￥4.81 ￥4.67 1+: ￥6.84 10+: ￥5.814 30+: ￥5.247 100+: ￥4.608 500+: ￥4.329 1000+: ￥4.203 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2388 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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9折 YHJ-65H225AMC 品牌: 誉鸿锦封装: DFN-8(8x8) 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22458937 详细: 数据手册领券 20-15 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥5.4 ￥4.59 ￥4.14 ￥3.636 ￥3.42 ￥3.312 原价￥6 ￥5.1 ￥4.6 ￥4.04 ￥3.8 ￥3.68 1+: ￥5.4 10+: ￥4.59 30+: ￥4.14 100+: ￥3.636 500+: ￥3.42 1000+: ￥3.312 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2481 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


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CID12N65D(TOKMAS) 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-10(6x8) 描述: 氮化镓MOS 650V12A 140毫欧内置驱动类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C21547657 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取 1+: ￥7.42 10+: ￥6.28 30+: ￥5.65 100+: ￥4.95 500+: ￥4.63 1000+: ￥4.49 现货最快4H发广东仓: 1868 江苏仓: 10 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购

9折 HCG65140DAA 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 为您献上高性能氮化镓场效应管，采用先进N沟道设计。该器件具备650V高漏源电压承受力，连续漏极电流高达17A，满足高功率需求。更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻，在确保电流顺畅通过的同时，大幅度降低能耗，提升系统效率。适配于各类高能效电源转换解决方案，为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比，引领科技绿色升级。类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22396444 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 折后价￥17.136 ￥14.931 ￥13.617 ￥12.285 原价￥19.04 ￥16.59 ￥15.13 ￥13.65 1+: ￥17.136 10+: ￥14.931 30+: ￥13.617 100+: ￥12.285 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 219 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交12单已加购


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EPC2034C 品牌: EPC 封装: - 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C3288334 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存73) SMT扩展库 1+: ￥47.51 10+: ￥46.42 30+: ￥45.69 现货最快4H发广东仓: 6 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购

RC65D270E 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-252 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 7.9A Pd-功耗: 32W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547818 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥4.1 10+: ￥3.37 30+: ￥3 100+: ￥2.64 500+: ￥2.42 现货最快4H发广东仓: 968 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 1000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交27单已加购


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CID18N65D 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 单管650V140毫欧沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 17A Pd-功耗: 113W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446733 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取 1+: ￥10.03 10+: ￥8.65 30+: ￥7.79 100+: ￥6.9 500+: ￥6.5 1000+: ￥6.33 现货最快4H发广东仓: 1007 江苏仓: 52 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购

CID18N65D5 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-8(5x6) 描述: 单管650V140毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446734 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取 1+: ￥9.85 10+: ￥8.49 30+: ￥7.65 100+: ￥6.78 500+: ￥6.38 1000+: ￥6.21 现货最快4H发广东仓: 1009 江苏仓: 16 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购

CID9N65E3 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-252-3L 描述: 单管650V480毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446729 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取 1+: ￥5.82 10+: ￥4.78 30+: ￥4.26 100+: ￥3.74 500+: ￥3.43 1000+: ￥3.27 现货最快4H发广东仓: 687 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购

RC65D600E 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-252 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 4.8A Pd-功耗: 25W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547819 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥1.83 10+: ￥1.79 30+: ￥1.76 100+: ￥1.73 现货最快4H发广东仓: 256 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 1000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购


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RC65E300Y 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: DFN-8L(5x6) 描述: 氮化镓场效应管 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 8A Pd-功耗: 38W Vgs(th)-阈值电压: 2.5V 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547814 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥2.59 10+: ￥2.53 30+: ￥2.49 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 63 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交23单已加购


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RC65D160G 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: DFN-8L(8x8) 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 16A Pd-功耗: 78W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547815 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存348) SMT扩展库 1+: ￥9.25 10+: ￥7.81 30+: ￥7.02 100+: ￥6.12 现货最快4H发广东仓: 328 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交12单已加购


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GBG65200NMAR 品牌: GOSEMICON(顾邦半导体) 封装: PDFN-9L(8x8) 描述: Enhancement-mode 650V 140mΩ(Typ) GaN Power Transistor 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C28324645 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取 1+: ￥12.98 10+: ￥11.24 30+: ￥10.15 100+: ￥9.04 现货最快4H发广东仓: 284 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购


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RC65D270G 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: DFN-8L(8x8) 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 7.9A Pd-功耗: 32W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547816 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥3.82 10+: ￥3.73 30+: ￥3.67 现货最快4H发广东仓: 40 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


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9折 HCG65140DBA 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8L(5x6) 描述: 为您精选的这款氮化镓场效应管，采用先进的N沟道设计，工作在高达650V的漏源电压下，能够承载连续17A的大电流，性能卓越。其导通电阻低至100毫欧，确保了极低的导通损耗和高效的能量转换。这款器件是高功率密度及高频应用的理想选择，特别适合追求极致效能的现代电子设计，为您的创新项目注入高效动力。类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22396445 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折嘉立创贴片惊喜价格(库存295) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 折后价￥17.136 ￥14.931 ￥13.617 ￥12.285 原价￥19.04 ￥16.59 ￥15.13 ￥13.65 1+: ￥17.136 10+: ￥14.931 30+: ￥13.617 100+: ￥12.285 现货最快4H发广东仓: 295 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


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GN2065TLG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: TO-220 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 6.5A Vgs(th)-阈值电压: 2.1V RDS(on)-导通电阻(8V): 240mΩ 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633393 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取 1+: ￥6.74 10+: ￥5.69 50+: ￥5.12 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 13 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购

CID10N65E3 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-252 描述: 氮化镓MOS 650V200毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C41369699 详细: 数据手册领券 6元运费券立即领取 1+: ￥3.74 10+: ￥3.65 30+: ￥3.6 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 5 个个个总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购

8折 HCG65200DAA 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 为您带来革新性的氮化镓场效应管，采用先进的单N沟道设计。这款器件能承受高达650V的漏源电压，适合高电压应用领域。其连续漏极电流能力达到10安培，确保高效能量传输。尤为出色的是，低至160毫欧的导通电阻，在特定栅极电压和漏极电流下，大幅降低了导通损耗，提升了系统能效。无论是追求速度还是能效的现代电子设计，它都是理想的高性能选择，助力您的创新项目迈向新高度。类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22396442 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 8 折订单数量按照以下: 第一阶梯8折第二阶梯8折第三阶梯8折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 8 折 1+: 10+: 30+: 折后价￥24.832 ￥24.248 ￥23.856 原价￥31.04 ￥30.31 ￥29.82 1+: ￥24.832 10+: ￥24.248 30+: ￥23.856 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 14 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


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