氮化镓(GaN)器件

CID10N65D5

品牌

Tokmas(托克马斯)

封装

DFN-8(5x6)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C22446731

描述单管650V200毫欧

RC65D180E

品牌

RealChip(正芯半导体)

封装

TO-252-2L

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C42427957

类型

1个N沟道

漏源电压

650V

连续漏极电流

14A

耗散功率

89W

描述氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：14A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:7.4nC

YHJ-65P150AMC

品牌

誉鸿锦

封装

DFN-8(8x8)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C22458936

漏源电压

650V

连续漏极电流

12A

栅极电荷量

10nC

导通电阻

150mΩ@10V

GN3065T5ZG

品牌

Grenergy(南京绿芯)

封装

DFN-3L(8x8)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C19633396

类型

1个N沟道

漏源电压

650V

连续漏极电流

13A

耗散功率

52W

CID45N65MD

品牌

Tokmas(托克马斯)

封装

TOLT-16

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C41369700

描述氮化镓MOS 650V40毫欧

YHJ-65H225AMC

品牌

誉鸿锦

封装

DFN-8(8x8)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C22458937

HCG65140DAA

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

DFN-8(8x8)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C22396444

描述为您献上高性能氮化镓场效应管，采用先进N沟道设计。该器件具备650V高漏源电压承受力，连续漏极电流高达17A，满足高功率需求。更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻，在确保电流顺畅通过的同时，大幅度降低能耗，提升系统效率。适配于各类高能效电源转换解决方案，为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比，引领科技绿色升级。

CID10N65E3

品牌

Tokmas(托克马斯)

封装

TO-252

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C41369699

描述氮化镓MOS 650V200毫欧

CID12N65D(TOKMAS)

品牌

Tokmas(托克马斯)

封装

DFN-10(6x8)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C21547657

描述氮化镓MOS 650V12A 140毫欧 内置驱动

GN2065T5ZG

品牌

Grenergy(南京绿芯)

封装

DFN-3L(8x8)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C19633392

类型

1个N沟道

漏源电压

650V

连续漏极电流

6.5A

耗散功率

21W

INN700DA190B

品牌

Innoscience(英诺赛科)

封装

DFN5x6-8

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C39831319

INN650D080BS

品牌

Innoscience(英诺赛科)

封装

DFN-8(8x8)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C20616646

GN1065T4ZG

品牌

Grenergy(南京绿芯)

封装

DFN-3L(5x6)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C19633388

类型

1个N沟道

漏源电压

650V

连续漏极电流

3.6A

耗散功率

13.2W

CID10N65F

品牌

Tokmas(托克马斯)

封装

TO-220F-3L

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C22446732

类型

1个N沟道

漏源电压

650V

连续漏极电流

10A

耗散功率

75W

描述单管650V200毫欧

CID9N65E3

品牌

Tokmas(托克马斯)

封装

TO-252-3L

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C22446729

描述单管650V480毫欧

CID10N65D

品牌

Tokmas(托克马斯)

封装

DFN-8(8x8)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C22446730

描述单管650V200毫欧

RC65D110A

品牌

RealChip(正芯半导体)

封装

TO-220

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C18547820

类型

1个N沟道

漏源电压

650V

连续漏极电流

20A

耗散功率

96W

描述氮化镓场效应管

HIGLR65R140D2

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

DFN-8(5x6)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C42389175

类型

1个N沟道

漏源电压

650V

导通电阻

160mΩ@6V

描述这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具有10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS)，导通电阻仅为160毫欧姆(RDON)，能够在高电压下保持较低的功耗。其栅源电压范围从-1.4伏特到+7伏特(VGS)，适用于N型电路设计。该器件以其优异的开关性能和低损耗特性，非常适合于高效电源转换、消费电子产品等需要快速响应和高效率的应用场合。

HCG65140DBA

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

DFN-8L(5x6)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C22396445

描述为您精选的这款氮化镓场效应管，采用先进的N沟道设计，工作在高达650V的漏源电压下，能够承载连续17A的大电流，性能卓越。其导通电阻低至100毫欧，确保了极低的导通损耗和高效的能量转换。这款器件是高功率密度及高频应用的理想选择，特别适合追求极致效能的现代电子设计，为您的创新项目注入高效动力。

HIGLD60R190D1

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

DFN-8(8x8)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C41426365

类型

1个N沟道

连续漏极电流

10A

耗散功率

75W

阈值电压

1.6V

描述这款氮化镓晶体管为N型，电流为10A，电压650V。适用于多种电子产品领域，能在较高电压下稳定工作，承载一定电流。具有高效、低损耗等特点，可提升电子产品的性能和稳定性，满足特定功率需求场景。

HGS0650111LTR

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

DFN-8(8x8)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C42389176

类型

1个N沟道

漏源电压

650V

导通电阻

160mΩ@6V

描述这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）拥有650V的漏源电压VDSS，导通电阻RDON为160mΩ，最大连续漏极电流ID可达10A。它支持-1.4V至+7V的栅源电压范围，并且是N沟道类型。该器件适用于需要高效能和快速响应的应用场合，如消费电子、电源管理和通信设备中，能够提供出色的开关速度与较低的能量损耗，确保系统运行更加稳定可靠。

GBG65200NMAR

品牌

GOSEMICON(顾邦半导体)

封装

PDFN-9L(8x8)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C28324645

描述Enhancement-mode 650V 140mΩ(Typ) GaN Power Transistor

HCG65200DBA

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

DFN-8L(5x6)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C22396443

描述为您推荐新一代氮化镓技术的N沟道场效应管，突破性地实现了650V高耐压与10A持续漏极电流的卓越组合。其160毫欧的低导通电阻，在确保高效能的同时，优化了电力转换效率。这款器件专为高能效电源转换与快速开关应用而生，是追求高性能、紧凑设计的理想元件。选择它，为您的创新电子项目注入澎湃动力。

HIGLR60R260D1

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

DFN-8(5x6)

类目

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号

C42389177

类型

1个N沟道

漏源电压

650V

导通电阻

160mΩ@6V

描述这款氮化镓晶体管（GaN HEMT）为N型设计，提供高达10A的导通电流（ID），并具备650V的最大漏源电压（VDSS）。该器件的导通电阻（RDON）为160毫欧，能够在高压环境下保持较低的功耗。栅源电压（VGS）的工作范围为-1.4V到+7V，适合用于多种电路设计中。其特性使其成为高频开关电源、消费类电子产品中的电源转换模块以及便携式设备充电解决方案的理想选择。