温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 商品目录 > 碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET) >

当前“

碳化硅场效应管(MOSFET)

”共 936件相关商品

综合排序价格库存销量

清空

现货最快4小时发折扣

共 936 件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

GC2M0045170D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1700V 连续漏极电流(Id): 72A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435058 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥135.7 3+: ￥128.8 30+: ￥121.9 现货最快4H发广东仓: 9 江苏仓: 173 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购


查看更多渠道点击收起

C3M0040120K 品牌: WOLFSPEED 封装: TO-247-4L 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 66A 耗散功率(Pd): 326W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5588747 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存312) SMT扩展库 1+: ￥62.21 10+: ￥54.13 30+: ￥49.21 90+: ￥45.08 现货最快4H发广东仓: 292 江苏仓: 340 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交30单已加购


查看更多渠道点击收起

9.3折 GC3M0015065D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 120A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435023 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 9.3 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.3折第二阶梯9.3折第三阶梯9.3折第四阶梯9.3折嘉立创贴片惊喜价格(库存10) SMT扩展库 9.3 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥72.6423 ￥62.9889 ￥55.8465 ￥50.9082 原价￥78.11 ￥67.73 ￥60.05 ￥54.74 1+: ￥72.6423 10+: ￥62.9889 30+: ￥55.8465 90+: ￥50.9082 现货最快4H发广东仓: 10 江苏仓: 139 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购


查看更多渠道点击收起

SC160N120T8L 品牌: SPS(美国源芯) 封装: TO-247-3L 描述: N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 160mΩ 1200V TO247-3 IMW120R220M1HXKSA1 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C36493854 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥26.05 10+: ￥22.62 30+: ￥19.63 100+: ￥17.56 现货最快4H发广东仓: 140 江苏仓: 148 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


查看更多渠道点击收起

9折 HC3M001K170J 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-263-7L 描述: 这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计，具备超高的1700V耐压，确保在高电压系统中的稳定性和安全性。虽然内阻较高，最大为1000毫欧，但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。提供6安培的电流能力，是特殊高压环境下，追求可靠性和耐用性的理想选择。沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1700V 连续漏极电流(Id): 6.7A 阈值电压(Vgs(th)): 1.8V 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C22449551 详细: 数据手册领券最高减50 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折嘉立创贴片惊喜价格(库存143) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 50+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥28.242 ￥24.39 ￥21.663 ￥19.341 ￥18.27 ￥17.784 原价￥31.38 ￥27.1 ￥24.07 ￥21.49 ￥20.3 ￥19.76 1+: ￥28.242 10+: ￥24.39 50+: ￥21.663 100+: ￥19.341 500+: ￥18.27 1000+: ￥17.784 现货最快4H发广东仓: 143 江苏仓: 71 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购
HC3M001K170J 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-263-7L 描述: 这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计，具备超高的1700V耐压，确保在高电压系统中的稳定性和安全性。虽然内阻较高，最大为1000毫欧，但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。提供6安培的电流能力，是特殊高压环境下，追求可靠性和耐用性的理想选择。距结束剩 0天 00小时 00分 00秒备注: 流动库存，下单前确认库存情况流程: 查看详情立推流程 1 2 3 4 查看立推商品提交立推订单支付立推订单等待立推发货立推售价 500+: ￥14.472 支付后6-8工作日剩余库存: 90000 批次: 25+ 个个管总额: ￥7236


查看更多渠道点击收起

GC3M0040120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 66A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435043 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存58) SMT扩展库 1+: ￥59.76 10+: ￥51.46 30+: ￥45.32 90+: ￥41.07 现货最快4H发广东仓: 58 江苏仓: 63 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


查看更多渠道点击收起

IMZA65R027M1H 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-4 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C536297 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存318) SMT扩展库 1+: ￥67.65 10+: ￥57.96 30+: ￥52.06 90+: ￥47.1 现货最快4H发广东仓: 318 江苏仓: 226 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


查看更多渠道点击收起

IMZA120R020M1HXKSA1 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-4 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 98A 耗散功率(Pd): 375W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7207676 详细: 数据手册领券包邮券立即领取 1+: ￥93.72 10+: ￥89.23 30+: ￥81.46 90+: ￥74.67 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 326 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交17单已加购


查看更多渠道点击收起

CI7N220SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 2200V900毫欧类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C42391832 详细: 数据手册领券包邮券立即领取 1+: ￥18.17 10+: ￥15.49 30+: ￥13.89 90+: ￥12.28 510+: ￥11.54 990+: ￥11.2 现货最快4H发广东仓: 1010 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


查看更多渠道点击收起

CI60N120SM4 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-4L 描述: 碳化硅MOS 1200V60A 内阻40毫欧封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 60A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2980704 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存409) SMT扩展库 1+: ￥32.97 10+: ￥28.28 30+: ￥24.28 90+: ￥21.46 510+: ￥20.16 1020+: ￥19.58 现货最快4H发广东仓: 389 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购


查看更多渠道点击收起

7折 HC3M0060065D 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-247-3L 描述: 该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为处理650V高电压、大电流应用设计。具备29A连续电流承载能力，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻和高效散热性能，是现代电子设备实现高功率密度与能效的理想选择。漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 29A 耗散功率(Pd): 150W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19723857 详细: 数据手册领券最高减50 立即领取 7 折订单数量按照以下: 第一阶梯7折第二阶梯7折第三阶梯7折第四阶梯7折嘉立创贴片惊喜价格(库存90) SMT扩展库 7 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥33.684 ￥29.162 ￥26.411 ￥24.101 原价￥48.12 ￥41.66 ￥37.73 ￥34.43 1+: ￥33.684 10+: ￥29.162 30+: ￥26.411 90+: ￥24.101 现货最快4H发广东仓: 90 江苏仓: 94 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购
HC3M0060065D 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-247-3L 描述: 该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为处理650V高电压、大电流应用设计。具备29A连续电流承载能力，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻和高效散热性能，是现代电子设备实现高功率密度与能效的理想选择。距结束剩 0天 00小时 00分 00秒备注: 流动库存，下单前确认库存情况流程: 查看详情立推流程 1 2 3 4 查看立推商品提交立推订单支付立推订单等待立推发货立推售价 480+: ￥19.98 支付后6-8工作日剩余库存: 96000 批次: 25+ 个个管总额: ￥9590.4


查看更多渠道点击收起

IMZ120R045M1XKSA1 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-4-1 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 52A 耗散功率(Pd): 228W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C3278960 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存242) SMT扩展库 1+: ￥48 10+: ￥41.48 30+: ￥37.5 90+: ￥34.17 现货最快4H发广东仓: 242 江苏仓: 300 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购


查看更多渠道点击收起

6.5折 HC3M0015065D 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-247-3L 描述: 这款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为处理高电压、大电流应用设计。额定电压650V，可承载120A连续电流，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备出色的导通性能和散热效率，是现代高效能电力控制的理想半导体元件。漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 120A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19723863 详细: 数据手册领券最高减50 立即领取 6.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯6.5折第二阶梯6.5折第三阶梯6.5折第四阶梯6.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存139) SMT扩展库 6.5 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥65.247 ￥61.932 ￥56.1925 ￥51.181 原价￥100.38 ￥95.28 ￥86.45 ￥78.74 1+: ￥65.247 10+: ￥61.932 30+: ￥56.1925 90+: ￥51.181 现货最快4H发广东仓: 139 江苏仓: 30 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购
HC3M0015065D 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-247-3L 描述: 这款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为处理高电压、大电流应用设计。额定电压650V，可承载120A连续电流，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备出色的导通性能和散热效率，是现代高效能电力控制的理想半导体元件。距结束剩 0天 00小时 00分 00秒备注: 流动库存，下单前确认库存情况流程: 查看详情立推流程 1 2 3 4 查看立推商品提交立推订单支付立推订单等待立推发货立推售价 120+: ￥49.68 支付后6-8工作日剩余库存: 36000 批次: 25+ 个个管总额: ￥5961.6


查看更多渠道点击收起

C3M0016120K 品牌: WOLFSPEED 封装: TO-247-4 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 115A 耗散功率(Pd): 556W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5713523 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存228) SMT扩展库 1+: ￥248.9 30+: ￥237.5 现货最快4H发广东仓: 228 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交14单已加购


查看更多渠道点击收起

9折 S1M040120H 品牌: SICHAIN(清纯) 封装: TO-247-4L 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 76A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C22363605 详细: 数据手册领券包邮券立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折嘉立创贴片惊喜价格(库存886) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 30+: 90+: 510+: 990+: 折后价￥25.164 ￥21.429 ￥19.908 ￥17.667 ￥16.632 ￥16.164 原价￥27.96 ￥23.81 ￥22.12 ￥19.63 ￥18.48 ￥17.96 1+: ￥25.164 10+: ￥21.429 30+: ￥19.908 90+: ￥17.667 510+: ￥16.632 990+: ￥16.164 现货最快4H发广东仓: 886 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购


查看更多渠道点击收起

9.5折 SP25N120CTK 品牌: Siliup(矽普) 封装: TO-247-4L 描述: SIC MOSFET产品，N沟道，耐压：1200V，电流：25A,Rdson：60mR 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 52A 耗散功率(Pd): 171W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C22466831 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存18) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 90+: 510+: 990+: 折后价￥27.493 ￥23.37 ￥20.919 ￥18.4395 ￥17.2995 ￥16.777 原价￥28.94 ￥24.6 ￥22.02 ￥19.41 ￥18.21 ￥17.66 1+: ￥27.493 10+: ￥23.37 30+: ￥20.919 90+: ￥18.4395 510+: ￥17.2995 990+: ￥16.777 现货最快4H发广东仓: 18 江苏仓: 171 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购


查看更多渠道点击收起

CI60N120SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C967735 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存240) SMT扩展库 1+: ￥36.14 10+: ￥31.45 30+: ￥24.31 90+: ￥21.49 510+: ￥20.19 1020+: ￥19.6 现货最快4H发广东仓: 220 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交35单已加购


查看更多渠道点击收起

CI90N120SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 90A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5364636 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存186) SMT扩展库 1+: ￥52.53 10+: ￥45.04 30+: ￥40.45 90+: ￥36.59 现货最快4H发广东仓: 186 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购


查看更多渠道点击收起

8.8折 HC3M0045065D 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-247 描述: 此款碳化硅MOS器件，专为高性能电源管理系统打造，耐压等级达到650V，确保系统运行的安全边际。内阻最大仅为45毫欧，优化了导通性能，有助于降低功耗。提供49安培的连续电流承载能力，适合于中等功率应用，平衡了功率与效率的需求，是现代高效能电子产品设计的理想组件。沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 49A 阈值电压(Vgs(th)): 2V 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C22449546 详细: 数据手册领券最高减50 立即领取 8.8 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.8折第二阶梯8.8折第三阶梯8.8折第四阶梯8.8折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 8.8 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥62.0312 ￥53.7328 ￥48.6816 ￥44.44 原价￥70.49 ￥61.06 ￥55.32 ￥50.5 1+: ￥62.0312 10+: ￥53.7328 30+: ￥48.6816 90+: ￥44.44 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 92 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


查看更多渠道点击收起

9.3折 GC3M0015065K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 120A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435028 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 9.3 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.3折第二阶梯9.3折第三阶梯9.3折第四阶梯9.3折嘉立创贴片惊喜价格(库存30) SMT扩展库 9.3 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥71.0985 ￥61.4451 ￥55.5582 ￥50.6292 原价￥76.45 ￥66.07 ￥59.74 ￥54.44 1+: ￥71.0985 10+: ￥61.4451 30+: ￥55.5582 90+: ￥50.6292 现货最快4H发广东仓: 30 江苏仓: 60 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购


查看更多渠道点击收起

9.3折 HC1M40120J 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-263-7L 描述: 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有68A的最大电流承载能力（ID），能够承受高达1200V的漏源电压（VDSS），展现出了卓越的耐压性能。其导通电阻（RDSON）仅为40毫欧，意味着在导通状态下能有效减少能量损耗，提升系统的整体效率。作为一款N沟道类型器件，它适用于要求严苛的电源转换场景中，如高性能计算设备的电源模块、消费电子产品中的开关电源等，能够提供可靠的高频开关性能。沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 65A 耗散功率(Pd): 326W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C41428801 详细: 数据手册领券最高减50 立即领取 9.3 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.3折第二阶梯9.3折第三阶梯9.3折第四阶梯9.3折嘉立创贴片惊喜价格(库存88) SMT扩展库 9.3 折 1+: 10+: 50+: 100+: 折后价￥73.4049 ￥70.1778 ￥64.5978 ￥59.7246 原价￥78.93 ￥75.46 ￥69.46 ￥64.22 1+: ￥73.4049 10+: ￥70.1778 50+: ￥64.5978 100+: ￥59.7246 现货最快4H发广东仓: 88 江苏仓: 5 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


查看更多渠道点击收起

IMW65R039M1HXKSA1 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-3-41 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 46A 耗散功率(Pd): 176W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C3278949 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥77.24 10+: ￥66.17 30+: ￥59.42 100+: ￥53.76 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 192 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交13单已加购


查看更多渠道点击收起

9.5折 SP90N120CTK 品牌: Siliup(矽普) 封装: TO-247-4L 描述: SIC MOSFET产品，N沟道，耐压：1200V，电流：90A,Rdson：15mR 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 135A 耗散功率(Pd): 503W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C22466827 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9.5 折 1+: 折后价￥90.592 原价￥95.36 1+: ￥90.592 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 94 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


查看更多渠道点击收起

9.3折 GC3M0021120K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 100A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435052 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 9.3 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.3折第二阶梯9.3折第三阶梯9.3折第四阶梯9.3折嘉立创贴片惊喜价格(库存13) SMT扩展库 9.3 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥96.0876 ￥88.4151 ￥81.3564 ￥75.1998 原价￥103.32 ￥95.07 ￥87.48 ￥80.86 1+: ￥96.0876 10+: ￥88.4151 30+: ￥81.3564 90+: ￥75.1998 现货最快4H发广东仓: 13 江苏仓: 54 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交13单已加购


查看更多渠道点击收起

7.5折 HC3M0016120D 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-247-3L 描述: 该款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为1200V高压、大电流应用设计。额定连续电流高达115A，特别适应于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统，具有卓越的高温稳定性、低导通损耗和快速开关能力，是现代高效能源管理与功率转换的关键器件。漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 115A 耗散功率(Pd): 556W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19723854 详细: 数据手册领券最高减50 立即领取 7.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯7.5折第二阶梯7.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存60) SMT扩展库 7.5 折 1+: 30+: 折后价￥102.885 ￥97.7175 原价￥137.18 ￥130.29 1+: ￥102.885 30+: ￥97.7175 现货最快4H发广东仓: 60 江苏仓: 120 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


查看更多渠道点击收起

GC2M1000170D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1700V 连续漏极电流(Id): 5A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435057 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存54) SMT扩展库 1+: ￥12.7 10+: ￥10.74 30+: ￥9.52 90+: ￥8.26 600+: ￥7.7 900+: ￥7.45 现货最快4H发广东仓: 34 江苏仓: 244 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交42单已加购


查看更多渠道点击收起

CI7N170SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1700V 连续漏极电流(Id): 7A 耗散功率(Pd): 62W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2842690 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存340) SMT扩展库 1+: ￥22.58 10+: ￥19.78 30+: ￥13.38 90+: ￥11.58 510+: ￥10.77 1020+: ￥10.42 现货最快4H发广东仓: 320 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交23单已加购


查看更多渠道点击收起

GC3M0032120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 63A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435042 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存85) SMT扩展库 1+: ￥52.7 10+: ￥44.45 30+: ￥40 90+: ￥36.27 现货最快4H发广东仓: 85 江苏仓: 4 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


查看更多渠道点击收起

NTH4L040N120M3S 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-247-4 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19673849 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存10) SMT扩展库 1+: ￥55.29 10+: ￥48.11 30+: ￥43.74 90+: ￥40.07 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 268 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


查看更多渠道点击收起

CI72N170SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 1700V45mΩ 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1700V 连续漏极电流(Id): 72A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C41782025 详细: 数据手册领券包邮券立即领取 1+: ￥74.03 10+: ￥63.41 30+: ￥56.95 90+: ￥51.52 现货最快4H发广东仓: 235 江苏仓: 120 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


查看更多渠道点击收起

共32页， 936条记录到页确定

没有合适的？看看海外代购

选择账户类型

为了落实公司的财务规范，响应个人客户与企业客户的不同需求，商城账户类型必须区分企业和个人

个人购买行为，请选择个人账户类型，企业采购行为，请选择企业账户

注：请慎重考虑，选择后不可更改。

个人账户企业账户

账户资料

*姓名：		填写真实姓名，不可修改！填写真实姓名，不可修改！
手机：
	已阅读并理解账户类型说明查看详情说明

增值税发票抬头，预付余额转出银行卡开户名等，系统都将处理成跟会员账户资料“企业名称与税号”保持一致且不能修改！

账户资料

*公司名称：	请填写绑定的企业名称请填写绑定的企业名称
*纳税人识别号：	请填写正确的的“纳税人识别号” 请填写正确的的“纳税人识别号”
*联系人名称：	账号联系人名称请填写账号联系人名称
手机：
*营业执照：	1.支持上传格式：JPG(JPEG)、PNG（文件大小写都支持）。 2.图片像素尺寸：最小1000*500像素（宽大于1000像素，高大于500像素）。 3.图片文件大小：＞＝100KB。 4.若拍摄营业执照，营业执照尽量平放于纯色背景之上。 5.请上传彩色证件扫描件，或加盖鲜章的证件复印件。修改
	已阅读并理解账户类型说明查看详情说明