碳化硅场效应管(MOSFET)
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 1200V
- 连续漏极电流
- 34A
- 耗散功率
- 190W
描述碳化硅场效应管
- 收藏
- 对比
- ￥25.19
- ￥21.57
- ￥18.74
- ￥16.57
- ￥15.57
- ￥15.12
- 广东仓
- 213
- 江苏仓
- 308
30个/管
总额￥0
近期成交20单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥23.5796
- ￥20.1572
- ￥17.3512
- ￥15.2996
- ￥14.352
- ￥13.9196
- 广东仓
- 366
- 江苏仓
- 0
30个/管
总额￥0
近期成交6单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 1700V
- 连续漏极电流
- 5.2A
- 耗散功率
- 68W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥29.56
- ￥25.66
- ￥23.35
- ￥19.19
- 广东仓
- 486
- 江苏仓
- 0
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交39单
- 收藏
- 对比
- ￥54.832
- ￥47.61
- ￥42.274
- ￥38.5848
- 广东仓
- 28
- 江苏仓
- 76
30个/管
总额￥0
近期成交6单
- 漏源电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 120A
描述这款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为处理高电压、大电流应用设计。额定电压650V，可承载120A连续电流，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备出色的导通性能和散热效率，是现代高效能电力控制的理想半导体元件。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥65.2535
- ￥61.9385
- ￥56.199
- ￥51.1875
- 广东仓
- 129
- 江苏仓
- 120
30个/管
总额￥0
近期成交3单
- 收藏
- 对比
- ￥18.17
- ￥15.49
- ￥13.89
- ￥12.28
- ￥11.54
- ￥11.2
- 广东仓
- 903
- 江苏仓
- 0
30个/管
总额￥0
近期成交5单
- 收藏
- 对比
- ￥29.09
- ￥24.94
- ￥22.01
- ￥19.51
- ￥18.36
- ￥17.84
- 广东仓
- 135
- 江苏仓
- 90
30个/管
总额￥0
近期成交10单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥46.92
- ￥39.7782
- ￥33.84
- ￥32.9256
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 274
30个/管
总额￥0
近期成交5单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 1700V
- 连续漏极电流
- 72A
- 耗散功率
- 520W
描述1700V45mΩ
- 收藏
- 对比
- ￥64.37
- ￥55.14
- ￥49.52
- ￥44.8
- 广东仓
- 113
- 江苏仓
- 95
30个/管
总额￥0
近期成交12单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 1200V
- 连续漏极电流
- 65A
- 耗散功率
- 326W
描述这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有68A的最大电流承载能力（ID），能够承受高达1200V的漏源电压（VDSS），展现出了卓越的耐压性能。其导通电阻（RDSON）仅为40毫欧，意味着在导通状态下能有效减少能量损耗，提升系统的整体效率。作为一款N沟道类型器件，它适用于要求严苛的电源转换场景中，如高性能计算设备的电源模块、消费电子产品中的开关电源等，能够提供可靠的高频开关性能。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥73.4049
- ￥70.1778
- ￥64.5978
- ￥59.7246
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 86
50个/管
总额￥0
近期成交6单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 1200V
- 连续漏极电流
- 98A
- 耗散功率
- 375W
- 收藏
- 对比
- ￥91.15
- ￥86.66
- ￥78.88
- ￥72.1
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 107
30个/管
总额￥0
近期成交12单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥5.91
- ￥4.78
- ￥4.22
- ￥3.4865
- ￥3.1635
- ￥3.002
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 671
30个/管
总额￥0
近期成交13单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 1700V
- 连续漏极电流
- 6.7A
- 阈值电压
- 1.8V
描述这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计，具备超高的1700V耐压，确保在高电压系统中的稳定性和安全性。虽然内阻较高，最大为1000毫欧，但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。提供6安培的电流能力，是特殊高压环境下，追求可靠性和耐用性的理想选择。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥27.6144
- ￥23.848
- ￥21.1816
- ￥18.9112
- ￥17.864
- ￥17.3888
- 广东仓
- 133
- 江苏仓
- 71
50个/管
总额￥0
近期成交1单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 1200V
- 连续漏极电流
- 52A
- 耗散功率
- 171W
描述中低压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：40V，电流：25A,Rdson：60mR
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥27.6735
- ￥23.541
- ￥21.09
- ￥18.6105
- ￥17.461
- ￥16.948
- 广东仓
- 18
- 江苏仓
- 192
30个/管
总额￥0
近期成交9单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 1200V
- 连续漏极电流
- 60A
- 耗散功率
- 330W
描述碳化硅MOS 1200V60A 内阻40毫欧
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥28.25
- ￥24.24
- ￥20.8
- ￥18.39
- ￥17.28
- ￥16.78
- 广东仓
- 304
- 江苏仓
- 0
30个/管
总额￥0
近期成交7单