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碳化硅场效应管(MOSFET)

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CI60N120SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C967735 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存410) SMT扩展库 1+: ￥35.61 10+: ￥30.92 30+: ￥23.79 90+: ￥20.97 510+: ￥19.67 1020+: ￥19.08 现货最快4H发广东仓: 390 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交34单已加购


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9折 HC3M001K170J 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-263-7L 描述: 这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计，具备超高的1700V耐压，确保在高电压系统中的稳定性和安全性。虽然内阻较高，最大为1000毫欧，但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。提供6安培的电流能力，是特殊高压环境下，追求可靠性和耐用性的理想选择。沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1700V 连续漏极电流(Id): 6.7A 阈值电压(Vgs(th)): 1.8V 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C22449551 详细: 数据手册领券最高减20 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折嘉立创贴片惊喜价格(库存163) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 50+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥28.242 ￥24.39 ￥21.663 ￥19.341 ￥18.27 ￥17.784 原价￥31.38 ￥27.1 ￥24.07 ￥21.49 ￥20.3 ￥19.76 1+: ￥28.242 10+: ￥24.39 50+: ￥21.663 100+: ￥19.341 500+: ￥18.27 1000+: ￥17.784 现货最快4H发广东仓: 163 江苏仓: 72 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购
HC3M001K170J 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-263-7L 描述: 这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计，具备超高的1700V耐压，确保在高电压系统中的稳定性和安全性。虽然内阻较高，最大为1000毫欧，但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。提供6安培的电流能力，是特殊高压环境下，追求可靠性和耐用性的理想选择。距结束剩 0天 00小时 00分 00秒备注: 流动库存，下单前请提前咨询流程: 查看详情立推流程 1 2 3 4 查看立推商品提交立推订单支付立推订单等待立推发货立推售价 500+: ￥14.472 支付后6-8工作日剩余库存: 90000 批次: 25+ 个个管总额: ￥7236


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CI90N120SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 90A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5364636 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存347) SMT扩展库 1+: ￥51.55 10+: ￥44.06 30+: ￥39.47 90+: ￥35.61 现货最快4H发广东仓: 347 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


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9折 NTH4L040N120M3S 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-247-4 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19673849 详细: 数据手册送采购晶活动规则: 单笔满5000: 送120 单笔满10000: 送230 单笔满20000: 送345 单笔满50000: 送580 查看具体规则》领券最高减100 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯10折第四阶梯9折嘉立创贴片惊喜价格(库存10) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥55.29 ￥48.11 ￥43.74 ￥36.063 原价￥40.07 1+: ￥55.29 10+: ￥48.11 30+: ￥43.74 90+: ￥36.063 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 301 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购


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GC3M0040120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 66A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435043 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存95) SMT扩展库 1+: ￥59.76 10+: ￥51.46 30+: ￥45.32 90+: ￥41.07 现货最快4H发广东仓: 95 江苏仓: 70 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


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9.2折 GC3M0021120K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 100A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435052 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 9.2 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.2折第二阶梯9.2折第三阶梯9.2折第四阶梯9.2折嘉立创贴片惊喜价格(库存23) SMT扩展库 9.2 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥95.0544 ￥87.4644 ￥80.4816 ￥74.3912 原价￥103.32 ￥95.07 ￥87.48 ￥80.86 1+: ￥95.0544 10+: ￥87.4644 30+: ￥80.4816 90+: ￥74.3912 现货最快4H发广东仓: 23 江苏仓: 59 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交12单已加购


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9.3折 GC3M0016120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 115A 耗散功率(Pd): 556W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435039 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 9.3 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.3折第二阶梯9.3折第三阶梯9.3折第四阶梯9.3折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9.3 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥99.696 ￥93.3162 ￥85.653 ￥78.957 原价￥107.2 ￥100.34 ￥92.1 ￥84.9 1+: ￥99.696 10+: ￥93.3162 30+: ￥85.653 90+: ￥78.957 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 86 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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GC2M0045170D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1700V 连续漏极电流(Id): 72A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435058 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥135.7 3+: ￥128.8 30+: ￥121.9 现货最快4H发广东仓: 9 江苏仓: 53 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购


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CI7N170SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1700V 连续漏极电流(Id): 7A 耗散功率(Pd): 62W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2842690 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存763) SMT扩展库 1+: ￥22.3 10+: ￥19.5 30+: ￥13.1 90+: ￥11.3 510+: ￥10.49 1020+: ￥10.14 现货最快4H发广东仓: 743 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购


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SC160N120T8L 品牌: SPS(美国源芯) 封装: TO-247-3L 描述: N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 160mΩ 1200V TO247-3 IMW120R220M1HXKSA1 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C36493854 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥26.05 10+: ￥22.62 30+: ￥19.63 100+: ￥17.56 现货最快4H发广东仓: 140 江苏仓: 148 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


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C3M0040120K 品牌: WOLFSPEED 封装: TO-247-4L 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 66A 耗散功率(Pd): 326W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5588747 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存376) SMT扩展库 1+: ￥62.21 10+: ￥54.13 30+: ￥49.21 90+: ￥45.08 现货最快4H发广东仓: 376 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交29单已加购


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IMZA120R020M1HXKSA1 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-4 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 98A 耗散功率(Pd): 375W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7207676 详细: 数据手册领券包邮券立即领取 1+: ￥93.72 10+: ￥89.23 30+: ￥81.46 90+: ￥74.67 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 327 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交17单已加购


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CI60N120SM4 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-4L 描述: 碳化硅MOS 1200V60A 内阻40毫欧封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 60A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2980704 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存419) SMT扩展库 1+: ￥32.44 10+: ￥27.76 30+: ￥23.75 90+: ￥20.94 510+: ￥19.64 1020+: ￥19.05 现货最快4H发广东仓: 399 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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8.8折 HC3M0045065D 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-247 描述: 此款碳化硅MOS器件，专为高性能电源管理系统打造，耐压等级达到650V，确保系统运行的安全边际。内阻最大仅为45毫欧，优化了导通性能，有助于降低功耗。提供49安培的连续电流承载能力，适合于中等功率应用，平衡了功率与效率的需求，是现代高效能电子产品设计的理想组件。沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 49A 阈值电压(Vgs(th)): 2V 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C22449546 详细: 数据手册领券最高减20 立即领取 8.8 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.8折第二阶梯8.8折第三阶梯8.8折第四阶梯8.8折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 8.8 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥62.0312 ￥53.7328 ￥48.6816 ￥44.44 原价￥70.49 ￥61.06 ￥55.32 ￥50.5 1+: ￥62.0312 10+: ￥53.7328 30+: ￥48.6816 90+: ￥44.44 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 116 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购


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IMW65R039M1HXKSA1 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-3-41 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 46A 耗散功率(Pd): 176W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C3278949 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥77.24 10+: ￥66.17 30+: ￥59.42 100+: ￥53.76 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 208 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交16单已加购


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IMW120R030M1H 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 56A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C536280 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存225) SMT扩展库 1+: ￥96.2 10+: ￥88.67 30+: ￥81.73 90+: ￥75.68 现货最快4H发广东仓: 205 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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9.2折 CI40N65SM(TOKMAS) 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C18214413 详细: 数据手册领券包邮券立即领取 9.2 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.2折第二阶梯9.2折第三阶梯9.2折第四阶梯9.2折第五阶梯9.2折第六阶梯9.2折嘉立创贴片惊喜价格(库存226) SMT扩展库 9.2 折 1+: 10+: 30+: 90+: 510+: 1020+: 折后价￥24.1776 ￥20.8012 ￥18.032 ￥15.9988 ￥15.0604 ￥14.6372 原价￥26.28 ￥22.61 ￥19.6 ￥17.39 ￥16.37 ￥15.91 1+: ￥24.1776 10+: ￥20.8012 30+: ￥18.032 90+: ￥15.9988 510+: ￥15.0604 1020+: ￥14.6372 现货最快4H发广东仓: 226 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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9.5折 SP25N120CTK 品牌: Siliup(矽普) 封装: TO-247-4L 描述: SIC MOSFET产品，N沟道，耐压：1200V，电流：25A,Rdson：60mR 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 52A 耗散功率(Pd): 171W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C22466831 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存50) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 90+: 510+: 990+: 折后价￥28.4145 ￥24.2915 ￥21.8405 ￥19.361 ￥18.221 ￥17.6985 原价￥29.91 ￥25.57 ￥22.99 ￥20.38 ￥19.18 ￥18.63 1+: ￥28.4145 10+: ￥24.2915 30+: ￥21.8405 90+: ￥19.361 510+: ￥18.221 990+: ￥17.6985 现货最快4H发广东仓: 50 江苏仓: 171 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购


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GC3M0065090D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 900V 连续漏极电流(Id): 36A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435034 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥33.64 10+: ￥29.02 30+: ￥25.61 90+: ￥23.25 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 146 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交17单已加购


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9折 NTHL040N120M3S 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-247-3L 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C20625009 详细: 数据手册送采购晶活动规则: 单笔满5000: 送120 单笔满10000: 送230 单笔满20000: 送345 单笔满50000: 送580 查看具体规则》领券最高减100 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯10折第四阶梯9折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥49.65 ￥43.31 ￥39.44 ￥32.58 原价￥36.2 1+: ￥49.65 10+: ￥43.31 30+: ￥39.44 90+: ￥32.58 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 96 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


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IMZA65R027M1H 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-4 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C536297 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存410) SMT扩展库 1+: ￥67.65 10+: ￥57.96 30+: ￥52.06 90+: ￥47.1 现货最快4H发广东仓: 410 江苏仓: 226 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


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CI72N170SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 1700V45mΩ 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1700V 连续漏极电流(Id): 72A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C41782025 详细: 数据手册领券包邮券立即领取 1+: ￥78.68 10+: ￥67.61 30+: ￥60.86 90+: ￥55.2 现货最快4H发广东仓: 235 江苏仓: 120 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购


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9.5折 SP90N120CTK 品牌: Siliup(矽普) 封装: TO-247-4L 描述: SIC MOSFET产品，N沟道，耐压：1200V，电流：90A,Rdson：15mR 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 135A 耗散功率(Pd): 503W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C22466827 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9.5 折 1+: 折后价￥90.592 原价￥95.36 1+: ￥90.592 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 97 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购


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GC2M1000170D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1700V 连续漏极电流(Id): 5A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435057 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存82) SMT扩展库 1+: ￥12.7 10+: ￥10.74 30+: ￥9.52 90+: ￥8.26 600+: ￥7.7 900+: ￥7.45 现货最快4H发广东仓: 62 江苏仓: 252 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交43单已加购


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9.3折 GC3M0015065K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 120A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435028 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 9.3 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.3折第二阶梯9.3折第三阶梯9.3折第四阶梯9.3折嘉立创贴片惊喜价格(库存30) SMT扩展库 9.3 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥71.0985 ￥61.4451 ￥55.5582 ￥50.6292 原价￥76.45 ￥66.07 ￥59.74 ￥54.44 1+: ￥71.0985 10+: ￥61.4451 30+: ￥55.5582 90+: ￥50.6292 现货最快4H发广东仓: 30 江苏仓: 60 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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9.3折 GC3M0015065D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 120A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435023 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 9.3 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.3折第二阶梯9.3折第三阶梯9.3折第四阶梯9.3折嘉立创贴片惊喜价格(库存2) SMT扩展库 9.3 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥72.6423 ￥62.9889 ￥55.8465 ￥50.9082 原价￥78.11 ￥67.73 ￥60.05 ￥54.74 1+: ￥72.6423 10+: ￥62.9889 30+: ￥55.8465 90+: ￥50.9082 现货最快4H发广东仓: 2 江苏仓: 79 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交13单已加购


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CI19N120SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 19A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2959833 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存510) SMT扩展库 1+: ￥20.47 10+: ￥17.7 30+: ￥12.96 90+: ￥11.18 510+: ￥10.38 1020+: ￥10.03 现货最快4H发广东仓: 510 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


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GC2M0080120D1 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅场效应管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 34A 耗散功率(Pd): 190W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19271983 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥25.42 10+: ￥21.67 30+: ￥19.44 90+: ￥17.18 450+: ￥16.14 900+: ￥15.68 现货最快4H发广东仓: 109 江苏仓: 58 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交17单已加购


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9.3折 HC1M40120J 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-263-7L 描述: 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有68A的最大电流承载能力（ID），能够承受高达1200V的漏源电压（VDSS），展现出了卓越的耐压性能。其导通电阻（RDSON）仅为40毫欧，意味着在导通状态下能有效减少能量损耗，提升系统的整体效率。作为一款N沟道类型器件，它适用于要求严苛的电源转换场景中，如高性能计算设备的电源模块、消费电子产品中的开关电源等，能够提供可靠的高频开关性能。沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 65A 耗散功率(Pd): 326W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C41428801 详细: 数据手册领券最高减20 立即领取 9.3 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.3折第二阶梯9.3折第三阶梯9.3折第四阶梯9.3折嘉立创贴片惊喜价格(库存90) SMT扩展库 9.3 折 1+: 10+: 50+: 100+: 折后价￥73.4049 ￥70.1778 ￥64.5978 ￥59.7246 原价￥78.93 ￥75.46 ￥69.46 ￥64.22 1+: ￥73.4049 10+: ￥70.1778 50+: ￥64.5978 100+: ￥59.7246 现货最快4H发广东仓: 90 江苏仓: 15 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购


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GC3M0075120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 1200V 连续漏极电流(Id): 32A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435045 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存79) SMT扩展库 1+: ￥28.78 10+: ￥24.63 30+: ￥21.69 90+: ￥19.2 600+: ￥18.04 900+: ￥17.53 现货最快4H发广东仓: 79 江苏仓: 91 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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