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碳化硅场效应管(MOSFET)

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GC2M0080120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 36A Pd-功耗: 192W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435046 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存301) SMT扩展库 1+: ￥21.16 10+: ￥20.13 30+: ￥17.54 90+: ￥16.92 600+: ￥16.64 900+: ￥16.51 现货最快4H发广东仓: 281 江苏仓: 1181 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交51单已加购

GC2M0080120D1 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅场效应管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 34A Pd-功耗: 190W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19271983 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥17.28 10+: ￥16.34 30+: ￥15.79 90+: ￥15.22 450+: ￥14.96 900+: ￥14.84 现货最快4H发广东仓: 518 江苏仓: 161 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交25单已加购

GC3M0065090D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 900V Id-漏极电流(25℃): 36A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435034 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥30.16 10+: ￥26.31 30+: ￥23.97 90+: ￥22 现货最快4H发广东仓: 54 江苏仓: 330 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交21单已加购

GC2M1000170D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 5A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435057 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存307) SMT扩展库 1+: ￥13.1 10+: ￥11.23 30+: ￥10.05 90+: ￥8.85 600+: ￥8.31 900+: ￥8.07 现货最快4H发广东仓: 287 江苏仓: 576 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交25单已加购

GC3M0040120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 66A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435043 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥54.28 10+: ￥47.36 30+: ￥43.14 90+: ￥39.6 现货最快4H发广东仓: 20 江苏仓: 233 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购

CI90N120SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 90A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5364636 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存357) SMT扩展库 1+: ￥66.91 10+: ￥58.7 30+: ￥53.66 90+: ￥49.44 现货最快4H发广东仓: 357 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交12单已加购

GC3M0032120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 63A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435042 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥49.76 10+: ￥43.41 30+: ￥39.54 90+: ￥36.3 现货最快4H发广东仓: 156 江苏仓: 14 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购

GC2M0045170D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 72A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435058 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥145.77 3+: ￥141.9 30+: ￥135.45 现货最快4H发广东仓: 22 江苏仓: 111 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购

CI7N170SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 7A Pd-功耗: 62W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2842690 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存858) SMT扩展库 1+: ￥22.01 10+: ￥19.77 30+: ￥13.45 90+: ￥12.1 510+: ￥11.48 1020+: ￥11.2 现货最快4H发广东仓: 838 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交19单已加购

CI60N120SM4 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-4L 描述: 碳化硅MOS 1200V60A 内阻40毫欧封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 60A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2980704 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存359) SMT扩展库 1+: ￥39.47 10+: ￥34.86 30+: ￥30.36 90+: ￥28 现货最快4H发广东仓: 359 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购

GC3M0075120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 32A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435045 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥25.43 10+: ￥21.97 30+: ￥19.91 90+: ￥17.83 600+: ￥16.87 900+: ￥16.43 现货最快4H发广东仓: 179 江苏仓: 58 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购

NTH4L040N120M3S 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-247-4 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19673849 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥45.84 10+: ￥39.92 30+: ￥36.31 90+: ￥33.28 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 406 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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9.5折 HC3M0045065D 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-247 描述: 此款碳化硅MOS器件，专为高性能电源管理系统打造，耐压等级达到650V，确保系统运行的安全边际。内阻最大仅为45毫欧，优化了导通性能，有助于降低功耗。提供49安培的连续电流承载能力，适合于中等功率应用，平衡了功率与效率的需求，是现代高效能电子产品设计的理想组件。沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 49A Vgs(th)-栅源阈值电压: 2V 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C22449546 详细: 数据手册领券 200-60 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折领券 PLUS专享立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥73.7295 ￥64.8755 ￥59.47 ￥54.9385 原价￥77.61 ￥68.29 ￥62.6 ￥57.83 1+: ￥73.7295 10+: ￥64.8755 30+: ￥59.47 90+: ￥54.9385 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 54 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购


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IMW120R030M1H 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 56A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C536280 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存203) SMT扩展库 1+: ￥85.01 10+: ￥78.25 30+: ￥72.56 90+: ￥67.6 现货最快4H发广东仓: 191 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


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C3M0021120K 品牌: Wolfspeed 封装: TO-247-4 沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 100A Pd-功耗: 469W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5713521 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥170.66 30+: ￥163.01 现货最快4H发广东仓: 154 江苏仓: 2 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购


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6.5折 HC3M0015065D 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: TO-247-3L 描述: 这款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为处理高电压、大电流应用设计。额定电压650V，可承载120A连续电流，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备出色的导通性能和散热效率，是现代高效能电力控制的理想半导体元件。 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 120A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19723863 详细: 数据手册领券 200-60 立即领取 6.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯6.5折第二阶梯6.5折第三阶梯6.5折第四阶梯6.5折领券 PLUS专享立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存73) SMT扩展库 6.5 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥67.5675 ￥64.8115 ￥60.0405 ￥55.8805 原价￥103.95 ￥99.71 ￥92.37 ￥85.97 1+: ￥67.5675 10+: ￥64.8115 30+: ￥60.0405 90+: ￥55.8805 现货最快4H发广东仓: 73 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


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9.5折 GC3M0021120K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 100A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435052 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折 9.5 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥119.719 ￥112.4135 ￥104.139 ￥96.9285 原价￥126.02 ￥118.33 ￥109.62 ￥102.03 1+: ￥119.719 10+: ￥112.4135 30+: ￥104.139 90+: ￥96.9285 现货最快4H发广东仓: 7 江苏仓: 19 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购

IMZ120R045M1XKSA1 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-4-1 沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 52A Pd-功耗: 228W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C3278960 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥56.71 10+: ￥49.71 30+: ￥45.44 90+: ￥41.87 现货最快4H发广东仓: 240 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购


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C3M0075120K-A 品牌: Wolfspeed 封装: TO-247-4L 沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 32A Pd-功耗: 136W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7429887 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存167) SMT扩展库 1+: ￥65.03 10+: ￥62.2 30+: ￥57.29 90+: ￥53 现货最快4H发广东仓: 167 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购


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GC3M0040120K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 66A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435054 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥52.29 10+: ￥45.75 30+: ￥40.74 90+: ￥37.4 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 87 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购

GC3M0060065K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 37A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435031 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥28.83 10+: ￥25 30+: ￥22.72 90+: ￥20.42 600+: ￥19.36 900+: ￥18.88 现货最快4H发广东仓: 106 江苏仓: 30 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交25单已加购

9.5折 GC2M0025120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 90A Pd-功耗: 378W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435041 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折 9.5 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥104.0915 ￥99.788 ￥92.321 ￥85.8135 原价￥109.57 ￥105.04 ￥97.18 ￥90.33 1+: ￥104.0915 10+: ￥99.788 30+: ￥92.321 90+: ￥85.8135 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 48 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购

9.3折 GC3M0015065D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 120A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435023 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 9.3 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯10折第四阶梯9.3折 9.3 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥69.27 ￥60.62 ￥55.35 ￥47.3649 原价￥50.93 1+: ￥69.27 10+: ￥60.62 30+: ￥55.35 90+: ￥47.3649 现货最快4H发广东仓: 6 江苏仓: 60 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购

GC2M0040120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 55A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435044 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥37.67 10+: ￥32.8 30+: ￥29.83 90+: ￥27.35 现货最快4H发广东仓: 3 江苏仓: 40 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交16单已加购

CI19N120SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 19A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2959833 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存269) SMT扩展库 1+: ￥22.31 10+: ￥19.85 30+: ￥15.1 90+: ￥13.53 510+: ￥12.81 1020+: ￥12.5 现货最快4H发广东仓: 269 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交14单已加购

GC3M0032120K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 63A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435053 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥51.27 10+: ￥44.73 30+: ￥40.74 90+: ￥37.4 现货最快4H发广东仓: 5 江苏仓: 76 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购

IMZA120R020M1HXKSA1 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-4 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7207676 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥89.88 10+: ￥86.14 30+: ￥79.66 90+: ￥74 现货最快4H发广东仓: 230 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


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9.2折 CI40N65SM(TOKMAS) 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C18214413 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 9.2 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.2折第二阶梯9.2折第三阶梯9.2折第四阶梯9.2折第五阶梯9.2折第六阶梯9.2折 9.2 折 1+: 10+: 30+: 90+: 510+: 1020+: 折后价￥23.4692 ￥20.5988 ￥18.1148 ￥16.3852 ￥15.5848 ￥15.226 原价￥25.51 ￥22.39 ￥19.69 ￥17.81 ￥16.94 ￥16.55 1+: ￥23.4692 10+: ￥20.5988 30+: ￥18.1148 90+: ￥16.3852 510+: ￥15.5848 1020+: ￥15.226 现货最快4H发广东仓: 165 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购

CI30N65SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 30A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C3010930 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存243) SMT扩展库 1+: ￥22.96 10+: ￥19.94 30+: ￥18.15 90+: ￥16.34 510+: ￥15.5 1020+: ￥15.12 现货最快4H发广东仓: 243 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交18单已加购

NTHL1000N170M1 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-247-3L 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19673851 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥24.72 10+: ￥21.38 30+: ￥19.39 90+: ￥17.38 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 247 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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增值税发票抬头，预付余额转出银行卡开户名等，系统都将处理成跟会员账户资料“企业名称与税号”保持一致且不能修改！

账户资料

*公司名称：	请填写绑定的企业名称请填写绑定的企业名称
*纳税人识别号：	请填写正确的的“纳税人识别号” 请填写正确的的“纳税人识别号”
*联系人名称：	账号联系人名称请填写账号联系人名称
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*营业执照：	1.支持上传格式：JPG(JPEG)、PNG（文件大小写都支持）。 2.图片像素尺寸：最小1000*500像素（宽大于1000像素，高大于500像素）。 3.图片文件大小：＞＝100KB。 4.若拍摄营业执照，营业执照尽量平放于纯色背景之上。 5.请上传彩色证件扫描件，或加盖鲜章的证件复印件。修改
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