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碳化硅场效应管(MOSFET)

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自营结果数1151
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

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  • 库存交期

  • 操作

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
36A
耗散功率(Pd)
192W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存126
9.5
  • 28.45
  • 24.78
  • 19.45
  • 16.378
  • 15.409
  • 14.972
现货最快4小时发货
广东仓
124
江苏仓
176

30/

总额0

近期成交36单

GC3M0015065K
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
120A
耗散功率(Pd)
416W
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存66
  • 68.28
  • 58.11
  • 51.92
  • 46.72
现货最快4小时发货
广东仓
66
江苏仓
13

30/

总额0

近期成交17单

CI7N170SM
CI7N170SM
品牌
Tokmas(托克马斯)
封装
TO-247-3
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C2842690
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
7A
耗散功率(Pd)
62W

描述碳化硅

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存611
  • 22.58
  • 19.78
  • 13.38
  • 11.58
  • 10.77
  • 10.42
现货最快4小时发货
广东仓
599

30/

总额0

近期成交27单

IMW120R060M1H
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
36A
耗散功率(Pd)
150W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1158
  • 34.35
  • 29.27
  • 26.18
  • 23.58
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广东仓
1158
江苏仓
230

30/

总额0

近期成交70单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
55A
耗散功率(Pd)
278W
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存298
  • 41.92
  • 36.15
  • 31.14
  • 28.19
现货最快4小时发货
广东仓
298
江苏仓
23

30/

总额0

近期成交8单

GC2M0080120D1
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
34A
耗散功率(Pd)
190W

描述碳化硅场效应管

  • 收藏
  • 对比
  • 25.19
  • 21.57
  • 18.74
  • 16.57
  • 15.57
  • 15.12
现货最快4小时发货
广东仓
43
江苏仓
244

30/

总额0

近期成交22单

IMZA65R027M1H
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
59A
阈值电压(Vgs(th))
5.7V
栅极电荷量(Qg)
63nC
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存279
  • 55.41
  • 47.11
  • 42.05
  • 37.8
现货最快4小时发货
广东仓
279
江苏仓
176

30/

总额0

近期成交7单

碳化硅功率N沟道增强型MOSFET
类型
N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
5A
耗散功率(Pd)
69W
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存396
8
  • 12.536
  • 10.608
  • 9.4
  • 8.168
  • 7.608
  • 7.368
现货最快4小时发货
广东仓
396

30/

总额0

近期成交16单

IMZA120R040M1HXKSA1
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
55A
耗散功率(Pd)
227W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存957
  • 33.56
  • 28.47
  • 25.44
  • 22.38
  • 20.97
现货最快4小时发货
广东仓
957

30/

总额0

近期成交29单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
72A
耗散功率(Pd)
520W
  • 收藏
  • 对比
  • 140.97
  • 130.98
  • 124.32
现货最快4小时发货
广东仓
39
江苏仓
151

30/

总额0

近期成交8单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
32A
耗散功率(Pd)
136W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存248
9.5
  • 28.082
  • 24.1395
  • 20.9095
  • 18.5345
  • 17.442
  • 16.948
现货最快4小时发货
广东仓
237
江苏仓
31

30/

总额0

近期成交4单

IMZ120R060M1HXKSA1
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
36A
耗散功率(Pd)
150W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存617
  • 32.53
  • 27.73
  • 24.88
  • 22
  • 20.66
现货最快4小时发货
广东仓
617

30/

总额0

近期成交18单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
63A
耗散功率(Pd)
283W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存151
  • 49.18
  • 40.74
  • 36.67
  • 33.25
现货最快4小时发货
广东仓
151

30/

总额0

近期成交8单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
66A
耗散功率(Pd)
326W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存180
  • 58.54
  • 50.24
  • 43.02
  • 38.78
现货最快4小时发货
广东仓
180
江苏仓
22

30/

总额0

近期成交5单

GC3M0015065D
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
120A
耗散功率(Pd)
416W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存96
9.5
  • 66.6045
  • 57.399
  • 50.597
  • 45.885
现货最快4小时发货
广东仓
96
江苏仓
19

30/

总额0

近期成交10单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
90A
耗散功率(Pd)
378W
  • 收藏
  • 对比
9.5
  • 97.66
  • 91.143
  • 83.315
  • 76.475
现货最快4小时发货
广东仓
56
江苏仓
10

30/

总额0

近期成交5单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
115A
耗散功率(Pd)
556W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 99.655
  • 91.143
  • 83.315
  • 76.475
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
123

30/

总额0

近期成交2单

耐压:1200V 电流:60A
M4M-0040-120K
品牌
Megain(美佳音)
封装
TO-247-4
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C49242766
类型
N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
60A
耗散功率(Pd)
313W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 16.09
  • 13.68
  • 12.17
  • 10.63
  • 9.93
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
911

30/

总额0

近期成交2单

耐压:1200V 电流:76A
M2M-0030-120K
品牌
Megain(美佳音)
封装
TO-247-4
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C49242769
类型
N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
76A
耗散功率(Pd)
375W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 18.88
  • 16.2
  • 14.61
  • 13
  • 12.26
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
936

30/

总额0

近期成交2单

耐压:1.2kV 电流:30A
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
31A
耗散功率(Pd)
200W
阈值电压(Vgs(th))
4V

描述1200V 80mΩ

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存510
  • 21.23
  • 18.37
  • 13.6
  • 11.76
  • 10.93
  • 10.58
现货最快4小时发货
广东仓
508

30/

总额0

近期成交13单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1kV
连续漏极电流(Id)
32A
耗散功率(Pd)
113.5W
  • 收藏
  • 对比
  • 36.72
  • 31.41
  • 27.49
  • 24.77
现货最快4小时发货
广东仓
105
江苏仓
8

30/

总额0

近期成交9单

IMW120R030M1H
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
56A
耗散功率(Pd)
227W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存228
  • 84.89
  • 77.88
  • 71.43
  • 65.8
现货最快4小时发货
广东仓
228

30/

总额0

近期成交20单

CI7N220SM
CI7N220SM
品牌
Tokmas(托克马斯)
封装
TO-247-3
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C42391832
漏源电压(Vdss)
2.2kV
连续漏极电流(Id)
8.7A
耗散功率(Pd)
94W
阈值电压(Vgs(th))
2.8V

描述2200V900毫欧

  • 收藏
  • 对比
  • 18.17
  • 15.49
  • 13.89
  • 12.28
  • 11.54
  • 11.2
现货最快4小时发货
广东仓
903

30/

总额0

近期成交3单

IMZ120R045M1XKSA1
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
52A
耗散功率(Pd)
228W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存236
  • 33.52
  • 28.53
  • 25.49
  • 22.94
现货最快4小时发货
广东仓
236
江苏仓
15

30/

总额0

近期成交17单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
100A
耗散功率(Pd)
469W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11
  • 81.41
  • 74.1
  • 67.37
  • 61.5
现货最快4小时发货
广东仓
11
江苏仓
80

30/

总额0

近期成交3单

ID:115A VDSS:1200V RDON:16mR N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
115A
耗散功率(Pd)
556W

描述该款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1200V高压、大电流应用设计。额定连续电流高达115A,特别适应于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统,具有卓越的高温稳定性、低导通损耗和快速开关能力,是现代高效能源管理与功率转换的关键器件。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存34
赠送积分
7
  • 96.026
  • 91.203
现货最快4小时发货
广东仓
34
江苏仓
105

30/

总额0

近期成交4单

NVH4L040N120M3S
NVH4L040N120M3S
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C19673852
类型
N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
54A
耗散功率(Pd)
231W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.9
  • 107.48
  • 102.1
  • 92.78
  • 83.8035
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
257

30/

总额0

近期成交3单

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:102A
类型
N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
101A
耗散功率(Pd)
500W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存315
9.8
  • 235.2
  • 218.148
现货最快4小时发货
广东仓
315

30/

总额0

近期成交1单

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
37A
耗散功率(Pd)
150W
  • 收藏
  • 对比
9.5
  • 30.8845
  • 26.6855
  • 22.4675
  • 19.9405
  • 18.772
  • 18.2495
现货最快4小时发货
广东仓
69
江苏仓
79

30/

总额0

近期成交17单

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:31A
类型
N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
31A
耗散功率(Pd)
178W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

6.9折起
  • 52.0917
  • 44.2795
  • 37.6257
  • 36.7494
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
270

30/

总额0

近期成交3单