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碳化硅场效应管(MOSFET)

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GC2M0080120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 36A Pd-功耗: 192W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435046 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1118) SMT扩展库 1+: ￥32.56 10+: ￥28.59 30+: ￥23.91 90+: ￥21.53 600+: ￥20.42 900+: ￥19.93 现货最快4H发广东仓: 1118 江苏仓: 1684 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交57单已加购

CI90N120SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 90A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5364636 详细: 数据手册 1+: ￥97.36 10+: ￥93.49 30+: ￥86.62 90+: ￥80.63 现货最快4H发广东仓: 119 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购

C3M0016120K 品牌: Wolfspeed 封装: TO-247-4 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 115A Pd-功耗: 556W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5713523 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存19) SMT扩展库 1+: ￥271.78 30+: ￥260.28 现货最快4H发广东仓: 19 江苏仓: 111 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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GC2M0045170D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 72A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435058 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 1+: ￥210.81 3+: ￥204.66 30+: ￥194.41 现货最快4H发广东仓: 47 江苏仓: 145 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购

NTH4L028N170M1 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-247-4 描述: 碳化硅封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 81A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5209022 详细: 数据手册 1+: ￥200.73 30+: ￥192.02 现货最快4H发广东仓: 2 江苏仓: 50 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


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爆款 C3M0040120K 品牌: Wolfspeed 封装: TO-247-4L 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 66A Pd-功耗: 326W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5588747 详细: 数据手册 1+: ￥76.53 10+: ￥69.36 30+: ￥66.77 90+: ￥61.61 现货最快4H发广东仓: 175 江苏仓: 326 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交31单已加购


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NTH4L014N120M3P 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-247-4 描述: 碳化硅封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 127A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5209032 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存195) SMT扩展库 1+: ￥165.83 30+: ￥158.51 现货最快4H发广东仓: 195 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购


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CI19N120SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 19A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2959833 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存146) SMT扩展库 1+: ￥22.79 10+: ￥20.33 30+: ￥14.05 90+: ￥12.47 510+: ￥11.76 1020+: ￥11.45 现货最快4H发广东仓: 146 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交16单已加购

CI60N120SM4 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-4L 描述: 碳化硅MOS 1200V60A 内阻40毫欧封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 60A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2980704 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存180) SMT扩展库 1+: ￥46.88 10+: ￥41.3 30+: ￥35.87 90+: ￥33.03 现货最快4H发广东仓: 180 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购

GC3M0021120K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 100A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435052 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 1+: ￥119.95 10+: ￥112.27 30+: ￥103.56 90+: ￥95.96 现货最快4H发广东仓: 99 江苏仓: 47 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购

C2M0080120D 品牌: Wolfspeed 封装: TO-247-3 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 36A Pd-功耗: 192W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5713516 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存66) SMT扩展库 1+: ￥95.49 10+: ￥91.71 30+: ￥85.17 现货最快4H发广东仓: 46 江苏仓: 1 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购


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SCT3120ALGC11 品牌: ROHM(罗姆) 封装: TO-247AC-3 描述: N沟道,650V,21A,120mΩ@18V 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 21A Pd-功耗: 103W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C191056 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存430) SMT扩展库 1+: ￥32.42 10+: ￥28.29 30+: ￥25.77 90+: ￥23.66 现货最快4H发广东仓: 430 江苏仓: 1 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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GC3M0032120K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 63A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435053 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 1+: ￥51.95 10+: ￥45.41 30+: ￥41.42 90+: ￥38.08 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 54 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购

IMW120R220M1HXKSA1 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-3 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 13A Pd-功耗: 75W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2997930 详细: 数据手册 1+: ￥42.61 10+: ￥37.85 30+: ￥34.94 100+: ￥32.5 现货最快4H发广东仓: 100 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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GC3M0040120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 66A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435043 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 1+: ￥55 10+: ￥48.08 30+: ￥43.86 90+: ￥40.32 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 177 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交13单已加购

GC2M0080120D1 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 34A Pd-功耗: 190W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19271983 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 1+: ￥27.21 10+: ￥23.63 30+: ￥21.51 90+: ￥19.36 450+: ￥18.37 900+: ￥17.92 现货最快4H发广东仓: 848 江苏仓: 854 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交20单已加购

GC3M0075120K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-4 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 32A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435055 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 1+: ￥36.95 10+: ￥32.3 30+: ￥29.46 90+: ￥27.09 现货最快4H发广东仓: 90 江苏仓: 42 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购

CI7N170SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 7A Pd-功耗: 62W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2842690 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存462) SMT扩展库 1+: ￥24.65 10+: ￥22.19 30+: ￥15.23 90+: ￥13.75 510+: ￥13.07 1020+: ￥12.76 现货最快4H发广东仓: 442 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交22单已加购

GC3M0040120K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 66A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435054 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 1+: ￥53.02 10+: ￥46.49 30+: ￥41.48 90+: ￥38.14 现货最快4H发广东仓: 4 江苏仓: 92 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购

GC3M0065090D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 900V Id-漏极电流(25℃): 36A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435034 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 1+: ￥30.59 10+: ￥26.75 30+: ￥24.4 90+: ￥22.44 现货最快4H发广东仓: 179 江苏仓: 2 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交25单已加购

GC2M0040120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 55A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435044 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 1+: ￥45.88 10+: ￥40.12 30+: ￥36.6 90+: ￥33.65 现货最快4H发广东仓: 100 江苏仓: 130 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交13单已加购

IMW65R039M1HXKSA1 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-3-41 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 46A Pd-功耗: 176W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C3278949 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥90.89 10+: ￥87.05 30+: ￥80.39 100+: ￥74.58 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 448 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


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NTH4L025N065SC1 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-247-4 描述: 碳化硅封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 99A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5209034 详细: 数据手册 1+: ￥112.13 10+: ￥107.28 30+: ￥98.88 90+: ￥91.55 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 90 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购


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IMW120R030M1H 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 56A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C536280 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存230) SMT扩展库 1+: ￥85.51 10+: ￥78.71 30+: ￥72.99 90+: ￥68 现货最快4H发广东仓: 210 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购


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IV1Q06040T3 品牌: inventchip(瞻芯电子) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅MOS650V40mΩ 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 72A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2979248 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存104) SMT扩展库 1+: ￥90.45 10+: ￥73.39 30+: ￥67.6 90+: ￥62.54 现货最快4H发广东仓: 84 江苏仓: 9 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购

爆款 C3M0021120K 品牌: Wolfspeed 封装: TO-247-4 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 100A Pd-功耗: 469W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5713521 详细: 数据手册 1+: ￥170.66 30+: ￥163 现货最快4H发广东仓: 462 江苏仓: 17 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交18单已加购


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IV1Q12750T3 品牌: inventchip(瞻芯电子) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 6.8A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2979251 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存37) SMT扩展库 1+: ￥31.69 10+: ￥27.84 30+: ￥23.4 90+: ￥21.08 现货最快4H发广东仓: 37 江苏仓: 103 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购

8.8折 GC2M1000170D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 5A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435057 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 8.8 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.8折第二阶梯8.8折第三阶梯8.8折第四阶梯8.8折第五阶梯8.8折第六阶梯8.8折嘉立创贴片惊喜价格(库存472) SMT扩展库 8.8 折 1+: 10+: 30+: 90+: 600+: 900+: 折后价￥11.5456 ￥10.5248 ￥9.8824 ￥9.2312 ￥8.932 ￥8.8088 原价￥13.12 ￥11.96 ￥11.23 ￥10.49 ￥10.15 ￥10.01 1+: ￥11.5456 10+: ￥10.5248 30+: ￥9.8824 90+: ￥9.2312 600+: ￥8.932 900+: ￥8.8088 现货最快4H发广东仓: 472 江苏仓: 294 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交35单已加购

S1M040120H 品牌: SICHAIN(清纯) 封装: TO-247-4L 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 76A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C22363605 详细: 数据手册 1+: ￥65.98 10+: ￥58.29 30+: ￥53.6 90+: ￥49.67 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 401 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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GC3M0060065K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 37A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435031 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 1+: ￥35.29 10+: ￥30.91 30+: ￥28.24 90+: ￥26 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 71 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购

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