温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 商品目录 > 碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET) >

当前“

碳化硅场效应管(MOSFET)

”共 782件相关商品

综合排序价格库存销量

-

-

清空

现货最快4小时发折扣

共 782 件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

NTH4L014N120M3P 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-247-4 描述: 碳化硅封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 127A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5209032 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存63) SMT扩展库 1+: ￥165.83 30+: ￥158.51 现货最快4H发广东仓: 63 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


查看更多渠道点击收起

NTH4L028N170M1 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-247-4 描述: 碳化硅封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 81A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5209022 详细: 数据手册 1+: ￥204.48 30+: ￥195.61 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 47 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


查看更多渠道点击收起

GC2M0080120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 36A Pd-功耗: 192W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435046 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存596) SMT扩展库 1+: ￥28.27 10+: ￥24.74 30+: ￥20.6 90+: ￥18.48 600+: ￥17.5 900+: ￥17.06 现货最快4H发广东仓: 596 江苏仓: 1574 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交53单已加购

爆款 C3M0040120K 品牌: Wolfspeed 封装: TO-247-4L 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 66A Pd-功耗: 326W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5588747 详细: 数据手册 1+: ￥76.53 10+: ￥69.36 30+: ￥66.77 90+: ￥61.61 现货最快4H发广东仓: 125 江苏仓: 86 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交34单已加购


查看更多渠道点击收起

CI7N170SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 7A Pd-功耗: 62W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2842690 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存820) SMT扩展库 1+: ￥23.53 10+: ￥21.18 30+: ￥14.54 90+: ￥13.13 510+: ￥12.48 1020+: ￥12.18 现货最快4H发广东仓: 800 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交27单已加购

C3M0016120K 品牌: Wolfspeed 封装: TO-247-4 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 115A Pd-功耗: 556W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5713523 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存13) SMT扩展库 1+: ￥271.78 30+: ￥260.28 现货最快4H发广东仓: 13 江苏仓: 76 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


查看更多渠道点击收起

GC3M0060065K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 37A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435031 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥29.29 10+: ￥25.45 30+: ￥23.16 90+: ￥20.85 600+: ￥19.78 900+: ￥19.3 现货最快4H发广东仓: 2 江苏仓: 59 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购

CI90N120SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 90A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5364636 详细: 数据手册 1+: ￥76.39 10+: ￥73.35 30+: ￥67.95 90+: ￥63.24 现货最快4H发广东仓: 213 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购

GC2M0045170D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 72A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435058 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥151.08 3+: ￥146.67 30+: ￥139.33 现货最快4H发广东仓: 32 江苏仓: 120 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购

NTH4L025N065SC1 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-247-4 描述: 碳化硅封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 99A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5209034 详细: 数据手册 1+: ￥112.13 10+: ￥107.28 30+: ￥98.88 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 33 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


查看更多渠道点击收起

爆款 C3M0021120K 品牌: Wolfspeed 封装: TO-247-4 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 100A Pd-功耗: 469W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C5713521 详细: 数据手册 1+: ￥170.66 30+: ￥163 现货最快4H发广东仓: 439 江苏仓: 4 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


查看更多渠道点击收起

GC3M0015065K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435028 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥68.75 10+: ￥60.1 30+: ￥54.82 90+: ￥50.4 现货最快4H发广东仓: 192 江苏仓: 130 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购

7折 S1M014120H 品牌: SICHAIN(清纯) 封装: TO-247-4L 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 152A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C22363603 详细: 数据手册 7 折订单数量按照以下: 第一阶梯7折第二阶梯7折 7 折 1+: 30+: 折后价￥132.489 ￥126.889 原价￥189.27 ￥181.27 1+: ￥132.489 30+: ￥126.889 现货最快4H发广东仓: 150 江苏仓: 8 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购


查看更多渠道点击收起

GC2M0080120D1 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 34A Pd-功耗: 190W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19271983 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥24.57 10+: ￥21.27 30+: ￥19.31 90+: ￥17.32 450+: ￥16.4 900+: ￥15.99 现货最快4H发广东仓: 753 江苏仓: 810 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交16单已加购

CI19N120SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 19A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C2959833 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存107) SMT扩展库 1+: ￥22.79 10+: ￥20.33 30+: ￥14.05 90+: ￥12.47 510+: ￥11.76 1020+: ￥11.45 现货最快4H发广东仓: 107 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交16单已加购

9.5折 KN3M65017D 品牌: KNSCHA(科尼盛) 封装: TO-247-3 描述: 碳化硅封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 7A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7432998 详细: 数据手册 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折 9.5 折 1+: 10+: 30+: 90+: 折后价￥17.651 ￥15.314 ￥13.851 ￥12.3595 原价￥18.58 ￥16.12 ￥14.58 ￥13.01 1+: ￥17.651 10+: ￥15.314 30+: ￥13.851 90+: ￥12.3595 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 95 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购

SCT3120ALGC11 品牌: ROHM(罗姆) 封装: TO-247AC-3 描述: N沟道,650V,21A,120mΩ@18V 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 21A Pd-功耗: 103W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C191056 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存300) SMT扩展库 1+: ￥32.42 10+: ￥28.29 30+: ￥25.77 90+: ￥23.66 现货最快4H发广东仓: 300 江苏仓: 1 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


查看更多渠道点击收起

IMZ120R060M1H 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-4 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 36A Pd-功耗: 150W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C536292 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存203) SMT扩展库 1+: ￥72.23 10+: ￥69.3 30+: ￥64.23 100+: ￥59.81 现货最快4H发广东仓: 203 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购


查看更多渠道点击收起

GC2M0040120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 55A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435044 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥38.68 10+: ￥33.69 30+: ￥30.64 90+: ￥28.08 现货最快4H发广东仓: 62 江苏仓: 70 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交18单已加购

GC3M0060065D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 29A Pd-功耗: 150W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435026 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥30.61 10+: ￥26.59 30+: ￥24.2 90+: ￥21.78 600+: ￥20.67 900+: ￥20.16 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 50 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购

GC3M0040120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 66A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435043 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥55 10+: ￥48.08 30+: ￥43.86 90+: ￥40.32 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 133 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交13单已加购

NTHL1000N170M1 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-247-3L 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C19673851 详细: 数据手册 1+: ￥26.56 10+: ￥23.16 30+: ￥21.13 90+: ￥19.09 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 120 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


查看更多渠道点击收起

IMW120R060M1H 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-3 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 36A Pd-功耗: 150W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C536281 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存107) SMT扩展库 1+: ￥71.14 10+: ￥68.26 30+: ￥63.26 100+: ￥58.91 现货最快4H发广东仓: 107 江苏仓: 115 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


查看更多渠道点击收起

CI30N65SM 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-247-3 封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 30A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C3010930 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存230) SMT扩展库 1+: ￥28.17 10+: ￥24.59 30+: ￥22.47 90+: ￥20.32 现货最快4H发广东仓: 230 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购

GC3M0021120K 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-4 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 100A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435052 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥119.95 10+: ￥112.27 30+: ￥103.56 90+: ￥95.96 现货最快4H发广东仓: 80 江苏仓: 47 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购

7.1折 IMZA65R072M1HXKSA1 品牌: Infineon(英飞凌) 封装: TO-247-4 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 28A Pd-功耗: 96W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C3029556 详细: 数据手册 7.1 折订单数量按照以下: 第一阶梯7.1折第二阶梯7.1折第三阶梯7.1折 7.1 折 1+: 10+: 30+: 折后价￥54.6629 ￥50.1473 ￥46.3488 原价￥76.99 ￥70.63 ￥65.28 1+: ￥54.6629 10+: ￥50.1473 30+: ￥46.3488 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 65 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购


查看更多渠道点击收起

GC2M0160120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 18A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435048 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥19.49 10+: ￥17.04 30+: ￥15.58 90+: ￥14.1 600+: ￥13.42 900+: ￥13.11 现货最快4H发广东仓: 71 江苏仓: 71 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交18单已加购

GC2M0025120D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 90A Pd-功耗: 378W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435041 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取 1+: ￥111.24 10+: ￥106.71 30+: ￥98.85 90+: ￥92 现货最快4H发广东仓: 30 江苏仓: 67 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购

GC2M1000170D 品牌: SUPSiC(国晶微半导体) 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管封装类型: 单管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 5A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435057 详细: 数据手册领券最高减30 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存421) SMT扩展库 1+: ￥11.24 10+: ￥10.24 30+: ￥9.62 90+: ￥8.98 600+: ￥8.69 900+: ￥8.57 现货最快4H发广东仓: 401 江苏仓: 234 个个管个个管个个管 30个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交23单已加购