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碳化硅场效应管(MOSFET)

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    • HC3M001K170J
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: TO-263-7L
    • 描述: 这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计,具备超高的1700V耐压,确保在高电压系统中的稳定性和安全性。虽然内阻较高,最大为1000毫欧,但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。提供6安培的电流能力,是特殊高压环境下,追求可靠性和耐用性的理想选择。
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 1700V
    • 连续漏极电流(Id): 6.7A
    • 阈值电压(Vgs(th)): 1.8V
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    • 封装:  TO-263-7L
      描述: 这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计,具备超高的1700V耐压,确保在高电压系统中的稳定性和安全性。虽然内阻较高,最大为1000毫欧,但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。提供6安培的电流能力,是特殊高压环境下,追求可靠性和耐用性的理想选择。
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    • 漏源击穿电压(Vds): 1700V
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 66A
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    • 漏源击穿电压(Vds): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 98A
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 60A
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    • HC3M0045065D
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: TO-247
    • 描述: 此款碳化硅MOS器件,专为高性能电源管理系统打造,耐压等级达到650V,确保系统运行的安全边际。内阻最大仅为45毫欧,优化了导通性能,有助于降低功耗。提供49安培的连续电流承载能力,适合于中等功率应用,平衡了功率与效率的需求,是现代高效能电子产品设计的理想组件。
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 49A
    • 阈值电压(Vgs(th)): 2V
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 46A
    • 耗散功率(Pd): 176W
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 56A
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 52A
    • 耗散功率(Pd): 171W
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    • HC1M40120J
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: TO-263-7L
    • 描述: 这款碳化硅场效应管(MOSFET)具有68A的最大电流承载能力(ID),能够承受高达1200V的漏源电压(VDSS),展现出了卓越的耐压性能。其导通电阻(RDSON)仅为40毫欧,意味着在导通状态下能有效减少能量损耗,提升系统的整体效率。作为一款N沟道类型器件,它适用于要求严苛的电源转换场景中,如高性能计算设备的电源模块、消费电子产品中的开关电源等,能够提供可靠的高频开关性能。
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 65A
    • 耗散功率(Pd): 326W
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    • 900+: 

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