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碳化硅场效应管(MOSFET)

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609
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  • Vds-漏源击穿电压: 1200V
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 100A
    • Pd-功耗: 469W
    • 1+: 

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      ¥162.18
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    • 广东仓: 609
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1700V
    • Id-漏极电流(25℃): 7A
    • Pd-功耗: 62W
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 34A
    • Pd-功耗: 190W
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    • 广东仓: 912
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    • 近期成交14单
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    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 19A
    • 1+: 

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    • 10+: 

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    • 广东仓: 626
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 66A
    • Pd-功耗: 326W
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    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 90A
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 13A
    • Pd-功耗: 75W
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 36A
    • Pd-功耗: 192W
    • 1+: 

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    • Vds-漏源击穿电压: 1700V
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      ¥73.39
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      ¥62.54
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    • 广东仓: 112
      江苏仓: 13
    • 30个/管
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      ¥81.61
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    • 广东仓: 0
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    • KN3M60065K
    • 品牌: KNSCHA(科尼盛)
    • 封装: TO-247-4
    • 描述: 650V 51A 碳化硅MOSFET SiC MOS 应用于光伏逆变器、工控、工业电源、电动车充电桩、储能
    • Vds-漏源击穿电压: 650V
    • Id-漏极电流(25℃): 51A
  • 领券
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  • 9.5 折
    • 订单数量按照以下:
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    • 第二阶梯9.5
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    • 第四阶梯9.5
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      • ¥29.773
      • ¥27.2365
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      ¥33.934
    • 10+: 

      ¥29.773
    • 30+: 

      ¥27.2365
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    • 近期成交7单
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 58A
    • Pd-功耗: 344W
    • 1+: 

      ¥103.27
    • 10+: 

      ¥96.84
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      ¥89.86
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      江苏仓: 55
    • 30个/管
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    • 近期成交2单
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 32A
    • Pd-功耗: 136W
    • 1+: 

      ¥68.88
    • 10+: 

      ¥66.04
    • 30+: 

      ¥61.14
    • 90+: 

      ¥56.85
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    • 广东仓: 344
      江苏仓: 0
    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交2单
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    • Vds-漏源击穿电压: 650V
    • Id-漏极电流(25℃): 30A
    • 1+: 

      ¥29.33
    • 10+: 

      ¥24.93
    • 30+: 

      ¥22.32
    • 90+: 

      ¥19.68
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    • 广东仓: 188
      江苏仓: 2
    • 30个/管
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 650V
    • Id-漏极电流(25℃): 28A
    • Pd-功耗: 96W
  • 7.1 折起
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.1
    • 第二阶梯8.1
    • 第三阶梯7.1
    • 第四阶梯7.1
    • 7.1 折起
      • 1+: 
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      • ¥70.0609
      • ¥57.2103
      • ¥46.3488
      • ¥43.0331
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      • ¥65.28
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    • 1+: 

      ¥70.0609
    • 10+: 

      ¥57.2103
    • 30+: 

      ¥46.3488
    • 100+: 

      ¥43.0331
    现货最快4H发
    • 广东仓: 12
      江苏仓: 128
    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交3单
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    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • 1+: 

      ¥32.01
    • 10+: 

      ¥28.15
    • 30+: 

      ¥23.72
    • 90+: 

      ¥21.4
    现货最快4H发
    • 广东仓: 131
      江苏仓: 112
    • 30个/管
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    • 近期成交2单
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  • 9.5 折
    • 订单数量按照以下:
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    • 第二阶梯9.5
    • 第三阶梯9.5
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    • 第五阶梯9.5
    • 第六阶梯9.5
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      • ¥15.52
      • ¥13.98
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      ¥17.081
    • 10+: 

      ¥14.744
    • 30+: 

      ¥13.281
    • 90+: 

      ¥11.78
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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 356
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    • 总额: ¥0
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    • 近期成交12单
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    • 沟道类型: 1个N沟道
    • Vds-漏源击穿电压: 650V
    • Id-漏极电流(25℃): 21A
    • Pd-功耗: 103W
    • 1+: 

      ¥48.13
    • 10+: 

      ¥43.8
    • 30+: 

      ¥41.16
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    • 广东仓: 47
      江苏仓: 1
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    • 1+: 

      ¥55.54
    • 10+: 

      ¥48.59
    • 30+: 

      ¥43.18
    • 100+: 

      ¥39.63
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    • 广东仓: 145
      江苏仓: 0
    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交5单
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    • 1+: 

      ¥84.43
    • 10+: 

      ¥77.41
    • 30+: 

      ¥71.5
    • 90+: 

      ¥66.35
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    • 广东仓: 98
      江苏仓: 22
    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交8单
      已加购
    • KN3M40120K
    • 品牌: KNSCHA(科尼盛)
    • 封装: TO-247-4
    • 描述: 1200V 55A 1.2KV 55A 碳化硅MOSFET SiC MOS 应用于光伏逆变器、工控、工业电源、电动车充电桩、储能
    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 55A
  • 领券
    1000-100
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  • 9.5 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.5
    • 第二阶梯9.5
    • 第三阶梯9.5
    • 第四阶梯9.5
    • 9.5 折
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      ¥86.1175
    • 10+: 

      ¥82.84
    • 30+: 

      ¥77.159
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    • 广东仓: 17
      江苏仓: 28
    • 30个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交3单
      已加购
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