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氮化镓晶体管(GaN HEMT)

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9折 YHJ-65H225DDC 品牌: 誉鸿锦封装: DFN-8(5x6) 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22458938 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥5.445 ￥4.473 ￥3.942 ￥3.339 ￥3.069 ￥2.943 原价￥6.05 ￥4.97 ￥4.38 ￥3.71 ￥3.41 ￥3.27 1+: ￥5.445 10+: ￥4.473 30+: ￥3.942 100+: ￥3.339 500+: ￥3.069 1000+: ￥2.943 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2556 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交21单已加购


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CID10N65D5 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-8(5x6) 描述: 单管650V200毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446731 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存84) SMT扩展库 1+: ￥6.01 10+: ￥4.81 30+: ￥4.2 100+: ￥3.6 500+: ￥3.24 1000+: ￥3.06 现货最快4H发广东仓: 84 江苏仓: 2396 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购


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9折 YHJ-65H225AMC 品牌: 誉鸿锦封装: DFN-8(8x8) 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22458937 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥5.454 ￥4.482 ￥3.942 ￥3.339 ￥3.078 ￥2.952 原价￥6.06 ￥4.98 ￥4.38 ￥3.71 ￥3.42 ￥3.28 1+: ￥5.454 10+: ￥4.482 30+: ￥3.942 100+: ￥3.339 500+: ￥3.078 1000+: ￥2.952 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2338 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购


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9折 YHJ-65P150AMC 品牌: 誉鸿锦封装: DFN-8(8x8) 漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 12A 栅极电荷量(Qg): 10nC 导通电阻(RDS(on)): 150mΩ@10V 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22458936 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥6.903 ￥5.67 ￥4.995 ￥4.23 ￥3.897 ￥3.744 原价￥7.67 ￥6.3 ￥5.55 ￥4.7 ￥4.33 ￥4.16 1+: ￥6.903 10+: ￥5.67 30+: ￥4.995 100+: ￥4.23 500+: ￥3.897 1000+: ￥3.744 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 1955 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购


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CID45N65MD 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TOLT-16 描述: 氮化镓MOS 650V40毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C41369700 详细: 数据手册领券包邮券立即领取 1+: ￥38.69 10+: ￥33.04 30+: ￥29.6 100+: ￥26.71 现货最快4H发广东仓: 417 江苏仓: 114 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 1000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购


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GN1065T4ZG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: DFN-3L(5x6) 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 3.6A 耗散功率(Pd): 13.2W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633388 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥3.32 10+: ￥2.92 30+: ￥2.72 100+: ￥2.53 500+: ￥2.41 1000+: ￥2.35 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 3940 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


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CID12N65D(TOKMAS) 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-10(6x8) 描述: 氮化镓MOS 650V12A 140毫欧内置驱动类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C21547657 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1676) SMT扩展库 1+: ￥6.01 10+: ￥4.81 30+: ￥4.2 100+: ￥3.6 500+: ￥3.24 1000+: ￥3.06 现货最快4H发广东仓: 1676 江苏仓: 4 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交12单已加购


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MX1025D 品牌: Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微) 封装: DFN-6L(2x2) 描述: 低边驱动@@单通道类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C5341121 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1344) SMT扩展库 5+: ￥2.0009 50+: ￥1.5473 150+: ￥1.3529 500+: ￥1.1103 现货最快4H发广东仓: 1325 江苏仓: 1150 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交43单已加购


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MX1020W 品牌: Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微) 封装: CSP-6 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C5875701 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存5086) SMT扩展库 5+: ￥0.8022 50+: ￥0.6937 150+: ￥0.6472 500+: ￥0.5891 3000+: ￥0.5633 现货最快4H发广东仓: 5060 江苏仓: 10 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交32单已加购


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GN2065T5ZG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: DFN-3L(8x8) 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 6.5A 耗散功率(Pd): 21W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633392 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥5.86 10+: ￥5.29 30+: ￥4.97 100+: ￥4.62 500+: ￥4.46 1000+: ￥4.39 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2990 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


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8.8折 HCG65140DAA 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 为您献上高性能氮化镓场效应管，采用先进N沟道设计。该器件具备650V高漏源电压承受力，连续漏极电流高达17A，满足高功率需求。更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻，在确保电流顺畅通过的同时，大幅度降低能耗，提升系统效率。适配于各类高能效电源转换解决方案，为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比，引领科技绿色升级。类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22396444 详细: 数据手册领券最高减20 立即领取 8.8 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.8折第二阶梯8.8折第三阶梯8.8折第四阶梯8.8折第五阶梯8.8折第六阶梯8.8折嘉立创贴片惊喜价格(库存171) SMT扩展库 8.8 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥17.4856 ￥15.0304 ￥13.5696 ￥12.1 ￥11.4136 ￥11.1144 原价￥19.87 ￥17.08 ￥15.42 ￥13.75 ￥12.97 ￥12.63 1+: ￥17.4856 10+: ￥15.0304 30+: ￥13.5696 100+: ￥12.1 500+: ￥11.4136 1000+: ￥11.1144 现货最快4H发广东仓: 151 江苏仓: 5 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交32单已加购
HCG65140DAA 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 为您献上高性能氮化镓场效应管，采用先进N沟道设计。该器件具备650V高漏源电压承受力，连续漏极电流高达17A，满足高功率需求。更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻，在确保电流顺畅通过的同时，大幅度降低能耗，提升系统效率。适配于各类高能效电源转换解决方案，为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比，引领科技绿色升级。距结束剩 0天 00小时 00分 00秒备注: 流动库存，下单前请提前咨询流程: 查看详情立推流程 1 2 3 4 查看立推商品提交立推订单支付立推订单等待立推发货立推售价 2500+: ￥8.964 支付后6-8工作日剩余库存: 120000 批次: 25+ 个个圆盘总额: ￥22410


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RC65D110A 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-220 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 20A 耗散功率(Pd): 96W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547820 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存77) SMT扩展库 1+: ￥12.73 10+: ￥10.77 50+: ￥9.54 100+: ￥8.29 现货最快4H发广东仓: 77 江苏仓: 97 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交42单已加购


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9折 HCG65140DBA 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8L(5x6) 描述: 为您精选的这款氮化镓场效应管，采用先进的N沟道设计，工作在高达650V的漏源电压下，能够承载连续17A的大电流，性能卓越。其导通电阻低至100毫欧，确保了极低的导通损耗和高效的能量转换。这款器件是高功率密度及高频应用的理想选择，特别适合追求极致效能的现代电子设计，为您的创新项目注入高效动力。类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22396445 详细: 数据手册领券最高减20 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折嘉立创贴片惊喜价格(库存160) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥19.134 ￥16.479 ￥14.904 ￥13.311 ￥12.573 ￥12.249 原价￥21.26 ￥18.31 ￥16.56 ￥14.79 ￥13.97 ￥13.61 1+: ￥19.134 10+: ￥16.479 30+: ￥14.904 100+: ￥13.311 500+: ￥12.573 1000+: ￥12.249 现货最快4H发广东仓: 160 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


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CID10N65F 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-220F-3L 描述: 单管650V200毫欧沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 10A 耗散功率(Pd): 75W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446732 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存588) SMT扩展库 1+: ￥7.06 10+: ￥5.8 50+: ￥5.11 100+: ￥4.32 500+: ￥3.98 1000+: ￥3.82 现货最快4H发广东仓: 588 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交35单已加购


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YHJ-65P150TK 品牌: 誉鸿锦封装: TO-220 漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 12A 栅极电荷量(Qg): 12nC 输入电容(Ciss): 505pF 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C41371701 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥7.86 10+: ￥6.46 50+: ￥5.69 100+: ￥4.82 500+: ￥4.43 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 679 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交13单已加购


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CID10N65D 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 单管650V200毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446730 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存924) SMT扩展库 1+: ￥8.31 10+: ￥6.87 30+: ￥6.08 100+: ￥5.18 500+: ￥4.78 1000+: ￥4.6 现货最快4H发广东仓: 924 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购


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GN3065T5ZG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: DFN-3L(8x8) 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 13A 耗散功率(Pd): 52W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633396 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥8.69 10+: ￥7.91 30+: ￥7.42 100+: ￥6.92 500+: ￥6.7 1000+: ￥6.6 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2977 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购


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9.5折 HGS0650111LTR 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）拥有650V的漏源电压VDSS，导通电阻RDON为160mΩ，最大连续漏极电流ID可达10A。它支持-1.4V至+7V的栅源电压范围，并且是N沟道类型。该器件适用于需要高效能和快速响应的应用场合，如消费电子、电源管理和通信设备中，能够提供出色的开关速度与较低的能量损耗，确保系统运行更加稳定可靠。沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 导通电阻(RDS(on)): 160mΩ@6V 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C42389176 详细: 数据手册领券最高减20 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥27.797 ￥23.8545 ￥21.508 ￥19.133 ￥18.0405 ￥17.5465 原价￥29.26 ￥25.11 ￥22.64 ￥20.14 ￥18.99 ￥18.47 1+: ￥27.797 10+: ￥23.8545 30+: ￥21.508 100+: ￥19.133 500+: ￥18.0405 1000+: ￥17.5465 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 93 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


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CID18N65D 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 单管650V140毫欧沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 17A 耗散功率(Pd): 113W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446733 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存535) SMT扩展库 1+: ￥8.27 10+: ￥6.8 30+: ￥5.98 100+: ￥5.07 500+: ￥4.66 1000+: ￥4.48 现货最快4H发广东仓: 515 江苏仓: 4 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交27单已加购


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7折 HIGLD60R190D1 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 这款氮化镓晶体管为N型，电流为10A，电压650V。适用于多种电子产品领域，能在较高电压下稳定工作，承载一定电流。具有高效、低损耗等特点，可提升电子产品的性能和稳定性，满足特定功率需求场景。沟道类型: 1个N沟道连续漏极电流(Id): 10A 耗散功率(Pd): 75W 阈值电压(Vgs(th)): 1.6V 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C41426365 详细: 数据手册领券最高减20 立即领取 7 折订单数量按照以下: 第一阶梯7折第二阶梯7折第三阶梯7折第四阶梯7折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 7 折 1+: 10+: 30+: 100+: 折后价￥29.806 ￥25.935 ￥23.569 ￥21.588 原价￥42.58 ￥37.05 ￥33.67 ￥30.84 1+: ￥29.806 10+: ￥25.935 30+: ￥23.569 100+: ￥21.588 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 196 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购


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RC65D270E 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-252 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 7.9A 耗散功率(Pd): 32W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547818 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存606) SMT扩展库 1+: ￥4.4 10+: ￥3.52 30+: ￥3.08 100+: ￥2.65 500+: ￥2.38 现货最快4H发广东仓: 606 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购


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CID18N65D5 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-8(5x6) 描述: 单管650V140毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446734 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存757) SMT扩展库 1+: ￥8.72 10+: ￥7.21 30+: ￥6.38 100+: ￥5.44 500+: ￥5.02 1000+: ￥4.83 现货最快4H发广东仓: 757 江苏仓: 8 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


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RC65D160G 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: DFN-8L(8x8) 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 16A 耗散功率(Pd): 78W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547815 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存227) SMT扩展库 1+: ￥9.61 10+: ￥7.88 30+: ￥6.93 100+: ￥5.86 现货最快4H发广东仓: 207 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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RC65D110D 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:6.9nC 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C42372451 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥10.99 10+: ￥9.26 30+: ￥8.17 100+: ￥7.06 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 217 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


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9.5折 HIGLR65R140D2 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8(5x6) 描述: 这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具有10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS)，导通电阻仅为160毫欧姆(RDON)，能够在高电压下保持较低的功耗。其栅源电压范围从-1.4伏特到+7伏特(VGS)，适用于N型电路设计。该器件以其优异的开关性能和低损耗特性，非常适合于高效电源转换、消费电子产品等需要快速响应和高效率的应用场合。沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 导通电阻(RDS(on)): 160mΩ@6V 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C42389175 详细: 数据手册领券最高减20 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存206) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥14.6775 ￥12.483 ￥11.1055 ￥9.69 ￥9.0535 ￥8.778 原价￥15.45 ￥13.14 ￥11.69 ￥10.2 ￥9.53 ￥9.24 1+: ￥14.6775 10+: ￥12.483 30+: ￥11.1055 100+: ￥9.69 500+: ￥9.0535 1000+: ￥8.778 现货最快4H发广东仓: 206 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 5000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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RC65D600E 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-252 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 4.8A 耗散功率(Pd): 25W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547819 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥1.71 10+: ￥1.67 30+: ￥1.64 100+: ￥1.61 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 908 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


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RC65D180E 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-252 描述: 氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：14A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:7.4nC 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C42427957 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥3.98 10+: ￥3.89 30+: ￥3.83 100+: ￥3.77 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 162 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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RC65D160A 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-220F 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 16A 耗散功率(Pd): 78W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19630736 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥8.74 10+: ￥7.23 50+: ￥6.4 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 71 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购


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RC65D270A 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-220F 描述: 氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：270mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:7.2nC 沟道类型: 1个N沟道漏源击穿电压(Vds): 650V 连续漏极电流(Id): 7.9A 耗散功率(Pd): 32W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C42372452 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥5.32 10+: ￥4.29 50+: ￥3.77 100+: ￥3.26 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 245 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购


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GBG65200NMAR 品牌: GOSEMICON(顾邦半导体) 封装: PDFN-9L(8x8) 描述: Enhancement-mode 650V 140mΩ(Typ) GaN Power Transistor 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C28324645 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存170) SMT扩展库 1+: ￥12.31 10+: ￥10.23 30+: ￥8.92 100+: ￥8.56 500+: ￥7.95 1000+: ￥7.69 现货最快4H发广东仓: 170 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交38单已加购


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