氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 14A
- 耗散功率
- 89W
描述氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：14A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:7.4nC
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥6.66
- ￥5.54
- ￥4.92
- ￥4.22
- ￥3.91
- ￥3.77
- 广东仓
- 2439
- 江苏仓
- 0
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
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- 对比
- ￥33.48
- ￥28.68
- ￥25.75
- ￥23.3
- 广东仓
- 1165
- 江苏仓
- 0
1200个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 20A
- 耗散功率
- 96W
描述氮化镓场效应管
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥12.73
- ￥10.77
- ￥9.54
- ￥8.29
- ￥7.72
- 广东仓
- 331
- 江苏仓
- 179
50个/管
总额￥0
近期成交52单
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- ￥36.21
- ￥31.02
- ￥27.86
- ￥25.21
- 广东仓
- 375
- 江苏仓
- 92
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交12单
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- 对比
SMT扩展库
- ￥4.158
- ￥3.753
- ￥3.528
- ￥3.276
- ￥3.168
- ￥3.114
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2288
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
描述为您献上高性能氮化镓场效应管，采用先进N沟道设计。该器件具备650V高漏源电压承受力，连续漏极电流高达17A，满足高功率需求。更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻，在确保电流顺畅通过的同时，大幅度降低能耗，提升系统效率。适配于各类高能效电源转换解决方案，为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比，引领科技绿色升级。
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- 对比
SMT扩展库
- ￥17.4856
- ￥15.0304
- ￥13.5696
- ￥12.1
- ￥11.4136
- ￥11.1144
- 广东仓
- 336
- 江苏仓
- 0
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交30单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 6.5A
- 耗散功率
- 21W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥5.86
- ￥5.29
- ￥4.97
- ￥4.62
- ￥4.46
- ￥4.39
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2990
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
描述氮化镓MOS 650V12A 140毫欧 内置驱动
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- 对比
SMT扩展库
- ￥4.14
- ￥3.66
- ￥3.42
- ￥3.19
- ￥3.05
- ￥2.97
- 广东仓
- 1559
- 江苏仓
- 4
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交19单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 650V
- 导通电阻
- 160mΩ@6V
描述这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具有10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS)，导通电阻仅为160毫欧姆(RDON)，能够在高电压下保持较低的功耗。其栅源电压范围从-1.4伏特到+7伏特(VGS)，适用于N型电路设计。该器件以其优异的开关性能和低损耗特性，非常适合于高效电源转换、消费电子产品等需要快速响应和高效率的应用场合。
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- 对比
SMT扩展库
- ￥14.3685
- ￥12.2202
- ￥10.8717
- ￥9.486
- ￥8.8629
- ￥8.5932
- 广东仓
- 142
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5000个/圆盘
总额￥0
近期成交24单
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- 对比
SMT扩展库
- ￥22.66
- ￥19.44
- ￥17.53
- ￥15.6
- ￥14.71
- ￥14.3
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2450
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 3.6A
- 耗散功率
- 13.2W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥4.67
- ￥3.72
- ￥3.25
- ￥2.78
- ￥2.49
- ￥2.35
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1896
4000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
描述为您精选的这款氮化镓场效应管，采用先进的N沟道设计，工作在高达650V的漏源电压下，能够承载连续17A的大电流，性能卓越。其导通电阻低至100毫欧，确保了极低的导通损耗和高效的能量转换。这款器件是高功率密度及高频应用的理想选择，特别适合追求极致效能的现代电子设计，为您的创新项目注入高效动力。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥13.6576
- ￥13.0064
- ￥12.6192
- ￥12.232
- ￥12.056
- ￥11.9768
- 广东仓
- 151
- 江苏仓
- 0
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 类型
- 1个N沟道
- 连续漏极电流
- 10A
- 耗散功率
- 75W
- 阈值电压
- 1.6V
描述这款氮化镓晶体管为N型，电流为10A，电压650V。适用于多种电子产品领域，能在较高电压下稳定工作，承载一定电流。具有高效、低损耗等特点，可提升电子产品的性能和稳定性，满足特定功率需求场景。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥27.677
- ￥24.0825
- ￥21.8855
- ￥20.046
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 195
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 16A
- 耗散功率
- 78W
描述氮化镓场效应管
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥9.94
- ￥8.21
- ￥7.26
- ￥6.19
- 广东仓
- 375
- 江苏仓
- 0
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 650V
- 导通电阻
- 160mΩ@6V
描述这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）拥有650V的漏源电压VDSS，导通电阻RDON为160mΩ，最大连续漏极电流ID可达10A。它支持-1.4V至+7V的栅源电压范围，并且是N沟道类型。该器件适用于需要高效能和快速响应的应用场合，如消费电子、电源管理和通信设备中，能够提供出色的开关速度与较低的能量损耗，确保系统运行更加稳定可靠。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥25.7488
- ￥22.0968
- ￥19.9232
- ￥17.7232
- ￥16.7112
- ￥16.2536
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 91
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 7.9A
- 耗散功率
- 32W
描述氮化镓场效应管
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥4.32
- ￥3.44
- ￥3
- ￥2.56
- 广东仓
- 339
- 江苏仓
- 0
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交22单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 10A
- 耗散功率
- 75W
描述单管650V200毫欧
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥7.16
- ￥5.9
- ￥5.21
- ￥4.43
- ￥4.08
- ￥3.92
- 广东仓
- 750
- 江苏仓
- 0
50个/管
总额￥0
近期成交36单
- 收藏
- 对比
- ￥8.74
- ￥7.23
- ￥6.4
- ￥5.46
- 广东仓
- 40
- 江苏仓
- 164
50个/管
总额￥0
近期成交8单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 18A
- 耗散功率
- 89W
描述氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:6.9nC
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥11
- ￥9.26
- ￥8.18
- ￥7.06
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 177
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥11.16
- ￥9.51
- ￥8.47
- ￥7.41
- ￥6.93
- ￥6.72
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2500
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交1单