氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 14A
- 耗散功率(Pd)
- 89W
描述氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：14A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:7.4nC
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥6.66
- ￥5.54
- ￥4.92
- ￥4.22
- ￥3.91
- ￥3.77
- 广东仓
- 1933
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交40单
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 栅极电荷量(Qg)
- 10nC
- 导通电阻(RDS(on))
- 150mΩ@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥7.101
- ￥5.868
- ￥5.193
- ￥4.428
- ￥4.086
- ￥3.933
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1761
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
描述氮化镓MOS 650V12A 140毫欧 内置驱动
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- 对比
SMT扩展库
- ￥6.25
- ￥5
- ￥4.38
- ￥3.75
- ￥3.38
- ￥3.19
- 广东仓
- 2436
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交16单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥5.607
- ￥4.635
- ￥4.104
- ￥3.501
- ￥3.231
- ￥3.105
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1427
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交8单
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- 对比
- ￥33.48
- ￥28.68
- ￥25.75
- ￥23.3
- 广东仓
- 1096
1200个/圆盘
总额￥0
近期成交8单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥4.158
- ￥3.753
- ￥3.528
- ￥3.276
- ￥3.168
- ￥3.114
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2288
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交20单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 13A
- 耗散功率(Pd)
- 52W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥8.69
- ￥7.91
- ￥7.42
- ￥6.92
- ￥6.7
- ￥6.6
- 广东仓
- 3
- 江苏仓
- 2827
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 6.5A
- 耗散功率(Pd)
- 21W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥5.86
- ￥5.29
- ￥4.97
- ￥4.62
- ￥4.46
- ￥4.39
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2980
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥11.16
- ￥9.51
- ￥8.47
- ￥7.41
- ￥6.93
- ￥6.72
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2343
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交16单
描述为您献上高性能氮化镓场效应管，采用先进N沟道设计。该器件具备650V高漏源电压承受力，连续漏极电流高达17A，满足高功率需求。更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻，在确保电流顺畅通过的同时，大幅度降低能耗，提升系统效率。适配于各类高能效电源转换解决方案，为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比，引领科技绿色升级。
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- 对比
SMT扩展库
- ￥16.9048
- ￥14.4496
- ￥12.9888
- ￥11.5192
- ￥10.8328
- ￥10.5248
- 广东仓
- 306
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交31单
描述GAN041 - 650WSB是一款采用TO - 247封装的650 V、35 mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。它是一款常关型器件，结合了安世半导体（Nexperia）最新的高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）H2技术和低压硅MOSFET技术，具备卓越的可靠性和性能。
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- 对比
SMT扩展库
- ￥74.21
- ￥63.71
- ￥57.31
- ￥51.4305
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 4
30个/管
总额￥0
近期成交12单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 耗散功率(Pd)
- 96W
描述氮化镓场效应管
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥12.73
- ￥10.77
- ￥9.54
- ￥8.29
- 广东仓
- 102
- 江苏仓
- 3
50个/管
总额￥0
近期成交48单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥18.88
- ￥16.2
- ￥14.61
- ￥13
- ￥12.26
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 557
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交24单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥28.32
- ￥24.3
- ￥21.91
- ￥19.5
- ￥18.38
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 680
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交14单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 16A
- 耗散功率(Pd)
- 78W
描述氮化镓场效应管
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥9.73
- ￥8.01
- ￥7.06
- ￥5.98
- 广东仓
- 333
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
描述GAN140 - 650EBE是一款通用型650 V、190 mΩ的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），采用8 mm x 8 mm的DFN表面贴装封装。它是一款常关型增强模式器件，性能卓越。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥25.82
- ￥25.2
- ￥24.79
- ￥24.1362
- 广东仓
- 7
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.6A
- 耗散功率(Pd)
- 13.2W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥3.32
- ￥2.92
- ￥2.72
- ￥2.53
- ￥2.41
- ￥2.35
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1876
4000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 16A
- 耗散功率(Pd)
- 78W
- 收藏
- 对比
- ￥8.61
- ￥7.1
- ￥6.27
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 36
50个/管
总额￥0
近期成交17单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 耗散功率(Pd)
- 89W
描述氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:6.9nC
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥11.22
- ￥9.49
- ￥8.4
- ￥7.29
- 广东仓
- 115
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
描述为您精选的这款氮化镓场效应管，采用先进的N沟道设计，工作在高达650V的漏源电压下，能够承载连续17A的大电流，性能卓越。其导通电阻低至100毫欧，确保了极低的导通损耗和高效的能量转换。这款器件是高功率密度及高频应用的理想选择，特别适合追求极致效能的现代电子设计，为您的创新项目注入高效动力。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥13.6576
- ￥13.0064
- ￥12.6192
- ￥12.232
- ￥12.056
- ￥11.9768
- 广东仓
- 111
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交14单
描述GAN140 - 650FBE是一款通用型650 V、140 mΩ的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），采用5 mm x 6 mm DFN表面贴装封装。它是一款常关型增强模式器件，性能卓越。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥38.36
- ￥37.5
- ￥36.93
- ￥35.9865
- 广东仓
- 42
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 7.9A
- 耗散功率(Pd)
- 32W
描述氮化镓场效应管
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥4.37
- ￥3.49
- ￥3.05
- ￥2.61
- 广东仓
- 271
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 类型
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 耗散功率(Pd)
- 75W
描述单管650V200毫欧
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥6.95
- ￥5.69
- ￥5
- ￥4.22
- ￥3.87
- ￥3.71
- 广东仓
- 142
50个/管
总额￥0
近期成交46单