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氮化镓晶体管(GaN HEMT)

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9折 YHJ-65P150AMC 品牌: 誉鸿锦封装: DFN-8(8x8) 技术路线: 垂直工艺 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 12A RDS(on)-导通电阻(10V): 150mΩ 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22458936 详细: 数据手册领券 20-15 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥6.84 ￥5.814 ￥5.247 ￥4.608 ￥4.329 ￥4.203 原价￥7.6 ￥6.46 ￥5.83 ￥5.12 ￥4.81 ￥4.67 1+: ￥6.84 10+: ￥5.814 30+: ￥5.247 100+: ￥4.608 500+: ￥4.329 1000+: ￥4.203 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2180 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交55单已加购


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9折 HCG65140DAA 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 为您献上高性能氮化镓场效应管，采用先进N沟道设计。该器件具备650V高漏源电压承受力，连续漏极电流高达17A，满足高功率需求。更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻，在确保电流顺畅通过的同时，大幅度降低能耗，提升系统效率。适配于各类高能效电源转换解决方案，为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比，引领科技绿色升级。类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22396444 详细: 数据手册领券 200-60 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折领券 PLUS专享立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存289) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥16.2 ￥14.112 ￥12.87 ￥11.619 ￥11.034 ￥10.773 原价￥18 ￥15.68 ￥14.3 ￥12.91 ￥12.26 ￥11.97 1+: ￥16.2 10+: ￥14.112 30+: ￥12.87 100+: ￥11.619 500+: ￥11.034 1000+: ￥10.773 现货最快4H发广东仓: 269 江苏仓: 109 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交38单已加购


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9.2折 HIGLD60R190D1 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 这款氮化镓晶体管为N型，电流为10A，电压650V。适用于多种电子产品领域，能在较高电压下稳定工作，承载一定电流。具有高效、低损耗等特点，可提升电子产品的性能和稳定性，满足特定功率需求场景。沟道类型: 1个N沟道 Id-漏极电流(25℃): 10A Pd-功耗: 75W Vgs(th)-阈值电压: 650V 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C41426365 详细: 数据手册领券 200-60 立即领取 9.2 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.2折第二阶梯9.2折第三阶梯9.2折第四阶梯9.2折领券 PLUS专享立即领取 9.2 折 1+: 10+: 30+: 100+: 折后价￥58.8524 ￥51.7776 ￥47.472 ￥43.8564 原价￥63.97 ￥56.28 ￥51.6 ￥47.67 1+: ￥58.8524 10+: ￥51.7776 30+: ￥47.472 100+: ￥43.8564 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 196 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购


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9折 YHJ-65H225DDC 品牌: 誉鸿锦封装: DFN-8(5x6) 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22458938 详细: 数据手册领券 20-15 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥5.4 ￥4.59 ￥4.14 ￥3.636 ￥3.42 ￥3.312 原价￥6 ￥5.1 ￥4.6 ￥4.04 ￥3.8 ￥3.68 1+: ￥5.4 10+: ￥4.59 30+: ￥4.14 100+: ￥3.636 500+: ￥3.42 1000+: ￥3.312 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2916 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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8折 GN3065T5ZG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: DFN-3L(8x8) 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 13A Pd-功耗: 52W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633396 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 8 折订单数量按照以下: 第一阶梯8折第二阶梯8折第三阶梯8折第四阶梯8折第五阶梯8折第六阶梯8折 8 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥9.048 ￥7.808 ￥7.024 ￥6.224 ￥5.864 ￥5.712 原价￥11.31 ￥9.76 ￥8.78 ￥7.78 ￥7.33 ￥7.14 1+: ￥9.048 10+: ￥7.808 30+: ￥7.024 100+: ￥6.224 500+: ￥5.864 1000+: ￥5.712 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2987 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购

CID45N65MD 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TOLT-16 描述: 氮化镓MOS 650V40毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C41369700 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥39.24 10+: ￥34.43 50+: ￥31.5 100+: ￥29.04 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 389 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购

9折 YHJ-65H225AMC 品牌: 誉鸿锦封装: DFN-8(8x8) 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22458937 详细: 数据手册领券 20-15 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥5.4 ￥4.59 ￥4.14 ￥3.636 ￥3.42 ￥3.312 原价￥6 ￥5.1 ￥4.6 ￥4.04 ￥3.8 ￥3.68 1+: ￥5.4 10+: ￥4.59 30+: ￥4.14 100+: ￥3.636 500+: ￥3.42 1000+: ￥3.312 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2452 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购


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MX1020W 品牌: Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微) 封装: CSP-6 描述: 氮化镓高速驱动类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C5875701 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存3153) SMT扩展库 1+: ￥2.12 10+: ￥1.69 30+: ￥1.5 100+: ￥1.27 500+: ￥1.16 1000+: ￥1.1 现货最快4H发广东仓: 3133 江苏仓: 955 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交25单已加购


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CID12N65D(TOKMAS) 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-10(6x8) 描述: 氮化镓MOS 650V12A 140毫欧内置驱动类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C21547657 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥6.76 10+: ￥5.71 30+: ￥5.14 100+: ￥4.49 500+: ￥4.2 1000+: ￥4.06 现货最快4H发广东仓: 1808 江苏仓: 3 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购

8折 GN2065T5ZG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: DFN-3L(8x8) 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 6.5A Pd-功耗: 21W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633392 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 8 折订单数量按照以下: 第一阶梯8折第二阶梯8折第三阶梯8折第四阶梯8折第五阶梯8折第六阶梯8折 8 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥5.856 ￥4.944 ￥4.448 ￥3.88 ￥3.624 ￥3.512 原价￥7.32 ￥6.18 ￥5.56 ￥4.85 ￥4.53 ￥4.39 1+: ￥5.856 10+: ￥4.944 30+: ￥4.448 100+: ￥3.88 500+: ￥3.624 1000+: ￥3.512 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 3000 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！已加购

8.5折 HCG65200DBA 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8L(5x6) 描述: 为您推荐新一代氮化镓技术的N沟道场效应管，突破性地实现了650V高耐压与10A持续漏极电流的卓越组合。其160毫欧的低导通电阻，在确保高效能的同时，优化了电力转换效率。这款器件专为高能效电源转换与快速开关应用而生，是追求高性能、紧凑设计的理想元件。选择它，为您的创新电子项目注入澎湃动力。类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22396443 详细: 数据手册领券 200-60 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折领券 PLUS专享立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存119) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 折后价￥25.8655 ￥25.2535 ￥24.8455 ￥24.4375 原价￥30.43 ￥29.71 ￥29.23 ￥28.75 1+: ￥25.8655 10+: ￥25.2535 30+: ￥24.8455 100+: ￥24.4375 现货最快4H发广东仓: 119 江苏仓: 5 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购


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9折 HCG65140DBA 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8L(5x6) 描述: 为您精选的这款氮化镓场效应管，采用先进的N沟道设计，工作在高达650V的漏源电压下，能够承载连续17A的大电流，性能卓越。其导通电阻低至100毫欧，确保了极低的导通损耗和高效的能量转换。这款器件是高功率密度及高频应用的理想选择，特别适合追求极致效能的现代电子设计，为您的创新项目注入高效动力。类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22396445 详细: 数据手册领券 200-60 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折领券 PLUS专享立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存241) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥17.136 ￥14.931 ￥13.617 ￥12.285 ￥11.673 ￥11.394 原价￥19.04 ￥16.59 ￥15.13 ￥13.65 ￥12.97 ￥12.66 1+: ￥17.136 10+: ￥14.931 30+: ￥13.617 100+: ￥12.285 500+: ￥11.673 1000+: ￥11.394 现货最快4H发广东仓: 221 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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YHJ-65P150TK 品牌: 誉鸿锦封装: TO-220 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 12A RDS(on)-导通电阻(6V): 150mΩ Qg-栅极电荷: 12nC 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C41371701 详细: 数据手册领券 20-15 立即领取 1+: ￥7.72 10+: ￥6.55 50+: ￥5.91 100+: ￥5.18 500+: ￥4.86 1000+: ￥4.72 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 1027 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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8折 GN1065T4ZG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: DFN-3L(5x6) 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 3.6A Pd-功耗: 13.2W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633388 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 8 折订单数量按照以下: 第一阶梯8折第二阶梯8折第三阶梯8折第四阶梯8折第五阶梯8折第六阶梯8折 8 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥3.592 ￥2.96 ￥2.648 ￥2.328 ￥2.144 ￥2.048 原价￥4.49 ￥3.7 ￥3.31 ￥2.91 ￥2.68 ￥2.56 1+: ￥3.592 10+: ￥2.96 30+: ￥2.648 100+: ￥2.328 500+: ￥2.144 1000+: ￥2.048 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 3985 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购

MX1025D 品牌: Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微) 封装: DFN-6L(2x2) 描述: 低边驱动@@单通道类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C5341121 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存703) SMT扩展库 5+: ￥1.3806 50+: ￥1.1916 150+: ￥1.1106 500+: ￥1.0095 现货最快4H发广东仓: 690 江苏仓: 1625 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交40单已加购


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CID18N65D5 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-8(5x6) 描述: 单管650V140毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446734 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥8.66 10+: ￥7.31 30+: ￥6.57 100+: ￥5.73 500+: ￥5.36 1000+: ￥5.19 现货最快4H发广东仓: 807 江苏仓: 16 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购

CID18N65D 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 单管650V140毫欧沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 17A Pd-功耗: 113W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446733 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥8.66 10+: ￥7.31 30+: ￥6.57 100+: ￥5.74 500+: ￥5.36 1000+: ￥5.2 现货最快4H发广东仓: 892 江苏仓: 5 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购

RC65D110A 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-220 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 20A Pd-功耗: 96W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547820 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥11.4 10+: ￥9.77 50+: ￥8.75 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 42 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交46单已加购


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RC65D270E 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-252 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 7.9A Pd-功耗: 32W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547818 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥4 10+: ￥3.27 30+: ￥2.9 100+: ￥2.54 500+: ￥2.32 现货最快4H发广东仓: 861 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 1000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交20单已加购


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CID10N65F 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-220F-3L 描述: 单管650V200毫欧沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 10A Pd-功耗: 75W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446732 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥7.11 10+: ￥6 50+: ￥5.39 100+: ￥4.7 500+: ￥4.4 1000+: ￥4.26 现货最快4H发广东仓: 455 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交32单已加购

RC65D160A 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-220F 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 16A Pd-功耗: 78W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19630736 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥7.78 10+: ￥6.52 50+: ￥5.83 100+: ￥5.05 现货最快4H发广东仓: 10 江苏仓: 171 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交21单已加购


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9.5折 INN650D260A 品牌: Innoscience(英诺赛科) 封装: DFN(8x8) 描述: 氮化镓MOS管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 22A Pd-功耗: 75W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C5121645 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存668) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥8.1605 ￥6.9065 ￥6.213 ￥5.4435 ￥5.092 ￥4.94 原价￥8.59 ￥7.27 ￥6.54 ￥5.73 ￥5.36 ￥5.2 1+: ￥8.1605 10+: ￥6.9065 30+: ￥6.213 100+: ￥5.4435 500+: ￥5.092 1000+: ￥4.94 现货最快4H发广东仓: 648 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交55单已加购


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RC65D160G 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: DFN-8L(8x8) 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 16A Pd-功耗: 78W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547815 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存326) SMT扩展库 1+: ￥8.89 10+: ￥7.45 30+: ￥6.66 100+: ￥5.77 现货最快4H发广东仓: 306 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


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8折 HCG65200DAA 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 为您带来革新性的氮化镓场效应管，采用先进的单N沟道设计。这款器件能承受高达650V的漏源电压，适合高电压应用领域。其连续漏极电流能力达到10安培，确保高效能量传输。尤为出色的是，低至160毫欧的导通电阻，在特定栅极电压和漏极电流下，大幅降低了导通损耗，提升了系统能效。无论是追求速度还是能效的现代电子设计，它都是理想的高性能选择，助力您的创新项目迈向新高度。类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22396442 详细: 数据手册领券 200-60 立即领取 8 折订单数量按照以下: 第一阶梯8折第二阶梯8折第三阶梯8折第四阶梯8折领券 PLUS专享立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 8 折 1+: 10+: 30+: 100+: 折后价￥24.832 ￥24.248 ￥23.856 ￥23.464 原价￥31.04 ￥30.31 ￥29.82 ￥29.33 1+: ￥24.832 10+: ￥24.248 30+: ￥23.856 100+: ￥23.464 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 14 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


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CID9N65E3 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-252-3L 描述: 单管650V480毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446729 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥5.02 10+: ￥4.12 30+: ￥3.67 100+: ￥3.23 500+: ￥2.96 1000+: ￥2.82 现货最快4H发广东仓: 585 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购

CID10N65E3 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-252 描述: 氮化镓MOS 650V200毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C41369699 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥5.8 10+: ￥4.9 30+: ￥4.4 100+: ￥3.85 现货最快4H发广东仓: 458 江苏仓: 0 个个个总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购

RC65D600E 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-252 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 4.8A Pd-功耗: 25W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547819 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥1.7 10+: ￥1.66 30+: ￥1.63 100+: ￥1.6 现货最快4H发广东仓: 127 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 1000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交17单已加购


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GBG65200NMAR 品牌: GOSEMICON(顾邦半导体) 封装: PDFN-9L(8x8) 描述: Enhancement-mode 650V 140mΩ(Typ) GaN Power Transistor 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C28324645 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥11.02 10+: ￥9.29 30+: ￥8.2 100+: ￥8.06 500+: ￥7.55 1000+: ￥7.34 现货最快4H发广东仓: 265 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交20单已加购


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8折 GN2065TLG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: TO-220 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 6.5A Vgs(th)-阈值电压: 2.1V RDS(on)-导通电阻(8V): 240mΩ 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633393 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 8 折订单数量按照以下: 第一阶梯8折第二阶梯8折第三阶梯8折第四阶梯8折第五阶梯8折第六阶梯8折 8 折 1+: 10+: 50+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥5.392 ￥4.552 ￥4.096 ￥3.576 ￥3.344 ￥3.24 原价￥6.74 ￥5.69 ￥5.12 ￥4.47 ￥4.18 ￥4.05 1+: ￥5.392 10+: ￥4.552 50+: ￥4.096 100+: ￥3.576 500+: ￥3.344 1000+: ￥3.24 现货最快4H发广东仓: 45 江苏仓: 8 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购

CID10N65D5 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-8(5x6) 描述: 单管650V200毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446731 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥5.71 10+: ￥4.7 30+: ￥4.19 100+: ￥3.69 500+: ￥3.39 1000+: ￥3.24 现货最快4H发广东仓: 489 江苏仓: 3 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购

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