氮化镓晶体管(GaN HEMT)
展示方式：
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数206
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
9折
- ￥5.607
- ￥4.635
- ￥4.104
- ￥3.501
- ￥3.231
- ￥3.105
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2322
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交33单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
9折
- ￥5.616
- ￥4.644
- ￥4.104
- ￥3.501
- ￥3.24
- ￥3.114
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2308
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
- 漏源击穿电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 12A
- 栅极电荷量
- 10nC
- 导通电阻
- 150mΩ@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
9折
- ￥7.101
- ￥5.868
- ￥5.193
- ￥4.428
- ￥4.086
- ￥3.933
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1854
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交18单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存3469
- ￥2.0009
- ￥1.5473
- ￥1.3529
- ￥1.1103
- ￥1.0023
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 3430
- 江苏仓
- 1050
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交51单
- 收藏
- 对比
- ￥36.21
- ￥31.02
- ￥27.86
- ￥25.21
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 407
- 江苏仓
- 114
1000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交13单
- 沟道类型
- 1个N沟道
- 漏源击穿电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 13A
- 耗散功率
- 52W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥8.69
- ￥7.91
- ￥7.42
- ￥6.92
- ￥6.7
- ￥6.6
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2917
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
- 沟道类型
- 1个N沟道
- 漏源击穿电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 3.6A
- 耗散功率
- 13.2W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥3.32
- ￥2.92
- ￥2.72
- ￥2.53
- ￥2.41
- ￥2.35
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 3926
4000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
- 描述
- 氮化镓MOS 650V12A 140毫欧 内置驱动
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1620
- ￥5.77
- ￥4.63
- ￥4.06
- ￥3.49
- ￥3.15
- ￥2.97
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1620
- 江苏仓
- 4
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交13单
- 收藏
- 对比
- ￥33.8
- ￥28.95
- ￥26
- ￥23.52
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1194
- 江苏仓
- 0
1200个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
- 沟道类型
- 1个N沟道
- 漏源击穿电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 6.5A
- 耗散功率
- 21W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥5.86
- ￥5.29
- ￥4.97
- ￥4.62
- ￥4.46
- ￥4.39
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2990
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 沟道类型
- 1个N沟道
- 漏源击穿电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 20A
- 耗散功率
- 96W
- 描述
- 氮化镓场效应管
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存79
- ￥12.73
- ￥10.77
- ￥9.54
- ￥8.29
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 79
- 江苏仓
- 249
50个/管
个
总额￥0
近期成交50单
- 描述
- 为您献上高性能氮化镓场效应管，采用先进N沟道设计。该器件具备650V高漏源电压承受力，连续漏极电流高达17A，满足高功率需求。更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻，在确保电流顺畅通过的同时，大幅度降低能耗，提升系统效率。适配于各类高能效电源转换解决方案，为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比，引领科技绿色升级。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存118
8.8折
- ￥17.4856
- ￥15.0304
- ￥13.5696
- ￥12.1
- ￥11.4136
- ￥11.1144
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 98
- 江苏仓
- 0
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交32单
- 描述
- 为您精选的这款氮化镓场效应管，采用先进的N沟道设计，工作在高达650V的漏源电压下，能够承载连续17A的大电流，性能卓越。其导通电阻低至100毫欧，确保了极低的导通损耗和高效的能量转换。这款器件是高功率密度及高频应用的理想选择，特别适合追求极致效能的现代电子设计，为您的创新项目注入高效动力。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存159
8.8折
- ￥18.7088
- ￥16.1128
- ￥14.5728
- ￥13.0152
- ￥12.2936
- ￥11.9768
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 159
- 江苏仓
- 0
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
- 收藏
- 对比
- ￥7.86
- ￥6.46
- ￥5.69
- ￥4.82
- ￥4.43
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 627
50个/管
个
总额￥0
近期成交16单
- 沟道类型
- 1个N沟道
- 连续漏极电流
- 10A
- 耗散功率
- 75W
- 阈值电压
- 1.6V
- 描述
- 这款氮化镓晶体管为N型，电流为10A，电压650V。适用于多种电子产品领域，能在较高电压下稳定工作，承载一定电流。具有高效、低损耗等特点，可提升电子产品的性能和稳定性，满足特定功率需求场景。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
6.5折
- ￥27.677
- ￥24.0825
- ￥21.8855
- ￥20.046
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 195
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 沟道类型
- 1个N沟道
- 漏源击穿电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 10A
- 耗散功率
- 75W
- 描述
- 单管650V200毫欧
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存460
- ￥7.16
- ￥5.9
- ￥5.21
- ￥4.43
- ￥4.08
- ￥3.92
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 440
- 江苏仓
- 0
50个/管
个
总额￥0
近期成交47单
- 沟道类型
- 1个N沟道
- 漏源击穿电压
- 650V
- 导通电阻
- 160mΩ@6V
- 描述
- 这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具有10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS)，导通电阻仅为160毫欧姆(RDON)，能够在高电压下保持较低的功耗。其栅源电压范围从-1.4伏特到+7伏特(VGS)，适用于N型电路设计。该器件以其优异的开关性能和低损耗特性，非常适合于高效电源转换、消费电子产品等需要快速响应和高效率的应用场合。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存163
9.3折
- ￥14.3685
- ￥12.2202
- ￥10.8717
- ￥9.486
- ￥8.8629
- ￥8.5932
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 163
- 江苏仓
- 0
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交20单
- 沟道类型
- 1个N沟道
- 漏源击穿电压
- 650V
- 导通电阻
- 160mΩ@6V
- 描述
- 这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）拥有650V的漏源电压VDSS，导通电阻RDON为160mΩ，最大连续漏极电流ID可达10A。它支持-1.4V至+7V的栅源电压范围，并且是N沟道类型。该器件适用于需要高效能和快速响应的应用场合，如消费电子、电源管理和通信设备中，能够提供出色的开关速度与较低的能量损耗，确保系统运行更加稳定可靠。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
9折
- ￥26.334
- ￥22.599
- ￥20.376
- ￥18.126
- ￥17.091
- ￥16.623
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 93
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 沟道类型
- 1个N沟道
- 漏源击穿电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 7.9A
- 耗散功率
- 32W
- 描述
- 氮化镓场效应管
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存419
- ￥4.32
- ￥3.44
- ￥3
- ￥2.56
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 399
- 江苏仓
- 0
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交25单
- 沟道类型
- 1个N沟道
- 漏源击穿电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 17A
- 耗散功率
- 113W
- 描述
- 单管650V140毫欧
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存376
- ￥8.4
- ￥6.92
- ￥6.11
- ￥5.19
- ￥4.78
- ￥4.6
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 356
- 江苏仓
- 0
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交33单
- 沟道类型
- 1个N沟道
- 漏源击穿电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 16A
- 耗散功率
- 78W
- 描述
- 氮化镓场效应管
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存190
- ￥9.53
- ￥7.81
- ￥6.86
- ￥5.78
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 190
- 江苏仓
- 0
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交12单
- 沟道类型
- 1个N沟道
- 漏源击穿电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 4.8A
- 耗散功率
- 25W
- 描述
- 氮化镓场效应管
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.71
- ￥1.67
- ￥1.64
- ￥1.61
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 670
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交8单
- 沟道类型
- 1个N沟道
- 漏源击穿电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 7.9A
- 耗散功率
- 32W
- 描述
- 氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：270mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:7.2nC
- 收藏
- 对比
- ￥5.29
- ￥4.25
- ￥3.74
- ￥3.22
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 210
50个/管
个
总额￥0
近期成交8单
- 收藏
- 对比
- ￥8.74
- ￥7.23
- ￥6.4
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 24
50个/管
个
总额￥0
近期成交13单
- 沟道类型
- 1个N沟道
- 漏源击穿电压
- 650V
- 连续漏极电流
- 18A
- 耗散功率
- 89W
- 描述
- 氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:6.9nC
- 收藏
- 对比
- ￥11.11
- ￥9.38
- ￥8.29
- ￥7.18
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 216
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
- 描述
- 为您推荐新一代氮化镓技术的N沟道场效应管，突破性地实现了650V高耐压与10A持续漏极电流的卓越组合。其160毫欧的低导通电阻，在确保高效能的同时，优化了电力转换效率。这款器件专为高能效电源转换与快速开关应用而生，是追求高性能、紧凑设计的理想元件。选择它，为您的创新电子项目注入澎湃动力。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存97
7折
- ￥14.21
- ￥13.874
- ￥13.65
- ￥13.426
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 97
- 江苏仓
- 0
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单