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氮化镓晶体管(GaN HEMT)

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MX1020W 品牌: Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微) 封装: CSP-6 描述: 氮化镓高速驱动类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C5875701 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存4009) SMT扩展库 1+: ￥2.75 10+: ￥2.2 30+: ￥1.96 100+: ￥1.66 500+: ￥1.53 1000+: ￥1.45 现货最快4H发广东仓: 3989 江苏仓: 1041 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交18单已加购


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MX1025D 品牌: Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微) 封装: DFN-6L(2x2) 描述: 低边驱动@@单通道类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C5341121 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存1684) SMT扩展库 5+: ￥1.3806 50+: ￥1.1916 150+: ￥1.1106 500+: ￥1.0095 3000+: ￥0.9645 现货最快4H发广东仓: 1680 江苏仓: 1950 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交47单已加购


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RC65D110A 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-220 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 20A Pd-功耗: 96W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547820 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存200) SMT扩展库 1+: ￥11.86 10+: ￥10.23 50+: ￥9.21 100+: ￥8.16 现货最快4H发广东仓: 200 江苏仓: 180 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交47单已加购


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CID10N65F 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-220F-3L 描述: 单管650V200毫欧沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 10A Pd-功耗: 75W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446732 详细: 数据手册 1+: ￥7.24 10+: ￥7.08 50+: ￥6.97 100+: ￥6.86 现货最快4H发广东仓: 350 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购

GN1065T4ZG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: DFN-3L(5x6) 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 3.6A Pd-功耗: 13.2W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633388 详细: 数据手册 1+: ￥4.61 10+: ￥3.82 30+: ￥3.42 100+: ￥3.03 500+: ￥2.8 1000+: ￥2.67 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 3995 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购

YHJ-65H225DDC 品牌: 誉鸿锦封装: DFN-8(8x8) 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22458938 详细: 数据手册 1+: ￥6 10+: ￥5.1 30+: ￥4.6 100+: ￥4.04 500+: ￥3.8 1000+: ￥3.68 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2970 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


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INN650D260A 品牌: Innoscience(英诺赛科) 封装: DFN(8x8) 描述: 氮化镓MOS管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 22A Pd-功耗: 75W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C5121645 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存1798) SMT扩展库 1+: ￥8.79 10+: ￥7.47 30+: ￥6.75 100+: ￥5.93 500+: ￥5.57 1000+: ￥5.4 现货最快4H发广东仓: 1778 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交50单已加购


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GN2065T5ZG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: DFN-3L(8x8) 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 6.5A Pd-功耗: 21W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633392 详细: 数据手册 1+: ￥7.53 10+: ￥6.39 30+: ￥5.76 100+: ￥5.05 500+: ￥4.74 1000+: ￥4.6 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 3000 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！已加购

GN3065T5ZG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: DFN-3L(8x8) 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 13A Pd-功耗: 52W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633396 详细: 数据手册 1+: ￥11.63 10+: ￥10.08 30+: ￥9.1 100+: ￥8.11 500+: ￥7.66 1000+: ￥7.46 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 3000 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！已加购

YHJ-65P150AMC 品牌: 誉鸿锦封装: DFN-8(8x8) 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22458936 详细: 数据手册 1+: ￥7.6 10+: ￥6.46 30+: ￥5.83 100+: ￥5.12 500+: ￥4.81 1000+: ￥4.67 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2435 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购


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YHJ-65H225AMC 品牌: 誉鸿锦封装: DFN-8(8x8) 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22458937 详细: 数据手册 1+: ￥6 10+: ￥5.1 30+: ￥4.6 100+: ￥4.04 500+: ￥3.8 1000+: ￥3.68 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2500 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！已加购


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CID12N65D(TOKMAS) 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-10(6x8) 描述: 氮化镓MOS 650V12A 140毫欧内置驱动类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C21547657 详细: 数据手册 1+: ￥11.51 10+: ￥9.67 30+: ￥8.52 100+: ￥7.34 现货最快4H发广东仓: 1888 江苏仓: 10 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购

RC65D160A 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-220F 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 16A Pd-功耗: 78W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19630736 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥8.08 10+: ￥6.82 50+: ￥6.13 现货最快4H发广东仓: 10 江苏仓: 19 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交19单已加购


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RC65D160G 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: DFN-8L(8x8) 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 16A Pd-功耗: 78W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547815 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存366) SMT扩展库 1+: ￥9.25 10+: ￥7.81 30+: ￥7.02 100+: ￥6.12 现货最快4H发广东仓: 346 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交12单已加购


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9.5折 HCG65140DBA 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8L(5x6) 描述: 为您精选的这款氮化镓场效应管，采用先进的N沟道设计，工作在高达650V的漏源电压下，能够承载连续17A的大电流，性能卓越。其导通电阻低至100毫欧，确保了极低的导通损耗和高效的能量转换。这款器件是高功率密度及高频应用的理想选择，特别适合追求极致效能的现代电子设计，为您的创新项目注入高效动力。类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22396445 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存295) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 折后价￥21.888 ￥19.1235 ￥17.4895 ￥15.827 原价￥23.04 ￥20.13 ￥18.41 ￥16.66 1+: ￥21.888 10+: ￥19.1235 30+: ￥17.4895 100+: ￥15.827 现货最快4H发广东仓: 295 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


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9折 HCG65200DBA 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8L(5x6) 描述: 为您推荐新一代氮化镓技术的N沟道场效应管，突破性地实现了650V高耐压与10A持续漏极电流的卓越组合。其160毫欧的低导通电阻，在确保高效能的同时，优化了电力转换效率。这款器件专为高能效电源转换与快速开关应用而生，是追求高性能、紧凑设计的理想元件。选择它，为您的创新电子项目注入澎湃动力。类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22396443 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折嘉立创贴片惊喜价格(库存150) SMT扩展库 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 折后价￥34.488 ￥33.705 ￥33.192 ￥32.67 原价￥38.32 ￥37.45 ￥36.88 ￥36.3 1+: ￥34.488 10+: ￥33.705 30+: ￥33.192 100+: ￥32.67 现货最快4H发广东仓: 150 江苏仓: 5 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购


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RC65D270E 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-252 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 7.9A Pd-功耗: 32W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547818 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥2.49 10+: ￥2.44 30+: ￥2.4 现货最快4H发广东仓: 8 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 1000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交26单已加购


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RC65D600E 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-252 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 4.8A Pd-功耗: 25W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547819 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥1.84 10+: ￥1.79 30+: ￥1.77 100+: ￥1.74 现货最快4H发广东仓: 367 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 1000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交17单已加购


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9.5折 HCG65140DAA 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 为您献上高性能氮化镓场效应管，采用先进N沟道设计。该器件具备650V高漏源电压承受力，连续漏极电流高达17A，满足高功率需求。更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻，在确保电流顺畅通过的同时，大幅度降低能耗，提升系统效率。适配于各类高能效电源转换解决方案，为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比，引领科技绿色升级。类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22396444 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 折后价￥21.888 ￥19.1235 ￥17.4895 ￥15.827 原价￥23.04 ￥20.13 ￥18.41 ￥16.66 1+: ￥21.888 10+: ￥19.1235 30+: ￥17.4895 100+: ￥15.827 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 309 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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RC65D270B 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: TO-252 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 7.9A Pd-功耗: 32W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547817 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥2.63 10+: ￥2.57 30+: ￥2.52 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 44 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 1000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交13单已加购


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GBG65200NMAR 品牌: GOSEMICON(顾邦半导体) 封装: PDFN-9L(8x8) 描述: Enhancement-mode 650V 140mΩ(Typ) GaN Power Transistor 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C28324645 详细: 数据手册 1+: ￥12.98 10+: ￥11.24 30+: ￥10.15 100+: ￥9.04 现货最快4H发广东仓: 300 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！已加购


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CID18N65D 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 单管650V140毫欧沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 17A Pd-功耗: 113W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446733 详细: 数据手册 1+: ￥10.8 10+: ￥10.55 30+: ￥10.39 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 57 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购

RC65D270G 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: DFN-8L(8x8) 描述: 氮化镓场效应管沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 7.9A Pd-功耗: 32W 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547816 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥3.81 10+: ￥3.72 30+: ￥3.66 100+: ￥3.6 现货最快4H发广东仓: 119 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


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CID18N65D5 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-8(5x6) 描述: 单管650V140毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446734 详细: 数据手册 1+: ￥10.16 10+: ￥9.93 30+: ￥9.78 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 28 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购

RC65E300Y 品牌: RealChip(正芯半导体) 封装: DFN-8L(5x6) 描述: 氮化镓场效应管 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 8A Pd-功耗: 38W Vgs(th)-阈值电压: 2.5V 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C18547814 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取 1+: ￥2.58 10+: ￥2.52 30+: ￥2.48 100+: ￥2.44 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 140 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交12单已加购


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CID10N65D5 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-8(5x6) 描述: 单管650V200毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446731 详细: 数据手册 1+: ￥6.35 10+: ￥6.21 30+: ￥6.11 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 31 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购

CID9N65E3 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: TO-252-3L 描述: 单管650V480毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446729 详细: 数据手册 1+: ￥7.5 10+: ￥6.33 30+: ￥5.68 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 22 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购

CID10N65D 品牌: Tokmas(托克马斯) 封装: DFN-8(8x8) 描述: 单管650V200毫欧类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C22446730 详细: 数据手册 1+: ￥6.35 10+: ￥6.21 30+: ￥6.11 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 54 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购

GN2065TLG 品牌: Grenergy(南京绿芯) 封装: TO-220 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 6.5A Vgs(th)-阈值电压: 2.1V RDS(on)-导通电阻(8V): 240mΩ 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C19633393 详细: 数据手册 1+: ￥7.11 10+: ￥6.06 50+: ￥5.48 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 48 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购

MGZ18N65 品牌: MTC(美禄) 封装: DFN8x8-3L 描述: Qg:8nC Qrr:40nC Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 13A 类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 编号: C17702019 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥13.11 10+: ￥12.81 30+: ￥12.61 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 45 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


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