氮化镓晶体管(GaN HEMT)

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RC65D180E

品牌: RealChip(正芯半导体)

封装: TO-252-2L

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C42427957

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 14A

耗散功率(Pd): 89W

描述氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：14A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:7.4nC

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2078

1+￥6.66
10+￥5.54
30+￥4.92
100+￥4.22
500+￥3.91
1000+￥3.77

现货最快4小时发货

广东仓: 2054

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交41单

CID12N65D(TOKMAS)

品牌: Tokmas(托克马斯)

封装: DFN-10(6x8)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C21547657

描述氮化镓MOS 650V12A 140毫欧内置驱动

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2455

1+￥6.32
10+￥5.06
30+￥4.44
100+￥3.82
500+￥3.44
1000+￥3.25

现货最快4小时发货

广东仓: 2452

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交28单

YHJ-65P150AMC

品牌: 誉鸿锦

封装: DFN-8(8x8)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C22458936

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 12A

栅极电荷量(Qg): 10nC

导通电阻(RDS(on)): 150mΩ@10V

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SMT扩展库

9折

1+￥7.101
10+￥5.868
30+￥5.193
100+￥4.428
500+￥4.086
1000+￥3.933

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1780

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交19单

CID45N65MD8

品牌: Tokmas(托克马斯)

封装: TOLL

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C46491531

描述氮化镓MOS 650V50毫欧

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1+￥33.48
10+￥28.68
30+￥25.75
100+￥23.3

现货最快4小时发货

广东仓: 1126

1200个/圆盘

个

总额￥0

近期成交9单

CID45N65MD

品牌: Tokmas(托克马斯)

封装: TOLT-16

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C41369700

描述氮化镓MOS 650V40毫欧

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存347

1+￥36.89
10+￥31.7
30+￥28.53
100+￥25.88

现货最快4小时发货

广东仓: 347

江苏仓: 4

1000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交20单

GN3065T5ZG

品牌: Grenergy(南京绿芯)

封装: DFN-3L(8x8)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C19633396

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 13A

耗散功率(Pd): 52W

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3

1+￥8.69
10+￥7.91
30+￥7.42
100+￥6.92
500+￥6.7
1000+￥6.6

现货最快4小时发货

广东仓: 3

江苏仓: 2837

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交16单

YHJ-65H225DDC

品牌: 誉鸿锦

封装: DFN-8(5x6)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C22458938

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SMT扩展库

9折

1+￥5.607
10+￥4.635
30+￥4.104
100+￥3.501
500+￥3.231
1000+￥3.105

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1431

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交23单

YHJ-65H225AMC

品牌: 誉鸿锦

封装: DFN-8(8x8)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C22458937

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SMT扩展库

9折

1+￥4.158
10+￥3.753
30+￥3.528
100+￥3.276
500+￥3.168
1000+￥3.114

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2288

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交23单

CID10N65D5

品牌: Tokmas(托克马斯)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C22446731

描述单管650V200毫欧

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3

1+￥4.21
10+￥3.7
30+￥3.45
100+￥3.37
500+￥3.22
1000+￥3.14

现货最快4小时发货

广东仓: 1

江苏仓: 1428

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交33单

HCG65140DAA

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: DFN-8(8x8)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C22396444

描述为您献上高性能氮化镓场效应管，采用先进N沟道设计。该器件具备650V高漏源电压承受力，连续漏极电流高达17A，满足高功率需求。更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻，在确保电流顺畅通过的同时，大幅度降低能耗，提升系统效率。适配于各类高能效电源转换解决方案，为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比，引领科技绿色升级。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存310

1+￥19.21
10+￥16.42
30+￥14.76
100+￥13.09

现货最快4小时发货

广东仓: 310

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交32单

CID10N65E3

品牌: Tokmas(托克马斯)

封装: TO-252

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C41369699

描述氮化镓MOS 650V200毫欧

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1210

1+￥4.83
10+￥3.84
30+￥3.34
100+￥2.85
500+￥2.65
1000+￥2.49

现货最快4小时发货

广东仓: 1207

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交38单

GN2065T5ZG

品牌: Grenergy(南京绿芯)

封装: DFN-3L(8x8)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C19633392

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 6.5A

耗散功率(Pd): 21W

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对比

SMT扩展库

1+￥5.86
10+￥5.29
30+￥4.97
100+￥4.62
500+￥4.46
1000+￥4.39

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2990

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

INN650D080BS

品牌: Innoscience(英诺赛科)

封装: DFN-8(8x8)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C20616646

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对比

SMT扩展库

1+￥18.88
10+￥16.2
30+￥14.61
100+￥13
500+￥12.26
1000+￥11.92

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1112

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交21单

INN700DA190B

品牌: Innoscience(英诺赛科)

封装: DFN5x6-8

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C39831319

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对比

SMT扩展库

1+￥11.16
10+￥9.51
30+￥8.47
100+￥7.41
500+￥6.93
1000+￥6.72

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2378

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交12单

RC65D110A

品牌: RealChip(正芯半导体)

封装: TO-220

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C18547820

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 20A

耗散功率(Pd): 96W

描述氮化镓场效应管

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存165

1+￥12.73
10+￥10.77
50+￥9.54
100+￥8.29

现货最快4小时发货

广东仓: 164

江苏仓: 23

50个/管

个

总额￥0

近期成交50单

INN150FQ032A

品牌: Innoscience(英诺赛科)

封装: FCQFN-25(4x6)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C5794703

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥28.32
10+￥24.3
30+￥21.91
100+￥19.5
500+￥18.38
1000+￥17.88

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1283

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交13单

GN1065T4ZG

品牌: Grenergy(南京绿芯)

封装: DFN-3L(5x6)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C19633388

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 3.6A

耗散功率(Pd): 13.2W

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥3.32
10+￥2.92
30+￥2.72
100+￥2.53
500+￥2.41
1000+￥2.35

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1896

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

RC65D160G

品牌: RealChip(正芯半导体)

封装: DFN-8L(8x8)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C18547815

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 16A

耗散功率(Pd): 78W

描述氮化镓场效应管

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存335

1+￥9.73
10+￥8.01
30+￥7.06
100+￥5.98

现货最快4小时发货

广东仓: 334

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

GAN7R0-150LBEZ

品牌: Nexperia(安世)

封装: FCLGA3

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C7433264

描述GAN7R0 - 150LBE是一款通用型150 V、7 mΩ的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），采用栅格阵列（LGA）封装。它是一款常关型增强模式器件，性能卓越。

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6

1+￥23.84
10+￥20.36
30+￥18.29
100+￥16.2
500+￥15.24
1000+￥14.8

现货最快4小时发货

广东仓: 3

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

EPC2203

品牌: EPC

封装: BGA-4

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C5291299

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2500

1+￥5.98
10+￥4.83
30+￥4.26
100+￥3.69
500+￥3.35
1000+￥3.18

现货最快4小时发货

广东仓: 2500

1000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

CID10N65F

品牌: Tokmas(托克马斯)

封装: TO-220F-3L

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C22446732

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 10A

耗散功率(Pd): 75W

描述单管650V200毫欧

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存336

1+￥6.95
10+￥5.69
50+￥5
100+￥4.22
500+￥3.87
1000+￥3.71

现货最快4小时发货

广东仓: 336

50个/管

个

总额￥0

近期成交43单

CID10N65D

品牌: Tokmas(托克马斯)

封装: DFN-8(8x8)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C22446730

描述单管650V200毫欧

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存837

1+￥7.7
10+￥6.37
30+￥5.64
100+￥4.81
500+￥4.44
1000+￥4.28

现货最快4小时发货

广东仓: 835

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

RC65D160A

品牌: RealChip(正芯半导体)

封装: TO-220F

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C19630736

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 16A

耗散功率(Pd): 78W

收藏
对比

1+￥8.61
10+￥7.1
50+￥6.27

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 70

50个/管

个

总额￥0

近期成交16单

HCG65140DBA

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: DFN-8L(5x6)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C22396445

描述为您精选的这款氮化镓场效应管，采用先进的N沟道设计，工作在高达650V的漏源电压下，能够承载连续17A的大电流，性能卓越。其导通电阻低至100毫欧，确保了极低的导通损耗和高效的能量转换。这款器件是高功率密度及高频应用的理想选择，特别适合追求极致效能的现代电子设计，为您的创新项目注入高效动力。

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存126

8.8折

1+￥13.6576
10+￥13.0064
30+￥12.6192
100+￥12.232
500+￥12.056
1000+￥11.9768

现货最快4小时发货

广东仓: 125

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交9单

HIGLR65R140D2

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C42389175

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

导通电阻(RDS(on)): 160mΩ@6V

描述这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具有10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS)，导通电阻仅为160毫欧姆(RDON)，能够在高电压下保持较低的功耗。其栅源电压范围从-1.4伏特到+7伏特(VGS)，适用于N型电路设计。该器件以其优异的开关性能和低损耗特性，非常适合于高效电源转换、消费电子产品等需要快速响应和高效率的应用场合。