隔离式栅极驱动器

UCC23513DWYR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-6-300mil

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C456289

驱动配置

低边；高边

隔离电压(Vrms)

5700

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

1

描述UCC23513 3A、5kVRMS 光兼容单通道隔离式栅极驱动器

Pai8211A-SR

品牌

2Pai Semi(荣湃)

封装

SOIC-8

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C5447067

隔离电压(Vrms)

3750

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

1

输入侧工作电压

2.5V~5.5V

描述Pai8211x 是单通道隔离栅极驱动器系列产品，提供符合UL1577 标准的隔离电压3.75kVrms 和5.0kVrms 两种类型。Pai8211A 可单独控制输出信号的上升和下降时间，方便灵活解决EMI 问题。Pai8211C 提供内部有源钳位保护功能，钳位管脚连接输出端口驱动的晶体管的栅极，以防止由米勒电流引起的误导通。

UCC21540DWR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-16-300mil

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C544736

隔离电压(Vrms)

5700

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

2

输入侧工作电压

3V~18V

描述UCC21540 具有 3.3mm 通道到通道间距选项的增强型隔离式双通道栅极驱动器

NSI6602B-DLAR

品牌

NOVOSENSE(纳芯微)

封装

LGA-13

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C5441131

SLM343CK-DG

品牌

Sillumin(数明半导体)

封装

SO-6-6.8mm

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C881768

驱动配置

低边；高边

隔离电压(Vrms)

5000

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

1

描述SLM343是一款光兼容单通道隔离式栅极驱动器，适用于IGBT和MOSFET，源极峰值输出电流为4.0A，灌电流峰值输出电流为6.0A，具备5kVRMS增强隔离等级。SLM343可驱动低端和高端功率FET。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比，其关键特性显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计上保持引脚兼容。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟和小脉冲宽度失真。输入级为模拟二极管，与传统LED相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用拉伸型SO6封装，爬电距离和电气间隙>8.5mm。模塑料属于材料组I，相比漏电起痕指数（CTI）>600V。SLM343的高性能和可靠性使其非常适合用于各类电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器设备。

STGAP2SCMTR

品牌

ST(意法半导体)

封装

SO-8

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C2970172

驱动配置

半桥

隔离电压(Vrms)

2828

通道数

1

输入侧工作电压

3.1V~5.5V

描述电流隔离4 A单重栅极驱动器

UCC21732QDWRQ1

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-16-300mil

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C2866136

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

1

工作温度

-40℃~+125℃@(Ta)

驱动侧工作电压

33V

描述适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125

CA-IS3221BN

品牌

Chipanalog(川土微)

封装

SOIC-16-NB

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C42370076

隔离电压(Vrms)

3750

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

2

输入侧工作电压

3V~18V

描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。 所有器件采用电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。

ADUM3223ARZ-RL7

品牌

ADI(亚德诺)

封装

SOIC-16

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C660813

驱动配置

半桥

隔离电压(Vrms)

3000

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

2

描述3kVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

ADP3110AKRZ-RL

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOIC-8

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C82321

负载类型

MOSFET

通道数

1

输入侧工作电压

4.6V~13.2V

工作温度

0℃~+150℃@(Tj)

描述ADP3110A 是一款双高电压 MOSFET 驱动器，适用于在一个非隔离同步降压功率转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET 和两个开关。 每个驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 30 ns。其中一个驱动器可以自举，适用于处理与浮动高压侧门极驱动器相关联的高电压摆率。 ADP3110A 包括了重叠驱动保护，可防止外部 MOSFET 中的击穿电流。

SL5350MDR

品牌

Slkor(萨科微)

封装

SOIC-8

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C22392351

隔离电压(Vrms)

3750

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

1

输入侧工作电压

2.5V~5.5V

描述SL5350S / M 是一款具有 3.75kVrms (D) 和 5kVrms (DW) 隔离的 8.5A 峰值拉电流和 10A 峰值灌电流的单通道隔离栅极驱动器。它能够有效和安全地驱动 SiC/Si MOSFET 和 Si IGBT。低传播延迟和紧凑的 SOIC-8 封装使 MOSFET 能够以数百 kHz 的频率进行开关。

STGAP2SICSNCTR

品牌

ST(意法半导体)

封装

SO-8

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C5267666

描述适用于 SiC MOSFET 的电隔离 4 A 单栅极驱动器

UCC21530DWK

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-14

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C2869147

驱动配置

半桥；低边；高边

隔离电压(Vrms)

5700

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

2

描述适用于 IGBT/SiC FET 且具有 EN 和 DT 引脚、采用 DWK 封装的 5.7kVrms、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 14-SOIC -40 to 125

UCC21550ADWR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-16

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C22427509

隔离电压(Vrms)

5000

通道数

2

输入侧工作电压

3V~5.5V

拉电流(IOH)

4A

描述UCC21550是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。

NSi6602B-Q1SPNR

品牌

NOVOSENSE(纳芯微)

封装

SOP-16

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C22400895

隔离电压(Vrms)

3000

通道数

2

输入侧工作电压

3V~5.5V

拉电流(IOH)

4A

描述NSI6602 是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动集成电路，可用于驱动开关频率高达 2MHz 的功率晶体管。每个输出端可提供 4A 的灌电流和 6A 的拉电流峰值，传播延迟仅 25ns，最大延迟匹配为 5ns。NSI6602 在 SOP16 封装中可提供 3000Vrms 的隔离电压，在 SOW16 或 SOW14 封装中可提供 5700Vrms 的隔离电压

SiLM8263AAHB-DG

品牌

Sillumin(数明半导体)

封装

LGA-13(5x5)

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C22435418

隔离电压(Vrms)

2500

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

2

输入侧工作电压

3V~18V

描述SiLM8263/64/65隔离驱动器系列是具有不同配置的隔离式双通道栅极驱动器。SiLM8263/64配置为高端/低端驱动器，而SiLM8265配置为双驱动器。它可提供10A的源极和10A的灌极峰值输出电流

NSI6611ASC-Q1SWR

品牌

NOVOSENSE(纳芯微)

封装

SO-16W

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C7470934

UCC23513BDWYR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-6-4.7mm

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C2869904

HP3600-AB001-SP16R

品牌

Hynetek(慧能泰)

封装

SOP-16

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C22394788

驱动配置

低边；高边

隔离电压(Vrms)

3000

负载类型

MOSFET

通道数

2

描述HP3600 是慧能泰 HySwitch 产品系列下的一款双通道隔离驱动器，与 HP1010 搭配可形成图腾柱 PFC 的系统解决方案。HP3600 具有峰值 4 A 灌电流和 6 A 拉电流，150 kV/μs 高共模瞬变抗扰度 CMTI 以及低至 48 ns 的传播延迟。VDDA/VDDB 最高支持 33 V；VDDI 支持 3 至 18 V 宽范围输入，可以适应模拟和数字控制器接口。所有电源引脚都具备欠压锁定 UVLO 保护功能，保护门限为 3 V，适用于 GaN MOSFET 的隔离驱动应用。 通道数：2 输出电流：4 A / 6 A 输入电压（最小）：3.5 V 输入电压（最大）：33 V 工作温度范围：-40 to 125 ℃ 共模抗扰能力：150 kV/μs

NSI6602A-DSPNR

品牌

NOVOSENSE(纳芯微)

封装

SOP-16-150mil

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C2924299

隔离电压(Vrms)

3000

通道数

2

输入侧工作电压

3V~5.5V

拉电流(IOH)

4A

描述NSi6602 是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动集成电路，可用于驱动开关频率高达 2MHz 的功率晶体管。每个输出端可提供 4A 的灌电流和 6A 的拉电流峰值，传播延迟仅 25ns，最大延迟匹配为 5ns。NSi6602 在 5mm x 5mm 的 LGA13 封装中可提供符合 UL1577 标准的 2500Vrms 隔离，在 SOP16（150mil）封装中可提供 3000Vrms 隔离，在 SOP16（300mil）或 SOP14（300mil）封装中可提供 5700Vrms 隔离

UCC5350MCDR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-8

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C2872371

隔离电压(Vrms)

3000

通道数

1

输入侧工作电压

3V~15V

拉电流(IOH)

10A

描述具有米勒钳位或分离输出以及 8V 或 12V UVLO 的 3kVrms、5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125

NSi6602A-DSWR

品牌

NOVOSENSE(纳芯微)

封装

SOP-16-300mil

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C2880456

隔离电压(Vrms)

5700

通道数

2

拉电流(IOH)

4A

灌电流(IOL)

6A

描述NSi6602 是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动集成电路，可用于驱动开关频率高达 2MHz 的功率晶体管。每个输出端可提供 4A 的灌电流和 6A 的拉电流峰值，传播延迟仅 25ns，最大延迟匹配为 5ns。NSi6602 在 5mm x 5mm 的 LGA13 封装中可提供符合 UL1577 标准的 2500Vrms 隔离，在 SOP16（150mil）封装中可提供 3000Vrms 隔离，在 SOP16（300mil）或 SOP14（300mil）封装中可提供 5700Vrms 隔离

CA-IS3221AN

品牌

Chipanalog(川土微)

封装

SOIC-16-NB

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C42370075

隔离电压(Vrms)

3750

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

2

输入侧工作电压

3V~18V

描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。 所有器件采用电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。

UCC21750QDWRQ1

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-16-300mil

类目

隔离式栅极驱动器

编号

C2868955

隔离电压(Vrms)

2121

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

1

输入侧工作电压

3V~5.5V

描述适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车类 5.7kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125