隔离式栅极驱动器
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 驱动配置
- 低边；高边
- 隔离电压(Vrms)
- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 1
描述UCC23513 3A、5kVRMS 光兼容单通道隔离式栅极驱动器
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥2.1882
- ￥1.7111
- ￥1.5066
- ￥1.22647
- ￥1.115142
- ￥1.048306
- 广东仓
- 14K+
850个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 隔离电压(Vrms)
- 3750
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 1
- 输入侧工作电压
- 2.5V~5.5V
描述Pai8211x 是单通道隔离栅极驱动器系列产品，提供符合UL1577 标准的隔离电压3.75kVrms 和5.0kVrms 两种类型。Pai8211A 可单独控制输出信号的上升和下降时间，方便灵活解决EMI 问题。Pai8211C 提供内部有源钳位保护功能，钳位管脚连接输出端口驱动的晶体管的栅极，以防止由米勒电流引起的误导通。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥6.64
- ￥5.2
- ￥4.47
- ￥3.572
- ￥3.1635
- ￥2.945
- 广东仓
- 4480
4000个/圆盘
总额￥0
近期成交34单
- 隔离电压(Vrms)
- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
描述UCC21520 4A/6A、5.7 kVrms 双通道隔离式栅极驱动器
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥7.57
- ￥6.7
- ￥5.89
- ￥5.2272
- ￥4.9797
- ￥4.8609
- 广东仓
- 371
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 隔离电压(Vrms)
- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
描述UCC21540 具有 3.3mm 通道到通道间距选项的增强型隔离式双通道栅极驱动器
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥8.1
- ￥6.65
- ￥5.86
- ￥4.8608
- ￥4.4688
- ￥4.2924
- 广东仓
- 3181
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交22单
- 隔离电压(Vrms)
- 5000
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 1
- 输入侧工作电压
- 3V~15V
描述UCC53x0 是一系列单通道隔离式栅极驱动器，用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和GaN FET(UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的UVLO2 以GND2 为基准，以获取真实的UVLO 读数。UCC53x0 采用4mm SOIC-8 (D) 或8.5mm SOIC-8(DWV) 封装，可分别支持高达3kVRMS 和5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC53x0 系列非常适合电机驱动器和工业电源。与光耦合器相比，UCC53x0 系列的部件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且CMTI 更高。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥12.54
- ￥10.55
- ￥9.31
- ￥8.03
- ￥7.46
- ￥7.21
- 广东仓
- 1608
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交37单
- 隔离电压(Vrms)
- 5000
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~5.5V
- 拉电流(IOH)
- 4A
描述UCC21550是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥9.9
- ￥8.16
- ￥7.21
- ￥5.9461
- ￥5.4805
- ￥5.2671
- 广东仓
- 970
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 驱动配置
- 半桥；低边；高边
- 隔离电压(Vrms)
- 3000
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
描述具有禁用引脚、可编程死区时间和 8V UVLO 的 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥15.91
- ￥13.43
- ￥11.88
- ￥9.9813
- ￥9.2829
- ￥8.9822
- 广东仓
- 528
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交36单
- 隔离电压(Vrms)
- 3000
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 1
- 输入侧工作电压
- 3V~15V
描述具有 UVLO（以 GND 为基准）或分离输出的 3kVrms/5kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥16.01
- ￥13.56
- ￥12.02
- ￥10.2312
- ￥9.5354
- ￥9.2316
- 广东仓
- 515
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交31单
- 驱动配置
- 低边；高边
- 隔离电压(Vrms)
- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 1
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥2.62
- ￥2.02
- ￥1.76
- ￥1.44
- ￥1.29
- ￥1.2
- 广东仓
- 2956
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 隔离电压(Vrms)
- 3750
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 1
- 输入侧工作电压
- 2.5V~5.5V
描述SL5350S / M 是一款具有 3.75kVrms (D) 和 5kVrms (DW) 隔离的 8.5A 峰值拉电流和 10A 峰值灌电流的单通道隔离栅极驱动器。它能够有效和安全地驱动 SiC/Si MOSFET 和 Si IGBT。低传播延迟和紧凑的 SOIC-8 封装使 MOSFET 能够以数百 kHz 的频率进行开关。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥7.35
- ￥6.02
- ￥5.29
- ￥4.46
- ￥4.09
- ￥3.93
- 广东仓
- 3737
4000个/圆盘
总额￥0
近期成交15单
- 隔离电压(Vrms)
- 3000
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~5.5V
- 拉电流(IOH)
- 4A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥13.48
- ￥10.96
- ￥9.58
- ￥8.01
- ￥7.32
- ￥7
- 广东仓
- 1546
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交19单
- 驱动配置
- 半桥
- 隔离电压(Vrms)
- 3000
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
描述3kVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥18.38
- ￥15.66
- ￥13.95
- ￥10.716
- ￥9.9655
- ￥9.6425
- 广东仓
- 998
- 江苏仓
- 92
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 驱动配置
- 半桥；低边；高边
- 隔离电压(Vrms)
- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
描述适用于 IGBT/SiC FET 且具有 EN 和 DT 引脚、采用 DWK 封装的 5.7kVrms、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 14-SOIC -40 to 125
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥19.04
- ￥16.06
- ￥14.19
- ￥12.0344
- ￥11.1916
- ￥10.8192
- 广东仓
- 200
- 江苏仓
- 417
40个/管
总额￥0
近期成交9单
- 隔离电压(Vrms)
- 3000
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~5.5V
- 拉电流(IOH)
- 4A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥10.43
- ￥8.66
- ￥7.69
- ￥6.6
- ￥6.11
- ￥5.89
- 广东仓
- 2018
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交11单
- 隔离电压(Vrms)
- 2500
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥13.05
- ￥10.95
- ￥9.63
- ￥8.28
- ￥8.09
- ￥7.83
- 广东仓
- 1755
5000个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 1
- 工作温度
- -40℃~+125℃@(Ta)
- 驱动侧工作电压
- 33V
描述适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥32.39
- ￥27.77
- ￥24.96
- ￥22.6
- 广东仓
- 325
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交12单
- 驱动配置
- 低边；高边
- 隔离电压(Vrms)
- 5000
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 1
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥2.39
- ￥1.81
- ￥1.57
- ￥1.26
- ￥1.24
- ￥1.16
- 广东仓
- 333
- 江苏仓
- 2797
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交69单
- 负载类型
- MOSFET
- 通道数
- 1
- 输入侧工作电压
- 4.6V~13.2V
- 工作温度
- 0℃~+150℃@(Tj)
描述ADP3110A 是一款双高电压 MOSFET 驱动器，适用于在一个非隔离同步降压功率转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET 和两个开关。 每个驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 30 ns。其中一个驱动器可以自举，适用于处理与浮动高压侧门极驱动器相关联的高电压摆率。 ADP3110A 包括了重叠驱动保护，可防止外部 MOSFET 中的击穿电流。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥3.3
- ￥2.6
- ￥2.3
- ￥1.92
- ￥1.56
- ￥1.45
- 广东仓
- 11K+
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交12单
- 隔离电压(Vrms)
- 8000
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 输入侧工作电压
- 2.25V~5.5V
- 拉电流(IOH)
- 2.5A
描述ISO5452 具有分离输出、STO 和保护功能的 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥5.44
- ￥4.89
- ￥4.58
- ￥4.1454
- ￥3.9984
- ￥3.9298
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 816
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 隔离电压(Vrms)
- 3000
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 1
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥5.66
- ￥4.58
- ￥4.04
- ￥3.51
- ￥3.19
- ￥3.02
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2344
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 隔离电压(Vrms)
- 2121
- 负载类型
- IGBT
- 通道数
- 1
- 输入侧工作电压
- 3V~5.5V
描述适用于 SiC/IGBT 的具有主动保护功能、高 CMTI、15A 拉/灌电流的 单通道增强隔离栅极驱动器
- 收藏
- 对比
- ￥9.04
- ￥7.51
- ￥6.67
- ￥5.72
- ￥5.3
- 广东仓
- 877
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
- 驱动配置
- 半桥；低边；高边
- 隔离电压(Vrms)
- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
描述UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥10.18
- ￥8.42
- ￥7.45
- ￥6.2328
- ￥5.7526
- ￥5.5468
- 广东仓
- 358
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交51单
- 隔离电压(Vrms)
- 5000
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~5.5V
描述双低端、双高端或半桥模式栅极驱动器
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥10.2
- ￥8.22
- ￥7.13
- ￥5.9
- ￥5.35
- ￥5.1
- 广东仓
- 995
1500个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 隔离电压(Vrms)
- 5700
- 通道数
- 2
- 拉电流(IOH)
- 4A
- 灌电流(IOL)
- 6A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥15.41
- ￥12.53
- ￥10.95
- ￥9.16
- ￥8.36
- ￥8
- 广东仓
- 588
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交42单
- 收藏
- 对比
- ￥16.27
- ￥13.56
- ￥11.87
- ￥10.13
- ￥9.34
- 广东仓
- 854
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 隔离电压(Vrms)
- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 1
- 输入侧工作电压
- 3V~5.5V
描述适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车类 5.7kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥40.44
- ￥34.48
- ￥32.13
- ￥29.09
- 广东仓
- 195
40个/管
总额￥0
近期成交22单
- 驱动配置
- 低边；高边
- 隔离电压(Vrms)
- 3000
- 负载类型
- MOSFET
- 通道数
- 2
描述HP3600 是慧能泰 HySwitch 产品系列下的一款双通道隔离驱动器，与 HP1010 搭配可形成图腾柱 PFC 的系统解决方案。HP3600 具有峰值 4 A 灌电流和 6 A 拉电流，150 kV/μs 高共模瞬变抗扰度 CMTI 以及低至 48 ns 的传播延迟。VDDA/VDDB 最高支持 33 V；VDDI 支持 3 至 18 V 宽范围输入，可以适应模拟和数字控制器接口。所有电源引脚都具备欠压锁定 UVLO 保护功能，保护门限为 3 V，适用于 GaN MOSFET 的隔离驱动应用。 通道数：2 输出电流：4 A / 6 A 输入电压（最小）：3.5 V 输入电压（最大）：33 V 工作温度范围：-40 to 125 ℃ 共模抗扰能力：150 kV/μs
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥4.93
- ￥4.45
- ￥4.19
- ￥3.89
- ￥3.76
- ￥3.7
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2858
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交8单
