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隔离式栅极驱动器

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    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: ADP3110A 是一款双高电压 MOSFET 驱动器,适用于在一个非隔离同步降压功率转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET 和两个开关。 每个驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载,传播延迟为 25 ns,转换时间为 30 ns。其中一个驱动器可以自举,适用于处理与浮动高压侧门极驱动器相关联的高电压摆率。 ADP3110A 包括了重叠驱动保护,可防止外部 MOSFET 中的击穿电流。
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    • UCC21750QDWQ1
    • 品牌: TI(德州仪器)
    • 封装: SOIC-16-300mil
    • 描述: 适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车类 5.7kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
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    • UCC23313DWYR
    • 品牌: TI(德州仪器)
    • 封装: SOIC-6-300mil
    • 描述: 具有 8V 或 12V UVLO 选项的 3.75kVrms、4A/5A 单通道光兼容隔离式栅极驱动器 6-SOIC -40 to 125
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    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOIC-16-300mil
    • 描述: NCV57000 是一款带内部电流隔离的高电流单沟道 IGBT 驱动器,适用于高功率应用中的高系统能效和可靠性。其功能包括互补输入、开路漏极 FAULT 和 Ready 输出、有源米勒箝位、准确 UVLO、DESAT 保护、DESAT 时的软关断,以及用于系统设计简便性的单独高低驱动器输出(OUTH 和 OUTL)。NCV57000 可适应输入侧上 5V 和 3.3V 信号,以及驱动器侧上的宽偏置电压范围,包括负电压功能。NCV57000 提供 > 5 kVrms(UL1577 等级)电流隔离和 > 1200 Viorm(工作电压)功能。NCV57000 采用宽体 SOIC-16 封装,可在输入和输出之间保证 8 mm 漏电距离,满足加强安全绝缘要求。
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    • 封装: SOIC-16-300mil
    • 描述: NCD57000 是一款带内部电流隔离的高电流单沟道 IGBT 驱动器,适用于高功率应用中的高系统能效和可靠性。其功能包括互补输入、开路漏极 FAULT 和 Ready 输出、有源米勒箝位、准确 UVLO、DESAT 保护、DESAT 时的软关断,以及用于系统设计简便性的单独高低驱动器输出(OUTH 和 OUTL)。NCD57000 可适应输入侧上 5V 和 3.3V 信号,以及驱动器侧上的宽偏置电压范围,包括负电压功能。NCD57000 提供 > 5 kVrms(UL1577 等级)电流隔离和 > 1200 Viorm(工作电压)功能。NCD57000 采用宽体 SOIC-16 封装,可在输入和输出之间保证 8 mm 漏电距离,满足加强安全绝缘要求。
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    • 品牌: TI(德州仪器)
    • 封装: SOIC-16
    • 描述: 具有禁用引脚、可编程死区时间和 8V UVLO 的 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
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    • 品牌: TI(德州仪器)
    • 封装: SOIC-16-300mil
    • 描述: 适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车类 5.7kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
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