nvSRAM(掉电保持)
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操作
描述CY14B101NA 是一款快速静态RAM (SRAM)，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器组织为128K字节的8-Bit或64K字的16-Bit。非易失性元素采用QuantumTrap技术，提供20年的数据保留时间。支持无限次读写和RECALL操作，最多支持1百万次STORE操作。
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SMT扩展库
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1000个/圆盘
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描述Cypress CY14B104LA-ZS45XIT 是一款 4Mbit nvSRAM，具有非易失性存储单元，支持无限次读写操作，数据保持时间为 20 年，支持 1 百万次 STORE 操作。
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SMT扩展库
- ￥222.62
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1000个/圆盘
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描述CY14B256LA 是一款快速静态RAM，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器内部组织为32K字节，每个字节8-Bit。嵌入的非易失性元素采用QuantumTrap技术，提供无限读写和恢复周期。
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SMT扩展库
- ￥108.75
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1000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
描述CY14B101LA是一款1-Mbit nvSRAM，具有自动存储（AutoStore）和量子陷阱（QuantumTrap）技术。它支持无限次读写和召回操作，最多可进行1百万次存储操作。工作电压为3.0V ± 10%，工作温度范围为-40°C至+85°C。
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1000个/圆盘
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近期成交1单
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330个/管
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描述CY14B256LA是一款256Kbit（32K x 8）的nvSRAM，具有快速访问时间和非易失性存储功能。该存储器在断电时自动将数据存储到非易失性单元中，并在上电时自动恢复数据。
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1000个/圆盘
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480个/托盘
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135个/托盘
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描述DS1225AD是一款65,536-bit、全静态、非易失性SRAM，组织为8192个字节×8-Bit。每个非易失性SRAM都包含一个自含的锂能源源和控制电路，可以自动监测Vcc并在电源故障时切换到锂能源以防止数据损坏。该SRAM可以直接替代现有的8k x 8 SRAM或EEPROM，无需额外的支持电路。
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14个/管
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近期成交1单
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12个/管
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描述DS1220AD 是一款16k非易失性静态随机存取存储器，具有10年的最小数据保留时间和无限次写入周期。它可以直接替代2k x 8的易失性静态RAM或EEPROM。在断电情况下，数据由内部锂能源自动保护，无需外部支持电路。提供JEDEC标准24针DIP封装，工作电压范围为4.5V至5.5V。
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- ￥128.65
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14个/管
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- ￥322.04
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11个/管
总额￥0
描述Cypress CY14B104NA是一款4Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），具有高速访问时间和自动存储功能。它支持无限次读写和召回操作，数据保持时间为20年。
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- ￥259.77
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- ￥95.25
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299个/托盘
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SMT扩展库
- ￥133.91
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108个/托盘
总额￥0
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SMT扩展库
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22个/管
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1000个/圆盘
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920个/管
总额￥0