理想二极管/ORing控制器

LM74700QDBVRQ1

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOT-23-6

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C2941042

输入电压(Vin)

3.2V~65V

反向耐压

65V

FET类型

外置FET

栅极驱动电压

15V

描述LM74700-Q1 3.2V 至 65V、80uA IQ 汽车理想二极管控制器

MX74700T

品牌

Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

封装

SOT-23-6

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C22468156

输入电压(Vin)

3.2V~100V

反向耐压

100V

导通电流(Imax)

2.3A

FET类型

外置FET

描述MX74700T与外部N沟道MOSFET配合工作，可作为理想二极管整流器并利用20mV正向压降实现低损耗反向保护。3.2V至100V的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如：12V、24V和48V汽车电池系统）的控制。该器件可耐受低至 -100V的负电源电压，并提供负载保护。

MAX40203AUK+T

品牌

ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

封装

SOT-23-5

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C2653639

输入电压(Vin)

1.2V~5.5V

反向耐压

6V

正向压降(Vf)

200mV

静态电流(Iq)

300nA

描述超小尺寸、Nanopower、1A理想二极管，具有超低压降、电流开关/理想二极管节省空间，压降比肖特基二极管小10倍

TPS2121RUXR

品牌

TI(德州仪器)

封装

VQFN-HR-12(2x2.5)

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C485916

输入电压(Vin)

2.8V~22V

导通电阻(RDS(on))

56mΩ

静态电流(Iq)

200uA

工作温度

-40℃~+125℃

描述TPS2121 支持无缝切换的 2.7V 至 22V、56mΩ、4.5A 电源多路复用器

LM73100RPWR

品牌

TI(德州仪器)

封装

VQFN-10-HR(2x2)

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C3210761

输入电压(Vin)

2.7V~23V

正向压降(Vf)

28.4mV

导通电阻(RDS(on))

44.85mΩ

静态电流(Iq)

426uA

描述LM7310 具有集成式理想二极管和过压保护功能的 2.7V 至 23V、28mΩ、5.5A 负载开关

MX16171

品牌

Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

封装

DFN-8L(3x2)

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C5341123

描述防电流倒灌控制器

LM66200DRLR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOT-583

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C3235556

输入电压(Vin)

1.6V~5.5V

通道数

2

导通电阻(RDS(on))

74mΩ

静态电流(Iq)

1.32uA

描述LM66200 1.6V 至 5.5V、40mΩ、2.5A、低 IQ、双输入理想二极管

LM5050MK-2/NOPB

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOT-23-6-THIN

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C2760463

输入电压(Vin)

6V~75V

FET类型

外置FET

栅极驱动电压

11.5V

静态电流(Iq)

350uA

描述LM5050-2 6V 至 75V、400uA IQ ORing FET 控制器

LM66100DCKR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SC-70-6

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C2869734

输入电压(Vin)

1.5V~5.5V

导通电流(Imax)

1.5A

FET类型

内置FET

通道数

1

描述LM66100 具有集成式 FET 的 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二极管

MX74610SS

品牌

Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

封装

MSOP-8

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C19269866

输入电压(Vin)

0V~55V

反向耐压

65V

FET类型

外置FET

栅极驱动电压

6.3V

描述60V理想二极管，零静态功耗二极管

MX74610T

品牌

Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

封装

SOT-23-6L

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C19078229

反向耐压

60V

FET类型

外置FET

栅极驱动电压

6.3V

正向压降(Vf)

480mV

描述理想二极管 零静态功耗理想二极管，60V耐压，电流通过外接MOS可调

MX5052SL

品牌

Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

封装

SOP-8

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C22396835

输入电压(Vin)

1V~40V

反向耐压

60V

FET类型

内置FET

正向压降(Vf)

40mV

描述MX5052SL高端或电路与内部MOSFET协同工作，在与电源串联连接时可作为理想的二极管整流器。该或电路使MOSFET能够在配电网络中替代二极管整流器，从而降低功率损耗和电压降。MX5052SL控制器为内部N沟道MOSFET提供电荷泵栅极驱动，并配备快速响应比较器，当电流反向流动时可关断FET

SCT53600TVBR

品牌

SCT(芯洲科技)

封装

TSOT-23-6L

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C5464956

LT4321IUF#TRPBF

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-16-EP(4x4)

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C580183

输入电压(Vin)

20V~80V

FET类型

外置FET

通道数

2

栅极驱动电压

9.5V

LM74800MDRRR

品牌

TI(德州仪器)

封装

WSON-12(3x3)

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C7216630

输入电压(Vin)

3V~65V

反向耐压

65V

FET类型

外置共源FET

栅极驱动电压

13V

描述LM7480 具有 -55°C 至 125°C 工作温度范围的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器

CH213K

品牌

WCH(南京沁恒)

封装

SOT-23-3

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C5456874

输入电压(Vin)

2.2V~5.5V

FET类型

内置FET

正向压降(Vf)

240mV

导通电阻(RDS(on))

240mΩ

描述CH213是一款具有限流功能的低压差理想二极管芯片。该芯片集成了过流保护、短路保护、过温保护、电源极性保护等模块。它支持5V电压下电流不超过1A的直流应用，当VO输出端出现短路等过流情况时，可通过限制输出电流来保护电源系统；当输入电源极性接反时，可保护VO输出端的负载电路

MX16171D100

品牌

Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

封装

DFN-8L(2x3)

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C18197522

描述理想二极管控制器@@防止电流倒灌 ，100V工作电压

MAX40200AUK+T

品牌

ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

封装

SOT-23-5

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C2649430

描述超小尺寸、微功耗、1A理想二极管，具有超低压降、电流开关/理想二极管节省空间，压降比肖特基二极管小10倍

LM74700QDBVTQ1

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOT-23-6

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C2653623

输入电压(Vin)

3.2V~65V

反向耐压

65V

FET类型

外置FET

栅极驱动电压

15V

描述LM74700-Q1 3.2V 至 65V、80uA IQ 汽车理想二极管控制器

MAX40200ANS+T

品牌

ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

封装

BGA-4(0.7x0.7)

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C3227637

输入电压(Vin)

1.5V~5.5V

反向耐压

6V

正向压降(Vf)

175mV

工作温度

-40℃~+125℃

描述超小尺寸、微功耗、1A理想二极管，具有超低压降、电流开关/理想二极管节省空间，压降比肖特基二极管小10倍

MX5050S3028A2

品牌

Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

封装

SOP-8L

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C51892073

描述30V 4A集成MOSFET两通道理想二极管

TPS259480AYWPR

品牌

TI(德州仪器)

封装

DSBGA-12

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C22421991

输入电压(Vin)

3.5V~23V

FET类型

内置FET

正向压降(Vf)

24.5mV

导通电阻(RDS(on))

20mΩ

描述TPS25948xx系列电子保险丝是一款高度集成的电路保护和电源管理解决方案，采用小封装。该器件提供多种保护模式，所需外部元件极少，能有效抵御过载、短路、电压浪涌和过大浪涌电流。集成背靠背FET，可随时阻断从输出到输入的反向电流，非常适合电源多路复用和“或”应用，以及在输入电源故障时需要负载侧能量保持存储的系统。该器件采用基于线性“或”的方案，确保几乎为零的直流反向电流，并以最小的正向压降和功耗模拟理想二极管的行为。该器件还提供外部引脚控制选项，可禁用反向电流阻断功能，允许在稳态下进行双向功率传输。可使用单个外部电容器调节输出压摆率和浪涌电流。如果输入超过可调过压阈值，器件会切断输出，从而保护负载免受输入过压影响。器件通过主动限制电流来应对输出过载。输出电流限制阈值以及瞬态过流消隐定时器均可由用户调节。限流控制引脚还可作为模拟负载电流监测器。该器件采用2.4mmx1.7mm、12球功率晶圆级芯片尺寸封装（PowerWCSP），可改善热性能并减小系统尺寸。该器件的工作结温范围为-40℃至+125℃。

LM76202QPWPRQ1

品牌

TI(德州仪器)

封装

HTSSOP-16-EP

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C1849484

输入电压(Vin)

4.2V~60V

反向耐压

60V

导通电流(Imax)

2.23A

导通电阻(RDS(on))

150mΩ

描述LM76202-Q1 具有集成 FET 的 4.2V 至 60V、2.2A 300uA IQ 汽车理想二极管

LM74720QDRRRQ1

品牌

TI(德州仪器)

封装

WSON-12(3x3)

类目

理想二极管/ORing控制器

编号

C5219205

输入电压(Vin)

3V~65V

反向耐压

65V

FET类型

外置FET

通道数

2

描述LM74720-Q1 具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器