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三极管/MOS管/晶体管

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参考封装

  • SOT-23-3
  • TO-220-3
  • TO-252-3
  • SOP-8/SOIC-8
  • TO-263-3
  • TO-247-3
  • SOT-323
  • SOT-223-3
  • TO-92-3
  • SOT-89-3

商品标签

  • 无铅
  • aec-q101
  • 高增益
  • ppap
  • mos驱动
  • 高速
  • 低损耗
  • 高压
  • 低内阻
  • 低输入电容

封装/规格

  • -
  • 1206A
  • 1206A-03
  • 1212-8
  • 3.3x3.3
  • 5x6
  • AG-34mm-1
  • AG-62mm
  • AG-62mm-2
  • AG-EASY1-1

品牌/产地

  • ADI(亚德诺)/LINEAR(凌特)
  • AF(晶岳)
  • Agertech(艾吉芯)
  • AGM-Semi(芯控源)
  • ALD
  • ALLEGRO(美国埃戈罗)
  • ALLPOWER(铨力)
  • Amphenol
  • Ampleon(安谱隆)
  • AnBon(安邦)

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

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58467
  • 型号: SS8050
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V Y1 200-350 NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A,hfe=200~350,丝印Y1
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  • 型号: MMBT5551
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@10mA,5V G1 H档200-300 NPN,Vceo=160V,Ic=600mA,hfe=200~300
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  • 型号: MMBT3904
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 1AM 100-300 NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A,hfe=100~300,丝印1A
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  • 型号: S8050 J3Y
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V (200-350) NPN,Vceo=25V,Ic=0.5A,hfe=200~350,丝印J3Y
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  • 型号: BC817-40,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V NPN,Vceo=45V,Ic=500mA,hfe=250~600
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  • 型号: MMBT5401
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):150V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@10mA,5V H档200-300 PNP,Vceo=-150V,Ic=-0.6A,hfe=200~300,丝印2L
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  • 型号: 2N7002
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
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  • 型号: S9013 J3
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V (200-350) NPN,Vceo=25V,Ic=500mA,hfe=200~350,丝印J3
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  • 型号: SS8550 Y2
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V Y2 200-350 PNP,Vceo=-25V,Ic=-1.5A,hfe=200~350
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  • 型号: BC857C,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V PNP,Vceo=-45V,Ic=-100mA,hfe=420~800
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  • 型号: BC817-25,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V NPN,Vceo=45V,Ic=500mA,hfe=160~400
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  • 型号: BC846B,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):65V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V NPN
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  • 型号: PMBT2222A,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V NPN,Vceo=40V,Ic=600mA
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  • 型号: MMBT3904
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V
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  • 型号: S8050
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW
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  • 型号: S8050
  • 品牌: YONGYUTAI(永裕泰)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW
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  • 型号: MMBT3904
  • 品牌: GOODWORK(固得沃克)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V
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  • 型号: BC857B,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V PNP,Vceo=-45V,Ic=-100mA,hFE:220~475
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  • 型号: SS8050
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V H档(200-350)
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  • 型号: S8050
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V L档 120-200 NPN
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  • 型号: CJ2301 S1
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):112mΩ@4.5V,2.8A P沟道,-20V,-2.3A,112mΩ@-4.5V
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  • 型号: PMBT3904,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V NPN,Vceo=40V,Ic=200mA
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  • 型号: MMBT5551
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):350mW G1 L档100-200 NPN,Vceo=160V,Ic=600mA,hfe=100~200
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  • 型号: AO3400A
  • 品牌: UMW(广东友台半导体)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.8A -
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  • 型号: BC847C,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V NPN,Vceo=45V,Ic=100mA
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  • 型号: MMBT5551LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):225mW 高电压 NPN 双极晶体管 此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
  • 编号:C41095
  • 数据手册
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    3000-100
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  • 型号: 2N7002
  • 品牌: YANGJIE(扬杰)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):340mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@4.5V,200mA
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  • 型号: MMBT5551
  • 品牌: GOODWORK(固得沃克)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
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  • 型号: S8050
  • 品牌: 晶导微电子
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V NPN 25V 0.5A 0.3W 150MHz hfe:120-400 S8050 H档 200-350
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  • 型号: ULN2003ADR
  • 品牌: TI(德州仪器)
  • 封装: SOIC-16
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):13V@2V,300mA 集电极电流(Ic):500mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.6V@350mA ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列
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