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晶体管

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目录

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  • 达林顿管(250)
  • 达林顿晶体管阵列(168)
  • 智能功率模块(84)
  • 结型场效应管(JFET)(60)

参考封装

  • SOT-23(SOT-23-3)
  • TO-220
  • TO-252(DPAK)
  • SOP-8
  • TO-247
  • TO-263(D2PAK)
  • SOT-223(SOT-223-3)
  • SOT-89(SOT-89-3)
  • TO-92(TO-92-3)P=1.27mm
  • SOT-23-6(P=0.95mm)

商品标签

  • 无铅
  • n沟道
  • 高效率
  • ppap
  • 低集电极
  • 高电流增益
  • 高可靠性
  • npn
  • 快速切换
  • 高速

封装/规格

  • -
  • 0204
  • 0603
  • 0805
  • 1.0×0.52×0.38
  • 10-VDFN
  • 10-VFDFN
  • 10.16mmx6.60mm
  • 107.5x45x16.8mm
  • 12-UFDFN

品牌/产地

  • ADI(亚德诺)/LINEAR
  • AF(晶岳)
  • ALLEGRO(美国埃戈罗)
  • ALLPOWER(铨力)
  • AnBon(台湾安邦)
  • ANPEC(茂达电子)
  • AOS
  • AP
  • APEC(富鼎)
  • Ascend(安森德)

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

嘉立创SMT

  • smt扩展库
  • smt推荐库
  • smt基础库
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筛选结果: 35089

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符合条件商品:共 35089
PMBT3904,215
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 型号: PMBT3904,215
  • 描述:晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):200mA 集射极击穿电压(Vceo):40V 功率(Pd):250mW NPN,Vceo=40V,Ic=200mA
  • 编号:C8667
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MMBT5551 G1 H档200-300
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号: MMBT5551
  • 描述:晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):160V 功率(Pd):300mW NPN,Vceo=160V,Ic=600mA,hfe=200~300
  • 编号:C2145
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SS8050 Y1 200-350
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号: SS8050
  • 描述:晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1.5A 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):300mW NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A,hfe=200~350,丝印Y1
  • 编号:C2150
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MMBT2907ALT1G
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBT2907ALT1G
  • 描述:晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):60V 功率(Pd):300mW hFE Range: 100-300,用法同PMBT2907, MMBT2907A
  • 编号:C40752
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SS8050 SOT-23
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: Slkor(萨科微)
  • 型号: SS8050
  • 描述:晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1.5A 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):300mW SOT-23
  • 编号:C444722
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S8050
S8050 三极管(BJT)
“SMT扩展库”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 型号: S8050
  • 描述:晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):300mW
  • 编号:C181158
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LMBT3904LT1G
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: LRC(乐山无线电)
  • 型号: LMBT3904LT1G
  • 描述:晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):200mA 集射极击穿电压(Vceo):40V 功率(Pd):225mW NPN,Vceo=40V,Ic=200mA
  • 编号:C49580
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    $0.006038
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    广东仓库存: 547900
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9.5折
MMBT3904 1AM  100-300
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号: MMBT3904
  • 描述:晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):200mA 集射极击穿电压(Vceo):40V 功率(Pd):200mW NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A,hfe=100~300,丝印1A
  • 编号:C20526
  • 数据手册
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MMBT3904
MMBT3904 三极管(BJT)
“SMT扩展库”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 型号: MMBT3904
  • 描述:晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):200mA 集射极击穿电压(Vceo):40V 功率(Pd):250mW
  • 编号:C181119
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    • 第二阶梯10
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    • 第六阶梯9.5
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9.2折
S8550 2TY (200-350)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号: S8550 2TY
  • 描述:晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):300mW PNP,Vceo=-25V,Ic=-0.5A,hfe=200~350,丝印2TY
  • 编号:C2147
  • 数据手册
  • 9.2 折
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  • 2000+:

    ¥0.058629
  • 10000+:

    ¥0.056695
  • 20000+:

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  • 18000+:

    $0.008748
  • 33000+:

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  • 江苏仓库存: 521880
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YJL3416A
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: YANGJIE(扬杰)
  • 型号: YJL3416A
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@4.5V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA
  • 编号:C389061
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MMBT5551
MMBT5551 三极管(BJT)
“SMT扩展库”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 型号: MMBT5551
  • 描述:晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):160V 功率(Pd):300mW
  • 编号:C181136
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SS8050 H档(200-350)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 型号: SS8050
  • 描述:晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1.5A 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):300mW
  • 编号:C181160
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    • ¥0.079344
    • ¥0.061621
    • ¥0.057191
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    ¥0.050402
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    ¥0.047797
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    ¥0.047362
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MMBT5401 H档200-300
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号: MMBT5401
  • 描述:晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):150V 功率(Pd):300mW PNP,Vceo=-150V,Ic=-0.6A,hfe=200~300,丝印2L
  • 编号:C8326
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  • 1+:

    $0.009562
  • 18000+:

    $0.009296
  • 33000+:

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2301P
  • 封装: SOT-23-3
  • 品牌: FM富满
  • 型号: 2301P
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.8A 功率(Pd):840mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):650mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):3.5nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):332pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):42pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
  • 编号:C2834502
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8.8折
BC846B
BC846B 三极管(BJT)
“SMT扩展库”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 型号: BC846B
  • 描述:晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):65V 功率(Pd):200mW
  • 编号:C181138
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    • 第三阶梯10
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    • 第五阶梯8.8
    • 第六阶梯8.8
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    • ¥0.048046
    • ¥0.045246
    • ¥0.037352
    • ¥0.036258
    • ¥0.035717
    • 原价
    • ¥0.06329
    • ¥0.048046
    • ¥0.045246
    • ¥0.042446
    • ¥0.041202
    • ¥0.040587
  • 50+:

    ¥0.06329
  • 500+:

    ¥0.048046
  • 1500+:

    ¥0.045246
  • 5000+:

    ¥0.037352
  • 25000+:

    ¥0.036258
  • 50000+:

    ¥0.035717
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AP2302B
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 型号: AP2302B
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.8A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@50μA
  • 编号:C406812
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  • 20+:

    ¥0.10094
  • 200+:

    ¥0.073451
  • 600+:

    ¥0.068402
  • 2000+:

    ¥0.063353
  • 10000+:

    ¥0.061109
  • 20000+:

    ¥0.060001
  • 香港(美元)
    $0.009223 (约¥0.058968)
    $0.008966 (约¥0.057325)
    $0.008796 (约¥0.056238)
  • 1+:

    $0.009223
  • 18000+:

    $0.008966
  • 33000+:

    $0.008796
  • 江苏仓库存: 34460
    广东仓库存: 378980
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 圆盘
  • 圆盘
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S9013 J3 (200-350)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号: S9013 J3
  • 描述:晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):300mW NPN,Vceo=25V,Ic=500mA,hfe=200~350,丝印J3
  • 编号:C6749
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  • 20+:

    ¥0.13015
  • 200+:

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  • 600+:

    ¥0.099352
  • 2000+:

    ¥0.094573
  • 10000+:

    ¥0.092449
  • 20000+:

    ¥0.091399
  • 香港(美元)
    $0.013256 (约¥0.084754)
    $0.012888 (约¥0.082401)
    $0.012643 (约¥0.080834)
  • 1+:

    $0.013256
  • 18000+:

    $0.012888
  • 33000+:

    $0.012643
  • 江苏仓库存: 217240
    广东仓库存: 14520
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 圆盘
  • 圆盘
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S8050
  • 编号:C2891804
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  • 50+:

    ¥0.056344
  • 500+:

    ¥0.04148
  • 1500+:

    ¥0.03875
  • 5000+:

    ¥0.03602
  • 25000+:

    ¥0.034807
  • 50000+:

    ¥0.034207
  • 香港(美元)
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • 江苏仓库存: 143350
    广东仓库存: 1300
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 总额:¥0
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ULN2003D1013TR
  • 封装: SOIC-16_150mil
  • 品牌: ST(意法半导体)
  • 型号: ULN2003D1013TR
  • 描述: 达林顿驱动器,7通道(7-ch),输出电压:50V
  • 编号:C61273
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  • 1+:

    ¥0.9026
  • 10+:

    ¥0.6903
  • 30+:

    ¥0.6372
  • 100+:

    ¥0.5682
  • 500+:

    ¥0.5364
  • 1000+:

    ¥0.531
  • 香港(美元)
    $0.081187 (约¥0.519077)
    $0.078932 (约¥0.50466)
    $0.077429 (约¥0.49505)
  • 1+:

    $0.081187
  • 15000+:

    $0.078932
  • 27500+:

    $0.077429
  • 江苏仓库存: 187849
    广东仓库存: 180594
  • 2500片/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 总额:¥0
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返采
购金
S8050 SOT-23
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: Slkor(萨科微)
  • 型号: S8050
  • 描述:晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):300mW SOT-23
  • 编号:C444723
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  • 内地(含税价)
  • 50+:

    ¥0.078052
  • 500+:

    ¥0.059402
  • 1500+:

    ¥0.055977
  • 5000+:

    ¥0.052551
  • 25000+:

    ¥0.051029
  • 50000+:

    ¥0.050277
  • 香港(美元)
    $0.007275 (约¥0.046513)
    $0.007073 (约¥0.045222)
    $0.006939 (约¥0.044365)
  • 1+:

    $0.007275
  • 18000+:

    $0.007073
  • 33000+:

    $0.006939
  • 江苏仓库存: 576500
    广东仓库存: 250450
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 总额:¥0
    已优惠0元!
  • 已加购
MMBT5551LT1G
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBT5551LT1G
  • 描述:晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):160V 功率(Pd):225mW 高压硅NPN型晶体管
  • 编号:C41095
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  • 9.8 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯10
    • 第二阶梯10
    • 第三阶梯10
    • 第四阶梯9.8
    • 第五阶梯9.8
    • 第六阶梯9.8
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  • 内地(含税价)
    • 10+:
    • 100+:
    • 300+:
    • 1000+:
    • 5000+:
    • 10000+:
    • 折后价
    • ¥0.352654
    • ¥0.2732
    • ¥0.253337
    • ¥0.222964
    • ¥0.211284
    • ¥0.209338
    • 原价
    • ¥0.352654
    • ¥0.2732
    • ¥0.253337
    • ¥0.227514
    • ¥0.215596
    • ¥0.21361
  • 10+:

    ¥0.352654
  • 100+:

    ¥0.2732
  • 300+:

    ¥0.253337
  • 1000+:

    ¥0.222964
  • 5000+:

    ¥0.211284
  • 10000+:

    ¥0.209338
  • 香港(美元)
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • 江苏仓库存: 8650
    广东仓库存: 307580
  • 3000只/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 总额:¥0
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  • 已加购
PMBT3906,215
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 型号: PMBT3906,215
  • 描述:晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):200mA 集射极击穿电压(Vceo):40V 功率(Pd):250mW PNP,Vceo=-40V,Ic=-200mA
  • 编号:C8670
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  • 内地(含税价)
  • 50+:

    ¥0.086415
  • 500+:

    ¥0.062466
  • 1500+:

    ¥0.058067
  • 5000+:

    ¥0.053668
  • 25000+:

    ¥0.051713
  • 50000+:

    ¥0.050747
  • 香港(美元)
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • 江苏仓库存: 401450
    广东仓库存: 543400
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 总额:¥0
    已优惠0元!
  • 已加购
YJL3400A
  • 封装: SOT-23-3L
  • 品牌: YANGJIE(扬杰)
  • 型号: YJL3400A
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.6A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@10V,5.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
  • 编号:C699302
  • 数据手册
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    1000-100
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  • 10+:

    ¥0.195236
  • 100+:

    ¥0.150849
  • 300+:

    ¥0.139752
  • 1000+:

    ¥0.125326
  • 5000+:

    ¥0.118668
  • 10000+:

    ¥0.117559
  • 香港(美元)
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • 江苏仓库存: 35500
    广东仓库存: 400
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 总额:¥0
    已优惠0元!
  • 已加购
ULN2003ADR
  • 封装: SOIC-16_150mil
  • 品牌: TI(德州仪器)
  • 型号: ULN2003ADR
  • 描述: ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列
  • 编号:C7512
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2N7002
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: JSMSEMI(杰盛微)
  • 型号: 2N7002
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):430mA 功率(Pd):830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9Ω@10V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):305nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):30pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):3pF@25V 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
  • 编号:C916396
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2N7002 7002
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号: 2N7002
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
  • 编号:C8545
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中低压MOS
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: YANGJIE(扬杰)
  • 型号: YJL3401A
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.4A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250μA P沟道
  • 编号:C393520
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AON7934
  • 封装: Power-DFN-3x3A
  • 品牌: AOS
  • 型号: AON7934
  • 描述:类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):- 功率(Pd):- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 阈值电压(Vgs(th)@Id):- 栅极电荷(Qg@Vgs):- 输入电容(Ciss@Vds):- 反向传输电容(Crss@Vds):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- Q1:N沟道,30V,16A,10.2mΩ@10V Q2:N沟道,30V,18A,7.7mΩ@10V
  • 编号:C485677
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CJ2301 S1
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号: CJ2301 S1
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA 栅极电荷(Qg@Vgs):- 输入电容(Ciss@Vds):- 反向传输电容(Crss@Vds):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- P沟道,-20V,-2.3A,112mΩ@-4.5V
  • 编号:C8547
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