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三极管/MOS管/晶体管

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参考封装

  • SOT-23-3
  • TO-220-3
  • TO-252-3
  • SOP-8/SOIC-8
  • TO-263-3
  • DFN-8
  • TO-247-3
  • SOT-323
  • SOT-223-3
  • SOT-89-3

商品标签

  • aec-q101
  • 无铅
  • 高增益
  • trench mos
  • mos驱动
  • 平面高压mos
  • ppap
  • 高速
  • 高压
  • 低内阻

封装/规格

  • -
  • 1212-8
  • 3.3x3.3
  • 34mm
  • 5x6
  • 62mm
  • 8-PowerTDFN
  • 8-PowerWDFN
  • AG-34mm-1
  • AG-62mm

品牌/产地

  • ADI(亚德诺)
  • ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
  • AF(晶岳)
  • Agertech(艾吉芯)
  • AGM-Semi(芯控源)
  • ALD
  • ALLEGRO(美国埃戈罗)
  • ALLPOWER(铨力)
  • AM(安美)
  • Amphenol

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

嘉立创SMT

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63968
  • 型号: PMBT3904,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V NPN,Vceo=40V,Ic=200mA
  • 编号:C8667
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  • 型号: SS8050
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V Y1 200-350 NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A,hfe=200~350,丝印Y1
  • 编号:C2150
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  • 型号: MMBT5551
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@10mA,5V G1 H档200-300 NPN,Vceo=160V,Ic=600mA,hfe=200~300
  • 编号:C2145
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  • 型号: MMBT3904
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 1AM 100-300 NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A,hfe=100~300,丝印1A
  • 编号:C20526
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  • 型号: S8050 J3Y
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V (200-350) NPN,Vceo=25V,Ic=0.5A,hfe=200~350,丝印J3Y
  • 编号:C2146
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  • 型号: S8050
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW
  • 编号:C181158
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  • 型号: S9013 J3
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V (200-350) NPN,Vceo=25V,Ic=500mA,hfe=200~350,丝印J3
  • 编号:C6749
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  • 型号: LMBT3904LT1G
  • 品牌: LRC(乐山无线电)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V NPN,Vceo=40V,Ic=200mA
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  • 型号: 2N7002
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
  • 编号:C8545
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  • 型号: MMBT5401
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):150V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@10mA,5V H档200-300 PNP,Vceo=-150V,Ic=-0.6A,hfe=200~300,丝印2L
  • 编号:C8326
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  • 型号: MMBT3904
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V
  • 编号:C181119
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  • 型号: SS8550 Y2
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V Y2 200-350 PNP,Vceo=-25V,Ic=-1.5A,hfe=200~350
  • 编号:C8542
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  • 型号: SS8050
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V H档(200-350)
  • 编号:C181160
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  • 型号: S8050
  • 品牌: YONGYUTAI(永裕泰)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW
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  • 型号: SS8050
  • 品牌: Slkor(萨科微)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW SOT-23
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  • 型号: AO3401A
  • 品牌: UMW(友台半导体)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.2A,10V -
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  • 型号: ULN2003ADR
  • 品牌: TI(德州仪器)
  • 封装: SOP-16
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):13V@2V,300mA 集电极电流(Ic):500mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.6V@350mA ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列
  • 编号:C7512
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  • 型号: AO3400A
  • 品牌: UMW(友台半导体)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.8A -
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  • 型号: AO3401A
  • 品牌: AOS
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):44mΩ@10V,4.3A P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V
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  • 型号: 2N7002K
  • 品牌: MDD
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):500mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V 防静电 应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
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  • 型号: CJ2301 S1
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):112mΩ@4.5V,2.8A P沟道,-20V,-2.3A,112mΩ@-4.5V
  • 编号:C8547
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  • 型号: MMBT5551
  • 品牌: GOODWORK(固得沃克)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
  • 编号:C909756
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