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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 >
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三极管/MOS管/晶体管

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106626
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    • 晶体管类型: NPN
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 耗散功率(Pd): 300mW
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    • 60000+: 

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    • 数量: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 50V
    • 连续漏极电流(Id): 340mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@10V,340mA
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 直流电流增益(hFE): 100@10mA,1.0V
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  • 9.3 折
    • 订单数量按照以下:
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