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三极管/MOS管/晶体管

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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 1.5A
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
  • 功率(Pd): 300mW
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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 600mA
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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 200mA
  • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 500mA
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
  • 功率(Pd): 300mW
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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 200mA
  • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 200mA
  • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
  • 功率(Pd): 225mW
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 115mA
  • 功率(Pd): 200mW
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  • 晶体管类型: PNP
  • 集电极电流(Ic): 1.5A
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
  • 功率(Pd): 300mW
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  • AO3401A
  • 品牌: AOS
  • 封装: SOT-23
  • 描述: P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V
  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 4A
  • 功率(Pd): 1.4W
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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 500mA
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
  • 功率(Pd): 300mW
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4.2A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 500mA
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 第三阶梯9.5
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    • 广东仓: 310K+
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    • AO3400A
    • 品牌: AOS
    • 封装: SOT-23-3L
    • 描述: N沟道,30V,5.7A,26.5mΩ@10V
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 5.7A
    • 功率(Pd): 1.4W
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    • 3000个/圆盘
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 250mW
    • 50+: 

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    • 广东仓: 93K+
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    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 广东仓: 324K+
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    • SI2301-ZE
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,提供高效、精准的功率控制解决方案。
    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.3A
    • 功率(Pd): 700mW
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    • 广东仓: 587K+
      江苏仓: 435K+
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    • 3000个/圆盘
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    • 近期成交100单+
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 150V
    • 功率(Pd): 300mW
    • 50+: 

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    • 广东仓: 229K+
      江苏仓: 349K+
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    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 漏源电压(Vdss): 30V
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    • 品牌: MSKSEMI(美森科)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此款N沟道MOS管采用SOT-23封装,他具备低内阻,低功耗,搭载连续漏极电流(Id):300MA,VDSS:60V,被广泛应用于各种电子设备中,包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用,是你PCB中理想的7002
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 300mA
    • 功率(Pd): 350mW
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    • 通道数: 七路
    • 集射击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 最大输入电压(VI): 30V
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 225mW
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 115mA
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • SI2302-HXY
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,额定电流为2.8A。具有低导通电阻和快速开关功能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,实现高效、稳定的功率转换与控制,是现代电子产品理想的节能组件。
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.8A
    • 功率(Pd): 900mW
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    • 广东仓: 57K+
      江苏仓: 49K+
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    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 250mW
    • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 250@100mA,1V
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