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三极管/MOS管/晶体管

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94302
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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 1.5A
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
  • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 类型: N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 115mA
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 广东仓: 28K+
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    • S8050
    • 品牌: JSMSEMI(杰盛微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 适用于低功耗、高增益电路设计,是各类精密电子设备和小型化项目的优质选择。
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
    • 特征频率(fT): 150MHz
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    • 3000+: 

      ¥0.024095
    • 9000+: 

      ¥0.021597
    • 45000+: 

      ¥0.019432
    • 90000+: 

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    • 广东仓: 536K+
      江苏仓: 459K+
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 225mW
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      江苏仓: 680K+
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    • AO3401A
    • 品牌: AOS
    • 封装: SOT-23
    • 描述: P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V
    • 类型: P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 功率(Pd): 1.4W
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
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    • AO3400A
    • 品牌: AOS
    • 封装: SOT-23-3L
    • 描述: N沟道,30V,5.7A,26.5mΩ@10V
    • 类型: N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 5.7A
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    • 类型: N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 115mA
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    • 通道数: 七路
    • 集射击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 500mA
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    • 类型: P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4.2A
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    • 类型: P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.3A
    • 功率(Pd): 350mW
  • PLUS专享9.6折
    • 订单数量按照以下:
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    • 广东仓: 9380
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    • MMBT5551
    • 品牌: JSMSEMI(杰盛微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 适用于高压、中等电流环境下的线性放大与开关电路设计,是电子设备和工业控制的理想半导体器件。
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 功率(Pd): 250mW
    • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 80@10mA,5V
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    • 第五阶梯9.5
    • 第六阶梯9.5
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