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三极管/MOS管/晶体管

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97542
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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 1.5A
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
  • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 115mA
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 250mW
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 250mW
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    • 广东仓: 124K+
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    • AO3401A
    • 品牌: AOS
    • 封装: SOT-23
    • 描述: P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V
    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 功率(Pd): 1.4W
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 250mW
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
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      江苏仓: 398K+
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 500mA
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: NPN
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
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    • 2N7002K
    • 品牌: MSKSEMI(美森科)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此款N沟道MOS管采用SOT-23封装,他具备低内阻,低功耗,搭载连续漏极电流(Id):300MA,VDSS:60V,被广泛应用于各种电子设备中,包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用,是你PCB中理想的7002
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 300mA
    • 功率(Pd): 350mW
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    • 封装:  SOT-23
      描述: 此款N沟道MOS管采用SOT-23封装,他具备低内阻,低功耗,搭载连续漏极电流(Id):300MA,VDSS:60V,被广泛应用于各种电子设备中,包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用,是你PCB中理想的7002
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 150V
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    • AO3400A
    • 品牌: AOS
    • 封装: SOT-23-3L
    • 描述: N沟道,30V,5.7A,26.5mΩ@10V
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 5.7A
    • 功率(Pd): 1.4W
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    • SI2301-ZE
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,提供高效、精准的功率控制解决方案。
    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.3A
    • 功率(Pd): 700mW
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4.2A
    • 功率(Pd): 1.4W
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 65V
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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