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当前“

晶体管

”共 11798件相关商品

参考封装

  • SOT-23
  • TO-220
  • SOP-8
  • SOT-89
  • TO-92
  • SOT-323
  • DFN
  • TO-263
  • TO-252-2(DPAK)
  • SOT-353

封装/规格

  • -
  • 1206-8 ChipFET
  • 2-1T1A
  • 2-21F1A-3
  • 2-2U1A
  • 2-3S1C
  • 2-5N1A
  • 5-DFN
  • 6-TSSOP
  • 8-MLP(Power33)

品牌/产地

  • ADI(亚德诺)
  • ALLPOWER(铨力)
  • ANACHIP(易亨电子)
  • AnBon(台湾安邦)
  • ANPEC(茂达电子)
  • AOS
  • AP
  • APEC(富鼎)
  • Axelite(台湾亚瑟莱特)
  • BL(上海贝岭)

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装
筛选结果: 11798

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-
符合条件商品: 11798
PMBT3904,215
  • 商品编号:C8667
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:250mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=40V,Ic=200mA
知名品牌
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.038387
  • 500+:

    ¥0.027906
  • 1500+:

    ¥0.026019
  • 5000+:

    ¥0.024132
  • 25000+:

    ¥0.022875
  • 50000+:

    ¥0.022665
  • 100000+:

    报价
MMBT3904LT1G
  • 商品编号:C81464
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:NPN NPN
授权代理
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.045985
  • 500+:

    ¥0.033695
  • 1500+:

    ¥0.031482
  • 5000+:

    ¥0.027807 ¥0.02927
  • 25000+:

    ¥0.026405 ¥0.027795
  • 50000+:

    ¥0.026173 ¥0.02755
PMBT3906,215
  • 商品编号:C8670
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:250mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-40V,Ic=-200mA
知名品牌
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.036974
  • 500+:

    ¥0.026981
  • 1500+:

    ¥0.025182
  • 5000+:

    ¥0.023384
  • 25000+:

    ¥0.022184
  • 50000+:

    ¥0.021985
  • 100000+:

    报价
2N7002,215
  • 商品编号:C65189
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5 Ω @ 500mA,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):830mW N沟道,60V,0.3A,5Ω@10V
知名品牌
  • 含增值税
  • 20+:

    ¥0.098647
  • 200+:

    ¥0.071245
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    ¥0.066313
  • 2000+:

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  • 10000+:

    ¥0.058092
  • 20000+:

    ¥0.057544
  • 40000+:

    报价
2N7002LT1G
  • 商品编号:C16338
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5 Ω @ 500mA,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):225mW N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V
授权代理
  • 含增值税
  • 20+:

    ¥0.10476
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  • 20000+:

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  • 40000+:

    报价
SS8050 Y1 200-350 .
  • 商品编号:C2150
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN . NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A,hfe=200~350,丝印Y1
授权代理
  • 含增值税
  • 20+:

    ¥0.095383
  • 200+:

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  • 600+:

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    ¥0.058164
  • 40000+:

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S8050 (200-350)
  • 商品编号:C2146
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=25V,Ic=0.5A,hfe=200~350,丝印J3Y
授权代理
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.099587
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    ¥0.06312
  • 100000+:

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S9013 J3 (200-350) .
  • 商品编号:C6749
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN . NPN,Vceo=25V,Ic=500mA,hfe=200~350,丝印J3
授权代理
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.093408
  • 500+:

    ¥0.068932
  • 1500+:

    ¥0.064436
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    ¥0.05994
  • 25000+:

    ¥0.057942
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    ¥0.056955
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MMBT5551 G1 H档200-300 .
  • 商品编号:C2145
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:600mA 集射极击穿电压Vce:160V 晶体管类型:NPN . NPN,Vceo=160V,Ic=600mA,hfe=200~300
授权代理
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.093733
  • 500+:

    ¥0.069743
  • 1500+:

    ¥0.065336
  • 5000+:

    ¥0.06093
  • 25000+:

    ¥0.058972
  • 50000+:

    ¥0.058004
  • 100000+:

    报价
S8550 (200-350) .
  • 商品编号:C2147
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:PNP . PNP,Vceo=-25V,Ic=-0.5A,hfe=200~350,丝印2TY
授权代理
  • 含增值税
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    ¥0.096617
  • 500+:

    ¥0.072626
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    ¥0.061854
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    ¥0.060886
  • 100000+:

    报价
S9013  L档(120-200)
  • 商品编号:C107404
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN NPN
授权代理
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.098994
  • 500+:

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    ¥0.062837
  • 50000+:

    ¥0.06183
  • 100000+:

    报价
L8050HQLT1G
  • 商品编号:C39280
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:225mW 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=25V,Ic=1500mA
知名品牌
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.071883
  • 500+:

    ¥0.054393
  • 1500+:

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  • 5000+:

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  • 25000+:

    ¥0.046541
  • 50000+:

    ¥0.045835
  • 100000+:

    报价
S8050 H档 200-350
  • 商品编号:C111272
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=25V,Ic=500mA,hfe=200~350,丝印J3Y
授权代理
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.059639
  • 500+:

    ¥0.044136
  • 1500+:

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    ¥0.038442
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    ¥0.037176
  • 50000+:

    ¥0.036551
  • 100000+:

    报价
MMBT3904 1AM  100-300
  • 商品编号:C20526
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:200mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A,hfe=100~300,丝印1A
授权代理
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.072464
  • 500+:

    ¥0.05447
  • 1500+:

    ¥0.051165
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    ¥0.046391
  • 50000+:

    ¥0.045665
  • 100000+:

    报价
LMBT3904LT1G
  • 商品编号:C49580
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:225mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=40V,Ic=200mA
知名品牌
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.043289
  • 500+:

    ¥0.032045
  • 1500+:

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    ¥0.026996
  • 50000+:

    ¥0.026543
  • 100000+:

    报价
M8550 丝印Y21
  • 商品编号:C18760
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:200mW 集电极电流Ic:800mA 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-25V,Ic=-0.8A
授权代理
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.102947
  • 500+:

    ¥0.077965
  • 1500+:

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  • 5000+:

    ¥0.068788
  • 25000+:

    ¥0.066749
  • 50000+:

    ¥0.065741
  • 100000+:

    报价
2N7002 7002
  • 商品编号:C8545
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5 Ω @ 500mA,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):200mW N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
授权代理
  • 含增值税
  • 20+:

    ¥0.109054
  • 200+:

    ¥0.081565
  • 600+:

    ¥0.076516
  • 2000+:

    ¥0.071467
  • 10000+:

    ¥0.069223
  • 20000+:

    ¥0.068114
  • 40000+:

    报价
MMBT3904
  • 商品编号:C84104
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:350mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=40V,Ic=200mA,350mW 此款型号丝印有4种:1AM,1E,T1A,T04,会随机发货
知名品牌
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.050187
  • 500+:

    ¥0.037674
  • 1500+:

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  • 25000+:

    ¥0.032056
  • 50000+:

    ¥0.031551
  • 100000+:

    报价
MMBT5401 H档200-300 .
  • 商品编号:C8326
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:600mA 集射极击穿电压Vce:150V 晶体管类型:PNP . PNP,Vceo=-150V,Ic=-0.6A,hfe=200~300,丝印2L
授权代理
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.096613
  • 500+:

    ¥0.072623
  • 1500+:

    ¥0.068216
  • 5000+:

    ¥0.06381
  • 25000+:

    ¥0.061852
  • 50000+:

    ¥0.060884
  • 100000+:

    报价
LMBT5401LT1G
  • 商品编号:C57683
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:225mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:150V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-150V,Ic=-500mA
知名品牌
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.069271
  • 500+:

    ¥0.052277
  • 1500+:

    ¥0.049156
  • 5000+:

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  • 25000+:

    ¥0.044648
  • 50000+:

    ¥0.043962
  • 100000+:

    报价
MMBT5551  G1  L档100-200 .
  • 商品编号:C28088
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:350mW 集电极电流Ic:600mA 集射极击穿电压Vce:160V 晶体管类型:NPN . NPN,Vceo=160V,Ic=600mA,hfe=100~200
授权代理
  • 含增值税
  • 20+:

    ¥0.100651
  • 200+:

    ¥0.075658
  • 600+:

    ¥0.071067
  • 2000+:

    ¥0.066477
  • 10000+:

    ¥0.064436
  • 20000+:

    ¥0.063428
  • 40000+:

    报价
SS8050 J档 300-400
  • 商品编号:C177739
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A
授权代理
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.098626
  • 500+:

    ¥0.074135
  • 1500+:

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  • 25000+:

    ¥0.06314
  • 50000+:

    ¥0.062152
  • 100000+:

    报价
MMBT3906    100-300
  • 商品编号:C2143
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:200mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-40V,Ic=-0.2A,hfe=100~300,丝印2A
授权代理
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.08133
  • 500+:

    ¥0.061181
  • 1500+:

    ¥0.05748
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    ¥0.052134
  • 50000+:

    ¥0.051321
  • 100000+:

    报价
MMBT8550D(1.5A)Y2
  • 商品编号:C118043
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:200mW 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:PNP PNP,大电流1.5A,丝印Y2,hfe=160~400
知名品牌
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.075398
  • 500+:

    ¥0.056905
  • 1500+:

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    ¥0.048602
  • 50000+:

    ¥0.047856
  • 100000+:

    报价
MMBTA05 1H  100-400
  • 商品编号:C9990
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:60V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=60V,Ic=0.5A,hfe=100~400
授权代理
  • 含增值税
  • 20+:

    ¥0.158556
  • 200+:

    ¥0.119572
  • 600+:

    ¥0.112411
  • 2000+:

    ¥0.105251
  • 10000+:

    ¥0.102068
  • 20000+:

    ¥0.100496
  • 40000+:

    报价
2N7002
  • 商品编号:C181082
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5 Ω @ 500mA,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):225mW
授权代理
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.076063
  • 500+:

    ¥0.056394
  • 1500+:

    ¥0.052781
  • 5000+:

    ¥0.049168
  • 25000+:

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LMBT3906LT1G
  • 商品编号:C12091
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:225mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-40V,Ic=-200mA
知名品牌
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S9013 200-350
  • 商品编号:C111269
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=25V,Ic=500mA,hfe=200~350
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MMBT3904
  • 商品编号:C181119
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:250mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:NPN
授权代理
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AO3480
  • 商品编号:C350817
  • 封装规格: SOT-23
  • 品牌: AOS
  • 型号: AO3480
描述: 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.7A 栅源极阈值电压:1.45V @ 250uA 漏源导通电阻:26.5 mΩ @ 5.7A,10V 最大功率耗散(Ta):1.4W 类型:N 沟道 替代AO3400A MOS管AO3480_5.7A30V_SOT23_AOS
国际品牌
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