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三极管/MOS管/晶体管

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参考封装

  • SOT-23-3
  • TO-220-3
  • TO-252-3
  • SOP-8/SOIC-8
  • DFN-8
  • TO-263-3
  • TO-247-3
  • SOT-323
  • SOT-223-3
  • SOT-89-3

商品标签

  • 无铅
  • aec-q101
  • 高增益
  • ppap
  • mos驱动
  • 低导通电阻
  • 高速
  • 低损耗
  • 高压
  • 低噪声

封装/规格

  • -
  • 0603
  • 1.0×0.52×0.38
  • 10.16mmx6.60mm
  • 1206-8 ChipFET
  • 1206-ChipFET-8
  • 1206A-03
  • 1210
  • 1212-8
  • 18084520

品牌/产地

  • ADI(亚德诺)/LINEAR(凌特)
  • AF(晶岳)
  • Agertech(艾吉芯)
  • ALD
  • ALLEGRO(美国埃戈罗)
  • ALLPOWER(铨力)
  • Amphenol
  • Ampleon(安谱隆)
  • AnBon(安邦)
  • ANPEC(茂达电子)

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

嘉立创SMT

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筛选结果: 52413

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符合条件商品:共 52413
  • 型号: SS8050
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) Y1 200-350 NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A,hfe=200~350,丝印Y1
  • 编号:C2150
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    • ¥0.065684
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  • 型号: BC817-40,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):250mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) NPN,Vceo=45V,Ic=500mA,hfe=250~600
  • 编号:C52801
  • 数据手册
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    • 订单数量按照以下:
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  • 型号: MMBT3904
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 1AM 100-300 NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A,hfe=100~300,丝印1A
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  • 型号: MMBT5551
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@10mA,5V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) G1 H档200-300 NPN,Vceo=160V,Ic=600mA,hfe=200~300
  • 编号:C2145
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  • 江苏仓: 270050
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  • 型号: S8050 J3Y
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) (200-350) NPN,Vceo=25V,Ic=0.5A,hfe=200~350,丝印J3Y
  • 编号:C2146
  • 数据手册
  • 9.8 折
    • 订单数量按照以下:
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    • 第二阶梯10
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    • 第五阶梯9.8
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    • ¥0.072731
    • ¥0.063518
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    ¥0.052767
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  • 江苏仓: 387050
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广东SMT仓: 1281k
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  • 型号: MMBT3904
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
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  • 江苏仓: 252150
    广东仓: 397800
广东SMT仓: 436678
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  • 近期成交:100单+
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  • 型号: 2N7002
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
  • 编号:C8545
  • 数据手册
  • 9.8 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯10
    • 第二阶梯10
    • 第三阶梯10
    • 第四阶梯9.8
    • 第五阶梯9.8
    • 第六阶梯9.8
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  • 内地(含税价)
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    • ¥0.071904
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    ¥0.071904
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    ¥0.060253
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    ¥0.058308
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  • 江苏仓: 279050
    广东仓: 385300
广东SMT仓: 721712
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  • 型号: AO3400A
  • 品牌: UMW(友台半导体)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA -
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  • 江苏仓: 279440
    广东仓: 163510
广东SMT仓: 180491
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  • 型号: S9013 J3
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) (200-350) NPN,Vceo=25V,Ic=500mA,hfe=200~350,丝印J3
  • 内地(含税价)
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  • 型号: S8050
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
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  • 江苏仓: 320200
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广东SMT仓: 246888
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  • 型号: SS8050
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) H档(200-350)
  • 内地(含税价)
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  • 江苏仓: 265750
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广东SMT仓: 239297
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  • 近期成交:100单+
  • 总额:¥0
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  • 型号: SS8550 Y2
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) Y2 200-350 PNP,Vceo=-25V,Ic=-1.5A,hfe=200~350
  • 编号:C8542
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  • 型号: BC847B,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):250mW NPN,Vceo=45V,Ic=100mA,hfe=200~450
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  • 型号: MMBT5401
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):150V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@10mA,5V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) H档200-300 PNP,Vceo=-150V,Ic=-0.6A,hfe=200~300,丝印2L
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  • 型号: ULN2003ADR
  • 品牌: TI(德州仪器)
  • 封装: SOIC-16
  • 描述: ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列
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  • 型号: S8050
  • 品牌: 晶导微电子
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) NPN 25V 0.5A 0.3W 150MHz hfe:120-400 S8050 H档 200-350
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  • 型号: PMBT2222A,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):250mW 集电极截止电流(Icbo):10nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:+150℃@(Tj) NPN,Vceo=40V,Ic=600mA
  • 编号:C23869
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    • 订单数量按照以下:
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    • 第三阶梯10
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广东SMT仓: 190208
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  • 型号: LMBT3904LT1G
  • 品牌: LRC(乐山无线电)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):225mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) NPN,Vceo=40V,Ic=200mA
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  • 型号: DTC143ZCA
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW
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广东SMT仓: 25346
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  • 型号: AO3401A
  • 品牌: AOS
  • 封装: SOT-23-3L
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):44mΩ@10V,4.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V
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    广东仓: 67800
广东SMT仓: 224723
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  • 型号: NX7002AK,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):190mA 功率(Pd):265mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA
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  • 型号: AP2302B
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.8A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@50uA
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广东SMT仓: 117278
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  • 型号: S8050
  • 品牌: YONGYUTAI(永裕泰)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):1uA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA 工作温度:+150℃@(Tj)
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    广东仓: 103550
广东SMT仓: 118719
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  • 型号: SI2302
  • 品牌: YONGYUTAI(永裕泰)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):800mV@250uA 工作温度:+150℃@(Tj)