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三极管(BJT)

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19177
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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 1.5A
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
  • 功率(Pd): 300mW
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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 600mA
  • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
  • 功率(Pd): 300mW
  • 50+: 

    ¥0.085801
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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 200mA
  • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
  • 功率(Pd): 250mW
  • 50+: 

    ¥0.04998
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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 500mA
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
  • 功率(Pd): 300mW
  • 50+: 

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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 200mA
  • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
  • 功率(Pd): 200mW
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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 200mA
  • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
  • 功率(Pd): 225mW
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  • 晶体管类型: PNP
  • 集电极电流(Ic): 1.5A
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
  • 功率(Pd): 300mW
  • 50+: 

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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 500mA
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
  • 功率(Pd): 300mW
  • 50+: 

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    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
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      ¥0.026042
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      ¥0.02543
    • 6000+: 

      ¥0.023897
    • 24000+: 

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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 250mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 150V
    • 功率(Pd): 300mW
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      ¥0.084818
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    • 50+: 

      ¥0.059706
    • 500+: 

      ¥0.047308
    • 3000+: 

      ¥0.040972
    • 6000+: 

      ¥0.036839
    • 24000+: 

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    • 51000+: 

      ¥0.034084
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    • 广东仓: 139K+
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 51000+: 

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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 225mW
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    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 250mW
    • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 250@100mA,1V
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    • 晶体管类型: NPN
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    • S8050
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此款SOT-23封装的NPN型三极管,具有25V的高耐压值VCEO及0.5A的集电极电流IC,其放大倍数稳定在200至300之间,适用于低功耗、高增益电路设计,是各类精密电子设备和小型化项目的优质选择。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
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    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
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    • 集电极电流(Ic): 600mA
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    • MMBT5551
    • 品牌: JSMSEMI(杰盛微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 适用于高压、中等电流环境下的线性放大与开关电路设计,是电子设备和工业控制的理想半导体器件。
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 功率(Pd): 250mW
    • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 80@10mA,5V
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