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三极管(BJT)

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18948
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  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 1.5A
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
  • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 250mW
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      流程: 查看详情
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
    SMT基础库
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 订单数量按照以下:
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    • 第二阶梯9.5
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      ¥0.030638
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      ¥0.027574
    • 24000+: 

      ¥0.026348
    • 51000+: 

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    • 晶体管类型: NPN
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    1000-100
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    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.5
    • 第二阶梯9.5
    • 第三阶梯9.5
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    • 第五阶梯9.5
    • 第六阶梯9.5
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      • ¥0.0158
      • ¥0.014275
      • ¥0.013452
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      • ¥0.015026
      • ¥0.01416
    • 100+: 

      ¥0.025781
    • 1000+: 

      ¥0.020497
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      ¥0.017562
    • 9000+: 

      ¥0.0158
    • 45000+: 

      ¥0.014275
    • 90000+: 

      ¥0.013452
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    • 广东仓: 852K+
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    • 近期成交100单+
      已加购
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 150V
    • 功率(Pd): 300mW
  • 领券
    3000-150
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  • 9.7 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯10
    • 第二阶梯10
    • 第三阶梯10
    • 第四阶梯9.7
    • 第五阶梯9.7
    • 第六阶梯9.7
  • SMT基础库
    • 9.7 折
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      • ¥0.086079
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      • ¥0.051173
      • ¥0.048749
      • ¥0.047133
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      • ¥0.086079
      • ¥0.067335
      • ¥0.059004
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      ¥0.067335
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      ¥0.059004
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      ¥0.051173
    • 24000+: 

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    • 51000+: 

      ¥0.047133
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
  • 领券
    3000-150
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  • 9.7 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯10
    • 第二阶梯10
    • 第三阶梯10
    • 第四阶梯9.7
    • 第五阶梯9.7
    • 第六阶梯9.7
  • SMT基础库
    • 9.7 折
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      • ¥0.069921
      • ¥0.061512
      • ¥0.05355
      • ¥0.051103
      • ¥0.049471
      • 原价
      • ¥0.08884
      • ¥0.069921
      • ¥0.061512
      • ¥0.055206
      • ¥0.052683
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      ¥0.05355
    • 24000+: 

      ¥0.051103
    • 51000+: 

      ¥0.049471
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    • 近期成交100单+
      已加购
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
  • 领券
    200-30
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  • SMT扩展库
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    • 51000+: 

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    • 99000+: 

      ¥0.022468
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      江苏仓: 343K+
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    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
      已加购
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 225mW
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    • 6000+: 

      ¥0.024806
    • 24000+: 

      ¥0.023605
    • 51000+: 

      ¥0.022805
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
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    • 集电极电流(Ic): 200mA
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
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    • MMBT5551
    • 品牌: JSMSEMI(杰盛微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 适用于高压、中等电流环境下的线性放大与开关电路设计,是电子设备和工业控制的理想半导体器件。
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 功率(Pd): 250mW
    • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 80@10mA,5V
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    • 封装:  SOT-23
      描述: 适用于高压、中等电流环境下的线性放大与开关电路设计,是电子设备和工业控制的理想半导体器件。
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 65V
    • 功率(Pd): 250mW
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    • 订单数量按照以下:
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    • 广东仓: 316K+
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    • S8550
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该款SOT-23封装PNP三极管,具备25V的高耐压VCEO和0.5A集电极电流承载力,放大倍数稳定在200至300之间,专为精密电子设备设计,提供高效、稳定的信号放大及开关控制功能。
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
  • 领券
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    • 3000个/圆盘
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    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 250mW
    • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 250@100mA,1V
  • 9.8 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.8
    • 第二阶梯9.8
    • 第三阶梯9.8
    • 第四阶梯9.8
    • 第五阶梯9.8
    • 第六阶梯9.8
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    • 9.8 折
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