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三极管(BJT)

”共 8358件相关商品

品牌/产地

  • ADI(亚德诺)/LINEAR(凌特)
  • AF(晶岳)
  • Agertech(艾吉芯)
  • AnBon(安邦)
  • BLUE ROCKET(蓝箭)
  • BORN(伯恩半导体)
  • CBI(创基)
  • Central(中环)
  • CJ(江苏长电/长晶)
  • Comchip(典琦)

封装/规格

  • -
  • 1206A-03
  • 369C
  • CP-3
  • CPH-3
  • CPH-5
  • CPH-6
  • CST-3
  • CST3
  • D2PAK

商品标签

  • aec-q101
  • 无铅
  • 高增益
  • ppap
  • 低噪声
  • 大电流容量
  • mos驱动
  • 高压
  • 高速
  • 高频率

晶体管类型

  • -
  • 1个NPN和1个PNP
  • 1个NPN和1个二极管
  • 1个NPN和1个齐纳二极管
  • 1个PNP和2个二极管
  • 2个NPN
  • 2个NPN(双)配对
  • 2个NPN(基极发射极结二极管)
  • 2个PNP
  • 2个NPN和2个PNP

集电极电流(Ic)

~
  • -
  • 5mA
  • 10mA
  • 15mA
  • 20mA
  • 25mA
  • 30mA
  • 35mA
  • 40mA
  • 45mA

集射极击穿电压(Vceo)

~
  • -
  • 2V
  • 2.25V
  • 2.5V
  • 2.8V
  • 3.25V
  • 3.5V
  • 4V
  • 4.2V
  • 4.5V

功率(Pd)

~
  • -
  • 0.5mW
  • 75mW
  • 100mW
  • 120mW
  • 125mW
  • 136mW
  • 150mW
  • 160mW
  • 165mW

集电极截止电流(Icbo)

~
  • -
  • 5pA
  • 25pA
  • 100pA
  • 1nA
  • 10nA
  • 15nA
  • 20nA
  • 25nA
  • 30nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)

~
  • -
  • 10mV@500mA,100mA
  • 30mV@1mA,100uA
  • 30mV@500mA,50mA
  • 30mV@100mA,10mA
  • 42mV@30A,3mA
  • 42mV@30mA,3mA
  • 50mV@1mA,100uA
  • 50mV@100mA,20mA
  • 50mV@100mA,10mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce)

~
  • 2.25@4.5A,5V
  • 4@4.5A,1V
  • 4@8A,5V
  • 4@16A,5V
  • 4@20A,5V
  • 4.5@6A,5V
  • 5@1A,2V
  • 5@10A,5V
  • 5@10A,1V
  • 5@10A,4V

特征频率(fT)

~
  • -
  • 1MHz
  • 1.5MHz
  • 2MHz
  • 2.5MHz
  • 3MHz
  • 4MHz
  • 5MHz
  • 7MHz
  • 8MHz

工作温度

~
  • -
  • -65℃~+200℃@(Tj)
  • -65℃~+175℃@(Tj)
  • -65℃~+150℃@(Tj)
  • -55℃~+175℃@(Tj)
  • -55℃~+105℃@(Ta)
  • -55℃~+125℃@(Tj)
  • -55℃~+200℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃@(Tj)
  • -50℃~+150℃@(Tj)

参考封装

  • SOT-23-3
  • SOT-89-3
  • TO-92-3
  • SOT-323
  • SOT-223-3
  • TO-220-3
  • SOT-363
  • TO-252-3
  • TO-126-3/TO-225AA
  • SOT-523

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

嘉立创SMT

  • smt扩展库
  • 尚未支持
  • smt基础库
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筛选结果: 8358

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符合条件商品:共 8358
  • 型号: SS8050
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23-3
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) Y1 200-350 NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A,hfe=200~350,丝印Y1
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  • 近期成交:100单+
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  • 型号: PMBT3904,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):250mW 集电极截止电流(Icbo):50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:+150℃@(Tj) NPN,Vceo=40V,Ic=200mA
  • 编号:C8667
  • 数据手册
  • 领券
    3000-150
    立即领取
    9 折
    • 订单数量按照以下:
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  • 封装: SOT-23
    型号:
    PMBT3904,215
    描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):250mW 集电极截止电流(Icbo):50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:+150℃@(Tj) NPN,Vceo=40V,Ic=200mA
  • 货期:
    成团后6-8工作日
    说明:
    无条件成团
    流程: 查看详情
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  • 计时:
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      000小时 0000
    参团:1人已参团
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    剩余可拼库存:210000
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  • 型号: MMBT5551
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23-3
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@10mA,5V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) G1 H档200-300 NPN,Vceo=160V,Ic=600mA,hfe=200~300
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  • 型号: MMBT3904
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 1AM 100-300 NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A,hfe=100~300,丝印1A
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  • 型号: BC817-40,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23-3L
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):250mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) NPN,Vceo=45V,Ic=500mA,hfe=250~600
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  • 型号: S8050 J3Y
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23-3L
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) (200-350) NPN,Vceo=25V,Ic=0.5A,hfe=200~350,丝印J3Y
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  • 型号: MMBT5401
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):150V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@10mA,5V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) H档200-300 PNP,Vceo=-150V,Ic=-0.6A,hfe=200~300,丝印2L
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  • 型号: S9013 J3
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) (200-350) NPN,Vceo=25V,Ic=500mA,hfe=200~350,丝印J3
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  • 型号: SS8550 Y2
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) Y2 200-350 PNP,Vceo=-25V,Ic=-1.5A,hfe=200~350
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  • 型号: MMBT3904
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 封装: SOT-23-3L
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
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  • 型号: MMBT2222ALT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):225mW NPN 双极晶体管 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
  • 编号:C82460
  • 数据手册
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    • 第六阶梯9.8
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  • 型号: S8050
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 封装: SOT-23-3L
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
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  • 型号: SS8050
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 封装: SOT-23-3L
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) H档(200-350)
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  • 型号: S8550
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23-3L
  • 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) L档120-200 PNP
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  • 型号: BC847B,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23-3L
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):250mW NPN,Vceo=45V,Ic=100mA,hfe=200~450
  • 编号:C57668
  • 数据手册
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    3000-150
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    9.6 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯10
    • 第二阶梯10
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    • 第四阶梯9.6
    • 第五阶梯9.6
    • 第六阶梯9.6
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  • 型号: S8050
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23-3L
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) L档 120-200 NPN
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  • 型号: S8050
  • 品牌: YONGYUTAI(永裕泰)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):1uA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA 工作温度:+150℃@(Tj)
  • 编号:C2891804
  • 数据手册
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  • 型号: S9012 2T1
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) (200-350) PNP,Vceo=-25V,Ic=-500mA,hfe=200~350,丝印2T1
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  • 型号: S8550
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 封装: SOT-23-3L
  • 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
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  • 型号: SS8050
  • 品牌: Slkor(萨科微)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) SOT-23
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  • 型号: S8050
  • 品牌: 晶导微电子
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) NPN 25V 0.5A 0.3W 150MHz hfe:120-400 S8050 H档 200-350
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  • 型号: MMBT3904
  • 品牌: GOODWORK(固得沃克)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):225mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
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  • 型号: MMBT5551
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23-3
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):350mW G1 L档100-200 NPN,Vceo=160V,Ic=600mA,hfe=100~200
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  • 型号: BCX56
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-89-3
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):500mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V 特征频率(fT):130MHz 工作温度:+150℃@(Tj) BL 100-250 NPN,Vceo=80V,Ic=1A,hfe=100~250
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  • 型号: LMBT3904LT1G
  • 品牌: LRC(乐山无线电)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):225mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) NPN,Vceo=40V,Ic=200mA
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  • 型号: S8050
  • 品牌: Slkor(萨科微)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) SOT-23
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  • 型号: MMBT5551
  • 品牌: Slkor(萨科微)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V 特征频率(fT):80MHz 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
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40V 800mA 三极管(BJT)
“SMT扩展库”
  • 型号: S8050 J3Y
  • 品牌: FOSAN(富信)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):800mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃
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  • 型号: S8550 2TY
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW (200-350) PNP,Vceo=-25V,Ic=-0.5A,hfe=200~350,丝印2TY
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  • 型号: D882 Y档160~320
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-89-3
  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):500mW Y档 160~320 NPN,Vceo=30V,Ic=3A
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