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当前“

MOS(场效应管)

”共 15611件相关商品

类型

  • -
  • N沟道(4个)
  • N沟道
  • N沟道和P沟道
  • P沟道
  • P沟道,肖特基
  • 双N沟道
  • 双N沟道(共源)
  • 双N沟道(共漏)
  • 双N沟道(半桥)

漏源电压(Vdss)

  • -
  • 4V
  • -6V
  • -8V
  • 8V
  • 10V
  • -12V
  • 12V
  • 13.5V
  • 14V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

  • -
  • 5mA
  • 10mA
  • 13mA(Tj)
  • 21mA
  • 30mA
  • 30mA(Tc)
  • 35mA
  • 40mA
  • 50mA

栅源极阈值电压

  • -
  • 400mV @ 1mA(最小)
  • 450mV @ 250uA
  • 450mV @ 250uA(最小)
  • 500mV @ 250uA(最小)
  • 500mV @ 250uA(标准)
  • 570mV @ 1mA
  • 600mV @ 250uA
  • 600mV @ 250uA(最小)
  • 0.6V @ 250uA,0.7V @ 250uA

漏源导通电阻

  • -
  • 0.5mΩ @ 37A, 10V
  • 0.65mΩ @ 100A,10V
  • 0.67mΩ @ 50A,10V
  • 0.7mΩ @ 30A,10V
  • 0.7mΩ @ 50A,10V
  • 0.72mΩ @ 25A,10V
  • 0.72mΩ @ 100A, 10V
  • 0.75mΩ @ 100A, 10V
  • 0.75mΩ @ 100A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

  • -
  • 2mW
  • 100mW
  • 125mW
  • 140mW
  • 0.15W
  • 150mW
  • 150mW(Tc)
  • 155mW
  • 170mW

参考封装

  • TO-220
  • SOT-23(SOT-23-3)
  • TO-252(DPAK)
  • SOP-8
  • TO-263(D2PAK)
  • TO-247
  • SOT-223(SOT-223-3)
  • SOT-23-6(P=0.95mm)
  • SOT-89(SOT-89-3)
  • TO-263-7

封装/规格

  • -
  • 1206-8 ChipFET
  • 1212-8
  • 2-1T1A
  • 2-2U1A
  • 2-5N1A
  • 5-DFN
  • 8-MLP(Power33)
  • 8-MLP(3.3x3.3)
  • 8-PowerTDFN

品牌/产地

  • ADI(亚德诺)/LINEAR
  • AF(晶岳)
  • ALLPOWER(铨力)
  • ANACHIP(易亨电子)
  • AnBon(台湾安邦)
  • ANPEC(茂达电子)
  • AOS
  • AP
  • APEC(富鼎)
  • Ascend(安森德)

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

嘉立创SMT

  • 支持
  • 尚未支持
筛选结果: 15611

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综合排序 价格 销量 新品
-
-
1/521
符合条件商品:共 15611
2N7002,215
2N7002,215 MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 型号: 2N7002,215
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.3A,5Ω@10V
  • 价格(含增值税)
  • 20+:

    ¥0.115754
  • 200+:

    ¥0.089324
  • 600+:

    ¥0.082716
  • 2000+:

    ¥0.074126
  • 10000+:

    ¥0.070161
  • 20000+:

    ¥0.0695
  • 圆盘
  • 总额:¥2.32
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
2N7002K-7
2N7002K-7 MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: DIODES(美台)
  • 型号: 2N7002K-7
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):380mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):370mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.38A,2Ω@10V
  • 价格(含增值税)
  • 20+:

    ¥0.124813
  • 200+:

    ¥0.092728
  • 600+:

    ¥0.086834
  • 2000+:

    ¥0.080941
  • 10000+:

    ¥0.078322
  • 20000+:

    ¥0.077028
  • 圆盘
  • 总额:¥2.5
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
AO3400A
AO3400A MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: BORN伯恩半导体
  • 型号: AO3400A
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 MOSFET,N-channel 30V/12V 5.8A VGS(th)=1.1V 29mΩ@5.8A&10V,SOT-23
  • 价格(含增值税)
  • 10+:

    ¥0.308223
  • 100+:

    ¥0.238251
  • 300+:

    ¥0.225399
  • 1000+:

    ¥0.212547
  • 5000+:

    ¥0.206835
  • 10000+:

    ¥0.204013
  • 圆盘
  • 总额:¥3.08
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
SI2301CDS-T1-GE3
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: VISHAY(威世)
  • 型号: SI2301CDS-T1-GE3
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:112mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):860mW 类型:P沟道 P沟道,-20V,-3.1A,112mΩ@4.5V
  • 价格(含增值税)
  • 5+:

    ¥0.448672
  • 50+:

    ¥0.355145
  • 150+:

    ¥0.331764
  • 500+:

    ¥0.301368
  • 2500+:

    ¥0.287339
  • 5000+:

    ¥0.285
  • 圆盘
  • 总额:¥2.24
  • 有货
  • 3000只/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
返采
购金
SI2301
SI2301 MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 型号: SI2301
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道
  • 价格(含增值税)
  • 20+:

    ¥0.175228
  • 200+:

    ¥0.131245
  • 600+:

    ¥0.123167
  • 2000+:

    ¥0.115088
  • 10000+:

    ¥0.111498
  • 20000+:

    ¥0.109724
  • 圆盘
  • 总额:¥3.5
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
2N7002
2N7002 MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 型号: 2N7002
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道
  • 价格(含增值税)
  • 50+:

    ¥0.090568
  • 500+:

    ¥0.069622
  • 1500+:

    ¥0.065775
  • 5000+:

    ¥0.061927
  • 25000+:

    ¥0.060217
  • 50000+:

    ¥0.059373
  • 圆盘
  • 总额:¥4.53
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
AP2302B
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 型号: AP2302B
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道
  • 价格(含增值税)
  • 50+:

    ¥0.091792
  • 500+:

    ¥0.069801
  • 1500+:

    ¥0.065762
  • 5000+:

    ¥0.061723
  • 25000+:

    ¥0.059928
  • 50000+:

    ¥0.059041
  • 圆盘
  • 总额:¥4.59
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:39单
  • 已加购
AO3401A
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: UMW(友台半导体)
  • 型号: AO3401A
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道 -
  • 价格(含增值税)
  • 10+:

    ¥0.28099
  • 100+:

    ¥0.215902
  • 300+:

    ¥0.203947
  • 1000+:

    ¥0.191992
  • 5000+:

    ¥0.186679
  • 10000+:

    ¥0.184054
  • 圆盘
  • 总额:¥2.81
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
2N7002-7-F
2N7002-7-F MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: DIODES(美台)
  • 型号: 2N7002-7-F
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):370mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.21A,7.5Ω@5V
  • 价格(含增值税)
  • 20+:

    ¥0.109305
  • 200+:

    ¥0.0819
  • 600+:

    ¥0.076867
  • 2000+:

    ¥0.071833
  • 10000+:

    ¥0.069596
  • 20000+:

    ¥0.068491
  • 圆盘
  • 总额:¥2.19
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
AO3400A
AO3400A MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: UMW(友台半导体)
  • 型号: AO3400A
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 -
  • 价格(含增值税)
  • 10+:

    ¥0.280923
  • 100+:

    ¥0.215839
  • 300+:

    ¥0.203885
  • 1000+:

    ¥0.19193
  • 5000+:

    ¥0.186617
  • 10000+:

    ¥0.183992
  • 圆盘
  • 总额:¥2.81
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
AO3401
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 型号: AO3401
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道
  • 价格(含增值税)
  • 10+:

    ¥0.277029
  • 100+:

    ¥0.212055
  • 300+:

    ¥0.200121
  • 1000+:

    ¥0.188187
  • 5000+:

    ¥0.182883
  • 10000+:

    ¥0.180263
  • 圆盘
  • 总额:¥2.77
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
MOS管AO3401A
MOS管AO3401A MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: BORN伯恩半导体
  • 型号: AO3401A
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 MOSFET,P-channel 30V/12V 4.2A VGS(th)=1V 45mΩ@4.2A&10V,SOT-23
  • 价格(含增值税)
  • 10+:

    ¥0.322553
  • 100+:

    ¥0.247583
  • 300+:

    ¥0.233813
  • 1000+:

    ¥0.220043
  • 5000+:

    ¥0.213924
  • 10000+:

    ¥0.2109
  • 圆盘
  • 总额:¥3.23
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
BLM3401
BLM3401 MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: BL(上海贝岭)
  • 型号: BLM3401
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:P沟道 PMOS, -30V -4.2A ,RDS(ON)<72mΩ@VGS=-4.5V
  • 价格(含增值税)
  • 10+:

    ¥0.356335
  • 100+:

    ¥0.273868
  • 300+:

    ¥0.258721
  • 1000+:

    ¥0.243574
  • 5000+:

    ¥0.236842
  • 10000+:

    ¥0.233516
  • 圆盘
  • 总额:¥3.56
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
2N7002LT1G
2N7002LT1G MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: ON(安森美)
  • 型号: 2N7002LT1G
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V
  • 价格(含增值税)
  • 20+:

    ¥0.187856
  • 200+:

    ¥0.152512
  • 600+:

    ¥0.143675
  • 2000+:

    ¥0.132189
  • 10000+:

    ¥0.126887
  • 20000+:

    ¥0.126003
  • 圆盘
  • 总额:¥3.76
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
返采
购金
CJ2301 S1
CJ2301 S1 MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号: CJ2301 S1
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:112mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道 P沟道,-20V,-2.3A,112mΩ@-4.5V
  • 价格(含增值税)
  • 20+:

    ¥0.227837
  • 200+:

    ¥0.177857
  • 600+:

    ¥0.168677
  • 2000+:

    ¥0.159497
  • 10000+:

    ¥0.155417
  • 20000+:

    ¥0.153401
  • 圆盘
  • 总额:¥4.56
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
NCE6003
NCE6003 MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: 无锡新洁能
  • 型号: NCE6003
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:105mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:N沟道 N沟道,60V,3A
  • 价格(含增值税)
  • 10+:

    ¥0.333956
  • 100+:

    ¥0.258986
  • 300+:

    ¥0.245216
  • 1000+:

    ¥0.231446
  • 5000+:

    ¥0.225326
  • 10000+:

    ¥0.222302
  • 圆盘
  • 总额:¥3.34
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:67单
  • 已加购
返采
购金
SL2302S
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: Slkor(萨科微)
  • 型号: SL2302S
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 2.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:N沟道
  • 价格(含增值税)
  • 20+:

    ¥0.130434
  • 200+:

    ¥0.101555
  • 600+:

    ¥0.096251
  • 2000+:

    ¥0.090947
  • 10000+:

    ¥0.088589
  • 20000+:

    ¥0.087425
  • 圆盘
  • 总额:¥2.61
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:16单
  • 已加购
返采
购金
SL2301S
SL2301S MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: Slkor(萨科微)
  • 型号: SL2301S
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 2.4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道
  • 价格(含增值税)
  • 20+:

    ¥0.124237
  • 200+:

    ¥0.095325
  • 600+:

    ¥0.090015
  • 2000+:

    ¥0.084705
  • 10000+:

    ¥0.082345
  • 20000+:

    ¥0.081179
  • 圆盘
  • 总额:¥2.48
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:22单
  • 已加购
2N7002KT1G
2N7002KT1G MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: ON(安森美)
  • 型号: 2N7002KT1G
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):320mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道
  • 价格(含增值税)
  • 20+:

    ¥0.148621
  • 200+:

    ¥0.115076
  • 600+:

    ¥0.108914
  • 2000+:

    ¥0.102753
  • 10000+:

    ¥0.100014
  • 20000+:

    ¥0.098661
  • 圆盘
  • 总额:¥2.97
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
BSS138
BSS138 MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: Slkor(萨科微)
  • 型号: BSS138
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):220mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.6V @ 1mA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 220mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 N沟道,50V,0.22A,3.5Ω@10V 6Ω@4.5V
  • 价格(含增值税)
  • 50+:

    ¥0.08618
  • 500+:

    ¥0.065422
  • 1500+:

    ¥0.06161
  • 5000+:

    ¥0.057797
  • 25000+:

    ¥0.056103
  • 50000+:

    ¥0.055266
  • 圆盘
  • 总额:¥4.31
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
BSS84LT1G
BSS84LT1G MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: ON(安森美)
  • 型号: BSS84LT1G
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):130mA 漏源电压(Vdss):-50V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:P沟道 P沟道,-50V,-0.13A,10Ω@-10V
  • 价格(含增值税)
  • 10+:

    ¥0.223679
  • 100+:

    ¥0.171713
  • 300+:

    ¥0.162168
  • 1000+:

    ¥0.152623
  • 5000+:

    ¥0.148381
  • 10000+:

    ¥0.146284
  • 圆盘
  • 总额:¥2.24
  • 有货
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 已加购
IRLML2402TRPBF
IRLML2402TRPBF MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Infineon(英飞凌)
  • 型号: IRLML2402TRPBF
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:700mV @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 930mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):540mW 类型:N沟道 N沟道,20V,1.2A,250mΩ@4.5V
  • 价格(含增值税)
  • 5+:

    ¥0.564523
  • 50+:

    ¥0.409867
  • 150+:

    ¥0.381461
  • 500+:

    ¥0.353055
  • 2500+:

    ¥0.34043
  • 5000+:

    ¥0.334192
  • 圆盘
  • 总额:¥2.82
  • 有货
  • 3000片/圆盘
  • 近期成交:50单
  • 已加购
STP4NK60ZFP
  • 封装: TO-220F(TO-220IS)
  • 品牌: ST(意法半导体)
  • 型号: STP4NK60ZFP
  • 描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W 类型:N沟道 N沟道,600V,4A,2Ω@10V
  • 价格(含增值税)
  • 1+:

    ¥1.3459
  • 10+:

    ¥0.9957
  • 30+:

    ¥0.9314
  • 100+:

    ¥0.867
  • 500+:

    ¥0.8385
  • 1000+:

    ¥0.8243
  • 总额:¥1.35
  • 有货