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场效应管(MOSFET)

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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 340mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 900mΩ@10V,500mA
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 200mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 5Ω@10V,200mA
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 170mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 8Ω@10V,0.17A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 115mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 7Ω@5V,50mA
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 100mA
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 25V
    • 连续漏极电流(Id): 220mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 4Ω@4.5V,0.2A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4.2A
    • 导通电阻(RDS(on)): 55mΩ@10V,4.2A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 4.5A
    • 导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@4.5V,4.5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 100mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 8Ω@4.0V,10mA
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    • 订单数量按照以下:
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    • 第二阶梯9.3
    • 第三阶梯9.3
    • 第四阶梯9.3
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    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 5.8A
    • 导通电阻(RDS(on)): 35mΩ@10V,5.6A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.3A
    • 导通电阻(RDS(on)): 112mΩ@4.5V,2.3A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 50V
    • 连续漏极电流(Id): 220mA
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