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当前“

MOS(场效应管)

”共 6880件相关商品

类型

  • -
  • 2 P 沟道(双)共漏
  • 2 N 沟道(双)共漏
  • 2 个 N 沟道(双)
  • 2 个 N 通道(半桥)
  • 2 个 N 通道(双),肖特基
  • 2 个 P 沟道(双)
  • 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)
  • 4 个 N 通道
  • N 和 P 沟道

漏源电压(Vdss)

  • -
  • 4V
  • 6V
  • 8V
  • 10V
  • 12V
  • 13.5V
  • 14V
  • 15V
  • 16V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

  • -
  • 10mA
  • 13mA(Tj)
  • 21mA
  • 30mA
  • 30mA(Tc)
  • 35mA
  • 40mA
  • 50mA
  • 60mA

栅源极阈值电压

  • -
  • 400mV @ 1mA(最小)
  • 450mV @ 250uA
  • 450mV @ 250uA(最小)
  • 500mV @ 250uA(最小)
  • 500mV @ 250uA(标准)
  • 600mV @ 250uA
  • 600mV @ 250uA(最小)
  • 600mV @ 250uA,700mV @ 250uA
  • 650mV @ 1mA(标准)

漏源导通电阻

  • -
  • 0.67 mΩ @ 50A,10V
  • 0.7 mΩ @ 30A,10V
  • 0.7 mΩ @ 50A,10V
  • 0.72 mΩ @ 25A,10V
  • 0.75 mΩ @ 150A,10V
  • 0.77 mΩ @ 100A,10V
  • 0.82 mΩ @ 50A,10V
  • 0.85 mΩ @ 25A,10V
  • 0.85 mΩ @ 50A,10V

最大功率耗散(Ta)

  • -
  • 2mW
  • 100mW
  • 125mW
  • 140mW
  • 150mW
  • 150mW(Tc)
  • 155mW
  • 170mW
  • 170mW(Tj)

参考封装

  • SOT-23
  • TO-220
  • SOP-8
  • SOT-323
  • TO-263
  • SOT-89
  • TO-92
  • TO-252-2(DPAK)
  • SOT-353

封装/规格

  • -
  • 1206-8 ChipFET
  • 2-1T1A
  • 2-2U1A
  • 2-5N1A
  • 5-DFN
  • 8-MLP(Power33)
  • 8-MLP(3.3x3.3)
  • 8-SO
  • ATPAK

品牌/产地

  • ALLPOWER(铨力)
  • ANACHIP(易亨电子)
  • AnBon(台湾安邦)
  • ANPEC(茂达电子)
  • AOS
  • APEC(富鼎)
  • Axelite(台湾亚瑟莱特)
  • BL(上海贝岭)
  • BLUE ROCKET(蓝箭)
  • BORN伯恩半导体

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装
筛选结果: 6880

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-
符合条件商品: 6880
2N7002LT1G
  • 商品编号:C16338
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5 Ω @ 500mA,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):225mW N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V
国际品牌
  • 含增值税
  • 20+:

    ¥0.10307
  • 200+:

    ¥0.075543
  • 600+:

    ¥0.070487
  • 2000+:

    ¥0.065431
  • 10000+:

    ¥0.063184
  • 20000+:

    ¥0.062073
  • 40000+:

    报价
2N7002,215
  • 商品编号:C65189
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5 Ω @ 500mA,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):830mW N沟道,60V,0.3A,5Ω@10V
知名品牌
  • 含增值税
  • 20+:

    ¥0.108664
  • 200+:

    ¥0.07848
  • 600+:

    ¥0.073046
  • 2000+:

    ¥0.067613
  • 10000+:

    ¥0.063991
  • 20000+:

    ¥0.063387
  • 40000+:

    报价
AO3480
  • 商品编号:C350817
  • 封装规格: SOT-23
  • 品牌: AOS
  • 型号: AO3480
描述: 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.7A 栅源极阈值电压:1.45V @ 250uA 漏源导通电阻:26.5 mΩ @ 5.7A,10V 最大功率耗散(Ta):1.4W 类型:N 沟道 替代AO3400A MOS管AO3480_5.7A30V_SOT23_AOS
国际品牌
  • 含增值税
  • 10+:

    ¥0.313585
  • 100+:

    ¥0.226478
  • 300+:

    ¥0.210799
  • 1000+:

    ¥0.19512
  • 5000+:

    ¥0.184667
  • 10000+:

    ¥0.182925
  • 20000+:

    报价
2N7002 7002
  • 商品编号:C8545
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5 Ω @ 500mA,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):200mW N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
授权代理
  • 含增值税
  • 20+:

    ¥0.100808
  • 200+:

    ¥0.073318
  • 600+:

    ¥0.068268
  • 2000+:

    ¥0.063219
  • 10000+:

    ¥0.060975
  • 20000+:

    ¥0.059866
  • 40000+:

    报价
L2N7002LT1G
  • 商品编号:C12779
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):- 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5 Ω @ 500mA,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):300mW N沟道,60V,0.115A,225mW
知名品牌
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.068036
  • 500+:

    ¥0.049536
  • 1500+:

    ¥0.046139
  • 5000+:

    ¥0.042741
  • 25000+:

    ¥0.041231
  • 50000+:

    ¥0.040484
  • 100000+:

    报价
CJ2301 S1
  • 商品编号:C8547
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:112 mΩ @ 2.8A,4.5V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):350mW P沟道,-20V,-2.3A,112mΩ@-4.5V
授权代理
  • 含增值税
  • 10+:

    ¥0.189767
  • 100+:

    ¥0.139779
  • 300+:

    ¥0.130598
  • 1000+:

    ¥0.121416
  • 5000+:

    ¥0.117336
  • 10000+:

    ¥0.115319
  • 20000+:

    报价
CJ3401
  • 商品编号:C13799
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:65 mΩ @ 4.2A,10V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):350mW P沟道,-30V,-4.2A,65mΩ@-10V
授权代理
  • 含增值税
  • 10+:

    ¥0.235346
  • 100+:

    ¥0.172871
  • 300+:

    ¥0.161396
  • 1000+:

    ¥0.149921
  • 5000+:

    ¥0.144821
  • 10000+:

    ¥0.142301
  • 20000+:

    报价
A2SHB (SI2302)
  • 商品编号:C86774
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:60 mΩ @ 2.8A,4.5V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):1.25W N沟道,20V/2.3A,40毫欧。
授权代理
  • 含增值税
  • 20+:

    ¥0.167124
  • 200+:

    ¥0.12439
  • 600+:

    ¥0.116541
  • 2000+:

    ¥0.108691
  • 10000+:

    ¥0.105203
  • 20000+:

    ¥0.103479
  • 40000+:

    报价
3415
  • 商品编号:C98122
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:55 mΩ @ 3A,4.5V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):- Pmos, -12V -4A ,富满3401升级版
授权代理
  • 含增值税
  • 20+:

    ¥0.163479
  • 200+:

    ¥0.120353
  • 600+:

    ¥0.112432
  • 2000+:

    ¥0.104511
  • 10000+:

    ¥0.10099
  • 20000+:

    ¥0.099251
  • 40000+:

    报价
AO3402
  • 商品编号:C14385
  • 封装规格: SOT-23-3L
  • 品牌: AOS
  • 型号: AO3402
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:55 mΩ @ 4A,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):1.4W N沟道,30V,4A,55mΩ@4.5V
国际品牌
  • 含增值税
  • 5+:

    ¥0.447275
  • 50+:

    ¥0.323032
  • 150+:

    ¥0.300668
  • 500+:

    ¥0.278304
  • 2500+:

    ¥0.263395
  • 5000+:

    ¥0.26091
  • 10000+:

    报价
现货
特惠
AO3401
  • 商品编号:C122851
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:55 mΩ @ 4.2A,10V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):- P沟道,-30V,-4.2A,55mΩ@-10V
授权代理
  • 含增值税
  • 10+:

    ¥0.279278
  • 100+:

    ¥0.204345
  • 300+:

    ¥0.190581
  • 1000+:

    ¥0.167977 ¥0.176818
  • 5000+:

    ¥0.162166 ¥0.170701
  • 10000+:

    ¥0.159295 ¥0.167679
2N7002K-7
  • 商品编号:C85047
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):380mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:2 Ω @ 500mA,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):370mW N沟道,60V,0.38A,2Ω@10V
国际品牌
  • 含增值税
  • 20+:

    ¥0.177662
  • 200+:

    ¥0.134325
  • 600+:

    ¥0.126365
  • 2000+:

    ¥0.118405
  • 10000+:

    ¥0.114867
  • 20000+:

    ¥0.113119
  • 40000+:

    报价
AP2300
  • 商品编号:C360338
  • 封装规格: SOT23
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.2A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35 mΩ @ 5.2A,2.5V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):1.25W(Tc) N沟道
知名品牌
  • 含增值税
  • 10+:

    ¥0.202153
  • 100+:

    ¥0.147175
  • 300+:

    ¥0.137077
  • 1000+:

    ¥0.126979
  • 5000+:

    ¥0.122491
  • 10000+:

    ¥0.120274
  • 20000+:

    报价
现货
特惠
AO3400
  • 商品编号:C122850
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35 mΩ @ 5.8A,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):- N沟道,30V,5.8A,35mΩ@10V
授权代理
  • 含增值税
  • 10+:

    ¥0.268142
  • 100+:

    ¥0.195597
  • 300+:

    ¥0.182272
  • 1000+:

    ¥0.160501 ¥0.168948
  • 5000+:

    ¥0.154875 ¥0.163026
  • 10000+:

    ¥0.152095 ¥0.1601
场效应管MOS  HX2301(2.5A)
  • 商品编号:C296298
  • 封装规格: SOT-23
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:130 mΩ @ 2.5A,4.5V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):900mW
授权代理
  • 含增值税
  • 50+:

    ¥0.09448
  • 500+:

    ¥0.06949
  • 1500+:

    ¥0.0649
  • 5000+:

    ¥0.06031
  • 25000+:

    ¥0.05827
  • 50000+:

    ¥0.057262
  • 100000+:

    报价
CJ2302 S2
  • 商品编号:C8548
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:60 mΩ @ 3.6A,4.5V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):350mW N沟道,20V,2.1A,60mΩ@4.5V
授权代理
  • 含增值税
  • 10+:

    ¥0.188603
  • 100+:

    ¥0.138536
  • 300+:

    ¥0.12934
  • 1000+:

    ¥0.120144
  • 5000+:

    ¥0.116057
  • 10000+:

    ¥0.114038
  • 20000+:

    报价
AO3400A
  • 商品编号:C344010
  • 封装规格: SOT-23
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32 mΩ @ 5.8A,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):1.4W MOSFET,N-channel 30V/12V 5.8A VGS(th)=1.1V 29mΩ@5.8A&10V,SOT-23
知名品牌
  • 含增值税
  • 10+:

    ¥0.264544
  • 100+:

    ¥0.194572
  • 300+:

    ¥0.18172
  • 1000+:

    ¥0.168868
  • 5000+:

    ¥0.163156
  • 10000+:

    ¥0.160334
  • 20000+:

    报价
BSS138P,215
  • 商品编号:C75547
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6 Ω @ 300mA,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):350mW N沟道,60V,0.36A,1.6Ω@10V
知名品牌
  • 含增值税
  • 10+:

    ¥0.19179
  • 100+:

    ¥0.141062
  • 300+:

    ¥0.131744
  • 1000+:

    ¥0.122427
  • 5000+:

    ¥0.118285
  • 10000+:

    ¥0.116239
  • 20000+:

    报价
CJ2306
  • 商品编号:C12390
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.16A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:47 mΩ @ 3.5A,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):750mW N沟道,30V,3.16A,47mΩ@10V
授权代理
  • 含增值税
  • 10+:

    ¥0.232514
  • 100+:

    ¥0.170539
  • 300+:

    ¥0.159155
  • 1000+:

    ¥0.147772
  • 5000+:

    ¥0.142713
  • 10000+:

    ¥0.140213
  • 20000+:

    报价
场效应管MOS  HX2302(2.5A)
  • 商品编号:C296295
  • 封装规格: SOT-23
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:59 mΩ @ 2.5A,4.5V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):900mW
授权代理
  • 含增值税
  • 20+:

    ¥0.131094
  • 200+:

    ¥0.096108
  • 600+:

    ¥0.089682
  • 2000+:

    ¥0.083256
  • 10000+:

    ¥0.0804
  • 20000+:

    ¥0.078989
  • 40000+:

    报价
CJ3407 3407
  • 商品编号:C15903
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:60 mΩ @ 4.1A,10V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):350mW P沟道,-30V,-4.1A,60mΩ@-10V
授权代理
  • 含增值税
  • 10+:

    ¥0.24476
  • 100+:

    ¥0.179786
  • 300+:

    ¥0.167852
  • 1000+:

    ¥0.155918
  • 5000+:

    ¥0.150614
  • 10000+:

    ¥0.147993
  • 20000+:

    报价
BSS138
  • 商品编号:C78284
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):220mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3.5 Ω @ 220mA,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):360mW N沟道,50V,0.22A,3.5Ω@10V
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LBSS84LT1G
  • 商品编号:C8492
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):130mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:10 Ω @ 100mA,5V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):225mW P沟道,-50V,-0.13A,10Ω@-5V
知名品牌
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AOD409
  • 商品编号:C36220
  • 封装规格: TO-252-2(DPAK)
  • 品牌: AOS
  • 型号: AOD409
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):26A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:40 mΩ @ 20A,10V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):2.5W P沟道,-60V,-26A,55mΩ@-4.5V
国际品牌
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特惠
2N7002
  • 商品编号:C181082
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5 Ω @ 500mA,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):225mW
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LBSS138LT1G
  • 商品编号:C8490
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3.5 Ω @ 200mA,5V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):225mW N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@5V
知名品牌
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DMC2400UV-7
  • 商品编号:C177025
  • 封装规格: SOT-563
描述: 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.03A,700mA 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:480 mΩ @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta):450mW 类型:N 和 P 沟道
国际品牌
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现货
特惠
2N7002(丝印12W)
  • 商品编号:C111581
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):430mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3 Ω @ 400mA,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):830mW
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SL3401S
  • 商品编号:C277785
  • 封装规格: SOT-23
描述: 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:60 mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta):2.5W 类型:P 沟道
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CJ2310
  • 商品编号:C75882
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:105 mΩ @ 3A,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):350mW N沟道,60V,3A,105mΩ@10V
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