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场效应管(MOSFET)

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STP110N8F6 品牌: ST(意法半导体) 封装: TO-220 描述: N沟道耐压:80V 电流:110A 类型:N沟道漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,55A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA N沟道,80V,110A,6.5mΩ@10V 类型: N沟道漏源电压(Vdss): 80V 连续漏极电流(Id): 110A 功率(Pd): 200W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C81146 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存8704) SMT扩展库 1+: ￥4.99 10+: ￥4.17 50+: ￥3.76 100+: ￥3.35 500+: ￥2.83 1000+: ￥2.7 现货最快4H发广东仓: 8690 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交45单已加购
预售拼团: N沟道耐压:80V 电流:110A 品牌: ST(意法半导体) 封装: TO-220 描述: N沟道耐压:80V 电流:110A 类型:N沟道漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,55A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA N沟道,80V,110A,6.5mΩ@10V 备注: 距结束剩 0天 00小时 00分 00秒进度: 剩余可拼库存: 30000 拼团特价 1000+: ￥2.4 成团后4-6工作日说明: 无条件成团流程: 查看详情拼团流程 1 2 3 4 查看拼团商品提交拼团订单支付拼团订单等待拼团发货个个管总额: ￥2400 0人已参团


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2N7002 品牌: CJ(江苏长电/长晶) 封装: SOT-23 描述: N沟道耐压:60V 电流:115mA 类型:N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V 类型: N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 115mA 功率(Pd): 200mW 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C8545 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存557K+) SMT基础库 50+: ￥0.094283 500+: ￥0.073971 3000+: ￥0.064944 6000+: ￥0.058173 24000+: ￥0.055465 51000+: ￥0.053659 现货最快4H发广东仓: 228K+ 江苏仓: 717K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购

AO3401A 品牌: AOS 封装: SOT-23 描述: P沟道耐压:30V 电流:4A 类型:P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):44mΩ@10V,4.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V 类型: P沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 4A 功率(Pd): 1.4W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C15127 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存343K+) SMT基础库 5+: ￥0.394475 50+: ￥0.319225 150+: ￥0.280525 500+: ￥0.248648 3000+: ￥0.237525 6000+: ￥0.23 现货最快4H发广东仓: 133K+ 江苏仓: 125K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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2N7002K 品牌: MDD 封装: SOT-23 描述: N沟道耐压:60V 电流:500mA 类型:N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):500mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA 防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子类型: N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 500mA 功率(Pd): 300mW 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C414015 详细: 数据手册领券 500-50 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存188K+) SMT扩展库 30+: ￥0.071033 300+: ￥0.055282 900+: ￥0.048282 3000+: ￥0.041591 15000+: ￥0.039491 30000+: ￥0.038091 现货最快4H发广东仓: 176K+ 江苏仓: 183K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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AO3400A 品牌: UMW(友台半导体) 封装: SOT-23 描述: N沟道耐压:30V 电流:5.8A 类型:N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA - 类型: N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 5.8A 功率(Pd): 1.4W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C347475 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存74K+) SMT扩展库 20+: ￥0.172725 200+: ￥0.133954 600+: ￥0.116722 3000+: ￥0.103799 9000+: ￥0.098629 21000+: ￥0.095183 现货最快4H发广东仓: 54K+ 江苏仓: 79K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购

2N7002 品牌: YANGJIE(扬杰) 封装: SOT-23 描述: N沟道耐压:60V 电流:340mA 类型:N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):340mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 类型: N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 340mA 功率(Pd): 350mW 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C389059 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存125K+) SMT扩展库 20+: ￥0.107879 200+: ￥0.084668 600+: ￥0.074352 3000+: ￥0.066615 9000+: ￥0.06352 21000+: ￥0.061457 现货最快4H发广东仓: 121K+ 江苏仓: 43K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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AO3401 品牌: TWGMC(台湾迪嘉) 封装: SOT-23 描述: P沟道耐压:30V 电流:4.2A 类型:P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA 类型: P沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 4.2A 功率(Pd): 350mW 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C727156 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存185K+) SMT扩展库 10+: ￥0.21814 100+: ￥0.176074 300+: ￥0.154441 3000+: ￥0.136622 6000+: ￥0.130403 9000+: ￥0.126197 现货最快4H发广东仓: 174K+ 江苏仓: 227K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购

AO3401A 品牌: UMW(友台半导体) 封装: SOT-23 描述: P沟道耐压:30V 电流:4.2A 类型:P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.2A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA - 类型: P沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 4.2A 功率(Pd): 1.4W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C347476 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存178K+) SMT扩展库 20+: ￥0.181904 200+: ￥0.141381 600+: ￥0.12337 3000+: ￥0.109863 9000+: ￥0.10446 21000+: ￥0.100858 现货最快4H发广东仓: 160K+ 江苏仓: 158K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购

2N7002LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: N沟道耐压:60V 电流:115mA 类型:N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V 类型: N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 115mA 功率(Pd): 225mW 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C16338 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存727) SMT扩展库 20+: ￥0.201823 200+: ￥0.159885 600+: ￥0.141247 3000+: ￥0.127268 9000+: ￥0.121676 21000+: ￥0.117948 现货最快4H发广东仓: 220 江苏仓: 45K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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AO3400 品牌: GOODWORK(固得沃克) 封装: SOT-23 描述: N沟道耐压:30V 电流:5.8A 类型:N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA 类型: N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 5.8A 功率(Pd): 1.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C2938367 详细: 数据手册领券 200-50 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存315K+) SMT扩展库 20+: ￥0.152338 200+: ￥0.120838 600+: ￥0.106838 3000+: ￥0.0812 9000+: ￥0.077 21000+: ￥0.0742 现货最快4H发广东仓: 303K+ 江苏仓: 27K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购

2N7002 品牌: JSMSEMI(杰盛微) 封装: SOT-23 描述: N沟道耐压:60V 电流:115mA 类型:N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA 类型: N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 115mA 功率(Pd): 200mW 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C916396 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存86K+) SMT扩展库 50+: ￥0.049615 500+: ￥0.038292 3000+: ￥0.03326 6000+: ￥0.029485 24000+: ￥0.027975 51000+: ￥0.026969 现货最快4H发广东仓: 85K+ 江苏仓: 79K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购
预售拼团: N沟道耐压:60V 电流:115mA 品牌: JSMSEMI(杰盛微) 封装: SOT-23 描述: N沟道耐压:60V 电流:115mA 类型:N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA 备注: 距结束剩 0天 00小时 00分 00秒进度: 剩余可拼库存: 180000 拼团特价 42000+: ￥0.0265 成团后2-4工作日说明: 无条件成团流程: 查看详情拼团流程 1 2 3 4 查看拼团商品提交拼团订单支付拼团订单等待拼团发货个个圆盘总额: ￥1113 1人已参团


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NX7002AK,215 品牌: Nexperia(安世) 封装: SOT-23 描述: N沟道耐压:60V 电流:190mA 类型:N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):190mA 功率(Pd):265mW；1.33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA 类型: N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 190mA 功率(Pd): 265mW；1.33W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C255584 详细: 数据手册 SMT扩展库 10+: ￥0.148509 100+: ￥0.109046 300+: ￥0.088752 3000+: ￥0.062035 6000+: ￥0.056202 9000+: ￥0.052255 现货最快4H发广东仓: 9000 江苏仓: 1440 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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LBSS138LT1G 品牌: LRC(乐山无线电) 封装: SOT-23 描述: N沟道耐压:50V 电流:200mA 类型:N沟道漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):200mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@5V 类型: N沟道漏源电压(Vdss): 50V 连续漏极电流(Id): 200mA 功率(Pd): 225mW 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C8490 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存65K+) SMT扩展库 20+: ￥0.125374 200+: ￥0.099724 600+: ￥0.085474 3000+: ￥0.076924 9000+: ￥0.069514 21000+: ￥0.065524 现货最快4H发广东仓: 64K+ 江苏仓: 166K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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9.5折 SI2302 品牌: YONGYUTAI(永裕泰) 封装: SOT-23 描述: N沟道耐压:20V 电流:3A 类型:N沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):800mV@250uA 类型: N沟道漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 3A 功率(Pd): 1W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C2891732 详细: 数据手册领券 200-20 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存120K+) SMT扩展库 9.5 折 50+: 500+: 3000+: 6000+: 24000+: 51000+: 折后价￥0.096832 ￥0.077593 ￥0.063379 ￥0.056967 ￥0.051409 ￥0.048416 原价￥0.101928 ￥0.081677 ￥0.066715 ￥0.059965 ￥0.054115 ￥0.050964 50+: ￥0.096832 500+: ￥0.077593 3000+: ￥0.063379 6000+: ￥0.056967 24000+: ￥0.051409 51000+: ￥0.048416 现货最快4H发广东仓: 102K 江苏仓: 176K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购