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当前“

MOS(场效应管)

”共 16662件相关商品

类型

  • -
  • N沟道(4个)
  • N沟道
  • N沟道和P沟道
  • P沟道
  • P沟道,肖特基
  • 双N沟道
  • 双N沟道(共源)
  • 双N沟道(共漏)
  • 双N沟道(半桥)

漏源电压(Vdss)

  • -
  • 4V
  • -6V
  • -8V
  • 8V
  • 10V
  • -12V
  • 12V
  • 13.5V
  • 14V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

  • -
  • 5mA
  • 10mA
  • 13mA(Tj)
  • 21mA
  • 30mA
  • 30mA(Tc)
  • 35mA
  • 40mA
  • 50mA

栅源极阈值电压

  • -
  • 400mV @ 1mA(最小)
  • 450mV @ 250uA
  • 450mV @ 250uA(最小)
  • 500mV @ 250uA(最小)
  • 500mV @ 250uA(标准)
  • 570mV @ 1mA
  • 600mV @ 250uA
  • 600mV @ 250uA(最小)
  • 0.6V @ 250uA,0.7V @ 250uA

漏源导通电阻

  • -
  • 0.5mΩ @ 37A, 10V
  • 0.65mΩ @ 100A,10V
  • 0.67mΩ @ 50A,10V
  • 0.7mΩ @ 30A,10V
  • 0.7mΩ @ 50A,10V
  • 0.72mΩ @ 25A,10V
  • 0.72mΩ @ 100A, 10V
  • 0.75mΩ @ 100A, 10V
  • 0.75mΩ @ 100A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

  • -
  • 2mW
  • 100mW
  • 125mW
  • 140mW
  • 0.15W
  • 150mW
  • 150mW(Tc)
  • 155mW
  • 170mW

参考封装

  • TO-220
  • SOT-23(SOT-23-3)
  • TO-252(DPAK)
  • SOP-8
  • TO-263(D2PAK)
  • TO-247
  • SOT-223(SOT-223-3)
  • SOT-23-6(P=0.95mm)
  • SOT-89(SOT-89-3)
  • TO-263-7

封装/规格

  • -
  • 1206-8 ChipFET
  • 1206-ChipFET-8
  • 1212-8
  • 2-1T1A
  • 2-2U1A
  • 2-5K1B
  • 2-5N1A
  • 5-DFN
  • 8-MLP(Power33)

品牌/产地

  • ADI(亚德诺)/LINEAR
  • AF(晶岳)
  • ALLPOWER(铨力)
  • ANACHIP(易亨电子)
  • AnBon(台湾安邦)
  • ANPEC(茂达电子)
  • AOS
  • AP
  • APEC(富鼎)
  • Ascend(安森德)

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

嘉立创SMT

  • 支持
  • 尚未支持
筛选结果: 16662

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综合排序 价格 销量 新品
-
-
1/556
符合条件商品:共 16662
2N7002,215
2N7002,215 MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 型号: 2N7002,215
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.3A,5Ω@10V
  • 编号:C65189
  • 数据手册
  • 领券
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  • 内地(含税价)
  • 10+:

    ¥0.182254
  • 100+:

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  • 300+:

    ¥0.131855
  • 1000+:

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  • 5000+:

    ¥0.112703
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  • - -
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内地库存
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  • 10+: ¥ 0.182254 - -
  • 100+: ¥ 0.141935 - -
  • 300+: ¥ 0.131855 - -
  • 1000+: ¥ 0.118751 - -
  • 5000+: ¥ 0.112703 - -
  • 10000+: ¥ 0.111695 - -
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SI2301CDS-T1-GE3
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: VISHAY(威世)
  • 型号: SI2301CDS-T1-GE3
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:112mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):860mW 类型:P沟道 P沟道,-20V,-3.1A,112mΩ@4.5V
  • 编号:C10487
  • 数据手册
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  • 5+: ¥ 0.602831 - -
  • 50+: ¥ 0.492642 - -
  • 150+: ¥ 0.465095 - -
  • 500+: ¥ 0.429284 - -
  • 2500+: ¥ 0.412755 - -
  • 5000+: ¥ 0.410001 - -
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BSS138
BSS138 MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号: BSS138
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):220mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 220mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道 N沟道,50V,0.22A,3.5Ω@10V
  • 编号:C78284
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  • 2000+:

    ¥0.104227
  • 10000+:

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内地库存
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  • 20+: ¥ 0.165733 - -
  • 200+: ¥ 0.120751 - -
  • 600+: ¥ 0.112489 - -
  • 2000+: ¥ 0.104227 - -
  • 10000+: ¥ 0.100555 - -
  • 20000+: ¥ 0.09874 - -
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2N7002
2N7002 MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 型号: 2N7002
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道
  • 编号:C181082
  • 数据手册
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  • 内地(含税价)
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    ¥0.079311
  • 500+:

    ¥0.058783
  • 1500+:

    ¥0.055013
  • 5000+:

    ¥0.051243
  • 25000+:

    ¥0.049567
  • 50000+:

    ¥0.048739
  • 香港(美元)
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
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内地库存
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    香港(人民币含税)
  • 50+: ¥ 0.079311 - -
  • 500+: ¥ 0.058783 - -
  • 1500+: ¥ 0.055013 - -
  • 5000+: ¥ 0.051243 - -
  • 25000+: ¥ 0.049567 - -
  • 50000+: ¥ 0.048739 - -
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CJ2301 S1
CJ2301 S1 MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号: CJ2301 S1
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:112mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道 P沟道,-20V,-2.3A,112mΩ@-4.5V
  • 编号:C8547
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    ¥0.159497
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    ¥0.155417
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    ¥0.153401
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  • - -
  • - -
  • - -
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内地库存
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  • 10+: ¥ 0.227837 - -
  • 100+: ¥ 0.177857 - -
  • 300+: ¥ 0.168677 - -
  • 1000+: ¥ 0.159497 - -
  • 5000+: ¥ 0.155417 - -
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购金
AO3400A
AO3400A MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: UMW(友台半导体)
  • 型号: AO3400A
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 -
  • 编号:C347475
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    ¥0.191878
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内地库存
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  • 10+: ¥ 0.294014 - -
  • 100+: ¥ 0.219318 - -
  • 300+: ¥ 0.205598 - -
  • 1000+: ¥ 0.191878 - -
  • 5000+: ¥ 0.185781 - -
  • 10000+: ¥ 0.182768 - -
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2N7002K 72K
2N7002K 72K MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号: 2N7002K
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):340mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.34A,5Ω@10V
  • 编号:C38161
  • 数据手册
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  • 200+:

    ¥0.112048
  • 600+:

    ¥0.105799
  • 2000+:

    ¥0.09955
  • 10000+:

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  • 20000+:

    ¥0.095401
  • 香港(美元)
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  • - -
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  • 20+: ¥ 0.14607 - -
  • 200+: ¥ 0.112048 - -
  • 600+: ¥ 0.105799 - -
  • 2000+: ¥ 0.09955 - -
  • 10000+: ¥ 0.096773 - -
  • 20000+: ¥ 0.095401 - -
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AP2302B
AP2302B MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 型号: AP2302B
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道
  • 编号:C406812
  • 数据手册
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  • 200+:

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  • 2000+:

    ¥0.084852
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    ¥0.081194
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  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
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  • 200+: ¥ 0.095868 - -
  • 600+: ¥ 0.09036 - -
  • 2000+: ¥ 0.084852 - -
  • 10000+: ¥ 0.082404 - -
  • 20000+: ¥ 0.081194 - -
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购金
SI2301
SI2301 MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: Hottech(合科泰)
  • 型号: SI2301
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道
  • 编号:C181086
  • 数据手册
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  • 20+:

    ¥0.177628
  • 200+:

    ¥0.134347
  • 600+:

    ¥0.126397
  • 2000+:

    ¥0.118448
  • 10000+:

    ¥0.114915
  • 20000+:

    ¥0.113169
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  • - -
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  • 20+: ¥ 0.177628 - -
  • 200+: ¥ 0.134347 - -
  • 600+: ¥ 0.126397 - -
  • 2000+: ¥ 0.118448 - -
  • 10000+: ¥ 0.114915 - -
  • 20000+: ¥ 0.113169 - -
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AP2301B
  • 编号:C2763847
  • 数据手册
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  • 20000+:

    ¥0.080223
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  • - -
  • - -
  • - -
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  • 20+: ¥ 0.132138 - -
  • 200+: ¥ 0.09728 - -
  • 600+: ¥ 0.090877 - -
  • 2000+: ¥ 0.084475 - -
  • 10000+: ¥ 0.081629 - -
  • 20000+: ¥ 0.080223 - -
  • 圆盘
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  • 近期成交:24单
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购金
2N7002(丝印12W)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: SHIKUES(时科)
  • 型号: 2N7002(丝印12W)
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):430mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:N沟道
  • 编号:C111581
  • 数据手册
  • 领券
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ME2306A
ME2306A MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: MATSUKI(松木)
  • 型号: ME2306A
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.38A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.39W 类型:N沟道 N沟道,30V,5.38A,50mΩ@2.5V
  • 编号:C165219
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AO3401A
AO3401A MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: UMW(友台半导体)
  • 型号: AO3401A
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道 -
  • 编号:C347476
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2N7002 7002
2N7002 7002 MOS(场效应管)
“嘉立创SMT可贴”
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号: 2N7002
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
  • 编号:C8545
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