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场效应管(MOSFET)

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自营结果数1500+
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1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
2N7002K
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22379475
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
340mA
导通电阻(RDS(on))
900mΩ@10V;1.1Ω@4.5V
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208K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

N沟道,电流:115mA,耐压:60V
2N7002
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7420321
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
115mA
导通电阻(RDS(on))
900mΩ@10V
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广东仓
151K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:50V 电流:340mA
BSS138
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7420339
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
50V
连续漏极电流(Id)
340mA
导通电阻(RDS(on))
1.1Ω@10V;1.2Ω@4.5V
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广东仓
240K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA
BSS123
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7420338
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
170mA
导通电阻(RDS(on))
6Ω@10V;10Ω@4.5V
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SMT补贴嘉立创库存278K+
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广东仓
269K+
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24K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:60V 电流:170mA
BSS84
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7420340
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
170mA
导通电阻(RDS(on))
3.3Ω@10V;3.5Ω@4.5V
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SMT补贴嘉立创库存65K+
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64K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
2SK3018
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C20069148
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
100mA
导通电阻(RDS(on))
8Ω@4.0V;13Ω@2.5V
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SMT补贴嘉立创库存137K+
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9.5
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广东仓
137K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

N沟道,电流:115mA,耐压:60V
2N7002W
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-323
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7420322
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
115mA
导通电阻(RDS(on))
900mΩ@10V
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SMT补贴嘉立创库存58K+
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广东仓
57K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

N-通道,电流:5.6A,耐压:30V
HL3400
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22469448
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
5.6A
导通电阻(RDS(on))
21mΩ@10V;33mΩ@2.5V;25mΩ@4.5V
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SMT补贴嘉立创库存220K+
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广东仓
220K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
HL3401A
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7420349
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.2A
导通电阻(RDS(on))
50mΩ@10V
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SMT补贴嘉立创库存114K+
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9.5
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广东仓
114K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
2SK3018W
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-323
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C20069149
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
100mA
导通电阻(RDS(on))
8Ω@4V;13Ω@2.5V
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SMT补贴嘉立创库存154K+
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9.5
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广东仓
154K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
HL2301A
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7420344
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
2.3A
导通电阻(RDS(on))
90mΩ@4.5V;110mΩ@2.5V
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SMT补贴嘉立创库存182K+
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广东仓
182K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
HL6042
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C28646264
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
43mΩ@4.5V
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SMT补贴嘉立创库存30K+
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  • 0.2292
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  • 0.1572
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  • 0.1175
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广东仓
30K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

P沟道,电流:-1.25A,耐压:-60V
HL2309
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C28646263
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
1.25A
导通电阻(RDS(on))
275mΩ@10V
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存76K+
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9.5
  • 0.3937
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  • 0.2722
  • 0.229805
  • 0.20672
  • 0.19513
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广东仓
76K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
BSS138W
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-323
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C28646265
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
50V
连续漏极电流(Id)
220mA
导通电阻(RDS(on))
3.5Ω@10V;6Ω@4.5V
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SMT补贴嘉立创库存39K+
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  • 0.1381
  • 0.1069
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  • 0.0701
  • 0.0653
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广东仓
38K+

3000/圆盘

总额0

近期成交90单

P沟道,电流:-4.4A,耐压:-30V
HL3401
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22469449
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.4A
导通电阻(RDS(on))
45.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)
1.2W
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SMT补贴嘉立创库存45K+
赠送积分
  • 0.2067
  • 0.161
  • 0.1357
  • 0.1204
  • 0.1072
  • 0.1001
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广东仓
45K+

3000/圆盘

总额0

近期成交78单

1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
HL2310A
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7420347
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
3A
导通电阻(RDS(on))
90mΩ@10V;125mΩ@4.5V
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20K+
赠送积分
  • 0.2253
  • 0.1837
  • 0.1628
  • 0.1438
  • 0.1313
  • 0.125
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广东仓
20K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:50V 电流:340mA
BSS138
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C427380
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
50V
连续漏极电流(Id)
340mA
导通电阻(RDS(on))
1.1Ω@10V;2Ω@4.5V

描述应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

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SMT补贴嘉立创库存80K+
  • 0.0937
  • 0.0748
  • 0.0643
  • 0.0513
  • 0.0458
  • 0.0428
现货最快4小时发货
广东仓
80K+
江苏仓
120

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

N沟道,电流:4.5A,耐压:20V
HL2300
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7420343
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4.5A
导通电阻(RDS(on))
20mΩ@4.5V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存16K+
赠送积分
  • 0.1835
  • 0.1482
  • 0.1287
  • 0.1169
  • 0.1039
  • 0.0984
现货最快4小时发货
广东仓
16K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

N沟道,电流:3.5A,耐压:30V
HL2306
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C28646262
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
3.5A
导通电阻(RDS(on))
29.5mΩ@10V
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存27K+
赠送积分
9.3
  • 0.176421
  • 0.137361
  • 0.115785
  • 0.102765
  • 0.091512
  • 0.085467
现货最快4小时发货
广东仓
27K+

3000/圆盘

总额0

近期成交33单

1个N沟道 耐压:25V 电流:220mA
FDV301N
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C20069151
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
25V
连续漏极电流(Id)
220mA
导通电阻(RDS(on))
4Ω@4.5V;5Ω@2.7V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+
赠送积分
  • 0.195
  • 0.1729
  • 0.1619
  • 0.1411
  • 0.1345
  • 0.1311
现货最快4小时发货
广东仓
12K+
江苏仓
1610

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

P沟道,电流:-4.1A,耐压:-30V
HL3407A
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C28646269
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.1A
导通电阻(RDS(on))
40mΩ@10V
耗散功率(Pd)
1.2W
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15K+
赠送积分
  • 0.2345
  • 0.1844
  • 0.1593
  • 0.1405
  • 0.1254
  • 0.1179
现货最快4小时发货
广东仓
15K+

3000/圆盘

总额0

近期成交99单

N沟道MOSFET,电流:3A,耐压:20V
HL2302
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C28646268
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
3A
导通电阻(RDS(on))
45mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
700mW
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存14K+
赠送积分
  • 0.1396
  • 0.1088
  • 0.0916
  • 0.0814
  • 0.0724
  • 0.0676
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广东仓
14K+

3000/圆盘

总额0

近期成交73单

1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
HL2304
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7420346
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
3.6A
导通电阻(RDS(on))
37mΩ@10V;57mΩ@4.5V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存14K+
赠送积分
  • 0.1872
  • 0.1524
  • 0.1331
  • 0.1099
  • 0.0998
  • 0.0944
现货最快4小时发货
广东仓
14K+

3000/圆盘

总额0

近期成交54单

1个N沟道 耐压:100V 电流:200mA
BSS123
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C427379
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
200mA
导通电阻(RDS(on))
3Ω@10V

描述应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存24K+
  • 0.0935
  • 0.0745
  • 0.0609
  • 0.0546
  • 0.0491
  • 0.0461
现货最快4小时发货
广东仓
24K+
江苏仓
36K+

3000/圆盘

总额0

近期成交66单

N沟道 耐压:20V 电流:4.3A
HJ8205
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23-6L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C20069150
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4.3A
导通电阻(RDS(on))
30mΩ@4.0V;46mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)
1.25W
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9639
赠送积分
  • 0.2996
  • 0.2362
  • 0.2045
  • 0.1738
  • 0.1548
  • 0.1452
现货最快4小时发货
广东仓
9560

3000/圆盘

总额0

近期成交41单

P沟道MOSFET,电流:-3.6A,耐压:-12V
HL2305
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C28646261
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
12V
连续漏极电流(Id)
3.6A
导通电阻(RDS(on))
26mΩ@4.5V;40mΩ@2.5V;52mΩ@1.8V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9759
赠送积分
  • 0.1634
  • 0.142
  • 0.1313
  • 0.1233
  • 0.1168
  • 0.1136
现货最快4小时发货
广东仓
9710

3000/圆盘

总额0

近期成交77单

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
HL3400A
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7420348
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
5.8A
导通电阻(RDS(on))
35mΩ@10V
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1个P沟道 耐压:60V 电流:5A
HT06P900S
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-223
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C49066905
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
53mΩ@10V
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1个P沟道 耐压:30V 电流:1.9A
HL2303
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7420345
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
1.9A
导通电阻(RDS(on))
75mΩ@10V
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近期成交87单

P沟道,电流:5.6A,耐压:20V
HL3415A
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C28646270
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
5.6A
导通电阻(RDS(on))
31mΩ@4.5V;41mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)
1.3W
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