光电二极管
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- ￥3.58
- ￥2.85
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- ￥2.107
- ￥1.6954
- ￥1.5974
- 广东仓
- 2
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- 7904
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交30单
- 直流反向耐压
- 5V
- 频谱范围
- 400nm~1100nm
- 暗电流
- 20nA
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述光敏二极管 ；3.2*2.0*0.6mm； 健康监测（心率监测、脉搏血氧饱和度测定）
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- 对比
SMT扩展库
- ￥4.92
- ￥3.928
- ￥3.424
- ￥2.928
- ￥2.608
- ￥2.456
- 广东仓
- 12
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- 4034
4000个/圆盘
总额￥0
近期成交17单
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SMT扩展库
- ￥5.6
- ￥4.56
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- ￥2.6656
- ￥2.5088
- 广东仓
- 1079
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- 1537
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 直流反向耐压
- 60V
- 接收角度
- ±60°
- 峰值波长
- 940nm
- 频谱范围
- 790nm~1050nm
描述Photodiode 940nm 120° Radial, Side View，波长响应范围: 790nm ~ 1050nm
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SMT扩展库
- ￥3.97
- ￥3.48
- ￥3.24
- ￥3
- ￥2.86
- ￥2.79
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- 3675
4000个/袋
总额￥0
近期成交30单
- 直流反向耐压
- 24.7V
- 峰值波长
- 420nm
- 频谱范围
- 200nm~900nm
- 暗电流
- 7.5uA
描述安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。
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SMT扩展库
- ￥191.6
- ￥181.52
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- 145
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
- 直流反向耐压
- 5V
- 频谱范围
- 400nm~1100nm
- 暗电流
- 20nA
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述光敏二极管 ；4.4*3.7*0.55mm；健康监测（心率监测、脉搏血氧饱和度测定）
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- 对比
SMT扩展库
- ￥4.08
- ￥3.304
- ￥2.912
- ￥2.528
- ￥2.224
- ￥2.104
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- 1439
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交28单
- 直流反向耐压
- 24.7V
- 峰值波长
- 420nm
- 频谱范围
- 300nm~950nm
- 暗电流
- 618nA
描述安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。
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SMT扩展库
- ￥138.88
- ￥131.44
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- 28
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交22单
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SMT扩展库
- ￥0.9635
- ￥0.8431
- ￥0.7914
- ￥0.6795
- ￥0.6508
- ￥0.6336
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- 5025
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1000个/袋
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近期成交9单
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- ￥3.43
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- ￥1.95
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6000个/圆盘
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- ￥1.1478
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- ￥0.7386
- ￥0.7188
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1000个/袋
总额￥0
近期成交13单
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SMT扩展库
- ￥2.084
- ￥1.6555
- ￥1.4719
- ￥1.059674
- ￥0.959714
- ￥0.899738
- 广东仓
- 85
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- 865
6000个/圆盘
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- ￥0.21402
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- ￥0.1422
- ￥0.12681
- ￥0.11349
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- 3400
4000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
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SMT扩展库
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- ￥0.8565
- ￥0.7797
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- 广东仓
- 2265
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- 2800
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交11单
- 直流反向耐压
- 24.7V
- 峰值波长
- 420nm
- 频谱范围
- 300nm~950nm
- 暗电流
- 154nA
描述安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。
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- ￥124.17
- ￥117.52
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- 59
3000个/圆盘
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近期成交5单
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SMT扩展库
- ￥0.25479
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- ￥0.15759
- ￥0.14202
- ￥0.13428
- 广东仓
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4000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
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SMT扩展库
- ￥6.13
- ￥5.47
- ￥5.11
- ￥4.653
- ￥3.9501
- ￥3.861
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- 696
4000个/袋
总额￥0
近期成交16单
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SMT扩展库
- ￥0.359005
- ￥0.297445
- ￥0.266665
- ￥0.22971
- ￥0.21128
- ￥0.202065
- 广东仓
- 850
1000个/袋
总额￥0
近期成交42单