光电二极管
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥2.0823
- ¥1.6551
- ¥1.472
- ¥1.06085
- ¥0.961184
- ¥0.901306
- 广东仓
- 22K+
6000个/圆盘
总额¥0
近期成交32单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥3.54
- ¥2.81
- ¥2.49
- ¥2.058
- ¥1.6562
- ¥1.5582
- 广东仓
- 30
- 江苏仓
- 6856
1000个/圆盘
总额¥0
近期成交33单
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 峰值波长
- 920nm
- 暗电流
- 5nA
- 工作温度
- -25℃~+85℃
描述5.1x2.9 mm diameter package 发光颜色:红外接收:PD;晶片材质:硅材料SILICON 胶体类型:黑色Black
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥0.9635
- ¥0.8431
- ¥0.7914
- ¥0.6795
- ¥0.6508
- ¥0.6336
- 广东仓
- 5025
- 江苏仓
- 3770
1000个/袋
总额¥0
近期成交6单
- 收藏
- 对比
- ¥3.31
- ¥2.67
- ¥2.34
- ¥1.919
- ¥1.7385
- ¥1.6435
- 广东仓
- 5890
6000个/圆盘
总额¥0
近期成交2单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥5.6
- ¥4.56
- ¥4.04
- ¥3.4496
- ¥2.6656
- ¥2.5088
- 广东仓
- 1082
- 江苏仓
- 1537
1000个/圆盘
总额¥0
近期成交8单
- 直流反向耐压(Vr)
- 24.7V
- 峰值波长
- 420nm
- 频谱范围
- 300nm~950nm
- 暗电流
- 618nA
描述安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率,以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内,可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出,适用于快速计时应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥138.88
- ¥131.44
- 广东仓
- 67
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交26单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥1.1478
- ¥1.0091
- ¥0.9497
- ¥0.7716
- ¥0.7386
- ¥0.7188
- 广东仓
- 2610
- 江苏仓
- 4105
1000个/袋
总额¥0
近期成交14单
- 直流反向耐压(Vr)
- 60V
- 接收角度
- ±60°
- 峰值波长
- 940nm
- 频谱范围
- 790nm~1050nm
描述Photodiode 940nm 120° Radial, Side View,波长响应范围: 790nm ~ 1050nm
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥3.97
- ¥3.48
- ¥3.24
- ¥3
- ¥2.86
- ¥2.79
- 广东仓
- 4454
- 江苏仓
- 3652
4000个/袋
总额¥0
近期成交28单
- 直流反向耐压(Vr)
- 5V
- 频谱范围
- 400nm~1100nm
- 暗电流
- 20nA
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述光敏二极管 ;4.4*3.7*0.55mm;健康监测(心率监测、脉搏血氧饱和度测定)
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥4.08
- ¥3.304
- ¥2.912
- ¥2.528
- ¥2.224
- ¥2.104
- 广东仓
- 1290
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交31单
- 直流反向耐压(Vr)
- 15V
- 接收角度
- 60°
- 峰值波长
- 940nm
- 频谱范围
- 400nm~1100nm
描述6048血氧接收(IV=12-14mcd,血氧仪产品 (Typ)@IF=20mA)
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥1.87
- ¥1.62
- ¥1.51
- ¥1.37
- ¥1.31
- ¥1.28
- 广东仓
- 643
- 江苏仓
- 868
1000个/圆盘
总额¥0
近期成交15单
- 直流反向耐压(Vr)
- 24.7V
- 峰值波长
- 420nm
- 频谱范围
- 200nm~900nm
- 暗电流
- 7.5uA
描述安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化,如 ToF-PET(飞行时间正电子发射层析成像)。由于提高了微单元密度,J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE),灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2,并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的,所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸,符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出,适用于快速计时功能。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥188.23
- ¥178.16
- 广东仓
- 99
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交12单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥0.218776
- ¥0.17158
- ¥0.14536
- ¥0.129628
- ¥0.116012
- ¥0.108652
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2340
4000个/圆盘
总额¥0
近期成交8单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥0.260452
- ¥0.20746
- ¥0.180964
- ¥0.161092
- ¥0.145176
- ¥0.137264
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 3830
4000个/圆盘
总额¥0
近期成交4单
- 直流反向耐压(Vr)
- 20V
- 接收角度
- ±65°
- 峰值波长
- 850nm
- 频谱范围
- 350nm~1100nm
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥9.74
- ¥7.97
- ¥7
- ¥5.91
- ¥5.42
- 广东仓
- 804
5000个/圆盘
总额¥0
近期成交29单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥1.0616
- ¥0.918
- ¥0.8565
- ¥0.7797
- ¥0.7456
- 广东仓
- 2195
- 江苏仓
- 2795
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交13单