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达林顿管

”共 1014件相关商品
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1014
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  • 类型: NPN
  • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
  • 直流电流增益(hFE): 1000
  • 集电极电流(Ic): 5A
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    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE): 12000
    • 耗散功率(Pd): 1.5W
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    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE): 1000
    • 耗散功率(Pd): 1.75W
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    • 广东仓: 510
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    • 近期成交25单
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 直流电流增益(hFE): 10000
    • 耗散功率(Pd): 250mW
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    • 订单数量按照以下:
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    • 第二阶梯10
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    • 广东仓: 6910
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    • MJD122T4G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: TO-252-2(DPAK)
    • 描述: 该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。
    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE): 1000
    • 耗散功率(Pd): 1.75W
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    • 近期成交100单+
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    • 封装:  TO-252-2(DPAK)
      描述: 该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 直流电流增益(hFE): 10000
    • 耗散功率(Pd): 300mW
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    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE): 1000
    • 耗散功率(Pd): 1.75W
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    • 第二阶梯6.5
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    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE): 1000
    • 耗散功率(Pd): 2W
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    • 广东仓: 3248
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    • 近期成交72单
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    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 直流电流增益(hFE): 10000
    • 耗散功率(Pd): 1.3W
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    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯10
    • 第二阶梯10
    • 第三阶梯10
    • 第四阶梯9.8
    • 第五阶梯9.8
    • 第六阶梯9.8
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      • ¥1.0038
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      • ¥0.8558
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      ¥1.7666
    • 50+: 

      ¥1.3781
    • 150+: 

      ¥1.2115
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      ¥0.838684
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    • 近期成交13单
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    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE): 1000
    • 耗散功率(Pd): 20W
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 直流电流增益(hFE): 750
    • 耗散功率(Pd): 40W
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    • 广东仓: 4270
      江苏仓: 0
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 耗散功率(Pd): 1.25W
    • 集电极电流(Ic): 1A
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  • 9.8 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯10
    • 第二阶梯10
    • 第三阶梯10
    • 第四阶梯9.8
    • 第五阶梯9.8
    • 第六阶梯9.8
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      ¥2.07
    • 30+: 

      ¥1.83
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      ¥1.4994
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    • 1000+: 

      ¥1.2936
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 80V
    • 直流电流增益(hFE): 10000
    • 耗散功率(Pd): 300mW
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE): 1000
    • 耗散功率(Pd): 2W
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    • 近期成交35单
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    • MJD127T4G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: TO-252-2(DPAK)
    • 描述: 该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。
    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE): 1000
    • 耗散功率(Pd): 1.75W
  • 领券
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    • 广东仓: 4440
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    • 总额: ¥0
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    • 近期成交45单
      已加购
    • 封装:  TO-252-2(DPAK)
      描述: 该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。
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    • MMBTA64LT1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此 PNP 双极达林顿晶体管适用于开关应用,如打印锤、继电器、电磁阀和灯驱动器。此器件采用 SOT-23 封装,适合低功率表面贴装应用。
    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 30V
    • 直流电流增益(hFE): 20000@5V,100mA
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    • 类型: NPN
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    • 集电极电流(Ic): 8A
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    • 类型: NPN
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    • MJ11033G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: TO-204(TO-3)
    • 描述: 此类双极功率达林顿晶体管用作互补通用放大器应用中的输出器件。
    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 120V
    • 直流电流增益(hFE): 1000
    • 耗散功率(Pd): 300W
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