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达林顿管

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  • TIP122
  • 品牌: ST(意法半导体)
  • 封装: TO-220-3
  • 描述: NPN 耐压:100V 电流:5A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@3V,3A 功率(Pd):2W 集电极电流(Ic):5A
  • 类型: NPN
  • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@3V,3A
  • 功率(Pd): 2W
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  • TIP127
  • 品牌: ST(意法半导体)
  • 封装: TO-220
  • 描述: PNP 耐压:100V 电流:5A 类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):100V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@3V,3A 功率(Pd):2W 集电极电流(Ic):5A
  • 类型: PNP
  • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@3V,3A
  • 功率(Pd): 2W
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  • 2SD2170T100
  • 品牌: ROHM(罗姆)
  • 封装: SC-62
  • 描述: NPN 耐压:90V 电流:2A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):90V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@2V,1A 功率(Pd):2W 集电极电流(Ic):2A NPN
  • 类型: NPN
  • 集射极击穿电压(Vceo): 90V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@2V,1A
  • 功率(Pd): 2W
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  • BCV49TA
  • 品牌: DIODES(美台)
  • 封装: SOT-89-3
  • 描述: NPN 耐压:60V 电流:500mA 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):60V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@5V,100mA 功率(Pd):1W 集电极电流(Ic):500mA
  • 类型: NPN
  • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 10000@5V,100mA
  • 功率(Pd): 1W
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  • MMBTA13LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: NPN 耐压:30V 电流:300mA 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@5V,100mA 功率(Pd):225mW 集电极电流(Ic):300mA 此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适合低功率表面贴装应用。
  • 类型: NPN
  • 集射极击穿电压(Vceo): 30V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 10000@5V,100mA
  • 功率(Pd): 225mW
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  • BCV48,115
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-89-3
  • 描述: PNP 耐压:60V 电流:500mA 类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):60V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@5V,100mA 功率(Pd):1.3W 集电极电流(Ic):500mA
  • 类型: PNP
  • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 10000@5V,100mA
  • 功率(Pd): 1.3W
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  • BCV49,115
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-89-3
  • 描述: NPN 耐压:60V 电流:500mA 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):60V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@5V,100mA 功率(Pd):1.3W 集电极电流(Ic):500mA
  • 类型: NPN
  • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 10000@5V,100mA
  • 功率(Pd): 1.3W
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  • BDX53C
  • 品牌: ST(意法半导体)
  • 封装: TO-220
  • 描述: NPN 耐压:100V 电流:8A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):750@3V,3A 功率(Pd):60W 集电极电流(Ic):8A 达林顿晶体管,NPN,Vceo=100V,Ic=8A
  • 类型: NPN
  • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 750@3V,3A
  • 功率(Pd): 60W
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  • BST50,115
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-89-3
  • 描述: NPN 耐压:45V 电流:1A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):2000@10V,500mA 功率(Pd):1.3W 集电极电流(Ic):1A
  • 类型: NPN
  • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 2000@10V,500mA
  • 功率(Pd): 1.3W
  • 9.7 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯10
    • 第二阶梯10
    • 第三阶梯10
    • 第四阶梯9.7
    • 第五阶梯9.7
    • 第六阶梯9.7
  • SMT扩展库
    • 9.7 折
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      • ¥1.2821
      • ¥1.1494
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      ¥1.5916
    • 50+: 

      ¥1.2821
    • 150+: 

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      江苏仓: 1990
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    • TIP147
    • 品牌: ST(意法半导体)
    • 封装: TO-247
    • 描述: PNP 耐压:100V 电流:10A 类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):100V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@4V,5A 功率(Pd):125W 集电极电流(Ic):10A
    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@4V,5A
    • 功率(Pd): 125W
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      ¥9
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      江苏仓: 0
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    • FZT705TA
    • 品牌: DIODES(美台)
    • 封装: SOT-223-3
    • 描述: PNP 耐压:120V 电流:2A 类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):120V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):3000@5V,1A 功率(Pd):2W 集电极电流(Ic):2A
    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 120V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 3000@5V,1A
    • 功率(Pd): 2W
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    • ZXTN04120HFFTA
    • 品牌: DIODES(美台)
    • 封装: SOT-23F
    • 描述: NPN 耐压:120V 电流:1A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):120V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):3000@5V,1A 功率(Pd):1.5W 集电极电流(Ic):1A
    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 120V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 3000@5V,1A
    • 功率(Pd): 1.5W
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        进度: 
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    • BDX33C
    • 品牌: ST(意法半导体)
    • 封装: TO-220
    • 描述: NPN 耐压:100V 电流:10A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):750@3V,3A 功率(Pd):70W 集电极电流(Ic):10A
    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 750@3V,3A
    • 功率(Pd): 70W
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    • 广东仓: 3120
      江苏仓: 0
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    • TIP142
    • 品牌: ST(意法半导体)
    • 封装: TO-247AC-3
    • 描述: NPN 耐压:100V 电流:10A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@4V,5A 功率(Pd):125W 集电极电流(Ic):10A
    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@4V,5A
    • 功率(Pd): 125W
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    • FCX605TA
    • 品牌: DIODES(美台)
    • 封装: SOT-89-3
    • 描述: NPN 耐压:120V 电流:1A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):120V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):2000@5V,1A 功率(Pd):1W 集电极电流(Ic):1A
    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 120V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 2000@5V,1A
    • 功率(Pd): 1W
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      ¥2.0125
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    • FZT603TA
    • 品牌: DIODES(美台)
    • 封装: SOT-223-4
    • 描述: NPN 耐压:80V 电流:2A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):80V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):5000@5V,500mA 功率(Pd):2W 集电极电流(Ic):2A 双NPN,Vceo=80V,Ic=2A
    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 80V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 5000@5V,500mA
    • 功率(Pd): 2W
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    • TIP127
    • 品牌: TF(拓锋)
    • 封装: TO-220
    • 描述: PNP 耐压:100V 电流:5A 类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):100V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@3V,3A 功率(Pd):2W 集电极电流(Ic):5A
    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@3V,3A
    • 功率(Pd): 2W
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    • TIP142T
    • 品牌: minos(迈诺斯)
    • 封装: TO-220
    • 描述: NPN 耐压:100V 电流:8A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@4V,3A 功率(Pd):70W 集电极电流(Ic):8A
    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@4V,3A
    • 功率(Pd): 70W
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    • BDX34C
    • 品牌: ST(意法半导体)
    • 封装: TO-220
    • 描述: PNP 耐压:100V 电流:10A 类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):100V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):750@3V,3A 功率(Pd):70W 集电极电流(Ic):10A
    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
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      • 50+: 
      • 100+: 
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      ¥4.2275
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      ¥3.7525
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      ¥3.515
    • 100+: 

      ¥3.2775
    • 500+: 

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    • TIP122
    • 品牌: minos(迈诺斯)
    • 封装: TO-220
    • 描述: NPN 耐压:100V 电流:5A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@3V,0.5A 功率(Pd):2W 集电极电流(Ic):5A
    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@3V,0.5A
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