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达林顿管

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品牌/产地

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  • Infineon(英飞凌)

封装/规格

  • -
  • CERDIP-16
  • CERDIP-18
  • D2PAK
  • DIP-16
  • DPAK-3
  • IPAK
  • NP-3
  • SC-62
  • SIP-10

类型

  • -
  • NPN
  • PNP

集射极击穿电压(Vceo)

  • -
  • -120V
  • 20V
  • 30V
  • 32V
  • 40V
  • 45V
  • 50V
  • 55V
  • 60V

集电极电流(Ic)

  • -30A
  • 500uA
  • 1mA
  • 100mA
  • 300mA
  • 500mA
  • 600mA
  • 700mA
  • 800mA
  • 900mA

功率(Pd)

  • -
  • 200mW
  • 225mW
  • 250mW
  • 300mW
  • 310mW
  • 330mW
  • 350mW
  • 360mW
  • 500mW

集电极截止电流(Icbo@Vcb)

  • -
  • 10nA
  • 50nA
  • 100nA
  • 100nA@30V
  • 200nA
  • 500nA
  • 500nA@80V
  • 1uA
  • 10uA@70V

集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)

  • -
  • 960mV@1A,5mA
  • 1V@100uA,100mA
  • 1V@100mA,100uA
  • 1V@1A,1mA
  • 1V@10uA,10mA
  • 1.05V@1A,5mA
  • 1.13V@2A,20mA
  • 1.2V@1.5A,1.5mA
  • 1.2V@100uA,100mA

直流电流增益(hFE@Vce,Ic)

  • 40@10A,5V
  • 100@6A,3V
  • 100@20A,5V
  • 100@10A,5V
  • 200@5V,2A
  • 200@10V,30mA
  • 200@5V,4A
  • 300@1.5A,3V
  • 300@10V,5A
  • 300@3A,6V

特征频率(fT)

  • -
  • 2MHz
  • 3MHz
  • 4MHz
  • 6MHz
  • 8MHz
  • 25MHz
  • 40MHz
  • 60MHz
  • 75MHz

工作温度

  • -
  • -65℃~+200℃@(Tj)
  • -65℃~+175℃@(Tj)
  • -65℃~+150℃@(Tj)
  • -55℃~+175℃@(Tj)
  • -55℃~+125℃@(Ta)
  • -55℃~+200℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃@(Tj)
  • -40℃~+85℃@(Ta)
  • -40℃~+105℃@(Ta)

参考封装

  • TO-220-3
  • SOT-23-3
  • TO-126-3/TO-225AA
  • TO-252-3
  • SOT-223-3
  • TO-3-2
  • TO-92-3
  • SOT-89-3
  • TO-247-3
  • TO-263-3

商品标签

  • 无铅
  • 高增益

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

嘉立创SMT

  • smt扩展库
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581
MJD122 达林顿管
“SMT扩展库”
  • 编号:C59488
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MJD127 达林顿管
“SMT扩展库”
  • 编号:C24627
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BCV47 达林顿管
“SMT扩展库”
  • 编号:C182127
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  • 型号: TIP122
  • 品牌: ST(意法半导体)
  • 封装: TO-220-3
  • 描述:类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 集电极电流(Ic):5A 功率(Pd):2W 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@3V,3A 厚片 NPN,Vceo=100V,Ic=5A
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  • 型号: BCV49TA
  • 品牌: DIODES(美台)
  • 封装: SOT-89-3
  • 描述:类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):60V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):1W 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@5V,100mA
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MJD112 达林顿管
“SMT扩展库”
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TIP122 达林顿管
“SMT扩展库”
  • 编号:C84073
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  • 型号: MMBTA13LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):300mA 功率(Pd):225mW 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@5V,100mA NPN 双极达林顿晶体管 此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适合低功率表面贴装应用。
  • 编号:C128012
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  • 9.8 折
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CZT127 达林顿管
“SMT扩展库”
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FZT605TA 达林顿管
“SMT扩展库”
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TIP127 达林顿管
“SMT扩展库”
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  • 型号: TIP127L-TN3-R
  • 品牌: UTC(友顺)
  • 封装: TO-252-2(DPAK)
  • 描述: 低频放大用PNP,Vceo=100V,Ic=5A
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  • 型号: BC516
  • 品牌: ST(先科)
  • 封装: TO-92-3
  • 描述:类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):30000@2V,20mA
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  • 型号: FMMT634QTA
  • 品牌: DIODES(美台)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 集电极电流(Ic):900mA 功率(Pd):806mW 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):20000@5V,100mA NPN,100V,900mA
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  • 编号:C5337130
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  • 型号: BCV46,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23-3
  • 描述:类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):60V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@5V,100mA PNP
  • 编号:C417381
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  • 9.5 折
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    • 第一阶梯10
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    • 第六阶梯9.5
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TIP122 达林顿管
“SMT扩展库”
  • 编号:C165098
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    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.6
    • 第二阶梯9.6
    • 第三阶梯9.6
    • 第四阶梯9.6
    • 第五阶梯9.6
    • 第六阶梯9.6
  • 采购晶
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  • 200个/袋
  • 近期成交:14单
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  • 型号: BCV46TA
  • 品牌: DIODES(美台)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):60V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):330mW 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@5V,100mA
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  • 型号: MMBTA64-7-F
  • 品牌: DIODES(美台)
  • 封装: SOT-23-3
  • 描述:类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):20000@5V,100mA
  • 内地(含税价)
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  • 型号: SSTA28MGT116
  • 品牌: ROHM(罗姆)
  • 封装: SOT-23
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NPN 120V 1A 达林顿管
“SMT扩展库”
  • 型号: ZXTN04120HFFTA
  • 品牌: DIODES(美台)
  • 封装: SOT-23F
  • 描述:类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):120V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):1.5W 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):3000@5V,1A This high performance NPN Darlington transistor is housed in the small outline SOT23 flat package for applications where space is at a premium.
  • 内地(含税价)
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  • 型号: TIP142
  • 品牌: ST(意法半导体)
  • 封装: TO-247AC-3
  • 描述:类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 集电极电流(Ic):10A 功率(Pd):125W 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@4V,5A NPN,Vceo=100V,Ic=10A
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  • 30个/管
  • 近期成交:15单
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NPN 90V 2A 达林顿管
“SMT扩展库”
  • 型号: 2SD2170T100
  • 品牌: ROHM(罗姆)
  • 封装: SC-62
  • 描述:类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):90V 集电极电流(Ic):2A 功率(Pd):2W 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@2V,1A NPN
  • 内地(含税价)
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  • 型号: BSP52T1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-223
  • 描述:类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):800mW 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):2000@10V,500mA NPN 双极达林顿晶体管 此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-223 封装,适用于中等功率表面贴装应用。
  • 编号:C899057
  • 数据手册
  • 9.9 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯10
    • 第二阶梯10
    • 第三阶梯10
    • 第四阶梯9.9
    • 第五阶梯9.9
    • 第六阶梯9.9
  • 采购晶
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  • 型号: TIP127
  • 品牌: YW(友旺)
  • 封装: TO-252-3
  • 描述:
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  • 近期成交:12单
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PNP 100V 5A 达林顿管
“SMT扩展库”
  • 型号: TIP127
  • 品牌: ST(意法半导体)
  • 封装: TO-220
  • 描述:类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):100V 集电极电流(Ic):5A 功率(Pd):2W 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@3V,3A PNP,Vceo=100V,Ic=5A
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  • 50个/管
  • 近期成交:43单
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  • 型号: BCV27
  • 品牌: PJSEMI(平晶微)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: 达林顿管 NPN, VCEO:30 V, fT:220 MHz, PD:200 mW, IC:500 mA, 20000 hFE
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  • 近期成交:10单
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NPN 80V 2A 达林顿管
“SMT扩展库”
  • 型号: FZT603TA
  • 品牌: DIODES(美台)
  • 封装: SOT-223-4
  • 描述:类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):2A 功率(Pd):2W 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):5000@5V,500mA 双NPN,Vceo=80V,Ic=2A
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  • 近期成交:3单
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  • 200个/袋
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