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达林顿管

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自营结果数1020
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

MJD122
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
TO-252-2L
类目
达林顿管
编号
C59488

描述NPN,Vceo=100V,Ic=8A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存47K+
  • 1.2405
  • 0.9614
  • 0.8251
  • 0.7036
  • 0.6702
  • 0.6501
现货最快4小时发货
广东仓
44K+
江苏仓
120

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

MJD127
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
TO-252-2L
类目
达林顿管
编号
C24627
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
直流电流增益(hFE)
12000
耗散功率(Pd)
1.5W

描述PNP,Vceo=-100V,Ic=-8A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存75K+
  • 1.2862
  • 1.002
  • 0.8632
  • 0.7394
  • 0.6593
  • 0.6389
现货最快4小时发货
广东仓
74K+
江苏仓
20

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

TIP122
品牌
ST(意法半导体)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C16283
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
100V
直流电流增益(hFE)
1000
集电极电流(Ic)
5A

描述互补功率达林顿晶体管

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6236
  • 1.9545
  • 1.5032
  • 1.2829
  • 1.0863
  • 1.0323
  • 0.9999
现货最快4小时发货
广东仓
5840

50/

总额0

近期成交100单+

MJD122T4G
MJD122T4G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-252(DPAK)
类目
达林顿管
编号
C12789
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
100V
直流电流增益(hFE)
1000
耗散功率(Pd)
1.75W

描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8215
  • 3.06
  • 2.36
  • 2.06
  • 1.69
  • 1.52
  • 1.42
现货最快4小时发货
广东仓
7942
江苏仓
10K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

MJD122T4G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-252(DPAK)
批次
25+
立推售价
  • 1.295
库存
50K

2500/圆盘

总额0

BCV47
BCV47
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
SOT-23
类目
达林顿管
编号
C182127
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
60V
直流电流增益(hFE)
10000
耗散功率(Pd)
300mW

描述NPN,Vceo=60V,Ic=0.5A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存16K+
  • 0.2655
  • 0.2127
  • 0.1863
  • 0.1665
  • 0.1507
  • 0.1428
现货最快4小时发货
广东仓
14K+
江苏仓
50

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MJD127
MJD127
品牌
YONGYUTAI(永裕泰)
封装
TO-252
类目
达林顿管
编号
C22467096
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
耗散功率(Pd)
1.75W
集电极电流(Ic)
3A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+
  • 0.6654
  • 0.5214
  • 0.4494
  • 0.3954
  • 0.3522
  • 0.3306
现货最快4小时发货
广东仓
9370
江苏仓
120

2500/圆盘

总额0

近期成交40单

MJD112
MJD112
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
TO-252-2L
类目
达林顿管
编号
C69605

描述NPN,Vceo=100V,Ic=2A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4880
  • 1.2387
  • 0.9766
  • 0.8643
  • 0.7241
  • 0.6254
现货最快4小时发货
广东仓
4815

2500/圆盘

总额0

近期成交31单

MJD122
MJD122
品牌
minos(迈诺斯)
封装
TO-252
类目
达林顿管
编号
C33129596
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
100V
直流电流增益(hFE)
1000
集电极电流(Ic)
5A

描述NPN 集电极—发射极电压(Vceo):100V 集电极电流(Ic):5A 功率(Pd):65W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat1)@Ic,Ib):2V@3A,12mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):1000@0.5A,3V,工作温度:+150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.0356
  • 0.8088
  • 0.7116
  • 0.5903
  • 0.5723
  • 0.5399
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
9800

2500/圆盘

总额0

近期成交10单

MJD122
品牌
minos(迈诺斯)
封装
TO-252
立推售价
  • 0.4618
库存
100K

2500/圆盘

总额0

BCV27,215
BCV27,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
达林顿管
编号
C455039
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
30V
直流电流增益(hFE)
20000
耗散功率(Pd)
250mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6338
  • 0.3059
  • 0.2384
  • 0.2047
  • 0.1794
  • 0.1591
  • 0.149
现货最快4小时发货
广东仓
6290

3000/圆盘

总额0

近期成交21单

BCV47,215
BCV47,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
达林顿管
编号
C406044
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
60V
直流电流增益(hFE)
10000
耗散功率(Pd)
250mW

描述NPN 60V 500mA

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4965
  • 0.3516
  • 0.2842
  • 0.2505
  • 0.2199
  • 0.1997
  • 0.1896
现货最快4小时发货
广东仓
4780

3000/圆盘

总额0

近期成交91单

FMMT634TA
FMMT634TA
品牌
DIODES(美台)
封装
SOT-23
类目
达林顿管
编号
C460213
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
100V
直流电流增益(hFE)
20000
耗散功率(Pd)
625mW

描述NPN,Vceo=100V,Ic=900mA

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4036
  • 2.26
  • 1.76
  • 1.54
  • 1.27
  • 1.15
  • 1.07
现货最快4小时发货
广东仓
3508

3000/圆盘

总额0

近期成交24单

MJD127T4G
MJD127T4G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-252(DPAK)
类目
达林顿管
编号
C111639
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
直流电流增益(hFE)
1000
耗散功率(Pd)
1.75W

描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7160
  • 2.96
  • 2.29
  • 2.01
  • 1.65
  • 1.49
  • 1.4
现货最快4小时发货
广东仓
7127

2500/圆盘

总额0

近期成交53单

MJD112T4G
MJD112T4G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-252(DPAK)
类目
达林顿管
编号
C233690
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
100V
直流电流增益(hFE)
1000
集电极电流(Ic)
2A

描述专为通用电源和开关应用而设计,如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出级或驱动级。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4019
  • 3.26
  • 2.51
  • 2.19
  • 1.79
  • 1.61
  • 1.51
现货最快4小时发货
广东仓
4013

2500/圆盘

总额0

近期成交15单

MMBTA64LT1G
MMBTA64LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
达林顿管
编号
C232607
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
30V
直流电流增益(hFE)
20000@5V,100mA
耗散功率(Pd)
225mW

描述此 PNP 双极达林顿晶体管适用于开关应用,如打印锤、继电器、电磁阀和灯驱动器。此器件采用 SOT-23 封装,适合低功率表面贴装应用。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存100K+
  • 0.2411
  • 0.1869
  • 0.1598
  • 0.1394
  • 0.1232
  • 0.115
现货最快4小时发货
广东仓
99K+

3000/圆盘

总额0

近期成交28单

BSP51,115
BSP51,115
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-223-3
类目
达林顿管
编号
C549743
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
60V
耗散功率(Pd)
1.25W
集电极电流(Ic)
1A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2029
  • 2.62
  • 2.07
  • 1.83
  • 1.53
  • 1.4
  • 1.32
现货最快4小时发货
广东仓
2016

1000/圆盘

总额0

近期成交11单

FZT603TA
FZT603TA
品牌
DIODES(美台)
封装
SOT-223
类目
达林顿管
编号
C460086
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
80V
直流电流增益(hFE)
5000
耗散功率(Pd)
2W

描述双NPN,Vceo=80V,Ic=2A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存687
  • 2.7797
  • 2.2871
  • 2.076
  • 1.6193
  • 1.502
现货最快4小时发货
广东仓
680
江苏仓
1985

1000/圆盘

总额0

近期成交16单

FZT705TA
FZT705TA
品牌
DIODES(美台)
封装
SOT-223
类目
达林顿管
编号
C151424
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
120V
直流电流增益(hFE)
3000
耗散功率(Pd)
2W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2247
  • 2.81
  • 2.24
  • 1.99
  • 1.69
  • 1.55
  • 1.47
现货最快4小时发货
广东仓
2023
江苏仓
166

1000/圆盘

总额0

近期成交24单

NPN 电流:8A 耐压:100V
MJD122
品牌
GOODWORK(固得沃克)
封装
TO-252
类目
达林顿管
编号
C46061579
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
100V
直流电流增益(hFE)
1000@4A,4V
耗散功率(Pd)
1.75W

描述适用于通用放大器和低速开关应用。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2267
9.5
  • 1.036545
  • 0.821085
  • 0.728745
  • 0.61351
  • 0.56221
  • 0.53143
现货最快4小时发货
广东仓
2215
江苏仓
1465

2500/圆盘

总额0

近期成交16单

MJD122G
MJD122G
品牌
Cmos(广东场效应半导体)
封装
TO-252(DPAK)
类目
达林顿管
编号
C6939781
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
8A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2398
9.5
  • 1.553345
  • 1.218185
  • 1.074545
  • 0.895375
  • 0.81225
  • 0.76437
现货最快4小时发货
广东仓
2345

2500/圆盘

总额0

近期成交38单

TIP122
TIP122
品牌
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C358524
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
100V
直流电流增益(hFE)
1000
耗散功率(Pd)
2W

描述塑封封装NPN 半导体三极管。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.8
  • 1.59
  • 1.5
  • 1.38
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1430

50/

总额0

近期成交10单

FZT600TA
FZT600TA
品牌
DIODES(美台)
封装
SOT-223
类目
达林顿管
编号
C154767
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
140V
直流电流增益(hFE)
2000
耗散功率(Pd)
2W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1416
  • 3.65
  • 2.83
  • 2.48
  • 2.04
  • 1.85
  • 1.73
现货最快4小时发货
广东仓
1270
江苏仓
1042

1000/圆盘

总额0

近期成交17单

BCV46,215
BCV46,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
TO-236AB
类目
达林顿管
编号
C417381
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
60V
直流电流增益(hFE)
10000
耗散功率(Pd)
250mW

描述PNP

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存500
  • 0.4262
  • 0.3364
  • 0.2915
  • 0.2555
  • 0.2285
  • 0.2151
现货最快4小时发货
广东仓
430
江苏仓
2940

3000/圆盘

总额0

近期成交27单

TIP120
TIP120
品牌
ST(意法半导体)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C262990
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
60V
直流电流增益(hFE)
1000
集电极电流(Ic)
5A

描述互补功率达林顿晶体管

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1886
  • 3.3
  • 2.56
  • 2.24
  • 1.85
  • 1.67
  • 1.56
现货最快4小时发货
广东仓
1808

50/

总额0

近期成交31单

LK1801
LK1801
品牌
LANKE(兰科)
封装
SOT-23-6
类目
达林顿管
编号
C2984830
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
集射极饱和电压(VCE(sat))
1.6V
工作温度
-40℃~+85℃

描述单路 大电流达林顿管 ,集电极输出电流输入兼容 TTL/CMOS 逻辑信号

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8739
  • 0.2225
  • 0.1739
  • 0.1469
  • 0.1178
  • 0.1038
  • 0.0962
现货最快4小时发货
广东仓
8640

3000/圆盘

总额0

近期成交26单

BCV27
BCV27
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
达林顿管
编号
C258198
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
30V
直流电流增益(hFE)
20000
耗散功率(Pd)
350mW

描述此器件适用于集极电流达 1.0 A、需要极高电流增益的应用。源自 Process 05。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4876
  • 0.2443
  • 0.1948
  • 0.17
  • 0.1514
现货最快4小时发货
广东仓
4670

3000/圆盘

总额0

近期成交45单

TIP147T
TIP147T
品牌
minos(迈诺斯)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C6719393
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
直流电流增益(hFE)
1000
耗散功率(Pd)
70W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1679
  • 1.8979
  • 1.4947
  • 1.2859
  • 1.0703
  • 0.9743
  • 0.9167
现货最快4小时发货
广东仓
1676
江苏仓
138

50/

总额0

近期成交36单

MJD122
MJD122
品牌
YONGYUTAI(永裕泰)
封装
TO-252
类目
达林顿管
编号
C22467095
集射极击穿电压(Vceo)
100V
耗散功率(Pd)
1.75W
集电极电流(Ic)
3A
集电极截止电流(Icbo)
200uA
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存331
9.2
  • 0.7201
  • 0.5761
  • 0.5041
  • 0.414092
  • 0.374348
  • 0.354384
现货最快4小时发货
广东仓
200
江苏仓
2325

2500/圆盘

总额0

近期成交51单

BCV49,115
BCV49,115
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-89-3
类目
达林顿管
编号
C455053
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
60V
耗散功率(Pd)
1.3W
集电极电流(Ic)
500mA
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.288
  • 1.0058
  • 0.8849
  • 0.7115
  • 0.6443
  • 0.6039
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1370

1000/圆盘

总额0

近期成交28单

BST52,115
BST52,115
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-89-3
类目
达林顿管
编号
C549767
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
80V
直流电流增益(hFE)
2000
耗散功率(Pd)
1.3W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存715
  • 1.6569
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品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-89
类目
达林顿管
编号
C549764
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
45V
直流电流增益(hFE)
2000
耗散功率(Pd)
1.3W
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