存储器

W25Q16JVSSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C131025

接口类型

SPI

存储容量

16Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述（与C82317为同一颗物料，只是编带方式不一样。）3V 16Mbit Serial Flash Memory with dual/quad SPI

W25Q64JVSSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C179171

接口类型

SPI

存储容量

64Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

W25Q256JVEIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

WSON-8-EP(6x8)

类目

NOR FLASH

编号

C97522

接口类型

SPI

存储容量

256Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

W25Q16JVSNIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8

类目

NOR FLASH

编号

C2456211

接口类型

SPI

存储容量

16Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述W25Q16JV（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

W25Q128JVPIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

WSON-8-EP(5x6)

类目

NOR FLASH

编号

C190862

接口类型

SPI

存储容量

128Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

W25Q64JVSSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOP-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C83140

接口类型

SPI

存储容量

64Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述64M-bit/8M-byte FLASH芯片,SPI接口 133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI) 比W25Q64FVSSIG更高速度

W25Q128JVSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C113767

接口类型

SPI

存储容量

128Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

M24C02-RMN6TP

品牌

ST(意法半导体)

封装

SOIC-8

类目

EEPROM

编号

C83836

接口类型

I2C

存储容量

2Kbit

时钟频率(fc)

400kHz

工作电压

1.8V~5.5V

描述2 Kbit串行I2C总线EEPROM

W25Q32JVSSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C82344

接口类型

SPI

存储容量

32Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述W25Q32JV（32M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

FM24CL64B-GTR

品牌

Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

封装

SOIC-8-150mil

类目

铁电存储器(FRAM)

编号

C9829

接口类型

I2C

存储容量

64Kbit

工作电压

2.7V~3.65V

工作电流

300uA

描述64-Kbit(8K × 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 3.65V FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

W9825G6KH-6I

品牌

Winbond(华邦)

封装

TSOPII-54-10.2mm

类目

同步动态随机存取内存(SDRAM)

编号

C97572

存储容量

256Mbit

时钟频率(fc)

166MHz

工作电压

3V~3.6V

工作温度

-40℃~+85℃

描述SDRAM,256Mb(32MB,16Mbx16),3.3v工业级-40°C~85°C,166MHz/CL3 or 133MHz/CL2

AT24C02

品牌

IDCHIP(英锐芯)

封装

SOP-8

类目

EEPROM

编号

C688857

接口类型

I2C

存储容量

2Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.8V~5.5V

描述24C02是一款2K位的电可擦除PROM，采用8-pin PDIP、8-pin SOP和5-pin SOT23-5封装。支持I2C两线串行接口，工作电压1.8V~5.5V，具有页写能力和硬件数据写保护。

AT24C256C-SSHL-T

品牌

MICROCHIP(美国微芯)

封装

SOIC-8

类目

EEPROM

编号

C6482

接口类型

I2C

存储容量

256Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.7V~5.5V

描述AT24C256C提供262,144位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为32,768个8位字。该器件的级联功能允许最多8个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要

W25N01GVZEIG

品牌

Winbond(华邦)

封装

WSON-8-EP(6.1x8)

类目

NAND FLASH

编号

C88868

存储容量

1Gbit

接口类型

SPI

时钟频率(fc)

104MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述W25N01GV (1G-bit) Serial SLC NAND Flash Memory 提供了一个适用于系统空间、引脚和功耗有限的存储解决方案。支持标准SPI、双SPI和四SPI接口，最高时钟频率为104MHz。

W25N02KVZEIR

品牌

Winbond(华邦)

封装

WSON-8-EP(6x8)

类目

NAND FLASH

编号

C3010298

存储容量

2Gbit

接口类型

SPI

时钟频率(fc)

104MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述W25N02KV是一款2G-bit的SLC QSPI NAND Flash存储器，支持标准SPI、双SPI和四SPI接口。具有灵活的架构，每个块为128KB，支持高达104MHz的时钟频率，提供多种封装选项，包括8-pad WSON 8x6mm、24-ball TFBGA 8x6mm和16-pin SOIC 300-mil。

W25Q80DVSSIG

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C14086

接口类型

SPI

存储容量

8Mbit

时钟频率(fc)

104MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述8-Mbit(1M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

MT41K256M16TW-107 IT:P

品牌

micron(镁光)

封装

FBGA-96

类目

DDR SDRAM

编号

C367428

描述DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。

KLM8G1GETF-B041

品牌

SAMSUNG(三星半导体)

封装

FBGA-153(11.5x13)

类目

eMMC

编号

C499918

接口类型

eMMC 5.1

工作电压

2.7V~3.6V

工作温度

-25℃~+85℃

顺序读/写

330/50 MB/s

描述eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此它是使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成

W25X40CLSNIG

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-150mil

类目

NOR FLASH

编号

C19617

接口类型

SPI

存储容量

4Mbit

时钟频率(fc)

104MHz

工作电压

2.3V~3.6V

描述4-Mbit(500K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.3V to 3.6V

W25Q32JVSSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C179173

接口类型

SPI

存储容量

32Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

AT24C02

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOP-8

类目

EEPROM

编号

C7470930

接口类型

I2C

存储容量

2Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.8V~5.5V

描述AT24C02是一款2048位的2线串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。它支持1.8V到5.5V的工作电压范围，并且在工业温度范围内（-40°C至85°C）工作。该器件具有16字节的页写模式，标准2线双向串行接口，以及5ms的最大自定时编程周期。它还具有高达1,000,000次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

AD24C02

品牌

IDCHIP(英锐芯)

封装

SOT-23-5

类目

EEPROM

编号

C5125083

接口类型

I2C

存储容量

2Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.8V~5.5V

描述AD24C02是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)。存储器可存储256个字节数据，分为32页每页8字节，随机字寻址需要8位数据字地址，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期。AD24C02为SOT23-5、SOP-8、PDIP-8三种封装。

AT24C02CM5/TR

品牌

HGSEMI(华冠)

封装

SOT23-5

类目

EEPROM

编号

C7432363

接口类型

I2C

存储容量

2Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.7V~5.5V

描述串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

AT24C16C-SSHM-T

品牌

MICROCHIP(美国微芯)

封装

SOIC-8

类目

EEPROM

编号

C6480

接口类型

I2C

存储容量

16Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.7V~5.5V