存储器

W25Q128JVSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C97521

接口类型

SPI

存储容量

128Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述128Mbit(16MBx8bit),高速版,133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI,66MB/S),比W25Q128FVSIG,W25Q128FVFIG更高速

W25Q16JVSSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C131025

接口类型

SPI

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

擦写寿命

100000次

描述（与C82317为同一颗物料，只是编带方式不一样。）3V 16Mbit Serial Flash Memory with dual/quad SPI

M24C64-RMN6TP

品牌

ST(意法半导体)

封装

SOIC-8

类目

EEPROM

编号

C79988

接口类型

I2C

存储容量

64Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.8V~5.5V

描述64 Kbit串行I2C总线EEPROM

W25Q128JVSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C113767

接口类型

SPI

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

擦写寿命

100000次

W25Q16JVSNIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8

类目

NOR FLASH

编号

C2456211

接口类型

SPI

存储容量

16Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

W25Q16JVUXIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

USON-8-EP(2x3)

类目

NOR FLASH

编号

C2843335

接口类型

SPI

存储容量

16Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

W25N02KVZEIR

品牌

Winbond(华邦)

封装

WSON-8-EP(6x8)

类目

NAND FLASH

编号

C3010298

存储容量

2Gbit

接口类型

SPI

时钟频率(fc)

104MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述W25N02KV是一款2G-bit的SLC QSPI NAND Flash存储器，支持标准SPI、双SPI和四SPI接口。具有灵活的架构，每个块为128KB，支持高达104MHz的时钟频率，提供多种封装选项，包括8-pad WSON 8x6mm、24-ball TFBGA 8x6mm和16-pin SOIC 300-mil。

W25Q32JVSSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C82344

接口类型

SPI

存储容量

32Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述32Mbit

W25N01GVZEIG

品牌

Winbond(华邦)

封装

WSON-8-EP(6.1x8)

类目

NAND FLASH

编号

C88868

存储容量

1Gbit

接口类型

SPI

时钟频率(fc)

104MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述W25N01GV (1G-bit) Serial SLC NAND Flash Memory 提供了一个适用于系统空间、引脚和功耗有限的存储解决方案。支持标准SPI、双SPI和四SPI接口，最高时钟频率为104MHz。

W25N01GVZEIG

品牌

Winbond(华邦)

封装

WSON-8-EP(6.1x8)

类目

NAND FLASH

编号

C907680

存储容量

1Gbit

接口类型

SPI

时钟频率(fc)

104MHz

工作电压

2.7V~3.6V

W25Q128JVPIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

WSON-8-EP(5x6)

类目

NOR FLASH

编号

C190862

接口类型

SPI

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

擦写寿命

100000次

M24C02-RMN6TP

品牌

ST(意法半导体)

封装

SOIC-8

类目

EEPROM

编号

C83836

接口类型

I2C

存储容量

2Kbit

工作电压

1.8V~5.5V

写周期时间(Tw)

5ms

描述2 Kbit串行I2C总线EEPROM

W25Q80DVSSIG

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C14086

接口类型

SPI

存储容量

8Mbit

时钟频率(fc)

104MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述8-Mbit(1M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

AT24C256C-SSHL-T

品牌

MICROCHIP(美国微芯)

封装

SOIC-8

类目

EEPROM

编号

C6482

接口类型

I2C

存储容量

256Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.7V~5.5V

W9825G6KH-6I

品牌

Winbond(华邦)

封装

TSOPII-54-10.2mm

类目

同步动态随机存取内存(SDRAM)

编号

C97572

存储容量

256Mbit

时钟频率(fc)

166MHz

工作电压

3V~3.6V

工作温度

-40℃~+85℃

描述SDRAM,256Mb(32MB,16Mbx16),3.3v工业级-40°C~85°C,166MHz/CL3 or 133MHz/CL2

AT24C02

品牌

IDCHIP(英锐芯)

封装

SOP-8

类目

EEPROM

编号

C688857

接口类型

I2C

存储容量

2Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.8V~5.5V

描述24C02是一款2K位的电可擦除PROM，采用8-pin PDIP、8-pin SOP和5-pin SOT23-5封装。支持I2C两线串行接口，工作电压1.8V~5.5V，具有页写能力和硬件数据写保护。

W25Q64JVSSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOP-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C83140

接口类型

SPI

存储容量

64Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述64M-bit/8M-byte FLASH芯片,SPI接口 133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI) 比W25Q64FVSSIG更高速度

W25Q256JVFIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-16-300mil

类目

NOR FLASH

编号

C779876

接口类型

SPI

存储容量

256Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

MKDV4GCL-ABB

品牌

MK(米客方德)

封装

LGA-8(6x8)

类目

NAND FLASH

编号

C7500178

存储容量

4Gbit

接口类型

SD2.0

时钟频率(fc)

50MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述SD NAND Flash类型:SLC,MKDV4GCL-AB升级款,SLC,商业级，广泛适配在各大MCU平台上；SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

AT24C16C-SSHM-T

品牌

MICROCHIP(美国微芯)

封装

SOIC-8

类目

EEPROM

编号

C6480

接口类型

I2C

存储容量

16Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.7V~5.5V

FM25CL64B-GTR

品牌

Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

封装

SOIC-8

类目

铁电存储器(FRAM)

编号

C9830

接口类型

SPI

存储容量

64Kbit

工作电压

2.7V~3.65V

工作电流

3mA

描述FM25CL64B 是一个 64-Kbit 非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。它提供可靠的 151 年数据保留时间，支持高达 100 万亿次读写操作，无需延迟写入。支持 SPI 接口，最高时钟频率为 20 MHz。

W9825G6KH-6

品牌

Winbond(华邦)

封装

TSOP-54-10.2mm

类目

同步动态随机存取内存(SDRAM)

编号

C62246

存储容量

256Mbit

时钟频率(fc)

166MHz

工作电压

3V~3.6V

工作温度

0℃~+70℃

描述W9825G6KH 是一款高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 4M 字 x 4 组 x 16 位。具有自刷新模式和低功耗模式。提供多种突发长度和延迟周期设置，适用于高性能应用。

W25X40CLSNIG

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-150mil

类目

NOR FLASH

编号

C19617

接口类型

SPI

时钟频率(fc)

104MHz

工作电压

2.3V~3.6V

擦写寿命

100000次

描述4-Mbit(500K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.3V to 3.6V

FM24CL16B-GTR

品牌

Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

封装

SOIC-8

类目

铁电存储器(FRAM)

编号

C31082

接口类型

I2C

存储容量

16Kbit

工作电压

2.7V~3.65V

工作电流

300uA

描述FM24CL16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用2Kx8组织结构。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间和低功耗。支持最高1MHz的I2C接口，适用于频繁写入的应用场景。