存储器

W25Q128JVSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C97521

接口类型

SPI

存储容量

128Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述128Mbit(16MBx8bit),高速版,133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI,66MB/S),比W25Q128FVSIG,W25Q128FVFIG更高速

W25Q32JVSSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C179173

接口类型

SPI

存储容量

32Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

W25Q16JVSSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C131025

接口类型

SPI

存储容量

16Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述（与C82317为同一颗物料，只是编带方式不一样。）3V 16Mbit Serial Flash Memory with dual/quad SPI

M24C64-RMN6TP

品牌

ST(意法半导体)

封装

SOIC-8

类目

EEPROM

编号

C79988

接口类型

I2C

存储容量

64Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.8V~5.5V

描述64 Kbit串行I2C总线EEPROM

AT24C256C-SSHL-T

品牌

MICROCHIP(美国微芯)

封装

SOIC-8

类目

EEPROM

编号

C6482

接口类型

I2C

存储容量

256Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.7V~5.5V

描述AT24C256C提供262,144位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为32,768个8位字。该器件的级联功能允许最多8个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要

W25Q16JVSNIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8

类目

NOR FLASH

编号

C2456211

接口类型

SPI

存储容量

16Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述W25Q16JV（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

FM24CL64B-GTR

品牌

Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

封装

SOIC-8-150mil

类目

铁电存储器(FRAM)

编号

C9829

接口类型

I2C

存储容量

64Kbit

工作电压

2.7V~3.65V

工作电流

300uA

描述64-Kbit(8K × 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 3.65V FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

W25Q128JVPIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

WSON-8-EP(5x6)

类目

NOR FLASH

编号

C190862

接口类型

SPI

存储容量

128Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

AT24C02

品牌

IDCHIP(英锐芯)

封装

SOP-8

类目

EEPROM

编号

C688857

接口类型

I2C

存储容量

2Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.8V~5.5V

描述24C02是一款2K位的电可擦除PROM，采用8-pin PDIP、8-pin SOP和5-pin SOT23-5封装。支持I2C两线串行接口，工作电压1.8V~5.5V，具有页写能力和硬件数据写保护。

M24C02-WMN6TP

品牌

ST(意法半导体)

封装

SOIC-8

类目

EEPROM

编号

C7562

接口类型

I2C

存储容量

2Kbit

时钟频率(fc)

400kHz

工作电压

2.5V~5.5V

描述2 Kbit串行I2C总线EEPROM

AT24C02C-SSHM-T

品牌

MICROCHIP(美国微芯)

封装

SOIC-8

类目

EEPROM

编号

C6203

接口类型

I2C

存储容量

2Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.7V~5.5V

描述AT24C01C/02C提供1024/2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为128/256个字，每个字8位。两款器件均具备级联功能，最多允许8个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对众多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要

W25Q128JVSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C113767

接口类型

SPI

存储容量

128Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

AT24C16C-SSHM-T

品牌

MICROCHIP(美国微芯)

封装

SOIC-8

类目

EEPROM

编号

C6480

接口类型

I2C

存储容量

16Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.7V~5.5V

W25Q64JVSSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOP-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C83140

接口类型

SPI

存储容量

64Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述64M-bit/8M-byte FLASH芯片,SPI接口 133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI) 比W25Q64FVSSIG更高速度

W25Q16JVUXIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

USON-8-EP(2x3)

类目

NOR FLASH

编号

C2843335

接口类型

SPI

存储容量

16Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述W25Q16JV（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

W25N01GVZEIG

品牌

Winbond(华邦)

封装

WSON-8-EP(6.1x8)

类目

NAND FLASH

编号

C907680

存储容量

1Gbit

接口类型

SPI

时钟频率(fc)

104MHz

工作电压

2.7V~3.6V

KLM8G1GETF-B041

品牌

SAMSUNG(三星半导体)

封装

FBGA-153(11.5x13)

类目

eMMC

编号

C499918

接口类型

eMMC 5.1

工作电压

2.7V~3.6V

工作温度

-25℃~+85℃

顺序读/写

330/50 MB/s

描述eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此它是使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成

AT24C02

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOP-8

类目

EEPROM

编号

C7470930

接口类型

I2C

存储容量

2Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.8V~5.5V

描述AT24C02是一款2048位的2线串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。它支持1.8V到5.5V的工作电压范围，并且在工业温度范围内（-40°C至85°C）工作。该器件具有16字节的页写模式，标准2线双向串行接口，以及5ms的最大自定时编程周期。它还具有高达1,000,000次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

AT24C128C-SSHM-T

品牌

MICROCHIP(美国微芯)

封装

SOIC-8

类目

EEPROM

编号

C6478

接口类型

I2C

存储容量

128Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.7V~5.5V

W25Q32JVSSIQ

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C82344

接口类型

SPI

存储容量

32Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述W25Q32JV（32M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

FM25L16B-GTR

品牌

Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

封装

SOIC-8

类目

铁电存储器(FRAM)

编号

C466849

接口类型

SPI

存储容量

16Kbit

工作电压

2.7V~3.6V

工作电流

3mA

描述FM25L16B是一款16Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口，最高时钟频率为20MHz，具有高耐久性和低功耗。适用于需要频繁写入的应用场景。

W25Q80DVSSIG

品牌

Winbond(华邦)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C14086

接口类型

SPI

存储容量

8Mbit

时钟频率(fc)

104MHz

工作电压

2.7V~3.6V

描述8-Mbit(1M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

W9825G6KH-6I

品牌

Winbond(华邦)

封装

TSOPII-54-10.2mm

类目

同步动态随机存取内存(SDRAM)

编号

C97572

存储容量

256Mbit

时钟频率(fc)

166MHz

工作电压

3V~3.6V

工作温度

-40℃~+85℃

描述SDRAM,256Mb(32MB,16Mbx16),3.3v工业级-40°C~85°C,166MHz/CL3 or 133MHz/CL2

BL24C256A-PARC

品牌

BL(上海贝岭)

封装

SOP-8

类目

EEPROM

编号

C90485

接口类型

I2C

存储容量

256Kbit

时钟频率(fc)

1MHz

工作电压

1.7V~5.5V

描述BL24C256A 是一种256Kbits的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件写保护功能，适用于工业和商业应用。