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首页 > 商品目录 > 存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM) >
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静态随机存取存储器(SRAM)

”共 12857件相关商品
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12857
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    • 23K256T-I/SN
    • 品牌: MICROCHIP(美国微芯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 23K256T-I/SN 是一款256Kb的低功耗串行SRAM,通过SPI总线进行访问。支持32字节的页模式操作,工作电压为2.7-3.6V,适用于工业级温度范围(-40℃至+85℃)。采用8引脚SOIC封装。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 256Kbit
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
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    • 存储容量: 16Mbit
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    • CY7C1051DV33-10ZSXIT
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: TSOPII-44-10.2mm
    • 描述: CY7C1051DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM),具有8-Mbit (512 K x 16)的存储容量。支持高速读写操作,工作电压为3.3V ± 0.3V,工作温度范围为-40℃至85℃。该器件支持低功耗模式,具有自动断电功能。
    • 存储容量: 8Mbit
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    • CY62167DV30LL-55ZXIT
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: TSOP-48
    • 描述: CY62167DV30是一款高性能CMOS静态RAM,组织为1M字×16-Bit。该设备具有超低功耗特性,适用于便携式设备,如手机。它支持自动断电功能,当未选中时可显著降低功耗。
    • 接口类型: 并口(Parallel)
    • 存储容量: 16Mbit
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    • CY7C1061GN30-10ZSXI
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: TSOPII-54
    • 描述: CY7C1061GN30-10ZSXI是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织为1,048,576字节×16-Bit。最高访问时间为10ns/15ns,工作电压范围为2.2V至3.6V。
    • 接口类型: 并口(Parallel)
    • 存储容量: 16Mbit
    • 工作电压: 2.2V~3.6V
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    • 23LCV1024-I/SN
    • 品牌: MICROCHIP(美国微芯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 23LCV1024是一款1 Mbit SPI串行SRAM,支持外部电池备份和SDI接口。该设备支持无限次读写操作,具有低功耗CMOS技术,工作电压范围为2.5V至5.5V,最高时钟频率为20 MHz。支持字节、页和顺序模式读写操作。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 1Mbit
    • 工作电压: 2.5V~5.5V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • CY62157EV30LL-45BVXI
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: VFBGA-48
    • 描述: CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM,组织为512K字节x16-Bit或1M字节x8-Bit。该器件具有先进的电路设计,可提供超低功耗。适用于便携式设备,如手机。支持自动断电功能,可显著降低功耗。
    • 接口类型: 并口(Parallel)
    • 存储容量: 8Mbit
    • 工作电压: 2.2V~3.6V
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    • CY62167EV30LL-45ZXIT
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: TSOP-48-12.2mm
    • 描述: CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM,组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计,提供超低功耗和高速度,适用于汽车应用。
    • 存储容量: 16Mbit
    • 工作电压: 2.2V~3.6V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • 写周期时间(Tw): 10ns
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    • 广东仓: 54
      江苏仓: 0
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    • 接口类型: 并口(Parallel)
    • 存储容量: 1Mbit
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • 存储容量: 18Mbit
    • 工作电压: 3.3V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • 23LC1024-I/SN
    • 品牌: MICROCHIP(美国微芯)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: 23LC1024 是 1 Mbit SPI 兼容的串行 SRAM 设备,支持 SDI 和 SQI 接口。工作电压范围为 2.5-5.5V,支持工业温度范围(-40°C 至 +85°C)。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 1Mbit
    • 工作电压: 2.5V~5.5V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • 广东仓: 58
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    • 23LC512-I/ST
    • 品牌: MICROCHIP(美国微芯)
    • 封装: TSSOP-8
    • 描述: 23LC512 是一款 512Kbit 的 SPI 串行 SRAM,支持 SDI 和 SQI 接口。该器件采用低功耗 CMOS 技术,支持无限次读写,零写入时间,以及 64K x 8 -Bit组织结构。工作电压范围为 2.5-5.5V,支持工业温度范围(-40°C 至 +85°C)。
    • 接口类型: SPI
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    • CY7C1041G30-10ZSXI
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: TSOP-44
    • 描述: CY7C1041G是一款4兆-Bit(256K字×16-Bit)高速静态随机存取存储器,带有错误检测和纠正功能(ECC)。支持单字节和双字节访问,工作电压范围为1.65V至2.2V,2.2V至3.6V,以及4.5V至5.5V。具备低功耗特性,适用于工业级应用。
    • 接口类型: 并口(Parallel)
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