静态随机存取存储器(SRAM)

IS62C256AL-45ULI-TR

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

SOIC-28-8.4mm

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C14323

工作电压

4.5V~5.5V

读写时间

45ns

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

20uA

描述256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

23K256T-I/SN

品牌

MICROCHIP(美国微芯)

封装

SOIC-8

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C136317

接口类型

SPI

存储容量

256Kbit

工作电压

2.7V~3.6V

工作温度

-40℃~+85℃

描述23K256T-I/SN 是一款256Kb的低功耗串行SRAM，通过SPI总线进行访问。支持32字节的页模式操作，工作电压为2.7-3.6V，适用于工业级温度范围（-40℃至+85℃）。采用8引脚SOIC封装。

IS61WV102416DBLL-10BLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

BGA-48(6x8)

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C1348743

存储容量

16Mbit

工作电压

2.4V~3.6V

读写时间

10ns

工作温度

-40℃~+85℃

描述IS61/64WV102416DALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

IS62C256AL-45TLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOPI-28

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C47143

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

20uA

描述256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

CY7C1041GN30-10ZSXIT

品牌

Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

封装

TSOPII-44-10.2mm

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C462529

工作电压

2.2V~3.6V

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

6mA

描述CY7C1041GN 是高性能 CMOS 快速静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字×16 位。数据写入操作通过将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE(overline)）输入置为低电平来执行，同时在 I/O₀ 至 I/O₁₅ 引脚上提供数据，并在 A₀ 至 A₁₇ 引脚上提供地址。高位字节使能（BHE）和低位字节使能（BLE）输入控制对指定存储单元的高字节和低字节的写操作

CY7C1051DV33-10ZSXIT

品牌

Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

封装

TSOPII-44-10.2mm

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C475876

存储容量

8Mbit

工作电压

3.3V

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

20mA

描述CY7C1051DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，具有8-Mbit (512 K x 16)的存储容量。支持高速读写操作，工作电压为3.3V ± 0.3V，工作温度范围为-40℃至85℃。该器件支持低功耗模式，具有自动断电功能。

IS61WV25616BLL-10TLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOPII-44

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C53825

存储容量

4Mbit

工作电压

2.4V~3.6V

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

2mA

描述4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

IS61WV51216BLL-10TLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOPII-44-10.2mm

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C397874

工作电压

2.4V~3.6V

读写时间

10ns

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

35mA

描述IS61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

IS61WV6416BLL-12TLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOPII-44-10.2mm

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C435811

工作电压

2.5V~3.6V

读写时间

12ns

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

50uA

描述IS61/64WV6416BLL是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗的情况下，存取时间最快可达12ns（3.3V±10%）和15ns（2.5V - 3.6V）

IS61LV6416-10TLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOPII-44-10.2mm

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C2940532

读写时间

10ns

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

500uA

描述IS61LV6416/IS61LV6416L是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为65,536字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快8 ns的存取时间

CY62167DV30LL-55ZXIT

品牌

Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

封装

TSOP-48

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C2956479

接口类型

并口(Parallel)

存储容量

16Mbit

工作电压

2.2V~3.6V

工作温度

-40℃~+85℃

描述CY62167DV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字×16-Bit。该设备具有超低功耗特性，适用于便携式设备，如手机。它支持自动断电功能，当未选中时可显著降低功耗。

IS61WV204816BLL-10TLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOPI-48

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C1349134

工作电压

2.4V~3.6V

读写时间

10ns

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

60mA

描述IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2048K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

47L16T-I/SN

品牌

MICROCHIP(美国微芯)

封装

SOIC-8

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C2062434

描述带有EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM的存储结构为512×8位或2,048×8位，并采用I²C串行接口。它为SRAM提供无限的读写周期，而EEPROM单元则提供高耐久性的数据非易失性存储。通过外接电容，掉电时SRAM数据会自动传输到EEPROM中

VTI7064MSME

品牌

Vilsion

封装

SOIC-8

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C139966

接口类型

SPI

存储容量

64Mbit

工作电压

2.7V~3.3V

工作温度

-25℃~+85℃

描述64Mbit（8MB x 8）串行SPI SRAM,精简SOP8封装！

IS61LV25616AL-10TL

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOP-44-10.2mm

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C16001

工作电压

3.3V~3.66V

读写时间

10ns

待机电流

5mA

描述4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

CY7C1381KV33-133AXI

品牌

Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

封装

TQFP-100

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C914902

存储容量

18Mbit

工作电压

3.3V

工作温度

-40℃~+85℃

描述CY7C1381KV33-133AXI 是一款支持133 MHz总线操作的3.3V 512K x 36 和 1M x 18 流通SRAM，具有ECC功能，用于减少软错误率。

IS62WV51216EBLL-45TLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOPII-44-10.2mm

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C1348903

工作电压

2.2V~3.6V

读写时间

45ns

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

25uA

描述IS62WV51216EALL/IS62WV51216EBLL 是高速 8M 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 512K 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

23LC1024-I/SN

品牌

MICROCHIP(美国微芯)

封装

SOP-8

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C48388

接口类型

SPI

存储容量

1Mbit

工作电压

2.5V~5.5V

工作温度

-40℃~+85℃

描述23LC1024 是 1 Mbit SPI 兼容的串行 SRAM 设备，支持 SDI 和 SQI 接口。工作电压范围为 2.5-5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

IS62WV5128EBLL-45HLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

STSOP-32-11.8mm

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C1348955

工作电压

2.2V~3.6V

读写时间

45ns

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

10uA

描述IS62/65WV5128EALL/BLL/CLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

IS61WV25616EDBLL-10TLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOP-44-10.2mm

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C883296

工作电压

2.4V~3.6V

读写时间

10ns

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

1.5mA

描述IS61/64WV25616EDBLL 是一款高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

CY62128ELL-45ZAXI

品牌

Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

封装

TFSOP-32

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C2950636

存储容量

1Mbit

工作电压

4.5V~5.5V

读写时间

45ns

工作温度

-40℃~+85℃

描述CY62128E是一款高性能CMOS静态RAM，组织为128K字节×8-Bit。该设备采用先进的电路设计，提供超低活动电流，适用于便携式应用。具有自动断电功能，可显著降低未切换地址时的功耗。

CY62167EV30LL-45ZXI

品牌

Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

封装

TSOP-48-12.2mm

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C115715

存储容量

16Mbit

工作电压

2.2V~3.6V

读写时间

45ns

工作温度

-40℃~+85℃

描述CY62167EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1M字×16位或2M字×8位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。超低工作电流非常适合在手机等便携式应用中延长电池续航时间（MoBL）

CY62167EV30LL-45ZXIT

品牌

Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

封装

TSOP-48-12.2mm

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C511152

存储容量

16Mbit

工作电压

2.2V~3.6V

工作温度

-40℃~+85℃

描述CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

CY7C1061GN30-10ZSXI

品牌

Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

封装

TSOPII-54

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C1353032

接口类型

并口(Parallel)

存储容量

16Mbit

工作电压

2.2V~3.6V

工作温度

-40℃~+85℃

描述CY7C1061GN30-10ZSXI是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为1,048,576字节×16-Bit。最高访问时间为10ns/15ns，工作电压范围为2.2V至3.6V。