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首页 > 商品目录 > 存储器 > 铁电存储器(FRAM) >
当前“

铁电存储器(FRAM)

”共 384件相关商品
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384
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  • 接口类型: I2C
  • 存储容量: 64Kbit
  • 工作电压: 2.7V~3.65V
  • 工作电流: 300uA
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    • FM25V02A-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: FM25V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺,支持高速SPI接口,具有高耐久性和低功耗特性。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 256Kbit
    • 工作电压: 2V~3.6V
    • 工作电流: 2.5mA
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    • FM25CL64B-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: FM25CL64B 是一个 64-Kbit 非易失性存储器,采用先进的铁电工艺。它提供可靠的 151 年数据保留时间,支持高达 100 万亿次读写操作,无需延迟写入。支持 SPI 接口,最高时钟频率为 20 MHz。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 64Kbit
    • 工作电压: 2.7V~3.65V
    • 工作电流: 3mA
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    • 接口类型: I2C
    • 存储容量: 4Kbit
    • 工作电压: 3V~5.5V
    • 工作电流: 90uA
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    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 256Kbit
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 工作电流: 6mA
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    • FM25W256-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8-150mil
    • 描述: FM25W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用32K x 8的逻辑组织结构。它具有高耐久性(100万亿次读写),151年的数据保持能力,无延迟写入,非常快的SPI接口(最高20 MHz),低功耗,宽电压范围(2.7V至5.5V),以及工业温度范围(-40°C至+85°C)。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 256Kbit
    • 工作电压: 2.7V~5.5V
    • 工作电流: 2mA
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    • 近期成交100单+
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    • FM24W256-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: FM24W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺制造。它具有高耐久性(100万亿次读写)、151年的数据保留时间、快速2线串行接口(I2C),支持高达1 MHz的频率,低功耗,宽电压范围(2.7V至5.5V),工业温度范围(-40°C至+85°C)。该设备适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用,如数据记录和工业控制。
    • 接口类型: I2C
    • 存储容量: 256Kbit
    • 工作电压: 2.7V~5.5V
    • 工作电流: 400uA
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    • FM24CL16B-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: FM24CL16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用2Kx8组织结构。它具有高耐久性(100万亿次读写)、151年的数据保留时间和低功耗。支持最高1MHz的I2C接口,适用于频繁写入的应用场景。
    • 接口类型: I2C
    • 存储容量: 16Kbit
    • 工作电压: 2.7V~3.65V
    • 工作电流: 100uA
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    • 广东仓: 1985
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    • FM25L16B-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: FM25L16B是一款16Kbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口,最高时钟频率为20MHz,具有高耐久性和低功耗。适用于需要频繁写入的应用场景。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 16Kbit
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 工作电流: 3mA
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    • 广东仓: 4803
      江苏仓: 0
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    • FM24V10-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: FM24V10是一种1-Mbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺,组织为128K×8。它提供高耐久性的读写操作,支持高达3.4 MHz的快速两线串行接口(I2C)。该存储器具有低功耗、高速写入和长达151年的数据保留时间,适用于频繁写入的应用场景。
    • 接口类型: I2C
    • 存储容量: 1Mbit
    • 工作电压: 2V~3.6V
    • 工作电流: 175uA
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    • 近期成交38单
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    • 接口类型: I2C
    • 存储容量: 4Kbit
    • 工作电压: 2.7V~3.65V
    • 工作电流: 300uA
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    • 总额: ¥26400
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    • FM25V20A-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8-208mil
    • 描述: FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺,具有高耐久性和低功耗。支持高速SPI接口,最高频率可达40 MHz。适用于需要频繁写入的应用场景,如数据采集和工业控制。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 2Mbit
    • 工作电压: 2V~3.6V
    • 工作电流: 300uA
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      ¥42.05
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    • 广东仓: 799
      江苏仓: 0
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    • 圆盘
    • 2000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交27单
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    • FM25L04B-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: FM25L04B是一款4-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口,最高频率可达20 MHz,具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 4Kbit
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 工作电流: 3mA
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    • 1+: 

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    • 广东仓: 3301
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    • 近期成交56单
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    • 广东仓: 674
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    • FM25V10-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: FM25V10是一款1-Mbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺,具有高耐久性和低功耗。它支持SPI接口,最高时钟频率为40MHz,适用于需要频繁写入的应用。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 1Mbit
    • 工作电压: 2V~3.6V
    • 工作电流: 3mA
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    • FM22L16-55-TG
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: TSOPII-44-10.2mm
    • 描述: FM22L16是一款256K x 16的非易失性F-RAM存储器,支持高速读写操作,具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件兼容SRAM,支持页模式操作,工作电压为2.7V至3.6V,工作温度范围为-40°C至+85°C。
    • 接口类型: 并口(Parallel)
    • 存储容量: 4Mbit
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 工作电流: 8mA
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    • FM25V01A-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: FM25V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用16K x 8的逻辑组织方式。它支持高速SPI接口,最高时钟频率可达40 MHz,具备高耐久性和低功耗特性,适用于需要频繁写入的应用场景。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 128Kbit
    • 工作电压: 2V~3.6V
    • 工作电流: 2.5mA
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    • 接口类型: I2C
    • 存储容量: 4Kbit
    • 工作电压: 4.5V~5.5V
    • 工作电流: 400uA
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    • MB85RS64VPNF-G-JNERE1
    • 品牌: RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: MB85RS64V是一款8位铁电存储器,采用铁电工艺和硅门CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。它支持SPI接口,最高工作频率为20 MHz,工作电压范围为3.0 V到5.5 V,工作温度范围为-40 °C到+85 °C。该存储器无需备用电池即可保留数据,写入数据时不需要等待时间。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 64Kbit
    • 工作电压: 3V~5.5V
    • 工作电流: 1.5mA
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    • FM24V01A-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: FM24V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺。它支持高达3.4 MHz的I2C接口,具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。F-RAM无需内部升压电压,写入速度更快,功耗更低。
    • 接口类型: I2C
    • 存储容量: 128Kbit
    • 工作电压: 2V~3.6V
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    • FM25V05-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: FM25V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),具有高耐久性(100万亿次读写)、151年的数据保留时间、高速SPI接口(最高40MHz),低功耗特性(300μA@1MHz,90μA待机电流,5μA睡眠模式电流)。支持SPI模式0和3,工作电压2.0V至3.6V,工作温度范围-40℃至+85℃,8引脚SOIC封装。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 512Kbit
    • 工作电压: 2V~3.6V
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    • FM24V02A-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: FM24V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺,具有高耐久性和低功耗。支持快速两线串行接口(I2C),最高频率可达3.4 MHz。适用于频繁写入的应用场景,如数据记录和工业控制。
    • 接口类型: I2C
    • 存储容量: 256Kbit
    • 工作电压: 2V~3.6V
    • 工作电流: 175uA
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    • FM25640B-GTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: FM25040B是一款4-Kbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺,支持高速SPI接口,具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。该存储器适用于需要频繁快速写入的应用场景,如数据采集和工业控制。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 4Kbit
    • 工作电压: 4.5V~5.5V
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    • FM28V100-TGTR
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: TSOP-32-12.5mm
    • 描述: FM28V100是一款128K x 8的非易失性F-RAM存储器,支持高速读写操作,具有100万亿次读写寿命和151年的数据保留时间。它采用32引脚TSOP封装,工作电压为2.0V至3.6V,工作温度范围为-40°C至+85°C。
    • 接口类型: 并口(Parallel)
    • 存储容量: 1Mbit
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    • CY15B104Q-SXI
    • 品牌: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: CY15B104Q是一款4兆位非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),支持高速SPI接口。它具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力,支持高达40 MHz的时钟频率,低功耗,适用于频繁写入的应用场景。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 4Mbit
    • 工作电压: 2V~3.6V
    • 工作电流: 3mA
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    • 广东仓: 57
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