数字晶体管

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爆款

DTC143ZCA

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C15236

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 80@10mA,5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存232K+

20+￥0.118
200+￥0.0893
600+￥0.0766
3000+￥0.0671
9000+￥0.0633
21000+￥0.0607

现货最快4小时发货

广东仓: 211K+

江苏仓: 28K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

DTC143ZE

品牌: TWGMC(台湾迪嘉)

封装: SOT-523

类目: 数字晶体管

编号: C5273798

集射极击穿电压: 50V

耗散功率: 150mW

直流电流增益: 80@10mA,5V

最小输入电压: 1.3V@5mA,0.3V

描述晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存98K+

9折

50+￥0.11691
500+￥0.09261
3000+￥0.07506
6000+￥0.06696
24000+￥0.05994
51000+￥0.05607

现货最快4小时发货

广东仓: 94K+

江苏仓: 53K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

PDTC114ET,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C75554

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 250mW

直流电流增益: 30@5mA,5V

描述NPN,Vceo=50V,Ic=100mA

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存62K+

50+￥0.1047
500+￥0.0813
3000+￥0.0682
6000+￥0.0604
24000+￥0.0536
51000+￥0.0499

现货最快4小时发货

广东仓: 57K+

江苏仓: 13K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

立推

PDTC114ET,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

立推售价

60000+￥0.046

支付后5-7工作日

库存: 120K

3000个/圆盘

个

总额￥0

DTC114EE

品牌: TWGMC(台湾迪嘉)

封装: SOT-523

类目: 数字晶体管

编号: C5279055

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 30@5mA,5V

描述晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@5mA,5V DTC114EE-F2-0000HF

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存21K+

9.5折

50+￥0.120365
500+￥0.095665
3000+￥0.07695
6000+￥0.06878
24000+￥0.061655
51000+￥0.057855

现货最快4小时发货

广东仓: 18K+

江苏仓: 40K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

LMUN2233LT1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C12777

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 246mW

直流电流增益: 80@5.0mA,10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存71K+

30+￥0.0985
300+￥0.0757
900+￥0.063
3000+￥0.0554

现货最快4小时发货

广东仓: 44K+

江苏仓: 115K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

DTC114EUA

品牌: TWGMC(台湾迪嘉)

封装: SOT-323

类目: 数字晶体管

编号: C5279054

集射极击穿电压: 50V

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 30@5mA,5V

最小输入电压: 3V@10mA,0.3V

描述晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：50mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN,Vcc=50V,Io=50mA,Pd=200mW

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4721

9.5折

10+￥0.13053
100+￥0.102315
300+￥0.08664
3000+￥0.07467
6000+￥0.0665
9000+￥0.06213

现货最快4小时发货

广东仓: 4290

江苏仓: 65K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交79单

KRC103S

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C5439973

数量: 1个NPN-预偏置

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存40K+

20+￥0.1203
200+￥0.1046
600+￥0.0958
3000+￥0.0906
9000+￥0.086
21000+￥0.0836

现货最快4小时发货

广东仓: 40K+

江苏仓: 29K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交46单

PDTC143ZT,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C426852

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 250mW

直流电流增益: 100@10mA,5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存41K+

20+￥0.1243
200+￥0.0964
600+￥0.081
3000+￥0.0717
9000+￥0.0637
21000+￥0.0593

现货最快4小时发货

广东仓: 36K+

江苏仓: 14K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交81单

立推

PDTC143ZT,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

备注: 24+

立推售价

60000+￥0.052

支付后6-8工作日

库存: 180K

3000个/圆盘

个

总额￥0

DTC143ZCA

品牌: TWGMC(台湾迪嘉)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C5273794

集射极击穿电压: 50V

耗散功率: 100mW

直流电流增益: 80@10mA,5V

最小输入电压: 1.3V@5mA,0.3V

描述晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存40K+

9折

10+￥0.12798
100+￥0.10125
300+￥0.0864
3000+￥0.07218
6000+￥0.06444
9000+￥0.0603

现货最快4小时发货

广东仓: 36K+

江苏仓: 76K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

DTC143ECA

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C13871

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 20@10mA,5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存27K+

20+￥0.1322
200+￥0.1041
600+￥0.0885
3000+￥0.0739
9000+￥0.0658
21000+￥0.0614

现货最快4小时发货

广东仓: 19K+

江苏仓: 26K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

DTC143ZUA

品牌: TWGMC(台湾迪嘉)

封装: SOT-323

类目: 数字晶体管

编号: C5273797

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 80@10mA,5V

描述晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存28K+

9.5折

20+￥0.1413
200+￥0.1122
600+￥0.096
3000+￥0.07885
9000+￥0.07087
21000+￥0.0665

现货最快4小时发货

广东仓: 28K+

江苏仓: 10K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交58单

DTC143ZE

品牌: CBI(创基)

封装: SOT-523

类目: 数字晶体管

编号: C2828442

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 150mW

直流电流增益: 80@10mA,5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存87K+

9.4折

50+￥0.1142
500+￥0.0894
3000+￥0.0756
6000+￥0.063262
24000+￥0.056494
51000+￥0.052828

现货最快4小时发货

广东仓: 86K+

江苏仓: 20K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交64单

DTC143ZCA

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C20611973

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 80@10mA,5V

描述此款NPN型数字晶体管采用紧凑的SOT-23封装，适用于低功耗数字电路设计。该器件具有50V的最大集射极电压(Vcc)，可承受0.1A的连续输出电流(Io)，功率消耗仅为0.2W，确保高效能与节能表现。此外，其内置精密电阻网络，其中R1设定为4.7Ω，并且R1/R2比例为10，有助于简化外围电路设计和提高系统稳定性。这款晶体管凭借小巧体积、优异电气性能及集成电阻特性，广泛应用于逻辑门电路、信号切换以及其他各类精密电子设备中。

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7575

9.5折

20+￥0.125305
200+￥0.09994
600+￥0.08588
3000+￥0.07657
9000+￥0.069255
21000+￥0.06536

现货最快4小时发货

广东仓: 7320

江苏仓: 5520

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交64单

立推

DTC143ZCA

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

备注: 流动库存，下单前确认库存情况

批次: 25+

立推售价

60000+￥0.0545

支付后6-8工作日

库存: 1KK

3000个/圆盘

个

总额￥0

PDTC143ZU,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-323(SC-70)

类目: 数字晶体管

编号: C282553

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 100@10mA,5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15K+

20+￥0.1348
200+￥0.1041
600+￥0.087
3000+￥0.0768
9000+￥0.0679
21000+￥0.0632

现货最快4小时发货

广东仓: 15K+

江苏仓: 11K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交35单

DTC114ECA

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C20616355

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 30@5mA,5V

描述逻辑门驱动模拟开关微控制器输出缓冲电源管理显示驱动音频信号处理

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6670

20+￥0.1446
200+￥0.1133
600+￥0.0959
3000+￥0.082
9000+￥0.0729
21000+￥0.0681

现货最快4小时发货

广东仓: 6600

江苏仓: 5580

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交30单

DTC143ZE

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-523-3

类目: 数字晶体管

编号: C78593

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 150mW

直流电流增益: 80@10mA,5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存31

20+￥0.1469
200+￥0.1171
600+￥0.1006
3000+￥0.0848
9000+￥0.0763
21000+￥0.0716

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 25K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

PDTC114EU,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-323-3

类目: 数字晶体管

编号: C135830

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 30@5mA,5V

描述预偏置

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6455

20+￥0.16
200+￥0.1258
600+￥0.1068
3000+￥0.088
9000+￥0.0782
21000+￥0.0728

现货最快4小时发货

广东仓: 5560

江苏仓: 11K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

立推

PDTC114EU,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-323-3

备注: 24+

立推售价

60000+￥0.066

支付后6-8工作日

库存: 600K

3000个/圆盘

个

总额￥0

PUMD3,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-363

类目: 数字晶体管

编号: C193527

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 300mW

直流电流增益: 30@10mA,5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存25K+

20+￥0.2098
200+￥0.161
600+￥0.1338
3000+￥0.1176
9000+￥0.1035
21000+￥0.0959

现货最快4小时发货

广东仓: 25K

江苏仓: 17K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交92单

LMUN2235LT1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C150982

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 246mW

直流电流增益: 80@5.0mA,10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存40K+

50+￥0.1063
500+￥0.082
3000+￥0.0685
6000+￥0.0604
24000+￥0.0533
51000+￥0.0495

现货最快4小时发货

广东仓: 39K+

江苏仓: 44K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

HMMUN2233LT1G

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C22396410

数量: 1个NPN-预偏置

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

描述这款数字晶体管，内置1个预偏置NPN结构，特别适合数字电路应用。集射极击穿电压高达50V，保证了良好的安全性与稳定性。集电极电流能力达到100mA，功率消耗低至246mW，非常适用于低功耗、高效能的电子设计，如逻辑电路、信号放大及电源管理模块。它的小巧高效，为您的电子创新项目提供可靠动力，提升系统性能。

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7135

50+￥0.1103
500+￥0.0846
3000+￥0.0704
6000+￥0.0618

现货最快4小时发货

广东仓: 6850

江苏仓: 7900

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交29单

DTC144EE

品牌: TWGMC(台湾迪嘉)

封装: SOT-523

类目: 数字晶体管

编号: C47283710

描述晶体管类型: NPN 集射极击穿电压(Vceo): 50V 集电极电流(Ic): 30mA

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存17K+

50+￥0.1135
500+￥0.0892
3000+￥0.0757
6000+￥0.0676

现货最快4小时发货

广东仓: 17K+

江苏仓: 0

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

PDTC114YU,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-323-3

类目: 数字晶体管

编号: C80495

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 100@5mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1027

20+￥0.1238
200+￥0.0967
600+￥0.0817
3000+￥0.0658
9000+￥0.058
21000+￥0.0538

现货最快4小时发货

广东仓: 560

江苏仓: 33K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交45单

PDTC114YT,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C426850

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 250mW

直流电流增益: 100@5mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存24K+

20+￥0.1326
200+￥0.1021
600+￥0.0852
3000+￥0.0735
9000+￥0.0647
21000+￥0.0599

现货最快4小时发货

广东仓: 23K+

江苏仓: 2440

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交73单

DTC123YCA

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C56452

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 33@10mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7137

20+￥0.1351
200+￥0.1065
600+￥0.0906
3000+￥0.0811
9000+￥0.0728

现货最快4小时发货

广东仓: 1840

江苏仓: 15K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

DTC043ZEBTL

品牌: ROHM(罗姆)

封装: SOT-416FL

类目: 数字晶体管

编号: C96459

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 150mW

直流电流增益: 80@10mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存557K+

20+￥0.1432
200+￥0.1127
600+￥0.0957
3000+￥0.0746
9000+￥0.0658
21000+￥0.061

现货最快4小时发货

广东仓: 552K+

江苏仓: 0

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

PDTD123YT,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C295450

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 500mA

耗散功率: 250mW

直流电流增益: 70@50mA,5V

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UMH3N

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-363

类目: 数字晶体管

编号: C20611976

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 150mW

输入电阻: 4.7kΩ

描述这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装，内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压（Vceo）及0.1A的最大集电极电流（Ic），功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性，在5mA集电极电流和0.25mA基极电流时，VCE(sat)仅为300mV，同时拥有出色的直流电流增益，hFE在1mA/5V条件下范围达100至600。此外，该晶体管具有高达250MHz的截止频率(fT)，确保高速开关性能。适用于各类低功耗、高速数字电路设计，如逻辑门电路、信号放大器等应用场合，以其小巧体积与优越电气性能满足现代电子设备精细化需求。