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数字三极管
”共 349件相关商品晶体管类型
- 1 NPN 预偏压式,1 PNP
- 2 NPN(双)
- 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 2 个 NPN 预偏压式(双)
- 2 个 PNP 预偏压式(双)
- NPN
- NPN - 预偏压
- NPN,PNP
- PNP
- PNP - 预偏压
集电极电流Ic
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- 20mA
- 30mA
- 50mA
- 60mA
- 70mA
- 89mA
- 100mA
- 100mA,500mA
- 150mA
集射极击穿电压Vce
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- 15V
- 20V
- 30V
- 40V
- 50V
- 50V PNP,-
- 50V,12V
- 60V
- 300V
额定功率
- 100mW
- 150mW
- 187mW
- 200mW
- 202mW
- 230mW
- 246mW
- 250mW
- 256mW
- 260mW
参考封装
- SOT-23
- SOT-323
- SOT-353
- TO-92
封装/规格
- EMT3F
- SC-105AA
- SC-107C
- SC-59
- SC-59-3
- SC-70
- SC-70(SC-70-3)
- SC-70-6(SOT-363)
- SC-74R
- SC-75(SOT-416)
品牌/产地
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- CJ江苏长电(授权代理)
- DIODES(美台)
- GP(格瑞宝)
- High Diode(海德)
- Infineon(英飞凌)
- KEC
- KODENSHI AUK(光电子)
- LRC(乐山无线电)
- MCC(美微科)
包装/方式
- 管装
- 编带
- 袋装
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价格筛选（小批量）：
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现货
特惠
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描述：
额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW
券满5000减100
8.5折
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描述：
额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW
券满5000减100
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描述：
额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW
券满5000减100
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描述：
额定功率：246mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,hfe=35~60
券满5000减100
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描述：
额定功率：300mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 预偏置 1个NPN 1个PNP,Vceo=50V,Ic=100mA
券满5000减100
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描述：
额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP,Vcc=-50V,Io=-100mA,Pd=200mW
券满5000减100
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描述：
额定功率：246mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,hfe=80~200
券满5000减100
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描述：
额定功率：246mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP,Vceo=50V,Ic=100mA,hfe=80~140
券满5000减100
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描述：
额定功率：150mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式(双) 双NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pc=150mW
券满5000减100
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描述：
额定功率：246mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
券满5000减150
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描述：
额定功率：200mW 集电极电流Ic：50mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 NPN,Vcc=50V,Io=50mA,Pd=200mW
券满5000减100
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描述：
额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 预偏置 NPN,Vceo=50V,Ic=100mA
券满5000减100
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描述：
额定功率：187mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式(双) 双NPN带阻三极管，50V，100mA，R=10K/10K
券满5000减150
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描述：
额定功率：246mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP,Vceo=50V,Ic=100mA,hfe=35~60
券满5000减100
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粤公网安备 44030402002194号
