数字晶体管

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DTC143ZCA

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C15236

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 200mW

直流电流增益(hFE): 80@10mA,5V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存261K+

20+￥0.1144
200+￥0.0862
600+￥0.0737
3000+￥0.0644
9000+￥0.0606
21000+￥0.0581

现货最快4小时发货

广东仓: 260K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

DTC143ZE

品牌: TWGMC(迪嘉)

封装: SOT-523

类目: 数字晶体管

编号: C5273798

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 150mW

直流电流增益(hFE): 80@10mA,5V

最小输入电压(VI(on)): 1.3V@5mA,0.3V

描述晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存142K+

9折

50+￥0.11691
500+￥0.09261
3000+￥0.07506
6000+￥0.06696
24000+￥0.05994
51000+￥0.05607

现货最快4小时发货

广东仓: 142K+

江苏仓: 7950

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

PDTC114ET,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C75554

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 250mW

直流电流增益(hFE): 30@5mA,5V

描述NPN,Vceo=50V,Ic=100mA

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7194

9.9折

10+￥0.3319
100+￥0.2665
300+￥0.2338
3000+￥0.207207
6000+￥0.187803
9000+￥0.178002

现货最快4小时发货

广东仓: 6000

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

DTC143ZE

品牌: SHIKUES(时科)

封装: SOT-523

类目: 数字晶体管

编号: C475673

数量: 1个NPN-预偏置

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 150mW

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存28K+

9.5折

50+￥0.11856
500+￥0.09462
3000+￥0.07239
6000+￥0.064315
24000+￥0.05738
51000+￥0.053675

现货最快4小时发货

广东仓: 28K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交94单

PDTC114EU,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: SC-70

类目: 数字晶体管

编号: C135830

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 200mW

晶体管类型: NPN

描述预偏置

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2095

9.8折

20+￥0.1697
200+￥0.1365
600+￥0.118
3000+￥0.097706
9000+￥0.088298
21000+￥0.0833

现货最快4小时发货

广东仓: 1900

江苏仓: 5380

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

PDTD113ZT,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C168861

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 500mA

耗散功率(Pd): 250mW

直流电流增益(hFE): 70@50mA,5V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

9.8折

10+￥0.2916
100+￥0.2364
300+￥0.2088
3000+￥0.179928
6000+￥0.16366
9000+￥0.155526

现货最快4小时发货

广东仓: 4170

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交81单

DTC114EE

品牌: TWGMC(迪嘉)

封装: SOT-523

类目: 数字晶体管

编号: C5279055

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 200mW

直流电流增益(hFE): 30@5mA,5V

描述晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@5mA,5V DTC114EE-F2-0000HF

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存32K+

9.5折

50+￥0.12027
500+￥0.095665
3000+￥0.07695
6000+￥0.06878
24000+￥0.061655
51000+￥0.057855

现货最快4小时发货

广东仓: 31K+

江苏仓: 35K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

PDTC114YU,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-323

类目: 数字晶体管

编号: C80495

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 200mW

直流电流增益(hFE): 100@5mA,5V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2165

9.9折

50+￥0.1341
500+￥0.1074
3000+￥0.0859
6000+￥0.07623
24000+￥0.068607
51000+￥0.064548

现货最快4小时发货

广东仓: 2150

江苏仓: 3000

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交38单

PDTC123ET,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C454935

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 250mW

直流电流增益(hFE): 30@20mA,5V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8222

9.9折

20+￥0.154
200+￥0.121
600+￥0.1026
3000+￥0.090684
9000+￥0.081279
21000+￥0.076131

现货最快4小时发货

广东仓: 8180

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交49单

PDTC143XT,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C183011

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 250mW

直流电流增益(hFE): 50@10mA,5V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7565

9.9折

20+￥0.173
200+￥0.1372
600+￥0.1173
3000+￥0.102465
9000+￥0.092169
21000+￥0.086724

现货最快4小时发货

广东仓: 6940

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交34单

PDTC143ET,235

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C552205

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 250mW

直流电流增益(hFE): 30@10mA,5V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存382

9.9折

20+￥0.1504
200+￥0.1167
600+￥0.0979
2000+￥0.085833
10000+￥0.07623
20000+￥0.070983

需订货

广东仓: 0

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交17单

LMUN2233LT1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C12777

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 246mW

晶体管类型: NPN

描述这款全新系列的数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有单片偏置网络电阻的单晶体管。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了它们

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存33K+

30+￥0.0938
300+￥0.072
900+￥0.0599
3000+￥0.0526

现货最快4小时发货

广东仓: 30K

江苏仓: 5250

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

DTC114EUA

品牌: TWGMC(迪嘉)

封装: SOT-323

类目: 数字晶体管

编号: C5279054

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 200mW

直流电流增益(hFE): 30@5mA,5V

最小输入电压(VI(on)): 3V@10mA,0.3V

描述晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：50mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN,Vcc=50V,Io=50mA,Pd=200mW

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存309

9.5折

10+￥0.13053
100+￥0.102315
300+￥0.08664
3000+￥0.07467
6000+￥0.0665
9000+￥0.06213

现货最快4小时发货

广东仓: 280

江苏仓: 42K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交51单

DTC114EE

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-523

类目: 数字晶体管

编号: C48995503

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 150mW

最小输入电压(VI(on)): 3V

输出电压(VO(on)): 300mV

描述数字晶体管

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存100

8.6折

20+￥0.142072
200+￥0.111456
600+￥0.094428
3000+￥0.084194
9000+￥0.075336
21000+￥0.070606

现货最快4小时发货

广东仓: 20

江苏仓: 29K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交26单

PUMD2,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: TSSOP-6(SOT-363)

类目: 数字晶体管

编号: C426874

数量: 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 300mW

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1384

9.9折

20+￥0.236412
200+￥0.1894
600+￥0.162
3000+￥0.144045
9000+￥0.129888
21000+￥0.1236

现货最快4小时发货

广东仓: 1380

江苏仓: 5160

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交29单

PDTB123YT,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C454996

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 500mA

耗散功率(Pd): 250mW

直流电流增益(hFE): 70@50mA,5V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

9.9折

10+￥0.2629
100+￥0.2141
300+￥0.1897
3000+￥0.168003
6000+￥0.153549
9000+￥0.146223

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

江苏仓: 1830

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交14单

PDTC143ET,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C75555

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 250mW

直流电流增益(hFE): 30@10mA,5V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1260

9.8折

10+￥0.3646
100+￥0.2945
300+￥0.2594
3000+￥0.228438
6000+￥0.207858
9000+￥0.197568

现货最快4小时发货

广东仓: 510

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交95单

KRC103S

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C5439973

数量: 1个NPN-预偏置

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 200mW

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存35K+

20+￥0.1203
200+￥0.1046
600+￥0.0958
3000+￥0.0906
9000+￥0.086
21000+￥0.0836

现货最快4小时发货

广东仓: 34K+

江苏仓: 29K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交47单

DTC143ECA

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C13871

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 200mW

直流电流增益(hFE): 20@10mA,5V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存48K+

20+￥0.1341
200+￥0.106
600+￥0.0904
3000+￥0.0759
9000+￥0.0678
21000+￥0.0634

现货最快4小时发货

广东仓: 47K+

江苏仓: 100

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

DTC143ZE

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-523

类目: 数字晶体管

编号: C48995514

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 150mW

直流电流增益(hFE): 80@10mA,5V

最小输入电压(VI(on)): 1.3V

描述数字晶体管

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存19K+

8.6折

20+￥0.118422
200+￥0.09288
600+￥0.07869
3000+￥0.070176
9000+￥0.06278
21000+￥0.058824

现货最快4小时发货

广东仓: 19K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交43单

DTC114EUA

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-323

类目: 数字晶体管

编号: C20616357

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 50mA

耗散功率(Pd): 200mW

直流电流增益(hFE): 30@5mA,5V

描述逻辑电平转换微控制器接口显示驱动低功耗电路通信接口保护音频和视频设备测试测量仪器

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

50+￥0.1191
500+￥0.0921
3000+￥0.0761
6000+￥0.0671
24000+￥0.0593
51000+￥0.055

现货最快4小时发货

广东仓: 11K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交52单

DTC123JE

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-523

类目: 数字晶体管

编号: C20616358

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 150mW

最小输入电压(VI(on)): 1.1V

描述逻辑门驱动微控制器接口马达驱动电源管理音频/视频设备通信电路

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9729

9.5折

20+￥0.12426
200+￥0.098895
600+￥0.08474
3000+￥0.07315
9000+￥0.065835
21000+￥0.061845

现货最快4小时发货

广东仓: 9400

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交38单

LMUN2232LT1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C129120

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 246mW

晶体管类型: NPN

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存83K+

50+￥0.1282
500+￥0.1003
3000+￥0.0848
6000+￥0.0754
24000+￥0.0674
51000+￥0.063

现货最快4小时发货

广东仓: 82K+

江苏仓: 350

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

DTC043ZEBTL

品牌: ROHM(罗姆)

封装: SOT-416FL

类目: 数字晶体管

编号: C96459

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 150mW

直流电流增益(hFE): 80@10mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存281K+

20+￥0.1432
200+￥0.1127
600+￥0.0958
3000+￥0.0746
9000+￥0.0658
21000+￥0.061

现货最快4小时发货

广东仓: 279K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

PDTC143ZT,235

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C503455

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 250mW

直流电流增益(hFE): 100@10mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9551

9.9折

20+￥0.1554
200+￥0.1214
600+￥0.1025
2000+￥0.090288
10000+￥0.080586
20000+￥0.075339

现货最快4小时发货

广东仓: 9240

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交10单

PDTC114ET,235

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C552152

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 250mW

直流电流增益(hFE): 30@5mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9602

9.8折

20+￥0.1567
200+￥0.123
600+￥0.1043
2000+￥0.09114
10000+￥0.081634
20000+￥0.076538

现货最快4小时发货

广东仓: 9600

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

PDTA123ET,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C426847

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 250mW

直流电流增益(hFE): 30@20mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

9.7折

20+￥0.1707
200+￥0.134
600+￥0.1136
3000+￥0.098358
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DDTA123ECA-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C5124974

数量: 1个PNP-预偏置

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 200mW

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PUMH11,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: TSSOP-6(SOT-363)

类目: 数字晶体管

编号: C135827

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 300mW

直流电流增益(hFE): 30@5mA,5V

描述预偏置采用超小型SOT363（SC - 88）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN/NPN双电阻型晶体管（RET）。

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近期成交48单

UMH3N

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-363

类目: 数字晶体管

编号: C20611976

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 150mW

直流电流增益(hFE): 600@1mA,5V

描述这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装，内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压（Vceo）及0.1A的最大集电极电流（Ic），功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性，在5mA集电极电流和0.25mA基极电流时，VCE(sat)仅为300mV，同时拥有出色的直流电流增益，hFE在1mA/5V条件下范围达100至600。此外，该晶体管具有高达250MHz的截止频率(fT)，确保高速开关性能。适用于各类低功耗、高速数字电路设计，如逻辑门电路、信号放大器等应用场合，以其小巧体积与优越电气性能满足现代电子设备精细化需求。

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数字晶体管

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