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数字晶体管

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自营结果数1500+
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

DTC143ZCA
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C15236
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
直流电流增益
80@10mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存232K+
  • 0.118
  • 0.0893
  • 0.0766
  • 0.0671
  • 0.0633
  • 0.0607
现货最快4小时发货
广东仓
211K+
江苏仓
28K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

DTC143ZE
DTC143ZE
品牌
TWGMC(台湾迪嘉)
封装
SOT-523
类目
数字晶体管
编号
C5273798
集射极击穿电压
50V
耗散功率
150mW
直流电流增益
80@10mA,5V
最小输入电压
1.3V@5mA,0.3V

描述晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存98K+
9
  • 0.11691
  • 0.09261
  • 0.07506
  • 0.06696
  • 0.05994
  • 0.05607
现货最快4小时发货
广东仓
94K+
江苏仓
53K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

PDTC114ET,215
PDTC114ET,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C75554
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
250mW
直流电流增益
30@5mA,5V

描述NPN,Vceo=50V,Ic=100mA

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存62K+
  • 0.1047
  • 0.0813
  • 0.0682
  • 0.0604
  • 0.0536
  • 0.0499
现货最快4小时发货
广东仓
57K+
江苏仓
13K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

PDTC114ET,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
立推售价
  • 0.046
库存
120K

3000/圆盘

总额0

DTC114EE
DTC114EE
品牌
TWGMC(台湾迪嘉)
封装
SOT-523
类目
数字晶体管
编号
C5279055
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
直流电流增益
30@5mA,5V

描述晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V DTC114EE-F2-0000HF

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存21K+
9.5
  • 0.120365
  • 0.095665
  • 0.07695
  • 0.06878
  • 0.061655
  • 0.057855
现货最快4小时发货
广东仓
18K+
江苏仓
40K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

LMUN2233LT1G
LMUN2233LT1G
品牌
LRC(乐山无线电)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C12777
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
246mW
直流电流增益
80@5.0mA,10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存71K+
  • 0.0985
  • 0.0757
  • 0.063
  • 0.0554
现货最快4小时发货
广东仓
44K+
江苏仓
115K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

DTC114EUA
DTC114EUA
品牌
TWGMC(台湾迪嘉)
封装
SOT-323
类目
数字晶体管
编号
C5279054
集射极击穿电压
50V
耗散功率
200mW
直流电流增益
30@5mA,5V
最小输入电压
3V@10mA,0.3V

描述晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):50mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=50mA,Pd=200mW

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4721
9.5
  • 0.13053
  • 0.102315
  • 0.08664
  • 0.07467
  • 0.0665
  • 0.06213
现货最快4小时发货
广东仓
4290
江苏仓
65K+

3000/圆盘

总额0

近期成交79单

KRC103S
KRC103S
品牌
BORN(伯恩半导体)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C5439973
数量
1个NPN-预偏置
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存40K+
  • 0.1203
  • 0.1046
  • 0.0958
  • 0.0906
  • 0.086
  • 0.0836
现货最快4小时发货
广东仓
40K+
江苏仓
29K+

3000/圆盘

总额0

近期成交46单

PDTC143ZT,215
PDTC143ZT,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C426852
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
250mW
直流电流增益
100@10mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存41K+
  • 0.1243
  • 0.0964
  • 0.081
  • 0.0717
  • 0.0637
  • 0.0593
现货最快4小时发货
广东仓
36K+
江苏仓
14K+

3000/圆盘

总额0

近期成交81单

PDTC143ZT,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
备注
24+
立推售价
  • 0.052
库存
180K

3000/圆盘

总额0

DTC143ZCA
DTC143ZCA
品牌
TWGMC(台湾迪嘉)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C5273794
集射极击穿电压
50V
耗散功率
100mW
直流电流增益
80@10mA,5V
最小输入电压
1.3V@5mA,0.3V

描述晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存40K+
9
  • 0.12798
  • 0.10125
  • 0.0864
  • 0.07218
  • 0.06444
  • 0.0603
现货最快4小时发货
广东仓
36K+
江苏仓
76K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

DTC143ECA
DTC143ECA
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C13871
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
直流电流增益
20@10mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存27K+
  • 0.1322
  • 0.1041
  • 0.0885
  • 0.0739
  • 0.0658
  • 0.0614
现货最快4小时发货
广东仓
19K+
江苏仓
26K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

DTC143ZUA
DTC143ZUA
品牌
TWGMC(台湾迪嘉)
封装
SOT-323
类目
数字晶体管
编号
C5273797
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
直流电流增益
80@10mA,5V

描述晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存28K+
9.5
  • 0.1413
  • 0.1122
  • 0.096
  • 0.07885
  • 0.07087
  • 0.0665
现货最快4小时发货
广东仓
28K+
江苏仓
10K+

3000/圆盘

总额0

近期成交58单

DTC143ZE
DTC143ZE
品牌
CBI(创基)
封装
SOT-523
类目
数字晶体管
编号
C2828442
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
150mW
直流电流增益
80@10mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存87K+
9.4
  • 0.1142
  • 0.0894
  • 0.0756
  • 0.063262
  • 0.056494
  • 0.052828
现货最快4小时发货
广东仓
86K+
江苏仓
20K+

3000/圆盘

总额0

近期成交64单

DTC143ZCA
DTC143ZCA
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C20611973
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
直流电流增益
80@10mA,5V

描述此款NPN型数字晶体管采用紧凑的SOT-23封装,适用于低功耗数字电路设计。该器件具有50V的最大集射极电压(Vcc),可承受0.1A的连续输出电流(Io),功率消耗仅为0.2W,确保高效能与节能表现。此外,其内置精密电阻网络,其中R1设定为4.7Ω,并且R1/R2比例为10,有助于简化外围电路设计和提高系统稳定性。这款晶体管凭借小巧体积、优异电气性能及集成电阻特性,广泛应用于逻辑门电路、信号切换以及其他各类精密电子设备中。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7575
9.5
  • 0.125305
  • 0.09994
  • 0.08588
  • 0.07657
  • 0.069255
  • 0.06536
现货最快4小时发货
广东仓
7320
江苏仓
5520

3000/圆盘

总额0

近期成交64单

DTC143ZCA
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
备注
流动库存,下单前确认库存情况
批次
25+
立推售价
  • 0.0545
库存
1KK

3000/圆盘

总额0

PDTC143ZU,115
PDTC143ZU,115
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-323(SC-70)
类目
数字晶体管
编号
C282553
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
直流电流增益
100@10mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15K+
  • 0.1348
  • 0.1041
  • 0.087
  • 0.0768
  • 0.0679
  • 0.0632
现货最快4小时发货
广东仓
15K+
江苏仓
11K+

3000/圆盘

总额0

近期成交35单

DTC114ECA
DTC114ECA
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C20616355
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
直流电流增益
30@5mA,5V

描述逻辑门驱动 模拟开关 微控制器输出缓冲 电源管理 显示驱动 音频信号处理

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6670
  • 0.1446
  • 0.1133
  • 0.0959
  • 0.082
  • 0.0729
  • 0.0681
现货最快4小时发货
广东仓
6600
江苏仓
5580

3000/圆盘

总额0

近期成交30单

DTC143ZE
DTC143ZE
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
SOT-523-3
类目
数字晶体管
编号
C78593
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
150mW
直流电流增益
80@10mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存31
  • 0.1469
  • 0.1171
  • 0.1006
  • 0.0848
  • 0.0763
  • 0.0716
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
25K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

PDTC114EU,115
PDTC114EU,115
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-323-3
类目
数字晶体管
编号
C135830
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
直流电流增益
30@5mA,5V

描述预偏置

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6455
  • 0.16
  • 0.1258
  • 0.1068
  • 0.088
  • 0.0782
  • 0.0728
现货最快4小时发货
广东仓
5560
江苏仓
11K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

PDTC114EU,115
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-323-3
备注
24+
立推售价
  • 0.066
库存
600K

3000/圆盘

总额0

PUMD3,115
PUMD3,115
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-363
类目
数字晶体管
编号
C193527
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
300mW
直流电流增益
30@10mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存25K+
  • 0.2098
  • 0.161
  • 0.1338
  • 0.1176
  • 0.1035
  • 0.0959
现货最快4小时发货
广东仓
25K
江苏仓
17K+

3000/圆盘

总额0

近期成交92单

LMUN2235LT1G
LMUN2235LT1G
品牌
LRC(乐山无线电)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C150982
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
246mW
直流电流增益
80@5.0mA,10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存40K+
  • 0.1063
  • 0.082
  • 0.0685
  • 0.0604
  • 0.0533
  • 0.0495
现货最快4小时发货
广东仓
39K+
江苏仓
44K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

HMMUN2233LT1G
HMMUN2233LT1G
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C22396410
数量
1个NPN-预偏置
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW

描述这款数字晶体管,内置1个预偏置NPN结构,特别适合数字电路应用。集射极击穿电压高达50V,保证了良好的安全性与稳定性。集电极电流能力达到100mA,功率消耗低至246mW,非常适用于低功耗、高效能的电子设计,如逻辑电路、信号放大及电源管理模块。它的小巧高效,为您的电子创新项目提供可靠动力,提升系统性能。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7135
  • 0.1103
  • 0.0846
  • 0.0704
  • 0.0618
现货最快4小时发货
广东仓
6850
江苏仓
7900

3000/圆盘

总额0

近期成交29单

DTC144EE
DTC144EE
品牌
TWGMC(台湾迪嘉)
封装
SOT-523
类目
数字晶体管
编号
C47283710

描述晶体管类型: NPN 集射极击穿电压(Vceo): 50V 集电极电流(Ic): 30mA

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存17K+
  • 0.1135
  • 0.0892
  • 0.0757
  • 0.0676
现货最快4小时发货
广东仓
17K+
江苏仓
0

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

PDTC114YU,115
PDTC114YU,115
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-323-3
类目
数字晶体管
编号
C80495
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
直流电流增益
100@5mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1027
  • 0.1238
  • 0.0967
  • 0.0817
  • 0.0658
  • 0.058
  • 0.0538
现货最快4小时发货
广东仓
560
江苏仓
33K+

3000/圆盘

总额0

近期成交45单

PDTC114YT,215
PDTC114YT,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C426850
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
250mW
直流电流增益
100@5mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存24K+
  • 0.1326
  • 0.1021
  • 0.0852
  • 0.0735
  • 0.0647
  • 0.0599
现货最快4小时发货
广东仓
23K+
江苏仓
2440

3000/圆盘

总额0

近期成交73单

DTC123YCA
DTC123YCA
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C56452
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
直流电流增益
33@10mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7137
  • 0.1351
  • 0.1065
  • 0.0906
  • 0.0811
  • 0.0728
现货最快4小时发货
广东仓
1840
江苏仓
15K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

DTC043ZEBTL
DTC043ZEBTL
品牌
ROHM(罗姆)
封装
SOT-416FL
类目
数字晶体管
编号
C96459
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
150mW
直流电流增益
80@10mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存557K+
  • 0.1432
  • 0.1127
  • 0.0957
  • 0.0746
  • 0.0658
  • 0.061
现货最快4小时发货
广东仓
552K+
江苏仓
0

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

PDTD123YT,215
PDTD123YT,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C295450
集射极击穿电压
50V
集电极电流
500mA
耗散功率
250mW
直流电流增益
70@50mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存34K+
  • 0.2494
  • 0.1956
  • 0.1687
  • 0.1486
  • 0.1324
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UMH3N
UMH3N
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-363
类目
数字晶体管
编号
C20611976
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
150mW
输入电阻
4.7kΩ

描述这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装,内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压(Vceo)及0.1A的最大集电极电流(Ic),功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性,在5mA集电极电流和0.25mA基极电流时,VCE(sat)仅为300mV,同时拥有出色的直流电流增益,hFE在1mA/5V条件下范围达100至600。此外,该晶体管具有高达250MHz的截止频率(fT),确保高速开关性能。适用于各类低功耗、高速数字电路设计,如逻辑门电路、信号放大器等应用场合,以其小巧体积与优越电气性能满足现代电子设备精细化需求。

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UMH3N
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-363
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LMUN2232LT1G
LMUN2232LT1G
品牌
LRC(乐山无线电)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C129120
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
246mW
直流电流增益
15@10mA,10V
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DTC143EE
DTC143EE
品牌
TWGMC(台湾迪嘉)
封装
SOT-523
类目
数字晶体管
编号
C47283709

描述晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 100mA 集射极击穿电压(Vceo): 50V 耗散功率(Pd): 150mW

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DTC114EE
DTC114EE
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOT-523
类目
数字晶体管
编号
C48995503

描述数字晶体管

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