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数字晶体管

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自营结果数1500+
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  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

DTC143ZCA
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C15236
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
200mW
直流电流增益(hFE)
80@10mA,5V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存150K+
  • 0.1199
  • 0.0908
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  • 0.0682
  • 0.0643
  • 0.0617
现货最快4小时发货
广东仓
139K+
江苏仓
1520

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

DTC143ZE
DTC143ZE
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOT-523
类目
数字晶体管
编号
C5273798
集射极击穿电压(Vceo)
50V
耗散功率(Pd)
150mW
直流电流增益(hFE)
80@10mA,5V
最小输入电压(VI(on))
1.3V@5mA,0.3V

描述晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存122K+
  • 0.1299
  • 0.1029
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现货最快4小时发货
广东仓
117K+
江苏仓
59K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

带电阻的NPN晶体管
PDTC143ET,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C75555
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
250mW
直流电流增益(hFE)
30@10mA,5V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存28K+
  • 0.1163
  • 0.0902
  • 0.0757
  • 0.0671
  • 0.0595
  • 0.0555
现货最快4小时发货
广东仓
28K
江苏仓
6050

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

带电阻的NPN晶体管
PDTC143ZT,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C426852
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
250mW
直流电流增益(hFE)
100@10mA,5V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存16K+
  • 0.1243
  • 0.0964
  • 0.081
  • 0.0717
  • 0.0637
  • 0.0593
现货最快4小时发货
广东仓
15K+
江苏仓
14K+

3000/圆盘

总额0

近期成交85单

配备电阻的NPN晶体管,500 mA、50 V
PDTD123YT,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C295450
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
耗散功率(Pd)
250mW
直流电流增益(hFE)
70@50mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存19K+
  • 0.2494
  • 0.1956
  • 0.1687
  • 0.1486
  • 0.1324
  • 0.1244
现货最快4小时发货
广东仓
19K+
江苏仓
8680

3000/圆盘

总额0

近期成交76单

PDTD123YT,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
备注
25+
立推售价
  • 0.121
库存
60K

3000/圆盘

总额0

50 V、500 mA 带电阻 NPN 晶体管
PDTD113ZT,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C168861
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
耗散功率(Pd)
250mW
直流电流增益(hFE)
70@50mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存38K+
  • 0.2652
  • 0.21
  • 0.1824
  • 0.1571
  • 0.1406
  • 0.1323
现货最快4小时发货
广东仓
38K+
江苏仓
5820

3000/圆盘

总额0

近期成交64单

DTC114EE
DTC114EE
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOT-523
类目
数字晶体管
编号
C5279055
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
200mW
直流电流增益(hFE)
30@5mA,5V

描述晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V DTC114EE-F2-0000HF

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存39K+
  • 0.1266
  • 0.1007
  • 0.081
  • 0.0724
  • 0.0649
  • 0.0609
现货最快4小时发货
广东仓
35K+
江苏仓
40K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

带电阻的PNP晶体管
PDTA123YT,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C454937
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
250mW
直流电流增益(hFE)
35@5mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5680
  • 0.1637
  • 0.1282
  • 0.1085
  • 0.0914
  • 0.0812
  • 0.0756
现货最快4小时发货
广东仓
4660
江苏仓
10K+

3000/圆盘

总额0

近期成交24单

50 V、100 mA,带电阻的NPN/PNP双晶体管
PUMD2,115
品牌
Nexperia(安世)
封装
TSSOP-6(SOT-363)
类目
数字晶体管
编号
C426874
数量
1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
300mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1853
  • 0.1975
  • 0.1527
  • 0.1278
  • 0.1129
  • 0.1
  • 0.093
现货最快4小时发货
广东仓
1840
江苏仓
5640

3000/圆盘

总额0

近期成交32单

偏置电阻晶体管,带单片偏置电阻网络的NPN硅表面贴装晶体管
LMUN2233LT1G
品牌
LRC(乐山无线电)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C12777
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
246mW
直流电流增益(hFE)
80@5.0mA,10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存141K+
  • 0.0973
  • 0.0754
  • 0.0633
  • 0.056
现货最快4小时发货
广东仓
128K+
江苏仓
93K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

数字晶体管(内置电阻)
DTC143ECA
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C13871
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
200mW
直流电流增益(hFE)
20@10mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存73K+
  • 0.1341
  • 0.106
  • 0.0904
  • 0.0759
  • 0.0678
  • 0.0634
现货最快4小时发货
广东仓
70K+
江苏仓
9560

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

DTC114EUA
DTC114EUA
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOT-323
类目
数字晶体管
编号
C5279054
集射极击穿电压(Vceo)
50V
耗散功率(Pd)
200mW
直流电流增益(hFE)
30@5mA,5V
最小输入电压(VI(on))
3V@10mA,0.3V

描述晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):50mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=50mA,Pd=200mW

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存834
  • 0.1374
  • 0.1077
  • 0.0912
  • 0.0786
  • 0.07
  • 0.0654
现货最快4小时发货
广东仓
760
江苏仓
48K+

3000/圆盘

总额0

近期成交63单

NPN数字晶体管
KRC103S
品牌
BORN(伯恩半导体)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C5439973
数量
1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
200mW
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存38K+
  • 0.1203
  • 0.1046
  • 0.0958
  • 0.0906
  • 0.086
  • 0.0836
现货最快4小时发货
广东仓
37K+
江苏仓
29K+

3000/圆盘

总额0

近期成交50单

DTC143ZUA
DTC143ZUA
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOT-323
类目
数字晶体管
编号
C5273797
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
200mW
直流电流增益(hFE)
80@10mA,5V

描述晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存26K+
  • 0.1413
  • 0.1122
  • 0.096
  • 0.083
  • 0.0746
  • 0.07
现货最快4小时发货
广东仓
26K+
江苏仓
7240

3000/圆盘

总额0

近期成交56单

NPN数字晶体管
DTC114EE
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOT-523
类目
数字晶体管
编号
C48995503

描述数字晶体管

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存145
8.6
  • 0.142072
  • 0.111456
  • 0.094428
  • 0.084194
  • 0.075336
  • 0.070606
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
29K+

3000/圆盘

总额0

近期成交21单

带电阻的PNP晶体管
PDTA123ET,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C426847
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
250mW
直流电流增益(hFE)
30@20mA,5V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+
  • 0.1488
  • 0.1156
  • 0.0971
  • 0.086
  • 0.0764
  • 0.0712
现货最快4小时发货
广东仓
11K+
江苏仓
2960

3000/圆盘

总额0

近期成交7单

50 V、100 mA,带电阻的NPN/PNP双晶体管
PUMD9,115
品牌
Nexperia(安世)
封装
TSSOP-6(SOT-363)
类目
数字晶体管
编号
C135829
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
300mW
直流电流增益(hFE)
100@5mA,5V

描述预偏置

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7531
  • 0.2244
  • 0.1757
  • 0.1486
  • 0.1301
  • 0.116
  • 0.1084
现货最快4小时发货
广东仓
7320
江苏仓
1520

3000/圆盘

总额0

近期成交60单

50 V、100 mA,带电阻的NPN/NPN双晶体管
PUMH11,115
品牌
Nexperia(安世)
封装
TSSOP-6(SOT-363)
类目
数字晶体管
编号
C135827
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
300mW
直流电流增益(hFE)
30@5mA,5V

描述预偏置

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5474
  • 0.2357
  • 0.1858
  • 0.1608
  • 0.1421
  • 0.1271
  • 0.1196
现货最快4小时发货
广东仓
5430
江苏仓
3000

3000/圆盘

总额0

近期成交48单

50V、500mA带电阻PNP晶体管
PDTB123YT,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C454996
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
耗散功率(Pd)
250mW
直流电流增益(hFE)
70@50mA,5V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存17K+
  • 0.2395
  • 0.1907
  • 0.1663
  • 0.1463
  • 0.1317
  • 0.1244
现货最快4小时发货
广东仓
17K+
江苏仓
36K+

3000/圆盘

总额0

近期成交9单

UMH3N
UMH3N
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-363
类目
数字晶体管
编号
C20611976
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
150mW
输入电阻
4.7kΩ

描述这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装,内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压(Vceo)及0.1A的最大集电极电流(Ic),功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性,在5mA集电极电流和0.25mA基极电流时,VCE(sat)仅为300mV,同时拥有出色的直流电流增益,hFE在1mA/5V条件下范围达100至600。此外,该晶体管具有高达250MHz的截止频率(fT),确保高速开关性能。适用于各类低功耗、高速数字电路设计,如逻辑门电路、信号放大器等应用场合,以其小巧体积与优越电气性能满足现代电子设备精细化需求。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4610
赠送积分
  • 0.2415
  • 0.2163
  • 0.2037
  • 0.1852
  • 0.1776
  • 0.1739
现货最快4小时发货
广东仓
4530
江苏仓
4580

3000/圆盘

总额0

近期成交72单

HMMUN2233LT1G
HMMUN2233LT1G
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C22396410
数量
1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
200mW

描述这款数字晶体管,内置1个预偏置NPN结构,特别适合数字电路应用。集射极击穿电压高达50V,保证了良好的安全性与稳定性。集电极电流能力达到100mA,功率消耗低至246mW,非常适用于低功耗、高效能的电子设计,如逻辑电路、信号放大及电源管理模块。它的小巧高效,为您的电子创新项目提供可靠动力,提升系统性能。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6469
赠送积分
  • 0.1103
  • 0.0846
  • 0.0704
  • 0.0618
现货最快4小时发货
广东仓
6450
江苏仓
7750

3000/圆盘

总额0

近期成交17单

DTC143ZE
DTC143ZE
品牌
CBI(创基)
封装
SOT-523
类目
数字晶体管
编号
C2828442
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
150mW
直流电流增益(hFE)
80@10mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存85K+
  • 0.1142
  • 0.0894
  • 0.0756
  • 0.0673
  • 0.0601
  • 0.0562
现货最快4小时发货
广东仓
85K+
江苏仓
20K+

3000/圆盘

总额0

近期成交51单

PDTC114YU,115
PDTC114YU,115
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-323
类目
数字晶体管
编号
C80495
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
200mW
直流电流增益(hFE)
100@5mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存362
  • 0.1231
  • 0.0961
  • 0.0744
  • 0.0654
  • 0.0576
  • 0.0534
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
19K

3000/圆盘

总额0

近期成交48单

数字晶体管(内置电阻)
DTC123YCA
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C56452
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
200mW
直流电流增益(hFE)
33@10mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存28K+
  • 0.1348
  • 0.1061
  • 0.0902
  • 0.0807
  • 0.0724
  • 0.068
现货最快4小时发货
广东仓
28K+
江苏仓
2960

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

DTC114ECA
DTC114ECA
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C20616355
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
200mW
直流电流增益(hFE)
30@5mA,5V

描述逻辑门驱动 模拟开关 微控制器输出缓冲 电源管理 显示驱动 音频信号处理

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6277
赠送积分
  • 0.1388
  • 0.1075
  • 0.0901
  • 0.0762
  • 0.0671
  • 0.0623
现货最快4小时发货
广东仓
6260
江苏仓
5020

3000/圆盘

总额0

近期成交27单

NPN型,100mA、50V数字晶体管(内置偏置电阻晶体管)
DTC043ZEBTL
品牌
ROHM(罗姆)
封装
SOT-416FL
类目
数字晶体管
编号
C96459
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
150mW
直流电流增益(hFE)
80@10mA,5V
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数字晶体管(内置电阻)
DTC143ZE
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
SOT-523
类目
数字晶体管
编号
C78593
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
150mW
直流电流增益(hFE)
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带电阻的NPN晶体管
PDTC143XT,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C183011
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
250mW
直流电流增益(hFE)
50@10mA,5V
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偏置电阻晶体管,NPN 硅表面贴装晶体管
LMUN2235LT1G
品牌
LRC(乐山无线电)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C150982
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
246mW
直流电流增益(hFE)
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DTC144EE
DTC144EE
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOT-523
类目
数字晶体管
编号
C47283710

描述晶体管类型: NPN 集射极击穿电压(Vceo): 50V 集电极电流(Ic): 30mA

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