数字晶体管_数字晶体管厂家_型号_价格_规格

展示方式：

使用过程中，如果您发现不对或不合理，

隐藏不可选项

综合排序

价格

总库存

销量

价格/库存筛选

现货

折扣

数据手册

国产品牌

国际品牌

自营结果数1500+

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

爆款

DTC143ZCA

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C15236

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 80@10mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存68K+

20+￥0.1159
200+￥0.0878
600+￥0.0753
3000+￥0.0659
9000+￥0.0622
21000+￥0.0597

现货最快4小时发货

广东仓: 38K+

江苏仓: 98K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

DTC143ZE

品牌: TWGMC(台湾迪嘉)

封装: SOT-523

类目: 数字晶体管

编号: C5273798

集射极击穿电压: 50V

耗散功率: 150mW

直流电流增益: 80@10mA,5V

最小输入电压: 1.3V

描述: 晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存163K+

9折

50+￥0.11466
500+￥0.09036
3000+￥0.07506
6000+￥0.06696
24000+￥0.05994
51000+￥0.05607

现货最快4小时发货

广东仓: 154K

江苏仓: 61K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

PDTC114ET,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C75554

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 250mW

直流电流增益: 30@5mA,5V

描述: NPN,Vceo=50V,Ic=100mA

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存113K+

50+￥0.1034
500+￥0.0802
3000+￥0.0673
6000+￥0.0595
24000+￥0.0528
51000+￥0.0492

现货最快4小时发货

广东仓: 108K+

江苏仓: 65K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

立推

PDTC114ET,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

备注: 24+

立推售价

30000+￥0.047

支付后6-8工作日

库存: 120K

3000个/圆盘

个

总额￥0

DTC114EE

品牌: TWGMC(台湾迪嘉)

封装: SOT-523

类目: 数字晶体管

编号: C5279055

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 30@5mA,5V

描述: 晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@5mA,5V DTC114EE-F2-0000HF

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存26K+

9.5折

50+￥0.118085
500+￥0.09348
3000+￥0.077045
6000+￥0.06878
24000+￥0.061655
51000+￥0.057855

现货最快4小时发货

广东仓: 24K+

江苏仓: 29K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

LMUN2233LT1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C12777

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 246mW

直流电流增益: 80@5.0mA,10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存37K+

30+￥0.1025
300+￥0.0799
900+￥0.0673
3000+￥0.0597

现货最快4小时发货

广东仓: 6570

江苏仓: 119K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

DTC143ZCA

品牌: TWGMC(台湾迪嘉)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C5273794

集射极击穿电压: 50V

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 80@10mA,5V

最小输入电压: 1.3V

描述: 晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8709

9折

10+￥0.12546
100+￥0.09873
300+￥0.08388
3000+￥0.07218
6000+￥0.06444
9000+￥0.0603

现货最快4小时发货

广东仓: 4440

江苏仓: 55K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

DTC114EUA

品牌: TWGMC(台湾迪嘉)

封装: SOT-323

类目: 数字晶体管

编号: C5279054

集射极击穿电压: 50V

耗散功率: 150mW

直流电流增益: 30@5mA,5V

最小输入电压: 3V

描述: 晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：50mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN,Vcc=50V,Io=50mA,Pd=200mW

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

9.5折

10+￥0.12787
100+￥0.09975
300+￥0.084075
3000+￥0.07467
6000+￥0.0665
9000+￥0.06213

现货最快4小时发货

广东仓: 11K+

江苏仓: 66K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交68单

DTC143ECA

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C13871

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 20@10mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存104K+

20+￥0.1322
200+￥0.1041
600+￥0.0885
3000+￥0.0739
9000+￥0.0658
21000+￥0.0614

现货最快4小时发货

广东仓: 99K+

江苏仓: 89K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

KRC103S

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C5439973

晶体管类型: 1个NPN-预偏置

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存50K+

20+￥0.1718
200+￥0.134
600+￥0.113
3000+￥0.1004
9000+￥0.0894
21000+￥0.0836

现货最快4小时发货

广东仓: 50K+

江苏仓: 29K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交47单

PDTC114YT,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C426850

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 250mW

直流电流增益: 100@5mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存27K+

20+￥0.1244
200+￥0.0974
600+￥0.0824
3000+￥0.0721
9000+￥0.0643
21000+￥0.06

现货最快4小时发货

广东仓: 27K+

江苏仓: 2460

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交75单

LMUN2235LT1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C150982

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 246mW

直流电流增益: 80@5.0mA,10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存24K+

50+￥0.1066
500+￥0.0822
3000+￥0.0687
6000+￥0.0605
24000+￥0.0535
51000+￥0.0497

现货最快4小时发货

广东仓: 23K+

江苏仓: 37K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

HMMUN2233LT1G

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C22396410

晶体管类型: 1个NPN-预偏置

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

描述: 这款数字晶体管，内置1个预偏置NPN结构，特别适合数字电路应用。集射极击穿电压高达50V，保证了良好的安全性与稳定性。集电极电流能力达到100mA，功率消耗低至246mW，非常适用于低功耗、高效能的电子设计，如逻辑电路、信号放大及电源管理模块。它的小巧高效，为您的电子创新项目提供可靠动力，提升系统性能。

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7416

50+￥0.1117
500+￥0.086
3000+￥0.0718
6000+￥0.0632

现货最快4小时发货

广东仓: 7150

江苏仓: 8200

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交26单

DTC123YCA

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C56452

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 200mW

直流电流增益: 33@10mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存902

20+￥0.1353
200+￥0.1066
600+￥0.0907
3000+￥0.0811
9000+￥0.0729
21000+￥0.0684

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 29K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

DTC114ECA

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C20616355

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

描述: 逻辑门驱动模拟开关微控制器输出缓冲电源管理显示驱动音频信号处理

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4974

20+￥0.1446
200+￥0.1133
600+￥0.0959
3000+￥0.082
9000+￥0.0729
21000+￥0.0681

现货最快4小时发货

广东仓: 4740

江苏仓: 5620

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交48单

PDTA123ET,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C426847

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 250mW

直流电流增益: 30@20mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

20+￥0.1519
200+￥0.1187
600+￥0.1002
3000+￥0.0891
9000+￥0.0795
21000+￥0.0743

现货最快4小时发货

广东仓: 11K+

江苏仓: 2960

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

DTC143ZE

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-523-3

类目: 数字晶体管

编号: C78593

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 150mW

直流电流增益: 80@10mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5773

20+￥0.152
200+￥0.1212
600+￥0.1041
3000+￥0.0878
9000+￥0.0789

现货最快4小时发货

广东仓: 3360

江苏仓: 9340

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

PDTC143XT,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C183011

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 250mW

直流电流增益: 50@10mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存43K+

20+￥0.165
200+￥0.1292
600+￥0.1093
3000+￥0.0955
9000+￥0.0852
21000+￥0.0796

现货最快4小时发货

广东仓: 43K+

江苏仓: 17K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交49单

PDTD123YT,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 数字晶体管

编号: C295450

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 500mA

耗散功率: 250mW

直流电流增益: 70@50mA,5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存40K+

10+￥0.2538
100+￥0.2001
300+￥0.1732
3000+￥0.153
6000+￥0.1369
9000+￥0.1288

现货最快4小时发货

广东仓: 39K+

江苏仓: 20K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交66单

UMH3N

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-363

类目: 数字晶体管

编号: C20611976

集射极击穿电压: 50V

集电极电流: 100mA

耗散功率: 150mW

描述: 这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装，内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压（Vceo）及0.1A的最大集电极电流（Ic），功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性，在5mA集电极电流和0.25mA基极电流时，VCE(sat)仅为300mV，同时拥有出色的直流电流增益，hFE在1mA/5V条件下范围达100至600。此外，该晶体管具有高达250MHz的截止频率(fT)，确保高速开关性能。适用于各类低功耗、高速数字电路设计，如逻辑门电路、信号放大器等应用场合，以其小巧体积与优越电气性能满足现代电子设备精细化需求。