数字晶体管
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- ¥0.118
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3000个/圆盘
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近期成交100单+
- 集射极击穿电压
- 50V
- 耗散功率
- 150mW
- 直流电流增益
- 80@10mA,5V
- 最小输入电压
- 1.3V@5mA,0.3V
描述晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN
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- ¥0.11691
- ¥0.09261
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3000个/圆盘
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近期成交100单+
- 集射极击穿电压
- 50V
- 集电极电流
- 100mA
- 耗散功率
- 250mW
- 直流电流增益
- 30@5mA,5V
描述NPN,Vceo=50V,Ic=100mA
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- ¥0.0813
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3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 集射极击穿电压
- 50V
- 集电极电流
- 100mA
- 耗散功率
- 200mW
- 直流电流增益
- 30@5mA,5V
描述晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V DTC114EE-F2-0000HF
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3000个/圆盘
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近期成交100单+
- 集射极击穿电压
- 50V
- 耗散功率
- 200mW
- 直流电流增益
- 30@5mA,5V
- 最小输入电压
- 3V@10mA,0.3V
描述晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):50mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=50mA,Pd=200mW
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近期成交79单
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- 集射极击穿电压
- 50V
- 耗散功率
- 100mW
- 直流电流增益
- 80@10mA,5V
- 最小输入电压
- 1.3V@5mA,0.3V
描述晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW
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- ¥0.12798
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近期成交100单+
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近期成交100单+
- 集射极击穿电压
- 50V
- 集电极电流
- 100mA
- 耗散功率
- 200mW
- 直流电流增益
- 80@10mA,5V
描述晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V
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近期成交64单
- 集射极击穿电压
- 50V
- 集电极电流
- 100mA
- 耗散功率
- 200mW
- 直流电流增益
- 80@10mA,5V
描述此款NPN型数字晶体管采用紧凑的SOT-23封装,适用于低功耗数字电路设计。该器件具有50V的最大集射极电压(Vcc),可承受0.1A的连续输出电流(Io),功率消耗仅为0.2W,确保高效能与节能表现。此外,其内置精密电阻网络,其中R1设定为4.7Ω,并且R1/R2比例为10,有助于简化外围电路设计和提高系统稳定性。这款晶体管凭借小巧体积、优异电气性能及集成电阻特性,广泛应用于逻辑门电路、信号切换以及其他各类精密电子设备中。
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- ¥0.125305
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- ¥0.08588
- ¥0.07657
- ¥0.069255
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- 7320
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- 5520
3000个/圆盘
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近期成交64单
- 集射极击穿电压
- 50V
- 集电极电流
- 100mA
- 耗散功率
- 200mW
- 直流电流增益
- 100@10mA,5V
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- ¥0.1348
- ¥0.1041
- ¥0.087
- ¥0.0768
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3000个/圆盘
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近期成交35单
- 集射极击穿电压
- 50V
- 集电极电流
- 100mA
- 耗散功率
- 200mW
- 直流电流增益
- 30@5mA,5V
描述逻辑门驱动 模拟开关 微控制器输出缓冲 电源管理 显示驱动 音频信号处理
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- ¥0.1446
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- ¥0.0729
- ¥0.0681
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3000个/圆盘
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近期成交30单
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- ¥0.0848
- ¥0.0763
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- 广东仓
- 0
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3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 集射极击穿电压
- 50V
- 集电极电流
- 100mA
- 耗散功率
- 200mW
- 直流电流增益
- 30@5mA,5V
描述预偏置
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SMT扩展库
- ¥0.16
- ¥0.1258
- ¥0.1068
- ¥0.088
- ¥0.0782
- ¥0.0728
- 广东仓
- 5560
- 江苏仓
- 11K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
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- ¥0.2098
- ¥0.161
- ¥0.1338
- ¥0.1176
- ¥0.1035
- ¥0.0959
- 广东仓
- 25K
- 江苏仓
- 17K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交92单
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- ¥0.1063
- ¥0.082
- ¥0.0685
- ¥0.0604
- ¥0.0533
- ¥0.0495
- 广东仓
- 39K+
- 江苏仓
- 44K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个NPN-预偏置
- 集射极击穿电压
- 50V
- 集电极电流
- 100mA
- 耗散功率
- 200mW
描述这款数字晶体管,内置1个预偏置NPN结构,特别适合数字电路应用。集射极击穿电压高达50V,保证了良好的安全性与稳定性。集电极电流能力达到100mA,功率消耗低至246mW,非常适用于低功耗、高效能的电子设计,如逻辑电路、信号放大及电源管理模块。它的小巧高效,为您的电子创新项目提供可靠动力,提升系统性能。
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SMT扩展库
- ¥0.1103
- ¥0.0846
- ¥0.0704
- ¥0.0618
- 广东仓
- 6850
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- 7900
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交29单
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SMT扩展库
- ¥0.1238
- ¥0.0967
- ¥0.0817
- ¥0.0658
- ¥0.058
- ¥0.0538
- 广东仓
- 560
- 江苏仓
- 33K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交45单
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SMT扩展库
- ¥0.1326
- ¥0.1021
- ¥0.0852
- ¥0.0735
- ¥0.0647
- ¥0.0599
- 广东仓
- 23K+
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- 2440
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交73单
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- ¥0.1351
- ¥0.1065
- ¥0.0906
- ¥0.0811
- ¥0.0728
- 广东仓
- 1840
- 江苏仓
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3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
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- ¥0.1432
- ¥0.1127
- ¥0.0957
- ¥0.0746
- ¥0.0658
- ¥0.061
- 广东仓
- 552K+
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- 0
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
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- 对比
SMT扩展库
- ¥0.2494
- ¥0.1956
- ¥0.1687
- ¥0.1486
- ¥0.1324
- ¥0.1244
- 广东仓
- 34K+
- 江苏仓
- 10K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交66单
- 集射极击穿电压
- 50V
- 集电极电流
- 100mA
- 耗散功率
- 150mW
- 输入电阻
- 4.7kΩ
描述这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装,内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压(Vceo)及0.1A的最大集电极电流(Ic),功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性,在5mA集电极电流和0.25mA基极电流时,VCE(sat)仅为300mV,同时拥有出色的直流电流增益,hFE在1mA/5V条件下范围达100至600。此外,该晶体管具有高达250MHz的截止频率(fT),确保高速开关性能。适用于各类低功耗、高速数字电路设计,如逻辑门电路、信号放大器等应用场合,以其小巧体积与优越电气性能满足现代电子设备精细化需求。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥0.29124
- ¥0.23679
- ¥0.20952
- ¥0.18099
- ¥0.16461
- ¥0.15651
- 广东仓
- 7510
- 江苏仓
- 4730
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交74单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥0.1109
- ¥0.0861
- ¥0.0723
- ¥0.064
- ¥0.0568
- 广东仓
- 12K+
- 江苏仓
- 29K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交86单
描述晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 100mA 集射极击穿电压(Vceo): 50V 耗散功率(Pd): 150mW
- 收藏
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SMT扩展库
- ¥0.1135
- ¥0.0892
- ¥0.0757
- ¥0.0676
- ¥0.0606
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 29K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交3单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥0.142072
- ¥0.111456
- ¥0.094428
- ¥0.084194
- ¥0.075336
- ¥0.070606
- 广东仓
- 8960
- 江苏仓
- 30K
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交6单