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数字晶体管

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品牌/产地

  • BLUE ROCKET(蓝箭)
  • BORN(伯恩半导体)
  • CBI(创基)
  • CJ(江苏长电/长晶)
  • Comchip(典琦)
  • DIODES(美台)
  • DIOTEC(德欧泰克)
  • Doeshare(德芯)
  • High Diode(海德)
  • HL(豪林)

封装/规格

  • -
  • CST-3
  • DFN-3(1.1x1)
  • DFN-3(1x0.6)
  • DFN-3(1x1)
  • DFN-3L(1x0.6)
  • EMT-3
  • EMT-5
  • EMT-6
  • ESM

晶体管类型

  • -
  • 1个NPN-预偏置
  • 1个NPN-预偏置+二极管
  • 1个PNP-预偏置
  • 1个PNP-预偏置+二极管
  • 1个NPN,1个PNP-预偏置
  • 1个NPN-预偏置,1个PNP
  • 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
  • 1个PNP-预偏置,1个NPN
  • 2个NPN-预偏置

功率(Pd)

  • -
  • 100mW
  • 120mW
  • 125mW
  • 150mW
  • 180mW
  • 187mW
  • 200mW
  • 202mW
  • 230mW

集电极电流(Ic)

  • -
  • 20mA
  • 30mA
  • 50mA
  • 60mA
  • 70mA
  • 80mA
  • 100mA
  • 150mA
  • 200mA

集射极击穿电压(Vceo)

  • -
  • 12V
  • 15V
  • 20V
  • 30V
  • 40V
  • 50V
  • 60V
  • 80V

集电极截止电流(Icbo)

  • -
  • 100nA
  • 500nA
  • 850nA
  • 1uA
  • 100mA

集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)

  • -
  • 80mV@50mA,2.5mA
  • 100mV@5mA,500uA
  • 100mV@10mA,0.5mA
  • 100mV@5mA,250uA
  • 100mV@2.5mA,50mA
  • 100mV@5mA,0.25mA
  • 100mV@30mA,3mA
  • 100mV@250uA,5mA
  • 100mV@50mA,2.5mA

最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)

  • -
  • 500mV@2mA,300mV
  • 700mV@5mA,200mV
  • 750mV@5mA,0.3V
  • 800mV@1mA,0.3V
  • 800mV@10mA,0.3V
  • 800mV@20mA,0.3V
  • 900mV@5mA,0.3V
  • 1V@20mA,0.3V
  • 1.1V@5mA,03V

最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)

  • -
  • 300mV@100uA,5V
  • 500mV@0.1mA,5V
  • 500mV@100uA,5V
  • 600mV@100uA,5V
  • 650mV@100uA,5V
  • 700mV@100uA,5V
  • 750mV@100uA,5V
  • 800mV@100uA,5V
  • 900mV@100uA,5V

输出电压(VO(on)@Io/Ii)

  • -
  • 70mV@5mA,500uA
  • 100mV@5mA,2.5mA
  • 100mV@10mA,500uA
  • 100mV@5mA,250uA
  • 100mV@5mA,0.25mA
  • 100mV@10mA,0.25mA
  • 300mV@10mA,500uA
  • 300mV@10mA,0.5mA
  • 300mV@50mA,2.5mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce)

  • -
  • 3@5mA,10V
  • 8@5mA,10V
  • 15@5mA,10V
  • 20@20mA,10V
  • 20@20mA,5V
  • 20@5mA,5V
  • 20@50mA,5V
  • 20@5mA,10V
  • 20@10mA,5V

输入电阻

  • -
  • 1kΩ
  • 2.2kΩ
  • 2.86kΩ
  • 4.7kΩ
  • 6.1kΩ
  • 10kΩ
  • 22kΩ
  • 47kΩ
  • 100kΩ

电阻比率

  • -
  • 0.047
  • 0.056
  • 0.213
  • 0.47
  • 1
  • 2.1
  • 2.13
  • 4.5
  • 4.55

特征频率(fT)

  • -
  • 35MHz
  • 80MHz
  • 100MHz
  • 110MHz
  • 130MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 160MHz
  • 170MHz

工作温度

  • -
  • -55℃~+150℃@(Tj)
  • -50℃~+150℃@(Tj)
  • +150℃@(Tj)
  • +175℃@(Tj)
  • +210℃@(Tj)

参考封装

  • SOT-23-3
  • SOT-323
  • SOT-363
  • SOT-523
  • SOT-563/SOT-666
  • SOT-723
  • SOT-23-6
  • DFN-3
  • SOT-963
  • TO-92-3

商品标签

  • aec-q101
  • 无铅
  • ppap

包装/方式

  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

嘉立创SMT

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  • 型号: DTC143ZE
  • 品牌: TC(德昌)
  • 封装: SOT-523-3
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极截止电流(Icbo):100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):350@10mA,5V NPN,50V,100mA
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  • 型号: DTC143ZCA
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW
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  • 型号: LMUN2233LT1G
  • 品牌: LRC(乐山无线电)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,hfe=80~200
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  • 型号: DTC144EET1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SC-75(SOT-523)
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN 双极数字晶体管 (BRT) 该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。
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  • 型号: DTC114EKAT146
  • 品牌: ROHM(罗姆)
  • 封装: SOT-346
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):50mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN Vceo=50V、Ic=100mA、hfe=100-600
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  • 型号: DTC123YCA
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW
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  • 型号: DTC143ECA
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW
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  • 型号: DTC143ZUA
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-323(SC-70)
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V
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  • 型号: DTC043ZEBTL
  • 品牌: ROHM(罗姆)
  • 封装: SOT-416
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V
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  • 型号: PUMD9,115
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-363-6
  • 描述:晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置 功率(Pd):300mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 预偏置 1个NPN 1个PNP,Vceo=50V,Ic=100mA
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  • 型号: DTC143ZE
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-523-3
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN
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  • 型号: PUMH10,115
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-363
  • 描述:晶体管类型:2个NPN-预偏置 功率(Pd):300mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 双NPN
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  • 型号: DTC114TE-TP
  • 品牌: MCC(美微科)
  • 封装: SOT-523-3
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V
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  • 型号: PDTC114ET,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):250mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vceo=50V,Ic=100mA
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  • 型号: LMUN2211LT1G
  • 品牌: LRC(乐山无线电)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,hfe=35~60
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  • 型号: PDTC124ET,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: TO-236AB
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):250mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V
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  • 型号: PDTC114YU,115
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-323-3
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V
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  • 型号: PDTA123YT,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):250mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V PNP,Vceo=-50V,Ic=-100mA
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  • 型号: PDTC143EU,115
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-323-3
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN Vceo=50V Io=100mA 预偏置
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  • 型号: DTC114EUA
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-323-3
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):50mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=50mA,Pd=200mW
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  • 型号: MMUN2211LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN 双极数字晶体管 (BRT) 此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
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  • 型号: UMH3N
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-363-6(SC-70-6)
  • 描述:晶体管类型:2个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 双NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pc=150mW
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  • 型号: DTC144EETL
  • 品牌: ROHM(罗姆)
  • 封装: -
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Ic=100mA
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  • 型号: MUN2232T1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SC-59
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):338mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.
  • 编号:C274588
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  • 型号: DTC143XCA
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V
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  • 型号: LMUN2232LT1G
  • 品牌: LRC(乐山无线电)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V
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  • 型号: DTC143ZM
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-723
  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):100mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=100mW
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  • 型号: LMUN2235LT1G
  • 品牌: LRC(乐山无线电)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 数字三极管
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  • 型号: DTC143EUA
  • 品牌: MSKSEMI(美森科)
  • 封装: SOT-323
  • 描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW
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