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数字晶体管

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2773
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • PDTC114EU,115
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-323-3
  • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):1uA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V 预偏置
  • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 100mA
  • 功率(Pd): 200mW
  • 20+: 

    ¥0.178117
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    ¥0.142117
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  • 广东仓: 3020
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  • DTC114EKAT146
  • 品牌: ROHM(罗姆)
  • 封装: SOT-346
  • 描述: 电流:50mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):50mA 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
  • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 50mA
  • 功率(Pd): 200mW
  • 20+: 

    ¥0.122968
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    ¥0.086763
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    ¥0.082024
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    ¥0.079472
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  • 广东仓: 23K+
    江苏仓: 27K+
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  • LMUN2233LT1G
  • 品牌: LRC(乐山无线电)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):246mW
  • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 100mA
  • 功率(Pd): 246mW
  • 30+: 

    ¥0.097191
  • 300+: 

    ¥0.076941
  • 900+: 

    ¥0.065691
  • 3000+: 

    ¥0.058941
  • 15000+: 

    ¥0.053091
  • 30000+: 

    ¥0.049941
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  • 广东仓: 105K+
    江苏仓: 149K+
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  • DTC143ZCA
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW
  • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 100mA
  • 功率(Pd): 200mW
  • 20+: 

    ¥0.130476
  • 200+: 

    ¥0.105726
  • 600+: 

    ¥0.091976
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    ¥0.083726
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    ¥0.076576
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    ¥0.072726
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  • 广东仓: 0
    江苏仓: 62K+
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  • DTC143ECA
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW
  • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 100mA
  • 功率(Pd): 200mW
  • 20+: 

    ¥0.143923
  • 200+: 

    ¥0.117899
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    ¥0.103442
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    ¥0.088984
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    ¥0.081466
  • 21000+: 

    ¥0.077418
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  • 广东仓: 1040
    江苏仓: 50K+
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  • DTC144EET1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SC-75(SOT-523)
  • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V 该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。
  • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 100mA
  • 功率(Pd): 200mW
SMT扩展库
  • 10+: 

    ¥0.249684
  • 100+: 

    ¥0.197696
  • 300+: 

    ¥0.171701
  • 3000+: 

    ¥0.123396
  • 6000+: 

    ¥0.107799
  • 9000+: 

    ¥0.100001
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  • 广东仓: 2960
    江苏仓: 198K+
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  • 圆盘
  • 圆盘
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  • 总额: ¥0
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  • 近期成交21单
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  • DTC123YCA
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW
  • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 100mA
  • 功率(Pd): 200mW
  • 20+: 

    ¥0.124016
  • 200+: 

    ¥0.099168
  • 600+: 

    ¥0.085364
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    ¥0.077082
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    ¥0.069904
  • 21000+: 

    ¥0.066039
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  • 广东仓: 51K+
    江苏仓: 0
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  • DTC043ZEBTL
  • 品牌: ROHM(罗姆)
  • 封装: SOT-416FL
  • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
  • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 100mA
  • 功率(Pd): 150mW
  • 20+: 

    ¥0.155517
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    ¥0.125804
  • 600+: 

    ¥0.109297
  • 3000+: 

    ¥0.086534
  • 9000+: 

    ¥0.077951
  • 21000+: 

    ¥0.073328
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  • 广东仓: 23K+
    江苏仓: 27K+
  • 圆盘
  • 圆盘
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  • 3000个/圆盘
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  • 近期成交100单+
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  • 封装:  SOT-416FL
    描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
  • 备注: 
      • 距结束剩
        000小时 0000
      进度: 
      剩余可拼库存: 81000
  • 拼团特价
  • 3000+: 

    ¥0.07
成团后4-6工作日
    说明: 
    无条件成团
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  • 圆盘
  • 总额: ¥210
  • 0人已参团
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  • DTC143ZE
  • 品牌: TC(德昌)
  • 封装: SOT-523-3
  • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):150mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):350@10mA,5V
  • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 100mA
  • 功率(Pd): 150mW
  • 50+: 

    ¥0.108325
  • 500+: 

    ¥0.087158
  • 3000+: 

    ¥0.067263
  • 6000+: 

    ¥0.060208
  • 24000+: 

    ¥0.054093
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  • 广东仓: 10K+
    江苏仓: 13K+
  • 圆盘
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  • 3000个/圆盘
  • 总额: ¥0
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  • LMUN2211LT1G
  • 品牌: LRC(乐山无线电)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):246mW
  • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 100mA
  • 功率(Pd): 246mW
  • 50+: 

    ¥0.096235
  • 500+: 

    ¥0.076884
  • 3000+: 

    ¥0.064501
  • 6000+: 

    ¥0.058051
  • 24000+: 

    ¥0.052461
  • 51000+: 

    ¥0.04945
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  • 广东仓: 0
    江苏仓: 60K+
  • 圆盘
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  • 圆盘
  • 3000个/圆盘
  • 总额: ¥0
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  • 近期成交100单+
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  • LMUN5111T1G
  • 品牌: LRC(乐山无线电)
  • 封装: SC-70
  • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个PNP-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA
  • 晶体管类型: 1个PNP-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 100mA
  • 20+: 

    ¥0.128396
  • 200+: 

    ¥0.101397
  • 600+: 

    ¥0.086398
  • 3000+: 

    ¥0.077398
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  • 广东仓: 4040
    江苏仓: 0
  • 圆盘
  • 圆盘
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  • 总额: ¥0
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  • 近期成交6单
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  • PDTC114ET,215
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):250mW 集电极截止电流(Icbo):1uA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V NPN,Vceo=50V,Ic=100mA
  • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 100mA
  • 功率(Pd): 250mW
  • 20+: 

    ¥0.130966
  • 200+: 

    ¥0.103166
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    ¥0.087722
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    ¥0.066101
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  • 广东仓: 5940
    江苏仓: 10K+
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 3000个/圆盘
  • 总额: ¥0
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  • 近期成交100单+
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  • DTC143ZE
  • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
  • 封装: SOT-523
  • 描述: DTC143ZE 晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN
  • 领券
    16-15
    立即领取
  • SMT扩展库
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      ¥0.08525
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      ¥0.054
    现货最快4H发
    • 广东仓: 33K+
      江苏仓: 18K+
    • 圆盘
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    • 近期成交87单
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    • KRC103S
    • 品牌: BORN(伯恩半导体)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 耐压:50V 电流:100mA 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):500nA
    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 功率(Pd): 200mW
  • 领券
    16-15
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    • 订单数量按照以下:
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    • 广东仓: 2940
      江苏仓: 50K+
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    • 近期成交16单
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    • MUN5214DW1T1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-363
    • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:2个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):250mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
    • 晶体管类型: 2个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 功率(Pd): 250mW
    • 10+: 

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    • 总额: ¥0
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    • 近期成交40单
      已加购
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    • LMUN2235LT1G
    • 品牌: LRC(乐山无线电)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):246mW
    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 功率(Pd): 246mW
    • 50+: 

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    • 近期成交91单
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    • MMUN2214LT1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):246mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V NPN 双极数字晶体管 (BRT)
    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 功率(Pd): 246mW
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    • LMUN2232LT1G
    • 品牌: LRC(乐山无线电)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):246mW
    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 功率(Pd): 246mW
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    • DTC143ZET1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SC-75(SOT-523)
    • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 功率(Pd): 200mW
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    • DTC114EUA
    • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
    • 封装: SOT-323
    • 描述: DTC114EUA 晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):50mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=50mA,Pd=200mW
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    • PDTC114YT,215
    • 品牌: Nexperia(安世)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):250mW 集电极截止电流(Icbo):1uA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
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    • LMUN2214LT1G
    • 品牌: LRC(乐山无线电)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA
    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
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    • DTC143ZE
    • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
    • 封装: SOT-523-3
    • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):150mW
    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
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    • DTC143ZCA
    • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: DTC143ZCA 晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW
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    • UMH3N
    • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
    • 封装: SC-70-6(SOT-363)
    • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:2个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):150mW
    • 晶体管类型: 2个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
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    • DTC143ZUA
    • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
    • 封装: SOT-323
    • 描述: DTC143ZUA 晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V
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    • LDTC143ZET1G
    • 品牌: LRC(乐山无线电)
    • 封装: SC-89
    • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW
    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
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    • DDTC114EUA-7-F
    • 品牌: DIODES(美台)
    • 封装: SOT-323-3
    • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
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    • LMUN2111LT1G
    • 品牌: LRC(乐山无线电)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个PNP-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):246mW
    • 晶体管类型: 1个PNP-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
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