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数字晶体管

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4337
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  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 100mA
  • 耗散功率(Pd): 200mW
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
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    • DTC143ZE
    • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
    • 封装: SOT-523
    • 描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 耗散功率(Pd): 150mW
    • 直流电流增益(hFE): 80@10mA,5V
    • 最小输入电压(VI(on)): 1.3V
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 250mW
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 200mW
    • 直流电流增益(hFE): 30@5mA,5V
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    • DTC114EE
    • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
    • 封装: SOT-523
    • 描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V DTC114EE-F2-0000HF
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 200mW
    • 直流电流增益(hFE): 30@5mA,5V
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 250mW
    • 直流电流增益(hFE): 30@20mA,5V
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 250mW
    • 直流电流增益(hFE): 50@10mA,5V
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 耗散功率(Pd): 250mW
    • 直流电流增益(hFE): 70@50mA,5V
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  • 9.8 折
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    • 第一阶梯10
    • 第二阶梯10
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    • 集电极电流(Ic): 100mA
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    • 直流电流增益(hFE): 80@5.0mA,10V
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 200mW
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    • DTC114EUA
    • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
    • 封装: SOT-323
    • 描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):50mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=50mA,Pd=200mW
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 耗散功率(Pd): 150mW
    • 直流电流增益(hFE): 30@5mA,5V
    • 最小输入电压(VI(on)): 3V
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 200mW
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 150mW
    • 最小输入电压(VI(on)): 1.3V
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 250mW
    • 直流电流增益(hFE): 100@10mA,5V
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    • DTC143ZCA
    • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 耗散功率(Pd): 200mW
    • 直流电流增益(hFE): 80@10mA,5V
    • 最小输入电压(VI(on)): 1.3V
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    • 第四阶梯9
    • 第五阶梯9
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 200mW
    • 直流电流增益(hFE): 20@10mA,5V
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    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 200mW
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    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.5
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 250mW
    • 直流电流增益(hFE): 35@5mA,5V
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    • 广东仓: 24K+
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 耗散功率(Pd): 250mW
    • 直流电流增益(hFE): 70@50mA,5V
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    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯10
    • 第二阶梯10
    • 第三阶梯10
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    • 第五阶梯9.7
    • 第六阶梯9.7
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    • HMMUN2233LT1G
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 这款数字晶体管,内置1个预偏置NPN结构,特别适合数字电路应用。集射极击穿电压高达50V,保证了良好的安全性与稳定性。集电极电流能力达到100mA,功率消耗低至246mW,非常适用于低功耗、高效能的电子设计,如逻辑电路、信号放大及电源管理模块。它的小巧高效,为您的电子创新项目提供可靠动力,提升系统性能。
    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 150mW
    • 直流电流增益(hFE): 80@10mA,5V
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    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 246mW
    • 直流电流增益(hFE): 80@5.0mA,10V
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 200mW
    • 直流电流增益(hFE): 33@10mA,5V
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    • UMH3N
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-363
    • 描述: 这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装,内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压(Vceo)及0.1A的最大集电极电流(Ic),功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性,在5mA集电极电流和0.25mA基极电流时,VCE(sat)仅为300mV,同时拥有出色的直流电流增益,hFE在1mA/5V条件下范围达100至600。此外,该晶体管具有高达250MHz的截止频率(fT),确保高速开关性能。适用于各类低功耗、高速数字电路设计,如逻辑门电路、信号放大器等应用场合,以其小巧体积与优越电气性能满足现代电子设备精细化需求。
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 150mW
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    16-15
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    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9
    • 第二阶梯9
    • 第三阶梯9
    • 第四阶梯9
    • 第五阶梯9
    • 第六阶梯9
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    • 广东仓: 11K+
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    • 近期成交59单
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    • 封装:  SOT-363
      描述: 这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装,内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压(Vceo)及0.1A的最大集电极电流(Ic),功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性,在5mA集电极电流和0.25mA基极电流时,VCE(sat)仅为300mV,同时拥有出色的直流电流增益,hFE在1mA/5V条件下范围达100至600。此外,该晶体管具有高达250MHz的截止频率(fT),确保高速开关性能。适用于各类低功耗、高速数字电路设计,如逻辑门电路、信号放大器等应用场合,以其小巧体积与优越电气性能满足现代电子设备精细化需求。
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 150mW
    • 直流电流增益(hFE): 100@1mA,5V
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 246mW
    • 直流电流增益(hFE): 35@5.0mA,10V
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      江苏仓: 18K+
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