数字晶体管
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 80@10mA,5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1149
- ￥0.0867
- ￥0.0741
- ￥0.0647
- ￥0.0609
- ￥0.0584
- 广东仓
- 80K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
- 直流电流增益(hFE)
- 30@5mA,5V
描述NPN,Vceo=50V,Ic=100mA
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.0933
- ￥0.0717
- ￥0.0597
- ￥0.0525
- ￥0.0462
- ￥0.0429
- 广东仓
- 53K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个NPN-预偏置
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.11856
- ￥0.09462
- ￥0.07239
- ￥0.064315
- ￥0.05738
- ￥0.053675
- 广东仓
- 40K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 30@5mA,5V
描述晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@5mA,5V DTC114EE-F2-0000HF
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.12027
- ￥0.095665
- ￥0.07695
- ￥0.06878
- ￥0.061655
- ￥0.057855
- 广东仓
- 31K+
- 江苏仓
- 36K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 246mW
- 晶体管类型
- NPN
描述这款全新系列的数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有单片偏置网络电阻的单晶体管。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了它们
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1023
- ￥0.079
- ￥0.0661
- ￥0.0584
- 广东仓
- 52K+
- 江苏仓
- 39K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 直流电流增益(hFE)
- 80@10mA,5V
- 最小输入电压(VI(on))
- 1.3V@5mA,0.3V
描述晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.11691
- ￥0.09261
- ￥0.07506
- ￥0.06696
- ￥0.05994
- ￥0.05607
- 广东仓
- 183K+
- 江苏仓
- 50K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
- 直流电流增益(hFE)
- 30@10mA,5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1163
- ￥0.0902
- ￥0.0757
- ￥0.0671
- ￥0.0595
- ￥0.0555
- 广东仓
- 19K+
- 江苏仓
- 5550
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交92单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1203
- ￥0.1046
- ￥0.0958
- ￥0.0906
- ￥0.086
- ￥0.0836
- 广东仓
- 34K+
- 江苏仓
- 29K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交60单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
- 直流电流增益(hFE)
- 100@10mA,5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1243
- ￥0.0964
- ￥0.081
- ￥0.0717
- ￥0.0637
- ￥0.0593
- 广东仓
- 6400
- 江苏仓
- 9180
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交98单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 80@10mA,5V
描述此款NPN型数字晶体管采用紧凑的SOT-23封装，适用于低功耗数字电路设计。该器件具有50V的最大集射极电压(Vcc)，可承受0.1A的连续输出电流(Io)，功率消耗仅为0.2W，确保高效能与节能表现。此外，其内置精密电阻网络，其中R1设定为4.7Ω，并且R1/R2比例为10，有助于简化外围电路设计和提高系统稳定性。这款晶体管凭借小巧体积、优异电气性能及集成电阻特性，广泛应用于逻辑门电路、信号切换以及其他各类精密电子设备中。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.125305
- ￥0.09994
- ￥0.08588
- ￥0.07657
- ￥0.069255
- ￥0.06536
- 广东仓
- 12K+
- 江苏仓
- 1840
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交49单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 30@5mA,5V
- 最小输入电压(VI(on))
- 3V@10mA,0.3V
描述晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：50mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN,Vcc=50V,Io=50mA,Pd=200mW
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.13053
- ￥0.102315
- ￥0.08664
- ￥0.07467
- ￥0.0665
- ￥0.06213
- 广东仓
- 380
- 江苏仓
- 43K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交49单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 20@10mA,5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1341
- ￥0.106
- ￥0.0904
- ￥0.0759
- ￥0.0678
- ￥0.0634
- 广东仓
- 62K
- 江苏仓
- 700
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.142072
- ￥0.111456
- ￥0.094428
- ￥0.084194
- ￥0.075336
- ￥0.070606
- 广东仓
- 20
- 江苏仓
- 29K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交28单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 晶体管类型
- NPN
描述SOT-23 塑封封装 硅 NPN 数字三极管。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1528
- ￥0.1193
- ￥0.1007
- ￥0.0895
- ￥0.0799
- 广东仓
- 14K+
- 江苏仓
- 80
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交54单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
- 直流电流增益(hFE)
- 70@50mA,5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.2652
- ￥0.21
- ￥0.1824
- ￥0.1571
- ￥0.1406
- ￥0.1323
- 广东仓
- 11K+
- 江苏仓
- 5720
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交74单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.118422
- ￥0.09288
- ￥0.07869
- ￥0.070176
- ￥0.06278
- ￥0.058824
- 广东仓
- 19K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交46单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 100@5mA,5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1217
- ￥0.0951
- ￥0.0736
- ￥0.0647
- ￥0.057
- ￥0.0528
- 广东仓
- 3050
- 江苏仓
- 18K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交40单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
- 直流电流增益(hFE)
- 100@10mA,5V
描述采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN带阻晶体管（RET）系列。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1217
- ￥0.0942
- ￥0.0789
- ￥0.0697
- ￥0.0617
- ￥0.0574
- 广东仓
- 12K
- 江苏仓
- 60
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交48单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 直流电流增益(hFE)
- 80@10mA,5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1432
- ￥0.1127
- ￥0.0958
- ￥0.0746
- ￥0.0658
- ￥0.061
- 广东仓
- 331K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 直流电流增益(hFE)
- 80@10mA,5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.144
- ￥0.1143
- ￥0.0978
- ￥0.0821
- ￥0.0735
- 广东仓
- 5220
- 江苏仓
- 13K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 晶体管类型
- NPN
描述预偏置
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1533
- ￥0.1205
- ￥0.1023
- ￥0.0844
- ￥0.0749
- ￥0.0698
- 广东仓
- 2600
- 江苏仓
- 27K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
- 直流电流增益(hFE)
- 50@10mA,5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1557
- ￥0.1199
- ￥0.1
- ￥0.0862
- ￥0.0759
- ￥0.0703
- 广东仓
- 11K+
- 江苏仓
- 17K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交36单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
- 直流电流增益(hFE)
- 30@10mA,5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.2327
- ￥0.1793
- ￥0.1496
- ￥0.1318
- ￥0.1164
- ￥0.1081
- 广东仓
- 3540
- 江苏仓
- 7940
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交87单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
- 直流电流增益(hFE)
- 70@50mA,5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.2494
- ￥0.1956
- ￥0.1687
- ￥0.1486
- ￥0.1324
- ￥0.1244
- 广东仓
- 2170
- 江苏仓
- 7010
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交81单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 246mW
- 直流电流增益(hFE)
- 80@5.0mA,10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1076
- ￥0.0832
- ￥0.0697
- ￥0.0616
- ￥0.0545
- 广东仓
- 28K+
- 江苏仓
- 22K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 50mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 30@5mA,5V
描述逻辑电平转换 微控制器接口 显示驱动 低功耗电路 通信接口保护 音频和视频设备 测试测量仪器
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1191
- ￥0.0921
- ￥0.0761
- ￥0.0671
- ￥0.0593
- ￥0.055
- 广东仓
- 11K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交57单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1287
- ￥0.1007
- ￥0.0852
- ￥0.0759
- ￥0.0679
- ￥0.0635
- 广东仓
- 85K+
- 江苏仓
- 550
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 33@10mA,5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.1348
- ￥0.1061
- ￥0.0902
- ￥0.0807
- ￥0.0724
- 广东仓
- 14K+
- 江苏仓
- 240
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
- 直流电流增益(hFE)
- 100@10mA,5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.2336
- ￥0.1842
- ￥0.1595
- ￥0.1359
- ￥0.1211
- ￥0.1137
- 广东仓
- 1090
- 江苏仓
- 7480
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交45单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 输入电阻
- 4.7kΩ
描述这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装，内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压（Vceo）及0.1A的最大集电极电流（Ic），功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性，在5mA集电极电流和0.25mA基极电流时，VCE(sat)仅为300mV，同时拥有出色的直流电流增益，hFE在1mA/5V条件下范围达100至600。此外，该晶体管具有高达250MHz的截止频率(fT)，确保高速开关性能。适用于各类低功耗、高速数字电路设计，如逻辑门电路、信号放大器等应用场合，以其小巧体积与优越电气性能满足现代电子设备精细化需求。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.29124
- ￥0.23679
- ￥0.20952
- ￥0.18099
- ￥0.16461
- ￥0.15651
- 广东仓
- 2100
- 江苏仓
- 4500
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交70单