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    • W9751G6NB-25
    • 品牌: WINBOND(华邦)
    • 封装: VFBGA-84
    • 描述: 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ps 安装类型:表面贴装型 封装/外壳: 84-VFBGA 供应商器件封装: 84-VFBGA(8x12.5)
    • 存储器构架(格式): SDRAM DDR2
    • 时钟频率(fc): 400MHz
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    • MT47H32M16NF-25E IT:H
    • 品牌: micron(镁光)
    • 封装: FBGA-84
    • 描述: 512Mb DDR2 SDRAM,支持X4, X8, X16配置,具有4n位预取架构,支持差分时钟和数据选通。提供多种速度等级和封装选项,支持工业温度。
    • 存储器构架(格式): SDRAM DDR2
    • 时钟频率(fc): 200MHz
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    • MT46V32M16P-5B:J
    • 品牌: micron(镁光)
    • 封装: TSOP-66-10.2mm
    • 描述: 512Mb DDR SDRAM,具有双数据速率架构,支持高速操作。每个时钟周期传输两个数据字,在I/O引脚上实现。支持4个内部banks并发操作,提高有效带宽。
    • 存储器构架(格式): SDRAM DDR
    • 工作电压: 2.5V~2.7V
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    • 存储器构架(格式): SDRAM DDR3
    • 时钟频率(fc): 1.066GHz
    • 工作电压: 1.425V~1.575V
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    • 工作电压: 1.28V~1.575V
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    • IS43TR16128DL-125KBLI
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: BGA-96(9x13)
    • 描述: IS43TR16128D, IS43TR16128DL 是 256Mx8 和 128Mx16 2Gb DDR3L SDRAM,支持低电压 1.35V。具有高速数据传输速率,系统频率高达 1066MHz。支持 8 个内部banks并发操作,具有自动预充电和部分阵列自刷新功能。
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    • 存储器构架(格式): SDRAM DDR2
    • 时钟频率(fc): 533MHz
    • 工作电压: 1.7V~1.9V
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    • MT47H128M8SH-25E IT:M
    • 品牌: micron(镁光)
    • 封装: FBGA-60(8x10)
    • 描述: 1Gb DDR2 SDRAM,支持4n位预取架构,具有差分时钟输入和输出数据同步功能。提供8个内部存储库以实现并发操作,支持可编程的读写突发长度。工作电压为1.8V ± 0.1V。
    • 存储器构架(格式): SDRAM DDR2
    • 时钟频率(fc): 333MHz
    • 存储容量: 1Gbit
    • 工作电压: 1.8V~1.9V
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    • 存储器构架(格式): SDRAM DDR4
    • 时钟频率(fc): 1.333GHz
    • 工作电压: 1.14V~1.26V
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    • 存储器构架(格式): SDRAM DDR3L
    • 工作电压: 1.283V~1.45V
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    • IS43DR16320E-25DBLI
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: BGA-84
    • 描述: 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ns 安装类型:表面贴装型 封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-TWBGA(8x12.5)
    • 存储器构架(格式): SDRAM DDR2
    • 时钟频率(fc): 400MHz
    • 存储容量: 512Mbit
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