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DDR存储器
”共 54件相关商品存储器类型
- Volatile
存储器构架(格式)
- DRAM
存储器容量
- 1Gb (64M x 16)
- 1Gb (128M x 8)
- 2Gb (128M x 16)
- 4Gb (256M x 16)
- 4Gb (512M x 8)
- 8Gb (512M x 16)
- 16Mb (1M x 16)
- 64Mb (4M x 16)
- 128Mb (4M x 32)
- 128Mb (8M x 16)
存储器接口类型
- -
- Parallel
工作电压
- 1.14V ~ 1.26V
- 1.238V ~ 1.45V
- 1.283V ~ 1.45V
- 1.7V ~ 1.9V
- 2.3V ~ 2.7V
- 3V ~ 3.6V
封装/规格
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- BGA
- BGA-54
- BGA-60
- BGA-84
- BGA-90
- BGA-96
- FBGA
- FBGA-60
- FBGA-78
品牌/产地
- Alliance Memory
- ESMT(台湾晶豪)
- HYNIX(海力士)
- ISSI(美国芯成)
- micron(镁光)
- SAMSUNG(三星)
- WINBOND(华邦)
- Zentel(力积电子)
包装/方式
- 托盘
- 编带
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价格筛选（小批量）：
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描述：
存储器接口类型：Parallel 存储器容量：128Mb (8M x 16) 工作电压：3V ~ 3.6V 存储器类型：Volatile 128-Mbit(8M × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V
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描述：
存储器接口类型：Parallel 存储器容量：2Gb (128M x 16) 工作电压：1.238V ~ 1.45V 存储器类型：Volatile 2-Gbit(128M × 16bit)，工作电压：1.35V
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描述：
存储器接口类型：Parallel 存储器容量：256Mb (16M x 16) 工作电压：3V ~ 3.6V 存储器类型：Volatile SDRAM,256Mb(32MB,16Mbx16),3.3v工业级-40°C~85°C,166MHz/CL3 or 133MHz/CL2
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描述：
存储器接口类型：Parallel 存储器容量：512Mb (32M x 16) 工作电压：1.7V ~ 1.9V 存储器类型：Volatile 512-Mbit(32M x 16bit)，并行接口，工作电压：1.8V±0.1V
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描述：
存储器接口类型：Parallel 存储器容量：128Mb (4M x 32) 工作电压：3V ~ 3.6V 存储器类型：Volatile 32位SDRAM,128Mb(16MB,4Mbx32),3.3v工业级-40°C~85°C,同MT48LC4M32B2P-7IT,MT48LC2M32B2P,W9864G2JH,W9812G2GH
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描述：
存储器接口类型：Parallel 存储器容量：1Gb (64M x 16) 工作电压：1.7V ~ 1.9V 存储器类型：Volatile 1-Gbit(64M x 16bit)，工作电压：1.8V±0.1V
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现货
特惠
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描述：
存储器接口类型：Parallel 存储器容量：256Mb (16M x 16) 工作电压：3V ~ 3.6V 存储器类型：Volatile 256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：3.3V
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描述：
存储器接口类型：Parallel 存储器容量：128Mb (8M x 16) 工作电压：3V ~ 3.6V 存储器类型：Volatile 128-Mbit(16M × 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V
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粤公网安备 44030402002194号
