DDR SDRAM

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参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

爆款

MT41K256M16TW-107 IT:P

品牌: micron(镁光)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C367428

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7101

1+￥15.24
10+￥13.21
30+￥11.78
100+￥10.47
500+￥9.87
1000+￥9.62

现货最快4小时发货

广东仓: 5879

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

立推

MT41K256M16TW-107 IT:P

品牌: micron(镁光)

封装: FBGA-96

备注: 下单前确认价格和库存

批次: 24+

立推售价

2000+￥9.59

支付后4-6工作日

库存: 20K

2000个/圆盘

个

总额￥0

爆款

MT41K256M16TW-107:P

品牌: micron(镁光)

封装: TFBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C253882

描述商业级

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

1+￥15.18
10+￥13.23
30+￥11.86
100+￥10.09
500+￥9.51
1000+￥9.28

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

立推

MT41K256M16TW-107:P

品牌: micron(镁光)

封装: TFBGA-96

备注: 下单前要再次确认价格

批次: 23+

立推售价

2000+￥9.17

支付后4-6工作日

库存: 10K

2000个/圆盘

个

总额￥0

K4B4G1646E-BYMA

品牌: SAMSUNG(三星半导体)

封装: FBGA-96(7.5x13.3)

类目: DDR SDRAM

编号: C500275

存储器构架: SDRAM DDR3L

时钟频率: 933MHz

存储容量: 4Gbit

工作电压: 1.28V~1.45V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4461

1+￥17.19
10+￥14.51
30+￥12.83
112+￥11.12
448+￥10.34
1008+￥10

现货最快4小时发货

广东仓: 4150

112个/托盘

个

总额￥0

近期成交61单

立推

K4B4G1646E-BYMA

品牌: SAMSUNG(三星半导体)

封装: FBGA-96(7.5x13.3)

备注: 下单前要确认价格

批次: 24+

立推售价

1120+￥9.6

支付后4-6工作日

库存: 22K+

112个/托盘

个

总额￥0

MT41K512M16VRP-107 IT:P

品牌: micron(镁光)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C2831669

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1581

1+￥69.43
10+￥66.03
30+￥60.14
100+￥55

现货最快4小时发货

广东仓: 1561

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交23单

MT40A512M16LY-075:E

品牌: micron(镁光)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C598779

存储器构架: SDRAM DDR4

时钟频率: 1.33GHz

存储容量: 8Gbit

工作电压: 1.14V~1.26V

描述存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联安装类型:表面贴装型供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3382

1+￥62.77
10+￥53.54
30+￥47.92
100+￥43.2

现货最快4小时发货

广东仓: 3362

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交37单

MT41K128M16JT-125:k

品牌: micron(镁光)

封装: FBGA-96(8x14)

类目: DDR SDRAM

编号: C36513

描述2-Gbit(128M × 16bit)，工作电压：1.35V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3184

1+￥16.87
10+￥14.47
30+￥12.96
100+￥10.04
500+￥9.34
1000+￥9.04

现货最快4小时发货

广东仓: 2980

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交61单

立推

MT41K128M16JT-125:k

品牌: micron(镁光)

封装: FBGA-96(8x14)

备注: 下单前确认价格

批次: 25+

立推售价

2000+￥8.55

支付后6-8工作日

库存: 12K

2000个/圆盘

个

总额￥0

MT41J128M16JT-125:K

品牌: micron(镁光)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C426885

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2020

1+￥21.28
10+￥18.28
30+￥16.5
100+￥13.39
500+￥12.56
1000+￥12.19

现货最快4小时发货

广东仓: 1986

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交45单

H5AN4G6NBJR-UHI

品牌: HYNIX(海力士)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C46552766

收藏
对比

1+￥35.04
10+￥29.81
30+￥26.71
160+￥23.56
480+￥22.12
960+￥21.46

现货最快4小时发货

广东仓: 4000

160个/托盘

个

总额￥0

近期成交1单

NT5CC256M16ER-EKI

品牌: Nanya(南亚科技)

封装: TFBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C2841153

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1863

1+￥35.13
10+￥30.48
30+￥27.72
100+￥22.23
500+￥20.94
1000+￥20.36

现货最快4小时发货

广东仓: 1749

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交45单

MT40A512M16LY-062E:E

品牌: micron(镁光)

封装: FBGA-96(7.5x13.5)

类目: DDR SDRAM

编号: C1352320

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存914

1+￥66.39
10+￥56.93
30+￥48.71
100+￥43.87

现货最快4小时发货

广东仓: 894

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交18单

K4A8G165WC-BCTD

品牌: SAMSUNG(三星半导体)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C2803251

存储器构架: SDRAM DDR4

时钟频率: 1.333GHz

工作电压: 1.14V~1.26V

工作温度: 0℃~+95℃

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存466

1+￥81.46
10+￥77.74
30+￥71.29
112+￥65.67

现货最快4小时发货

广东仓: 370

112个/托盘

个

总额￥0

近期成交36单

K4UBE3D4AB-MGCL

品牌: SAMSUNG(三星半导体)

封装: FBGA-200

类目: DDR SDRAM

编号: C5827966

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存244

1+￥163.8
30+￥155.01

现货最快4小时发货

广东仓: 224

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交27单

H5TQ4G63EFR-RDC

品牌: HYNIX(海力士)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C2803259

存储器构架: SDRAM DDR3

工作电压: 1.425V~1.575V

工作温度: 0℃~+95℃

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1859

1+￥19.25
10+￥16.41
30+￥14.63
160+￥11.69
480+￥10.86
960+￥10.5

现货最快4小时发货

广东仓: 1759

160个/托盘

个

总额￥0

近期成交53单

MT41K256M8DA-125 IT:K

品牌: micron(镁光)

封装: FBGA-78(8x10.5)

类目: DDR SDRAM

编号: C2063887

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1685

1+￥17.97
10+￥15.29
30+￥13.69
100+￥12.08
500+￥11.34
1000+￥11

现货最快4小时发货

广东仓: 1685

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

GDQ2BFAA-WQ

品牌: GigaDevice(兆易创新)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C5184034

存储器构架: SDRAM DDR4

存储容量: 4Gbit

工作电压: 1.2V

工作温度: -40℃~95℃

收藏
对比

1+￥33.58
10+￥28.62
30+￥25.67
128+￥22.69
512+￥21.32
1024+￥20.7

现货最快4小时发货

广东仓: 2348

128个/托盘

个

总额￥0

近期成交10单

K4F6E3S4HM-MGCJ

品牌: SAMSUNG(三星半导体)

封装: FBGA-200

类目: DDR SDRAM

编号: C2842431

存储器构架: SDRAM SLPDDR4

时钟频率: 1.867GHz

存储容量: 16Gbit

工作电压: 1.7V~1.9V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存175

1+￥144.82
10+￥139.3
30+￥97.77

现货最快4小时发货

广东仓: 127

128个/托盘

个

总额￥0

近期成交32单

MT41K128M16JT-125 IT:K

品牌: micron(镁光)

封装: TFBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C115792

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1193

1+￥16.91
10+￥14.26
30+￥12.6
100+￥10.9
500+￥10.14
1000+￥9.8

现货最快4小时发货

广东仓: 1152

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交55单

K4B2G1646F-BYMA

品牌: SAMSUNG(三星半导体)

封装: FBGA-96(7.5x13.3)

类目: DDR SDRAM

编号: C22362395

存储器构架: SDRAM DDR3L

时钟频率: 933MHz

工作电压: 1.35V~1.5V

工作温度: -40℃~+95℃

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存780

1+￥17.54
10+￥14.71
30+￥12.94
100+￥11.13
500+￥10.31

现货最快4小时发货

广东仓: 753

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交15单

MT47H32M16NF-25E IT:H

品牌: micron(镁光)

封装: FBGA-84

类目: DDR SDRAM

编号: C401000

存储器构架: SDRAM DDR2

时钟频率: 200MHz

工作电压: 1.7V~1.9V

工作电流: 145mA

描述512Mb DDR2 SDRAM，支持X4, X8, X16配置，具有4n位预取架构，支持差分时钟和数据选通。提供多种速度等级和封装选项，支持工业温度。

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1540

1+￥24.44
10+￥20.8
30+￥18.63
100+￥16.44
500+￥15.43
1000+￥14.97

现货最快4小时发货

广东仓: 1520

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交13单

K4A8G165WB-BCRC

品牌: SAMSUNG(三星半导体)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C2803252

存储器构架: SDRAM DDR4

时钟频率: 1.333GHz

工作电压: 1.14V~1.26V

工作电流: 41.9mA

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存697

1+￥45.64
10+￥39.21
30+￥35.29
112+￥32

现货最快4小时发货

广东仓: 631

112个/托盘

个

总额￥0

近期成交28单

W9751G6NB-25

品牌: Winbond(华邦)

封装: VFBGA-84

类目: DDR SDRAM

编号: C908414

存储器构架: SDRAM DDR2

时钟频率: 400MHz

存储容量: 512Mbit

工作电压: 1.7V~1.9V

描述存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ps 安装类型:表面贴装型封装/外壳: 84-VFBGA 供应商器件封装: 84-VFBGA（8x12.5）

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存386

9.8折

1+￥11.67
10+￥9.96
30+￥9.02
209+￥7.3402
418+￥6.8796
1045+￥6.664

现货最快4小时发货

广东仓: 366

江苏仓: 13

209个/托盘

个

总额￥0

近期成交14单

立推

W9751G6NB-25

品牌: Winbond(华邦)

封装: VFBGA-84

批次: 25+

立推售价

2090+￥6.15

支付后4-6工作日

库存: 8052

209个/托盘

个

总额￥0

K4B2G1646F-BYMA

品牌: SAMSUNG(三星半导体)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C500274

存储器构架: SDRAM DDR3L

时钟频率: 933MHz

存储容量: 2Gbit

工作电压: 1.283V~1.45V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存751

1+￥17.06
10+￥14.34
30+￥12.65
112+￥10.46
448+￥9.67

现货最快4小时发货

广东仓: 717

江苏仓: 49

112个/托盘

个

总额￥0

近期成交11单

MT47H128M16RT-25E:C

品牌: micron(镁光)

封装: FBGA-84(9x12.5)

类目: DDR SDRAM

编号: C46795

存储器构架: SDRAM DDR2

工作电压: 1.7V~1.9V

工作温度: -40℃~+95℃

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存136

1+￥84.55
10+￥80.71
30+￥66.83
100+￥61.02

现货最快4小时发货

广东仓: 136

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

NT5CC128M16JR-EK

品牌: Nanya(南亚科技)

封装: TFBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C428583

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2190

1+￥16.61
10+￥14.2
30+￥12.69
100+￥10.28
500+￥9.59
1000+￥9.28

现货最快4小时发货

广东仓: 1990

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交20单

K4A4G165WF-BCTD

品牌: SAMSUNG(三星半导体)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C2803249

存储器构架: SDRAM DDR4

时钟频率: 1.6GHz

存储容量: 4Gbit

工作电压: 1.14V~1.26V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存352

1+￥33.51
10+￥28.89
30+￥26.14
112+￥23.36
448+￥22.08
1008+￥21.5

现货最快4小时发货

广东仓: 305

112个/托盘

个

总额￥0

近期成交38单

MT46H32M16LFBF-5 IT:C

品牌: micron(镁光)

封装: VFBGA-60(8x9)

类目: DDR SDRAM

编号: C2061960

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1321

1+￥46.35
10+￥39.45
30+￥35.25
100+￥31.72

现货最快4小时发货

广东仓: 1321

1000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

MT47H128M16RT-25E IT:C

品牌: micron(镁光)

封装: FBGA-84

类目: DDR SDRAM

编号: C477948

存储器构架: SDRAM DDR2

时钟频率: 400MHz

存储容量: 2Gbit

工作电压: 1.7V~1.9V

描述存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ps 安装类型:表面贴装型封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-FBGA（9x12.5）

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存95

1+￥77.67
10+￥73.93
30+￥67.45

现货最快4小时发货

广东仓: 75

1000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交10单

H5AN4G6NBJR-VKC

品牌: HYNIX(海力士)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C2849414

存储器构架: SDRAM DDR4

工作电压: 1.14V~1.26V

工作电流: 38mA

工作温度: -40℃~+95℃

描述H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥23.58
10+￥22.26
30+￥21.49
100+￥20.7
500+￥20.33

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 979

1600个/托盘

个

总额￥0

近期成交9单

H5TC4G63EFR-RDAR

品牌: HYNIX(海力士)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C37953994

存储器构架: SDRAM DDR3L

工作电压: 1.283V~1.45V

描述H5TC4G83EFR-xxA(I,L,J,K), H5TQC4G63EFR-xxA(I,L,J,K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM，非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行（电压为1.35V）的主内存应用。SK Hynix DDR3L SDRAM 在不进行任何更改的情况下，与基于1.5V的DDR3环境向后兼容。SK Hynix 4Gb DDR3L SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入都在时钟的上升沿（时钟的下降沿）上锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿上采样。数据路径内部经过流水线处理，并预取8位以实现非常高的带宽。

收藏
对比

1+￥11.92
10+￥10.08
30+￥8.94
100+￥7.76

现货最快4小时发货

广东仓: 21

江苏仓: 470

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

IS43TR16128BL-125KBLI

品牌: ISSI(美国芯成)

封装: BGA-96(13x9)

类目: DDR SDRAM

编号: C2977983

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥24.6
10+￥23.42
30+￥22.72
100+￥19.49
500+￥19.16
1500+￥19.01

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2990

1500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

DDR SDRAM

型号/品牌/封装/类目

参数/描述

优惠券/标签

价格梯度(含税)

库存交期

操作