DDR SDRAM
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
描述DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3(1.5V)SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时,请参考DDR3(1.5V)SDRAM(芯片版本:E)数据手册规格。
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- 对比
- ¥22.05
- ¥19.79
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2000个/圆盘
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近期成交100单+
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2000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3L
- 时钟频率(fc)
- 933MHz
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- 2Gbit
- 工作电压
- 1.283V~1.45V
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112个/托盘
总额¥0
近期成交17单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3L
- 时钟频率(fc)
- 933MHz
- 工作电压
- 1.28V~1.575V
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- 0℃~+95℃
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2000个/圆盘
总额¥0
近期成交31单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3L
- 时钟频率(fc)
- 1.866GHz
- 存储容量
- 1Gbit
- 工作电压
- 1.283V~1.45V
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2000个/圆盘
总额¥0
近期成交6单
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- 对比
- ¥22.13
- ¥19.11
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- 1314
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交36单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3L
- 时钟频率(fc)
- 933MHz
- 存储容量
- 4Gbit
- 工作电压
- 1.28V~1.45V
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- 对比
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112个/托盘
总额¥0
近期成交48单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR4
- 时钟频率(fc)
- 1.33GHz
- 存储容量
- 8Gbit
- 工作电压
- 1.14V~1.26V
描述存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 安装类型:表面贴装型 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13.5)
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2000个/圆盘
总额¥0
近期成交34单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3L
- 时钟频率(fc)
- 933MHz
- 存储容量
- 4Gbit
- 工作温度
- 0℃~+95℃
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- 对比
- ¥27.2
- ¥23.98
- ¥22.07
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- ¥16.89
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2000个/圆盘
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近期成交59单
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2000个/圆盘
总额¥0
近期成交26单
描述2-Gbit(128M × 16bit),工作电压:1.35V
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- ¥15.87
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- 981
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交61单
- 时钟频率(fc)
- 1.867GHz
- 存储容量
- 16Gbit
- 工作电压
- 1.7V~1.9V
- 工作温度
- -25℃~+85℃
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- ¥226.11
- ¥171.79
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128个/托盘
总额¥0
近期成交32单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR4
- 存储容量
- 8Gbit
- 工作电压
- 1.14V~1.26V
- 工作温度
- 0℃~+95℃
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- 对比
- ¥107.21
- ¥102.62
- ¥94.67
- ¥87.73
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- 314
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交13单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR2
- 时钟频率(fc)
- 200MHz
- 存储容量
- 512Mbit
- 工作电压
- 1.7V~1.9V
描述512Mb DDR2 SDRAM,支持X4, X8, X16配置,具有4n位预取架构,支持差分时钟和数据选通。提供多种速度等级和封装选项,支持工业温度。
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- 收藏
- 对比
- ¥25.8
- ¥22.16
- ¥19.99
- ¥17.8
- ¥16.79
- ¥16.33
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- 1309
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交6单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR2
- 时钟频率(fc)
- 400MHz
- 存储容量
- 1Gbit
- 工作电压
- 1.7V~1.9V
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- 收藏
- 对比
- ¥27.67
- ¥23.78
- ¥21.47
- ¥18.4
- ¥17.33
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- 805
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交11单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR4
- 时钟频率(fc)
- 1.333GHz
- 存储容量
- 8Gbit
- 工作电压
- 1.14V~1.26V
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥83.38
- ¥79.64
- ¥73.16
- ¥67.5
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- 392
112个/托盘
总额¥0
近期成交30单
- 收藏
- 对比
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- ¥230
- 广东仓
- 231
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交24单
描述128Mx8 DDR3 SDRAM,标准电压1.5V,低电压1.35V,部分自刷新,后向兼容1.5V,异步复位引脚,高速数据传输速率,8个内部bank,可编程的CAS延迟,工作温度范围:工业级-40°C至95°C
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- 对比
- ¥23.17
- ¥19.83
- ¥17.85
- ¥15.84
- ¥14.91
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190个/托盘
总额¥0
近期成交4单
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- ¥29.81
- ¥26.71
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- ¥21.6776
- ¥21.0308
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- 3968
160个/托盘
总额¥0
近期成交1单
- 收藏
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- ¥231.73
- 广东仓
- 202
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交16单
- 收藏
- 对比
- ¥17.89
- ¥15.48
- ¥13.97
- 广东仓
- 30
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交13单
- 收藏
- 对比
- ¥24.24
- ¥23.06
- ¥22.36
- ¥19.14
- ¥18.81
- ¥18.66
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2984
1500个/圆盘
总额¥0
近期成交4单
描述IS46TR16640C-125JBLA1是一款64Mx16 DDR3 SDRAM,支持1.5V供电,数据传输速率为1600MT/s,时序为10-10-10。适用于汽车A1等级,具有低功耗模式、自刷新模式和写入恢复时间等功能。
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- 对比
- ¥27.75
- ¥23.52
- ¥21
- ¥18.46
- ¥17.28
- ¥16.75
- 广东仓
- 1710
190个/托盘
总额¥0
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR4
- 时钟频率(fc)
- 1.6GHz
- 存储容量
- 4Gbit
- 工作电压
- 1.14V~1.26V
描述H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM,适用于主内存,支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压,支持多种时钟频率,包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥34.97
- ¥29.73
- ¥26.61
- ¥23.45
- ¥22
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 885
1600个/托盘
总额¥0
近期成交12单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR2
- 时钟频率(fc)
- 400MHz
- 存储容量
- 2Gbit
- 工作电压
- 1.7V~1.9V
描述存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ps 安装类型:表面贴装型 封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-FBGA(9x12.5)
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥83.02
- ¥79.29
- ¥72.82
- ¥67.18
- 广东仓
- 255
1000个/圆盘
总额¥0
近期成交8单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3
- 存储容量
- 2Gbit
- 工作电压
- 1.425V~1.575V
- 工作温度
- -40℃~+95℃
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥19.77
- ¥17.09
- ¥15.49
- ¥13.88
- ¥13.14
- ¥12.8
- 广东仓
- 1071
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交4单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3L
- 存储容量
- 2Gbit
- 工作电压
- 1.425V~1.575V;1.283V~1.45V
- 工作温度
- -40℃~+95℃
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥19.11
- ¥16.46
- ¥14.8
- ¥13.1
- ¥12.34
- ¥12
- 广东仓
- 380
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交54单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR4
- 存储容量
- 8Gbit
- 工作电压
- 1.14V~1.26V
- 工作温度
- 0℃~+95℃
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥65.8
- ¥57.45
- ¥50.2
- 广东仓
- 1
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交28单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR2
- 时钟频率(fc)
- 400MHz
- 存储容量
- 512Mbit
- 工作电压
- 1.7V~1.9V
描述存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ps 安装类型:表面贴装型 封装/外壳: 84-VFBGA 供应商器件封装: 84-VFBGA(8x12.5)
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥13.98
- ¥11.93
- ¥10.8
- ¥8.8803
- ¥8.316
- ¥8.0586
- 广东仓
- 269
- 江苏仓
- 3
209个/托盘
总额¥0
近期成交19单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR2
- 时钟频率(fc)
- 400MHz
- 存储容量
- 512Mbit
- 工作电压
- 1.7V~1.9V
描述存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ns 安装类型:表面贴装型 封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-TWBGA(8x12.5)
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥20.83
- ¥19.7
- ¥19.02
- ¥18.35
- ¥18.03
- ¥17.89
- 广东仓
- 1227
209个/托盘
总额¥0
近期成交3单




























