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高效率二极管

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封装/规格

  • -
  • CFP-3
  • D0-27
  • D2PAK
  • DO-15
  • DO-201AD
  • DO-27
  • DO-41
  • DO41
  • ITO-220AB-3

二极管配置

  • -
  • 1对共阴极
  • 独立式

直流反向耐压(Vr)

  • 50V
  • 100V
  • 120V
  • 150V
  • 200V
  • 300V
  • 400V
  • 500V
  • 600V
  • 800V

平均整流电流(Io)

  • 500mA
  • 1A
  • 1.5A
  • 2A
  • 3A
  • 5A
  • 6A
  • 8A
  • 10A
  • 50A

正向压降(Vf)

  • 770mV@1A
  • 770mV@2A
  • 900mV@1A
  • 900mV@3A
  • 920mV@1A
  • 950mV@2A
  • 950mV@6A
  • 950mV@8A
  • 1V@3A
  • 1V@1.5A

反向电流(Ir)

  • 200pA@120V
  • 300pA@120V
  • 1uA@500V
  • 1uA@200V
  • 1uA@600V
  • 2uA@600V
  • 2.5uA@1.3kV
  • 2.5uA@400V
  • 2.5uA@200V
  • 2.5uA@600V

反向恢复时间(trr)

  • -
  • 11ns
  • 12ns
  • 20ns
  • 22ns
  • 25ns
  • 28ns
  • 35ns
  • 50ns
  • 55ns

工作温度

  • -65℃~+175℃@(Tj)
  • -65℃~+150℃@(Tj)
  • -65℃~+150℃
  • -55℃~+150℃
  • -55℃~+175℃@(Tj)
  • -55℃~+125℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃@(Tj)
  • -50℃~+150℃
  • -50℃~+150℃@(Tj)
  • -40℃~+125℃@(Tj)

参考封装

  • SMA
  • SMB
  • DO-201/DO-27
  • DO-15/DO-204AC
  • DO-41/DO-204AL
  • SOD-123
  • SMC
  • TO-252-3
  • TO-220-3
  • SOD-128

商品标签

  • aec-q101

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

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  • smt扩展库
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515
  • 型号: US1D
  • 品牌: MDD
  • 封装: SMA
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V@1A 反向恢复时间(trr):50ns
  • 编号:C472687
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  • 型号: US1M
  • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 封装: SMA
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):75ns
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  • 型号: US1M
  • 品牌: YANGJIE(扬杰)
  • 封装: SMA
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):75ns US1M-F1-0002
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  • 型号: US2M
  • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
  • 封装: SMA
  • 描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):75ns
  • 编号:C4154434
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  • 型号: US1M
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SMAG
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):50ns
  • 编号:C2923913
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US2MB 高效率二极管
“SMT扩展库”
  • 型号: US2MB
  • 品牌: FOSAN(富信)
  • 封装: SMB(DO-214AA)
  • 描述: 2A电流 1KV电压
  • 编号:C3014028
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US3MB 高效率二极管
“SMT扩展库”
  • 型号: US3MB
  • 品牌: FOSAN(富信)
  • 封装: SMB(DO-214AA)
  • 描述: 3A电流 1KV电压
  • 编号:C3014030
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US2M 高效率二极管
“SMT扩展库”
  • 型号: US2M
  • 品牌: FOSAN(富信)
  • 封装: SMA
  • 描述: 2A电流 1KV电压 150°
  • 编号:C3014022
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  • 型号: HER104
  • 品牌: YANGJIE(扬杰)
  • 封装: DO-41
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):300V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 反向恢复时间(trr):50ns
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  • 型号: US2MBG
  • 品牌: SHIKUES(时科)
  • 封装: SMB
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.65V@2A 反向恢复时间(trr):75ns
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  • 型号: US1J
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SMAG
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):75ns
  • 编号:C2923912
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  • 型号: US2M
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SMAG
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.7V@2A 反向恢复时间(trr):50ns
  • 编号:C2923935
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  • 型号: HER207
  • 品牌: MDD
  • 封装: DO-15
  • 描述:直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.7V@2A 反向恢复时间(trr):70ns
  • 编号:C31251
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  • 型号: HER207
  • 品牌: LGE(鲁光)
  • 封装: DO-15
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.7V@2A 反向恢复时间(trr):75ns
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  • 型号: HER303
  • 品牌: MDD
  • 封装: DO-27
  • 描述:直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1V@3A 反向恢复时间(trr):50ns
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  • 型号: US2D
  • 品牌: GOODWORK(固得沃克)
  • 封装: SMA(DO-214AC)
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1V@2A 反向恢复时间(trr):50ns
  • 编号:C2985013
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  • 型号: US2J
  • 品牌: GOODWORK(固得沃克)
  • 封装: SMA(DO-214AC)
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.85V@2A 反向恢复时间(trr):70ns
  • 编号:C2922172
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  • 型号: US2M(SMB)
  • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
  • 封装: SMB(DO-214AA)
  • 描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):75ns
  • 编号:C4154924
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  • 型号: US2J
  • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
  • 封装: SMA
  • 描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):75ns
  • 编号:C4154432
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  • 型号: DHE1M
  • 品牌: FUXINSEMI(富芯森美)
  • 封装: SOD-123
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):75ns 直流反向耐压 (Vr) 1000 平均整流电流 (Io) 1 正向浪涌电流 (Ifsm) 25 反向电流 (Ir) 5 反向恢复时间(trr) 500
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  • 型号: HER108
  • 品牌: GW(唯圣)
  • 封装: DO-41
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.85V@1A 反向恢复时间(trr):75ns
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  • 型号: HER107
  • 品牌: MDD
  • 封装: DO-41
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):70ns
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  • 型号: HER108
  • 品牌: YANGJIE(扬杰)
  • 封装: DO-41
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):75ns
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  • 型号: US3G
  • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
  • 封装: SMB(DO-214AA)
  • 描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.3V@1A 反向恢复时间(trr):50ns
  • 编号:C4154473
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    • 第四阶梯9
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  • 型号: H1MFS
  • 品牌: YANGJIE(扬杰)
  • 封装: SMAF
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):75ns H1MFS-F1-0000HF
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  • 型号: US2G
  • 品牌: GOODWORK(固得沃克)
  • 封装: SMA(DO-214AC)
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.3V@2A 反向恢复时间(trr):50ns
  • 编号:C2943738
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    • 第二阶梯8.5
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    • 第六阶梯8.5
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  • 近期成交:8单
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  • 型号: HER107
  • 品牌: 星海
  • 封装: DO-41
  • 描述:二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):75ns
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  • 型号: HER305
  • 品牌: MDD
  • 封装: DO-27
  • 描述:直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.3V@3A 反向恢复时间(trr):50ns 400V,3A,VF=1.3V@3A
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  • 型号: UF4007-TB
  • 品牌: GOOD-ARK(固锝)
  • 封装: DO-41
  • 描述:直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):75ns 1000V,1A,VF=1.7V@1A
  • 编号:C174001
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