IGBT管/模块

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国际品牌

自营结果数1500+

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

IKW25N120T2

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C111026

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4956

1+￥19.6
10+￥16.8
30+￥14.02
90+￥12.33
480+￥11.56
960+￥11.2

现货最快4小时发货

广东仓: 4956

30个/管

个

总额￥0

近期成交15单

NCE60TD65BT

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C5883265

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1254

1+￥11.81
10+￥10.07
30+￥8.97
90+￥7.85
510+￥7.35
1200+￥7.13

现货最快4小时发货

广东仓: 1235

30个/管

个

总额￥0

近期成交23单

ISL9V3040D3ST-F085C

品牌: onsemi(安森美)

封装: DPAK(TO-252)

类目: IGBT管/模块

编号: C603080

集射极击穿电压(Vces): 400V

集电极电流(Ic): 21A

耗散功率(Pd): 150W

集射极饱和电压(VCE(sat)): 1.65V@6A,4V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3019

9.9折

1+￥7.72
10+￥6.36
30+￥5.61
100+￥4.7124
500+￥4.3362
1000+￥4.1679

现货最快4小时发货

广东仓: 3019

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交23单

IHW30N160R5

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C536125

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3023

8.3折

1+￥22.08
10+￥19.11
30+￥17.35
90+￥12.9231
510+￥12.2425
990+￥11.9354

现货最快4小时发货

广东仓: 3023

30个/管

个

总额￥0

近期成交14单

NCE30TD60BF

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-220F-3

类目: IGBT管/模块

编号: C502942

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 60A

耗散功率(Pd): 35.5W

正向压降(Vf): 1.7V@30A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1581

1+￥6.79
10+￥5.5
50+￥4.86
100+￥4.22
500+￥3.84
1000+￥3.64

现货最快4小时发货

广东仓: 1581

50个/管

个

总额￥0

近期成交34单

SGT50T65FD1PN

品牌: SILAN(士兰微)

封装: TO-3P-3

类目: IGBT管/模块

编号: C2761787

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5268

1+￥7.61
10+￥6.39
30+￥5.06
90+￥4.3
510+￥3.97
1200+￥3.81

现货最快4小时发货

广东仓: 5266

江苏仓: 2946

30个/管

个

总额￥0

近期成交44单

IKW40N65H5

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C454249

集射极击穿电压(Vces): 650V

集电极电流(Ic): 74A

耗散功率(Pd): 250W

正向压降(Vf): 1.45V@20A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2200

1+￥11.51
10+￥9.94
30+￥7.28
100+￥6.27
500+￥5.82
1000+￥5.62

现货最快4小时发货

广东仓: 2193

江苏仓: 4

30个/管

个

总额￥0

近期成交46单

FGH40N60SFDTU

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C49514

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 80A

耗散功率(Pd): 290W

描述安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、微波炉、电信、ESS 和 PFC 等导通和开关损耗至关重要的应用。

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1831

9.9折

1+￥16.75
10+￥14.16
30+￥11.85
90+￥10.0881
450+￥9.3456
900+￥9.0288

现货最快4小时发货

广东仓: 1831

江苏仓: 1310

30个/管

个

总额￥0

近期成交21单

立推

FGH40N60SFDTU

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-247

批次: 1.5年内

立推售价

150+￥8.9487

支付后4-6工作日

库存: 12K

30个/管

个

总额￥0

IKW40N120CS6

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C454252

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 80A

耗散功率(Pd): 500W

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存682

1+￥24.53
10+￥21.2
30+￥17.37
100+￥15.37
500+￥14.45

现货最快4小时发货

广东仓: 682

30个/管

个

总额￥0

近期成交46单

SGL160N60UFDTU

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-264-3

类目: IGBT管/模块

编号: C11757

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 160A

耗散功率(Pd): 250W

栅极电荷量(Qg): 345nC

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存835

9.9折

1+￥56.99
10+￥55.51
25+￥49.59
100+￥44.1837

现货最快4小时发货

广东仓: 835

25个/管

个

总额￥0

近期成交17单

MLG50N60FUK

品牌: minos(迈诺斯)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C33129600

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 100A

耗散功率(Pd): 300W

描述IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=600V，集电极电流Ic=100A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存701

1+￥7.84
10+￥7.21
30+￥6.42
90+￥6.02
510+￥5.83
990+￥5.75

现货最快4小时发货

广东仓: 701

江苏仓: 423

30个/管

个

总额￥0

近期成交48单

GT50JR22(S1WLD,E,S

品牌: TOSHIBA(东芝)

封装: TO-3P-3

类目: IGBT管/模块

编号: C2880445

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8405

1+￥10.63
10+￥8.92
25+￥6.84
100+￥5.79
500+￥5.32
1000+￥5.1

现货最快4小时发货

广东仓: 8405

25个/管

个

总额￥0

近期成交19单

IKW08T120

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C168885

描述采用 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术的 IGBT，配备软、快恢复反并联发射极控制 HE 二极管

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3029

9.7折

1+￥12.7
10+￥11.71
30+￥9.84
90+￥8.9337
480+￥8.6524
960+￥8.5263

现货最快4小时发货

广东仓: 3029

江苏仓: 4758

30个/管

个

总额￥0

近期成交3单

FGH60N60SMD

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C50649

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 120A

耗散功率(Pd): 600W

描述安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1206

1+￥17.84
10+￥14.97
30+￥13.17
90+￥11.32
450+￥10.49
900+￥10.13

现货最快4小时发货

广东仓: 1206

30个/管

个

总额￥0

近期成交41单

IKW40N120T2

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C111028

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存736

1+￥28.18
10+￥24.24
30+￥19.95
90+￥17.59
480+￥16.5

现货最快4小时发货

广东仓: 728

江苏仓: 14

30个/管

个

总额￥0

近期成交17单

FGL60N100BNTDTU

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-264-3

类目: IGBT管/模块

编号: C105610

集射极击穿电压(Vces): 1kV

集电极电流(Ic): 60A

耗散功率(Pd): 180W

反向恢复时间(Trr): 1.2us

描述此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1009

9.9折

1+￥78.74
10+￥64.03
25+￥58.14
100+￥52.47

现货最快4小时发货

广东仓: 1009

25个/管

个

总额￥0

近期成交4单

CRG40T120AK3S

品牌: CRMICRO(华润微)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C2802633

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 80A

耗散功率(Pd): 333W

正向压降(Vf): 2.4V@20A

描述具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2925

1+￥13.4
10+￥11.5
25+￥9.4
100+￥8.18
500+￥7.63
1000+￥7.4

现货最快4小时发货

广东仓: 2925

江苏仓: 291

25个/管

个

总额￥0

近期成交55单

FGL40N120ANDTU

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-264-3

类目: IGBT管/模块

编号: C11754

IGBT类型: NPT(非穿通型)

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 64A

耗散功率(Pd): 500W

描述安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术，提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15

1+￥74.98
10+￥65.31
25+￥59.31
100+￥54.06

现货最快4小时发货

广东仓: 14

江苏仓: 1157

25个/管

个

总额￥0

近期成交9单

STGP19NC60KD

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220

类目: IGBT管/模块

编号: C59521

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 35A

耗散功率(Pd): 125W

栅极电荷量(Qg): 55nC

描述这款 IGBT 采用了先进的 PowerMESH™ 工艺，可在开关性能和低导通状态特性之间实现出色的平衡。

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5382

1+￥7.63
10+￥6.45
30+￥5.8
100+￥4.84
500+￥4.51
1000+￥4.36

现货最快4小时发货

广东仓: 5382

50个/管

个

总额￥0

近期成交18单

IKW20N60T

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C10456

描述Vce=600V，Ic=20A，Vce(sat)=1.5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9369

1+￥8.41
10+￥7.73
30+￥5.79
90+￥5.37
510+￥5.19
990+￥5.1

现货最快4小时发货

广东仓: 9369

江苏仓: 1097

30个/管

个

总额￥0

近期成交23单

STGW39NC60VD

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C169774

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 80A

耗散功率(Pd): 250W

栅极电荷量(Qg): 126nC

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6410

1+￥14.26
10+￥12.01
30+￥10.6
100+￥9.16
500+￥8.51
1000+￥8.22

现货最快4小时发货

广东仓: 6410

30个/管

个

总额￥0

近期成交24单

NGTB40N120FL3WG

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C411217

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 160A

耗散功率(Pd): 454W

描述此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存74

9.9折

1+￥19.63
10+￥16.76
30+￥14.24
100+￥12.3948
500+￥11.6028
1000+￥11.2464

现货最快4小时发货

广东仓: 74

江苏仓: 406

30个/管

个

总额￥0

近期成交22单

ISL9V3040D3ST

品牌: onsemi(安森美)

封装: DPAK

类目: IGBT管/模块

编号: C462128

集射极击穿电压(Vces): 430V

集电极电流(Ic): 21A

耗散功率(Pd): 150W

栅极阈值电压(Vge(th)): 1.6V@4V,6A

描述ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 是下一代点火 IGBT，它们在节省空间的 D-Pak (TO-252)、工业标准 D

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存781

9.9折

1+￥8.03
10+￥6.59
30+￥5.8
100+￥4.851
500+￥4.4649
1000+￥4.2867

现货最快4小时发货

广东仓: 761

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交16单

SGT40N60FD2PN

品牌: SILAN(士兰微)

封装: TO-3P-3

类目: IGBT管/模块

编号: C2761786

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存909

1+￥9.06
10+￥7.68
30+￥6.06
90+￥5.2
510+￥4.82
1200+￥4.65

现货最快4小时发货

广东仓: 909

江苏仓: 290

30个/管

个

总额￥0

近期成交12单

CRG40T120BK3SD

品牌: CRMICRO(华润微)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C2981191

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 40A

耗散功率(Pd): 278W

描述UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1271

1+￥12.97
10+￥11.16
25+￥8.78
100+￥7.62
500+￥7.09
1000+￥6.87

现货最快4小时发货

广东仓: 1271

江苏仓: 736

25个/管

个

总额￥0

近期成交38单

S-IRGP4063DPBF

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: TO-247-3L

类目: IGBT管/模块

编号: C42374822

集射极击穿电压(Vces): 650V

集电极电流(Ic): 50A

耗散功率(Pd): 250W

正向压降(Vf): 1.85V@50A

描述应用于不间断电源，逆变器，焊接转换器，PFC应用，转换器与高转换频率。

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对比

1+￥16.14
10+￥13.58
30+￥12.23
90+￥10.59
510+￥9.85

现货最快4小时发货

广东仓: 446

江苏仓: 425

30个/管

个

总额￥0

近期成交30单

IKW75N65EH5

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C454259

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存815

1+￥18.68
10+￥15.67
30+￥13.79
90+￥11.85
480+￥10.98

现货最快4小时发货

广东仓: 815

30个/管

个

总额￥0

近期成交37单

AOD5B65MQ1E

品牌: AOS

封装: TO-252

类目: IGBT管/模块

编号: C3193928

集射极击穿电压(Vces): 650V

集电极电流(Ic): 10A

栅极电荷量(Qg): 8.8nC

开启延迟时间(Td(on)): 7ns

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1633

1+￥3.7
10+￥3.06
30+￥2.73
100+￥2.41
500+￥1.98
1000+￥1.88

现货最快4小时发货

广东仓: 1633

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交15单

CRG40T120AK3SD

品牌: CRMICRO(华润微)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C2981189

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 40A

耗散功率(Pd): 333W

描述UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用 PB档

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存435

1+￥10.14
10+￥8.61
25+￥7.03
100+￥6.05
500+￥5.6
1000+￥5.41

现货最快4小时发货

广东仓: 435

江苏仓: 1100

25个/管

个

总额￥0

近期成交25单

MLG75N60FDK

品牌: minos(迈诺斯)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C47967303

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 150A

耗散功率(Pd): 468W

正向压降(Vf): 1.9V@75A

描述IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=600V，集电极电流Ic=75A

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对比

SMT扩展库

1+￥12.18
10+￥10.37
30+￥9.24
90+￥8.08
510+￥7.56
990+￥7.33

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 521

30个/管

个

总额￥0

近期成交8单

IGBT管/模块

型号/品牌/封装/类目

参数/描述

优惠券/标签

价格梯度(含税)

库存交期

操作