IGBT管/模块

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STGP19NC60KD

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220

类目: IGBT管/模块

编号: C59521

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 35A

耗散功率(Pd): 125W

输出电容(Coes): 1170pF

描述这款 IGBT 采用了先进的 PowerMESH™ 工艺，可在开关性能和低导通状态特性之间实现出色的平衡。

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SMT补贴嘉立创库存3194

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对比

1+￥6.97
10+￥5.79
30+￥5.14
100+￥4.18
500+￥3.85
1000+￥3.7

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广东仓: 3191

50个/管

个

总额￥0

近期成交30单

NCE60TD65BT

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C5883265

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 650V

集电极电流(Ic): 120A

耗散功率(Pd): 319W

描述采用新洁能（NCE）专有的沟槽设计和先进的第二代场截止（FS）技术，650V沟槽式FSII绝缘栅双极晶体管（IGBT）具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

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SMT补贴嘉立创库存995

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对比

1+￥12.89
10+￥10.75
30+￥9.4
90+￥8.03
510+￥7.4

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广东仓: 980

30个/管

个

总额￥0

近期成交22单

IKW20N60T

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C10456

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 20A

耗散功率(Pd): 166W

输出电容(Coes): 71pF

描述Vce=600V，Ic=20A，Vce(sat)=1.5V

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SMT补贴嘉立创库存9288

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对比

1+￥8.21
10+￥7.54
30+￥5.6
90+￥5.18
510+￥4.99
990+￥4.9

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广东仓: 9286

江苏仓: 1057

30个/管

个

总额￥0

近期成交16单

GT50JR22(S1WLD,E,S

品牌: TOSHIBA(东芝)

封装: TO-3P-3

类目: IGBT管/模块

编号: C2880445

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 50A

耗散功率(Pd): 250W

正向脉冲电流(Ifm): 100A

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SMT补贴嘉立创库存8362

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对比

1+￥10.27
10+￥8.62
25+￥6.61
100+￥5.59
500+￥5.14
1000+￥4.93

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广东仓: 8362

25个/管

个

总额￥0

近期成交18单

IKW40N120T2

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C111028

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 75A

耗散功率(Pd): 480W

输出电容(Coes): 230pF

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SMT补贴嘉立创库存1280

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对比

1+￥27.81
10+￥23.93
30+￥19.7
90+￥17.36
480+￥16.28
960+￥15.8

现货最快4小时发货

广东仓: 1266

江苏仓: 12

30个/管

个

总额￥0

近期成交18单

STGW39NC60VD

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C169774

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 80A

耗散功率(Pd): 250W

输出电容(Coes): 2900pF

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SMT补贴嘉立创库存6228

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对比

1+￥14.26
10+￥12.01
30+￥10.6
100+￥9.16
500+￥8.51
1000+￥8.22

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广东仓: 6219

30个/管

个

总额￥0

近期成交19单

IHW30N160R5

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C536125

集射极击穿电压(Vces): 1.6kV

集电极电流(Ic): 60A

耗散功率(Pd): 263W

输出电容(Coes): 42pF

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SMT补贴嘉立创库存1506

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对比

1+￥19.05
10+￥16.35
30+￥14.75
90+￥13.14
510+￥12.39
990+￥12.05

现货最快4小时发货

广东仓: 1506

30个/管

个

总额￥0

近期成交12单

IKW25N120T2

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C111026

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 50A

耗散功率(Pd): 349W

正向脉冲电流(Ifm): 100A

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SMT补贴嘉立创库存3640

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对比

1+￥19.6
10+￥16.8
30+￥14.02
90+￥12.33
480+￥11.56
960+￥11.2

现货最快4小时发货

广东仓: 3601

30个/管

个

总额￥0

近期成交26单

NCE30TD60BF

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-220F-3

类目: IGBT管/模块

编号: C502942

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 60A

耗散功率(Pd): 35.5W

正向压降(Vf): 1.7V@30A

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SMT补贴嘉立创库存826

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对比

1+￥7.49
10+￥5.92
50+￥5.13
100+￥4.35
500+￥3.89

现货最快4小时发货

广东仓: 822

50个/管

个

总额￥0

近期成交44单

CRG40T120AK3S

品牌: CRMICRO(华润微)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C2802633

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 80A

耗散功率(Pd): 333W

输出电容(Coes): 131pF

描述具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

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SMT补贴嘉立创库存3577

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对比

1+￥13.4
10+￥11.5
25+￥9.4
100+￥8.18
500+￥7.63
1000+￥7.4

现货最快4小时发货

广东仓: 3541

江苏仓: 66

25个/管

个

总额￥0

近期成交46单

FGH60N60SMD

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C50649

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 120A

耗散功率(Pd): 600W

描述安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存579

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对比

1+￥17.84
10+￥14.97
30+￥13.17
90+￥11.32
450+￥10.49
900+￥10.13

现货最快4小时发货

广东仓: 579

30个/管

个

总额￥0

近期成交52单

STGB19NC60KDT4

品牌: ST(意法半导体)

封装: D2PAK

类目: IGBT管/模块

编号: C314017

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 35A

耗散功率(Pd): 125W

输出电容(Coes): 127pF

描述这些器件是采用先进的PowerMESH技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡。

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SMT补贴嘉立创库存1595

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对比

1+￥5.08
10+￥4.04
30+￥3.52
100+￥3
500+￥2.69
1000+￥2.53

现货最快4小时发货

广东仓: 1585

1000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交15单

MLG30T65FDL-F

品牌: minos(迈诺斯)

封装: TO-220F

类目: IGBT管/模块

编号: C47967306

集射极击穿电压(Vces): 650V

集电极电流(Ic): 80A

耗散功率(Pd): 300W

输出电容(Coes): 116pF

描述MLG30T65FDL-F IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=30A

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1203

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对比

1+￥6.46
10+￥5.38
50+￥4.79
100+￥4.12
500+￥3.82
1000+￥3.68

现货最快4小时发货

广东仓: 1203

江苏仓: 230

50个/管

个

总额￥0

近期成交30单

FGH40N60SMD

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C49512

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 80A

耗散功率(Pd): 349W

描述飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存521

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对比

1+￥15.31
10+￥13.02
30+￥10.44
90+￥8.98
450+￥8.32
900+￥8.03

现货最快4小时发货

广东仓: 521

30个/管

个

总额￥0

近期成交15单

IKW50N65H5

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C476108

集射极击穿电压(Vces): 650V

集电极电流(Ic): 80A

耗散功率(Pd): 305W

输出电容(Coes): 65pF

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存459

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对比

1+￥17.37
10+￥14.8
30+￥12.14
90+￥10.49

现货最快4小时发货

广东仓: 456

30个/管

个

总额￥0

近期成交23单

IKW50N60T

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C10458

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 80A

耗散功率(Pd): 333W

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存279

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对比

1+￥22.8
10+￥19.9
30+￥15.59
90+￥13.73
480+￥12.89
960+￥12.53

现货最快4小时发货

广东仓: 279

江苏仓: 2089

30个/管

个

总额￥0

近期成交7单

IKW40N120CS6

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C454252

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 80A

耗散功率(Pd): 500W

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SMT补贴嘉立创库存380

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对比

1+￥24.43
10+￥21.12
30+￥17.3
100+￥15.31

现货最快4小时发货

广东仓: 380

30个/管

个

总额￥0

近期成交32单

SGL160N60UFDTU

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-264-3

类目: IGBT管/模块

编号: C11757

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 160A

耗散功率(Pd): 250W

输出电容(Coes): 600pF

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存581

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对比

1+￥54.28
10+￥52.87
25+￥47.24
100+￥42.51

现货最快4小时发货

广东仓: 581

25个/管

个

总额￥0

近期成交22单

IRGP4066DPBF

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247AC

类目: IGBT管/模块

编号: C500537

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 140A

耗散功率(Pd): 454W

输出电容(Coes): 2420pF

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存440

收藏
对比

1+￥57.79
10+￥50.19
25+￥40.15
100+￥36.26

现货最快4小时发货

广东仓: 440

25个/管

个

总额￥0

近期成交8单

IXGF30N400

品牌: Littelfuse/IXYS

封装: ISOPLUS-I4-5.0mm

类目: IGBT管/模块

编号: C3093671

集射极击穿电压(Vces): 4kV

集电极电流(Ic): 30A

耗散功率(Pd): 160W

输出电容(Coes): 95pF

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存42

收藏
对比

1+￥526.11
25+￥500.45

现货最快4小时发货

广东仓: 42

25个/管

个

总额￥0

近期成交5单

立推

IXGF30N400

品牌: Littelfuse/IXYS

封装: ISOPLUS-I4-5.0mm

批次: 25+

立推售价

25+￥451.54

支付后6-8工作日

库存: 300

25个/管

个

总额￥0

ISL9V3040D3ST-F085C

品牌: onsemi(安森美)

封装: DPAK(TO-252)

类目: IGBT管/模块

编号: C603080

集射极击穿电压(Vces): 400V

集电极电流(Ic): 21A

耗散功率(Pd): 150W

集射极饱和电压(VCE(sat)): 1.65V@6A,4V

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2278

收藏
对比

1+￥7.56
10+￥6.22
30+￥5.49
100+￥4.66
500+￥4.29
1000+￥4.12

现货最快4小时发货

广东仓: 2232

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交27单

CRG25T120BK3S

品牌: CRMICRO(华润微)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C2982571

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 25A

耗散功率(Pd): 278W

输出电容(Coes): 77pF

描述UPS、光伏逆变、电焊机用高开关频率替代士兰 ST Magnachip infineon 25N12000 25A 1200V 半电流IGBT 25T120；完全兼容BT25T120CKD C2897743、IGF25T120D

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4879

收藏
对比

1+￥10.83
10+￥9.21
25+￥7.35
100+￥6.34
500+￥5.89
1000+￥5.69

现货最快4小时发货

广东仓: 4874

江苏仓: 1

25个/管

个

总额￥0

近期成交16单

IKW08T120

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C168885

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 16A

耗散功率(Pd): 70W

描述采用 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术的 IGBT，配备软、快恢复反并联发射极控制 HE 二极管

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2959

收藏
对比

1+￥12.45
10+￥11.46
30+￥9.6
90+￥8.96
480+￥8.67
960+￥8.55

现货最快4小时发货

广东仓: 2959

江苏仓: 4753

30个/管

个

总额￥0

近期成交9单

IKW75N65EH5

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C454259

集射极击穿电压(Vces): 650V

集电极电流(Ic): 90A

耗散功率(Pd): 395W

输出电容(Coes): 130pF

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存486

收藏
对比

1+￥14.73
10+￥12.36
30+￥10.87
90+￥9.35

现货最快4小时发货

广东仓: 469

30个/管

个

总额￥0

近期成交35单

FGH40N60SFDTU

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C49514

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 80A

耗散功率(Pd): 290W

描述安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、微波炉、电信、ESS 和 PFC 等导通和开关损耗至关重要的应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1727

收藏
对比

1+￥16.75
10+￥14.16
30+￥11.85
90+￥10.19
450+￥9.44
900+￥9.12

现货最快4小时发货

广东仓: 1727

江苏仓: 841

30个/管

个

总额￥0

近期成交25单

FGH40T120SMD

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号: C462120

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 80A

耗散功率(Pd): 555W

描述安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1095

收藏
对比

1+￥37.49
10+￥29.7
30+￥26.42
90+￥23.67

现货最快4小时发货

广东仓: 1095

30个/管

个

总额￥0

近期成交5单

NCE15TD60BD

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-263

类目: IGBT管/模块

编号: C502952

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 30A

耗散功率(Pd): 105W

描述采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS（场截止）技术，600V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存967

收藏
对比

1+￥4.57
10+￥3.61
30+￥3.13
100+￥2.66
500+￥2.37
800+￥2.22

现货最快4小时发货

广东仓: 909

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交17单

STGF15M65DF2

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220FP

类目: IGBT管/模块

编号: C2935300

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 650V

集电极电流(Ic): 30A

耗散功率(Pd): 31W

描述沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、15 A，低损耗

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存956

收藏
对比

1+￥6.18
10+￥4.97
50+￥4.36
100+￥3.76
500+￥3.4

现货最快4小时发货

广东仓: 948

50个/管

个

总额￥0

近期成交8单

SGT50T65FD1PN

品牌: SILAN(士兰微)

封装: TO-3P-3

类目: IGBT管/模块

编号: C2761787

IGBT类型: FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces): 650V

集电极电流(Ic): 100A

耗散功率(Pd): 235W

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4891

收藏
对比

1+￥7.61
10+￥6.39
30+￥5.06
90+￥4.3
510+￥3.97
1200+￥3.81

现货最快4小时发货

广东仓: 4891

江苏仓: 2936

30个/管

个

总额￥0

近期成交30单

CRG40T120AK3SD

品牌: CRMICRO(华润微)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C2981189

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 40A

耗散功率(Pd): 333W

输出电容(Coes): 131pF

描述UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用 PB档

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