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IGBT管/模块

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品牌/产地

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  • FUJI(富士电机)
  • Harting(浩亭)
  • Infineon(英飞凌)
  • IXYS

封装/规格

  • -
  • 34mm
  • 62mm
  • AG-34mm-1
  • AG-62mm-2
  • AG-EASY1B
  • AG-EASY1B-1
  • AG-EASY1B-2
  • AG-EASY1B-3
  • AG-EASY2-1

IGBT类型

  • -
  • IGBT模块
  • IGBT管
  • NPT
  • PT
  • 场截止
  • 沟槽
  • 沟槽场截止
  • 沟槽栅式场截止

功率(Pd)

  • -
  • 20mW
  • 2.5W
  • 5.1W
  • 6.3W
  • 6.8W
  • 7.2W
  • 24W
  • 25W
  • 28W

集射极击穿电压(Vces)

  • -
  • 250V
  • 300V
  • 330V
  • 360V
  • 390V
  • 400V
  • 420V
  • 430V
  • 440V

集电极电流(Ic)

  • -
  • 1A
  • 2.2A
  • 5A
  • 5.3A
  • 5.7A
  • 6A
  • 6.5A
  • 7.5A
  • 8A

集电极脉冲电流(Icm)

  • -
  • 3A
  • 3.5A
  • 6A
  • 7.5A
  • 9A
  • 12A
  • 12.5A
  • 13A
  • 14A

集电极截止电流(Ices@Vce)

  • -
  • 1uA@600V
  • 4uA@600V
  • 5.6uA@1.2kV
  • 10uA@1.2kV
  • 10uA@600V
  • 10uA@650V
  • 25uA@600V
  • 40uA@600V
  • 40uA@650V

集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)

  • -
  • 1.35V@50A,15V
  • 1.55V@30A,15V
  • 1.55V@50A,15V
  • 1.55V@15A,15V
  • 1.6V@25A,15V
  • 1.6V@15A,15V
  • 1.6V
  • 1.6V@60A,15V
  • 1.6V@40A,15V

栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)

  • -
  • 1.2V@4V,6A
  • 1.25V@4V,6A
  • 1.4V@4V,6A
  • 1.4V@15V,30A
  • 1.55V@5V,8A
  • 1.6V@4V,6A
  • 1.6V@15V,18A
  • 1.65V@4.5V,10A
  • 1.7V@15V,20A

栅极电荷(Qg@Ic,Vge)

  • -
  • 1.6nC
  • 1.8nC@30A,15V
  • 9.4nC@5A,15V
  • 11.5nC@6A,15V
  • 12nC
  • 15nC
  • 15.1nC
  • 17nC
  • 18nC

输入电容(Cies@Vce)

  • -
  • 313pF@25V
  • 367pF@25V
  • 880pF@25V
  • 900pF
  • 903pF@25V
  • 930pF@25V
  • 990pF@25V
  • 1.4nF@25V
  • 1.42nF@25V

开启延迟时间(Td(on))

  • -
  • 3ns
  • 5ns
  • 5.5ns
  • 6ns
  • 12ns
  • 13ns
  • 14.4ns
  • 15ns
  • 16ns

关断延迟时间(Td(off))

  • -
  • 18ns
  • 22ns
  • 52.8ns
  • 55ns
  • 64ns
  • 70ns
  • 71ns
  • 78.8ns
  • 82ns

导通损耗(Eon)

  • -
  • 0.019mJ
  • 0.02mJ
  • 0.0251mJ
  • 0.036mJ
  • 0.04mJ
  • 0.045mJ
  • 0.05mJ
  • 0.052mJ
  • 0.055mJ

关断损耗(Eoff)

  • -
  • 0.012mJ
  • 0.0135mJ
  • 0.028mJ
  • 0.03mJ
  • 0.04mJ
  • 0.044mJ
  • 0.045mJ
  • 0.06mJ
  • 0.062mJ

正向压降(Vf@If)

  • -
  • 960mV@8A
  • 1.2V
  • 1.3V@15A
  • 1.3V
  • 1.4V@15A
  • 1.45V@15A
  • 1.45V@30A
  • 1.45V@50A
  • 1.45V@20A

反向恢复时间(Trr)

  • -
  • 21ns
  • 22ns
  • 23.5ns
  • 25ns
  • 26.7ns
  • 30ns
  • 31ns
  • 31.8ns
  • 32ns

工作温度

  • -
  • -65℃~+175℃@(Tj)
  • -55℃~+175℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃@(Tj)
  • -40℃~+175℃@(Tvjop)
  • -40℃~+150℃@(Tj)
  • -40℃~+150℃@(Tvjop)
  • -40℃~+175℃@(Tj)
  • 40℃~+150℃
  • 40℃~+150℃@(Tj)

参考封装

  • TO-247-3
  • TO-220-3
  • TO-252-3
  • TO-263-3
  • TO-3P-3
  • TO-247-4
  • TO-247-2
  • TO-264-3
  • SOT-223-3
  • TO-251-3

商品标签

  • 低损耗
  • 高速

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

嘉立创SMT

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1915
  • 型号: FGL40N120ANDTU
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: TO-264-3
  • 描述:IGBT类型:NPT 功率(Pd):500W 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):64A IGBT,1200V,NPT 安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术,提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。
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  • 25只/管
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  • 30个/管
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  • 型号: G40T120AK3S
  • 品牌: CRMICRO(华润微)
  • 封装: TO-247-3
  • 描述:功率(Pd):278W 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):80A
  • 编号:C2802633
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  • 30个/管
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  • 型号: CRG40T60AN3H
  • 品牌: CRMICRO(华润微)
  • 封装: TO-3P-3
  • 描述: 电焊机 UPS 电源用 Vces=600V Ic=40A Ptot=336W Vce=1.90V 半电流续流二极管 TO-3P 替代士兰 SGT40N60F\BT40T60ANFK\美格纳Megnachip兼容;完全兼容BT40T60ANFK C2764974、BT40T60ANF C2833250
  • 编号:C2895727
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GT50JR22 IGBT管/模块
“SMT扩展库”
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  • 型号: YGW50N65T1
  • 品牌: luxin-semi(上海陆芯)
  • 封装: TO-247-3
  • 描述:集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):50A VCES(V) 650 IC(A)@148℃ 50 VCE(sat)(V) 1.8 E(off)(mj) 1.1 Vf(V) 1.9
  • 编号:C4153738
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  • 型号: NCE30TD60BF
  • 品牌: NCE(无锡新洁能)
  • 封装: TO-220F-3
  • 描述:IGBT类型:沟槽 功率(Pd):35.5W 集射极击穿电压(Vces):600V 集电极电流(Ic):60A
  • 编号:C502942
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  • 50个/管
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  • 型号: IKW40N65H5
  • 品牌: Infineon(英飞凌)
  • 封装: TO-247-3
  • 描述:功率(Pd):250W 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):74A
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  • 30个/管
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IKW50N60T IGBT管/模块
“SMT扩展库”
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  • 型号: CRG25T120BK3S
  • 品牌: CRMICRO(华润微)
  • 封装: TO-247
  • 描述: UPS、光伏逆变、电焊机用 VCE=1200V Ic=25A Ptot=278W 高开关频率替代士兰 ST Magnachip infineon 25N12000 25A 1200V 半电流IGBT 25T120;完全兼容BT25T120CKD C2897743、IGF25T120D
  • 编号:C2982571
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    • 第三阶梯9.8
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  • 10个/盒
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  • 型号: CRG75T65AK5HD
  • 品牌: CRMICRO(华润微)
  • 封装: TO-247
  • 描述: 光伏逆变 储能 UPS 电源 用 VCE=650V Ic=75A Ptot=465W Vce(sat)=1.65V 175℃ 替代英飞凌infineon IKW75N65EH5 士兰 SGTP75V65FDB1P7
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  • 近期成交:17单
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  • 型号: CRG40T65AN5H
  • 品牌: CRMICRO(华润微)
  • 封装: TO-3PN
  • 描述: 光伏逆变 储能 UPS 电焊机 用 VCE=650V Ic=40A Ptot=250W Vce(sat)=1.65V 175℃ 兼容华润微 CRG40T60AN3H和BT40T60AN3H 替代英飞凌infineon IKW40N65H5 士兰 SGTP40V65FDR1P7
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  • 编号:C502952
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  • 型号: AOD5B65M1
  • 品牌: AOS
  • 封装: TO-252-2(DPAK)
  • 描述:功率(Pd):69W 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):10A
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  • 型号: STGW80V60DF
  • 品牌: ST(意法半导体)
  • 封装: TO-247
  • 描述:IGBT类型:沟槽场截止 功率(Pd):469W 集射极击穿电压(Vces):600V 集电极电流(Ic):120A
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  • 型号: STGW30NC60KD
  • 品牌: ST(意法半导体)
  • 封装: TO-247-3
  • 描述:功率(Pd):200W 集射极击穿电压(Vces):600V 集电极电流(Ic):60A
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  • 30个/管
  • 近期成交:8单
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  • 型号: CRG40T120AK3SD
  • 品牌: CRMICRO(华润微)
  • 封装: TO-247-3
  • 描述: UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用 VCE=1200V Ic=40A Ptot=278W
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  • 型号: AOTF15B65M1
  • 品牌: AOS
  • 封装: TO-220
  • 描述:
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  • 50个/管
  • 近期成交:6单
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  • 型号: FGA60N65SMD
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: TO-3P-3
  • 描述:IGBT,650V,60A,场截止 安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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