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IGBT管/模块

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IXYS

封装/规格

-
AG-34mm-1
AG-62mm-2
AG-EASY1B
AG-EASY1B-1
AG-EASY1B-2
AG-EASY1B-3
AG-EASY2-1
AG-EASY2B
AG-EASY2B-1

IGBT类型

-
IGBT模块
NPT
NPT,沟槽场截止
场截止
沟槽
沟槽场截止
沟槽栅式场截止

功率(Pd)

-
20mW
2.5W
5.1W
6.3W
6.8W
7.2W
24W
25W
28W

集射极击穿电压(Vces)

-
250V
300V
330V
360V
390V
400V
420V
430V
440V

集电极电流(Ic)

-
1A
2.2A
5A
5.3A
5.7A
6A
6.5A
7.5A
8A

集电极脉冲电流(Icm)

-
3A
3.5A
6A
7.5A
9A
12A
12.5A
13A
14A

集电极截止电流(Ices@Vce)

-
1uA@600V
4uA@600V
5.6uA@1.2kV
10uA@600V
10uA@1.2kV
10uA@650V
25uA@600V
40uA@600V
40uA@650V

集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)

-
1.35V@50A,15V
1.55V@30A,15V
1.55V@15A,15V
1.6V@60A,15V
1.6V@25A,15V
1.6V@15A,15V
1.65V@20A,15V
1.65V@40A,15V
1.65V@50A,15V

栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)

-
4V@150uA
4V@500uA
4V@200uA
4V@400uA
5V@40mA
5V@1mA
5V@250uA
5.1V@430uA
5.1V@1mA

栅极电荷(Qg@Ic,Vge)

-
9.4nC@5A,15V
38nC@15A,15V
48nC@20A,15V
60nC@40A,15V
68nC@15A,15V
90nC@40A,15V
94nC@50A,15V
95nC@40A,15V
95nC@48A,15V

输入电容(Cies@Vce)

-
367pF@25V
880pF@25V
903pF@25V
930pF@25V
1.4nF@25V
1.42nF@25V
1.565nF@25V
1.63nF@25V
1.65nF@25V

开启延迟时间(Td(on))

-
6ns
12ns
16ns
18ns
19ns
21ns
22ns
23ns
27ns

关断延迟时间(Td(off))

-
55ns
82ns
110ns
112ns
118ns
137ns
140ns
145ns
150ns

导通损耗(Eon)

-
0.019mJ
0.02mJ
0.0251mJ
0.036mJ
0.04mJ
0.045mJ
0.05mJ
0.052mJ
0.055mJ

关断损耗(Eoff)

-
0.012mJ
0.0135mJ
0.028mJ
0.03mJ
0.04mJ
0.044mJ
0.045mJ
0.06mJ
0.062mJ

正向压降(Vf@If)

-
960mV@8A
1.3V@15A
1.4V@15A
1.45V@15A
1.45V@30A
1.45V@50A
1.45V@20A
1.45V@10A
1.46V@5A

反向恢复时间(Trr)

-
21ns
22ns
23.5ns
25ns
30ns
31ns
31.8ns
32ns
34ns

工作温度

-
-65℃~+175℃@(Tj)
-55℃~+175℃@(Tj)
-55℃~+150℃@(Tj)
-40℃~+150℃@(Tvjop)
-40℃~+175℃@(Tj)
-40℃~+175℃@(Tvjop)
-40℃~+150℃@(Tj)
+150℃@(Tj)
+175℃@(Tj)

参考封装

TO-247-3
TO-220-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-3P-3
TO-247-4
TO-247-2
TO-264-3
SOT-223-3
TO-251-3

商品标签

低损耗
高速

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编带
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嘉立创SMT

smt扩展库
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65W 600V 20A IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： STGB10NC60KDT4 品牌： ST(意法半导体) 封装： D2PAK 描述：功率(Pd)：65W 集射极击穿电压(Vces)：600V 集电极电流(Ic)：20A 集电极脉冲电流(Icm)：30A 导通损耗(Eon)：0.055mJ 关断损耗(Eoff)：0.085mJ 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) 编号：C2802052 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 1000个/圆盘近期成交：18单总额：￥0 已优惠0元！已加购


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200W 600V 60A IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： STGW30NC60KD 品牌： ST(意法半导体) 封装： TO-247-3 描述：功率(Pd)：200W 集射极击穿电压(Vces)：600V 集电极电流(Ic)：60A 集电极脉冲电流(Icm)：125A 导通损耗(Eon)：0.35mJ 关断损耗(Eoff)：0.435mJ 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) 编号：C169772 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 30个/管近期成交：4单总额：￥0 已优惠0元！已加购


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SGT40N60FD2PN IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： SGT40N60FD2PN 品牌： SILAN(士兰微) 封装： TO-3P-3 描述：编号：C2761786 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 30个/管近期成交：22单总额：￥0 已优惠0元！已加购

CRG60T60AN3H IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： CRG60T60AN3H 品牌： CRMICRO(华润微) 封装： TO-3P-3 描述：电焊机 UPS 电源用 Vces=600V Ic=40A Ptot=336W Vce=1.90V 半电流续流二极管 TO-3P 替代士兰 SGT40N60F\BT40T60ANFK\美格纳Megnachip;完全兼容BT60T60ANFK C2764976 编号：C2887246 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 25个/管近期成交：33单总额：￥0 已优惠0元！已加购

750W 600V 160A IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： IXXH75N60B3D1 品牌： IXYS 封装： TO-247-3 描述：功率(Pd)：750W 集射极击穿电压(Vces)：600V 集电极电流(Ic)：160A 集电极脉冲电流(Icm)：300A 集电极截止电流(Ices@Vce)：25uA@600V 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)：1.6V@60A,15V 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)：5.5V@250uA 输入电容(Cies@Vce)：3.29nF@25V 开启延迟时间(Td(on))：35ns 关断延迟时间(Td(off))：118ns 导通损耗(Eon)：1.7mJ 关断损耗(Eoff)：1.5mJ 正向压降(Vf@If)：2.7V@30A 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj) 编号：C425671 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 30个/管近期成交：1单总额：￥0 已优惠0元！已加购


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9折 278W 1.2kV 80A IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： G40T120AK3S 品牌： CRMICRO(华润微) 封装： TO-247-3 描述：功率(Pd)：278W 集射极击穿电压(Vces)：1.2kV 集电极电流(Ic)：80A 集电极脉冲电流(Icm)：160A 集电极截止电流(Ices@Vce)：1mA@1.2kV 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)：1.9V@10A,15V 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)：6V@250uA 栅极电荷(Qg@Ic,Vge)：208nC@40A,15V 输入电容(Cies@Vce)：6.618nF@25V 开启延迟时间(Td(on))：77ns 关断延迟时间(Td(off))：238ns 导通损耗(Eon)：2.8mJ 关断损耗(Eoff)：1.5mJ 正向压降(Vf@If)：2.4V@20A 工作温度：+150℃@(Tj) 编号：C2802633 数据手册 9 折订单数量按照以下：第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 25个/管近期成交：35单总额：￥0 已优惠0元！已加购

SGT50T65FD1PN IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： SGT50T65FD1PN 品牌： SILAN(士兰微) 封装： TO-3P-3 描述：编号：C2761787 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 30个/管近期成交：17单总额：￥0 已优惠0元！已加购

RJH65T14DPQ-A0#T0 IGBT管/模块型号： RJH65T14DPQ-A0#T0 品牌： RENESAS(瑞萨)/IDT 封装： TO-247AC-3 描述：编号：C3014313 数据手册内地(含税价) 个个管个个管个个管 30个/管近期成交：2单总额：￥0 已优惠0元！已加购


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IGBT，400V，17A，1.58V，300mJEcoSPARK I，N 沟道点火 IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： ISL9V3040S3ST 品牌： onsemi(安森美) 封装： TO-263AB 描述：IGBT，400V，17A，1.58V，300mJEcoSPARK I，N 沟道点火 ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 为下一代点火 IGBT，提供了卓越的 SCIS 功能，采用节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D?-Pak (TO-263)、TO-262 和 TO-220 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位，而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息，请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49362。编号：C898702 数据手册领券 2000-100 立即领取嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 800个/圆盘近期成交：9单总额：￥0 已优惠0元！已加购


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CRG25T120BK3S IGBT管/模块型号： CRG25T120BK3S 品牌： CRMICRO(华润微) 封装： TO-247 描述： UPS、光伏逆变、电焊机用 VCE=1200V Ic=25A Ptot=278W 高开关频率替代士兰 ST Magnachip infineon 25N12000 25A 1200V 半电流IGBT 25T120；完全兼容BT25T120CKD C2897743、IGF25T120D 编号：C2982571 数据手册内地(含税价) 个个管个个管个个管 25个/管近期成交：11单总额：￥0 已优惠0元！已加购

IKW50N65F5 IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： IKW50N65F5 品牌： Infineon(英飞凌) 封装： TO-247-3 描述：编号：C536219 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 30个/管近期成交：8单总额：￥0 已优惠0元！已加购


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IGBT IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： MPBW25N120B 品牌：芯长征封装： TO-247-3 描述：编号：C2758479 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 30个/管近期成交：17单总额：￥0 已优惠0元！已加购

125W 600V 35A IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： STGP19NC60KD 品牌： ST(意法半导体) 封装： TO-220 描述：功率(Pd)：125W 集射极击穿电压(Vces)：600V 集电极电流(Ic)：35A 集电极脉冲电流(Icm)：75A 导通损耗(Eon)：0.165mJ 关断损耗(Eoff)：0.255mJ 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Vce=600V，Ic=35A，Vce(sat)=2.0V 编号：C59521 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 只只管只只管只只管 50只/管近期成交：10单总额：￥0 已优惠0元！已加购


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NCE30TD60B IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： NCE30TD60B 品牌： NCE(无锡新洁能) 封装： TO-220 描述：编号：C502941 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 50个/管近期成交：11单总额：￥0 已优惠0元！已加购

NCE15TD60BD IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： NCE15TD60BD 品牌： NCE(无锡新洁能) 封装： TO-263-2 描述：编号：C502952 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 800个/圆盘近期成交：7单总额：￥0 已优惠0元！已加购

IGBT-单管 IGBT管/模块型号： YGW60N65F1A1 品牌： luxin-semi(上海陆芯) 封装： TO-247 描述： N沟道，Vce=650V，Ic=60A，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。编号：C4153739 数据手册内地(含税价) 个个管个个管个个管 30个/管近期成交：3单总额：￥0 已优惠0元！已加购


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32W 2.5kV 5A IGBT管/模块型号： IXBH2N250 品牌： IXYS 封装： TO-247-3 描述：功率(Pd)：32W 集射极击穿电压(Vces)：2.5kV 集电极电流(Ic)：5A 集电极脉冲电流(Icm)：13A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) 编号：C499433 内地(含税价) 个个管个个管个个管 30个/管近期成交：1单总额：￥0 已优惠0元！已加购


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SGT25U120FD1P7 IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： SGT25U120FD1P7 品牌： SILAN(士兰微) 封装： TO-247-3 描述：编号：C2897648 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 30个/管近期成交：14单总额：￥0 已优惠0元！已加购

CRG40T60AN3H IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： CRG40T60AN3H 品牌： CRMICRO(华润微) 封装： TO-3P-3 描述：电焊机 UPS 电源用 Vces=600V Ic=40A Ptot=336W Vce=1.90V 半电流续流二极管 TO-3P 替代士兰 SGT40N60F\BT40T60ANFK\美格纳Megnachip兼容；完全兼容BT40T60ANFK C2764974、BT40T60ANF C2833250 编号：C2895727 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 25个/管近期成交：27单总额：￥0 已优惠0元！已加购

CRG40T60AK3HD IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： CRG40T60AK3HD 品牌： CRMICRO(华润微) 封装： TO-247-3 描述：编号：C2924647 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 25个/管近期成交：8单总额：￥0 已优惠0元！已加购

SGT60N60FD1PN IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： SGT60N60FD1PN 品牌： SILAN(士兰微) 封装： TO-3P-3 描述：编号：C400185 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 30个/管近期成交：30单总额：￥0 已优惠0元！已加购

NCE20TD60B IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： NCE20TD60B 品牌： NCE(无锡新洁能) 封装： TO-220 描述：编号：C502933 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 50个/管近期成交：10单总额：￥0 已优惠0元！已加购

CRG40T120AK3SD IGBT管/模块型号： CRG40T120AK3SD 品牌： CRMICRO(华润微) 封装： TO-247-3 描述： UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用 VCE=1200V Ic=40A Ptot=278W 编号：C2981189 数据手册内地(含税价) 个个管个个管个个管 25个/管近期成交：6单总额：￥0 已优惠0元！已加购

晶体管xIGBT IGBT管/模块型号： CRG75T65AK5HD 品牌： CRMICRO(华润微) 封装： TO-247 描述：光伏逆变储能 UPS 电源用 VCE=650V Ic=75A Ptot=465W Vce(sat)=1.65V 175℃ 替代英飞凌infineon IKW75N65EH5 士兰 SGTP75V65FDB1P7 编号：C3975126 数据手册内地(含税价) 个个管个个管个个管 25个/管近期成交：15单总额：￥0 已优惠0元！已加购

沟槽 35.5W 600V 60A IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： NCE30TD60BF 品牌： NCE(无锡新洁能) 封装： TO-220F-3 描述：IGBT类型：沟槽功率(Pd)：35.5W 集射极击穿电压(Vces)：600V 集电极电流(Ic)：60A 集电极脉冲电流(Icm)：90A 集电极截止电流(Ices@Vce)：4uA@600V 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)：1.7V@30A,15V 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)：5V@1mA 栅极电荷(Qg@Ic,Vge)：132nC@30A,15V 输入电容(Cies@Vce)：3.552nF@25V 开启延迟时间(Td(on))：19ns 关断延迟时间(Td(off))：166ns 导通损耗(Eon)：0.36mJ 关断损耗(Eoff)：0.32mJ 正向压降(Vf@If)：1.7V@30A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) 编号：C502942 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 50个/管近期成交：16单总额：￥0 已优惠0元！已加购

CRG75T60AK3HD IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： CRG75T60AK3HD 品牌： CRMICRO(华润微) 封装： TO-247-3 描述：编号：C2924646 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 25个/管近期成交：11单总额：￥0 已优惠0元！已加购

IKA10N65ET6 IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： IKA10N65ET6 品牌： Infineon(英飞凌) 封装： TO-220-3 描述：编号：C536137 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 500个/管近期成交：3单总额：￥0 已优惠0元！已加购


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IKW40N120H3 IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： IKW40N120H3 品牌： Infineon(英飞凌) 封装： TO-247AC-3 描述： 40A1200V 英飞凌IGBT，广泛应用于电磁炉，电机，电焊机行业。编号：C94637 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 30个/管近期成交：8单总额：￥0 已优惠0元！已加购


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IHW20N120R5 IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： IHW20N120R5 品牌： Infineon(英飞凌) 封装： TO-247-3 描述：编号：C536118 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 30个/管近期成交：9单总额：￥0 已优惠0元！已加购


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沟槽场截止 500W 1.2kV 80A IGBT管/模块 “SMT扩展库” 型号： IKW40N120CS6XKSA1 品牌： Infineon(英飞凌) 封装： TO-247-3 描述：IGBT类型：沟槽场截止功率(Pd)：500W 集射极击穿电压(Vces)：1.2kV 集电极电流(Ic)：80A 集电极脉冲电流(Icm)：160A 导通损耗(Eon)：2.55mJ 关断损耗(Eoff)：1.55mJ 工作温度：-40℃~+175℃@(Tj) 编号：C454252 数据手册嘉立创SMT补贴内地(含税价) 嘉立创贴片惊喜价格立即查看>> 个个管个个管个个管 30个/管近期成交：7单总额：￥0 已优惠0元！已加购


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