IGBT管/模块
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 50A
- 耗散功率(Pd)
- 349W
- 正向脉冲电流(Ifm)
- 100A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥19.6
- ¥16.8
- ¥14.02
- ¥12.33
- ¥11.56
- ¥11.2
- 广东仓
- 4871
30个/管
总额¥0
近期成交21单
描述采用新洁能(NCE)专有的沟槽设计和先进的第二代场截止(FS)技术,650V沟槽式FSII绝缘栅双极晶体管(IGBT)具备卓越的导通和开关性能,且易于并联运行。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥12.89
- ¥10.75
- ¥9.4
- ¥8.03
- ¥7.4
- ¥7.13
- 广东仓
- 1219
30个/管
总额¥0
近期成交24单
- IGBT类型
- FS(场截止)
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 80A
- 耗散功率(Pd)
- 500W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥24.43
- ¥21.12
- ¥17.3
- ¥15.31
- ¥14.39
- 广东仓
- 919
30个/管
总额¥0
近期成交47单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 600V
- 集电极电流(Ic)
- 50A
- 耗散功率(Pd)
- 250W
- 正向脉冲电流(Ifm)
- 100A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥10.27
- ¥8.62
- ¥6.61
- ¥5.59
- ¥5.14
- ¥4.93
- 广东仓
- 8403
25个/管
总额¥0
近期成交20单
- IGBT类型
- FS(场截止)
- 集射极击穿电压(Vces)
- 600V
- 集电极电流(Ic)
- 120A
- 耗散功率(Pd)
- 600W
描述安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥17.84
- ¥14.97
- ¥13.17
- ¥11.32
- ¥10.49
- ¥10.13
- 广东仓
- 733
30个/管
总额¥0
近期成交41单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 600V
- 集电极电流(Ic)
- 35A
- 耗散功率(Pd)
- 125W
- 栅极电荷量(Qg)
- 55nC
描述这款 IGBT 采用了先进的 PowerMESH™ 工艺,可在开关性能和低导通状态特性之间实现出色的平衡。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥6.97
- ¥5.79
- ¥5.14
- ¥4.18
- ¥3.85
- ¥3.7
- 广东仓
- 4673
50个/管
总额¥0
近期成交19单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 600V
- 集电极电流(Ic)
- 60A
- 耗散功率(Pd)
- 35.5W
- 正向压降(Vf)
- 1.7V@30A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥7.49
- ¥5.92
- ¥5.13
- ¥4.35
- ¥3.89
- ¥3.64
- 广东仓
- 1044
50个/管
总额¥0
近期成交37单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 600V
- 集电极电流(Ic)
- 20A
- 耗散功率(Pd)
- 166W
- 输出电容(Coes)
- 71pF
描述Vce=600V,Ic=20A,Vce(sat)=1.5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥8.21
- ¥7.54
- ¥5.6
- ¥5.18
- ¥4.99
- ¥4.9
- 广东仓
- 9362
- 江苏仓
- 1077
30个/管
总额¥0
近期成交21单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 650V
- 集电极电流(Ic)
- 74A
- 耗散功率(Pd)
- 250W
- 正向压降(Vf)
- 1.45V@20A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥11.51
- ¥9.73
- ¥7.16
- ¥6.06
- ¥5.57
- 广东仓
- 965
- 江苏仓
- 1
30个/管
总额¥0
近期成交46单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 80A
- 耗散功率(Pd)
- 333W
- 正向压降(Vf)
- 2.4V@20A
描述具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥13.4
- ¥11.5
- ¥9.4
- ¥8.18
- ¥7.63
- ¥7.4
- 广东仓
- 2885
- 江苏仓
- 100
25个/管
总额¥0
近期成交58单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 600V
- 集电极电流(Ic)
- 80A
- 耗散功率(Pd)
- 250W
- 栅极电荷量(Qg)
- 126nC
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥14.26
- ¥12.01
- ¥10.6
- ¥9.16
- ¥8.51
- ¥8.22
- 广东仓
- 6380
30个/管
总额¥0
近期成交20单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.6kV
- 集电极电流(Ic)
- 60A
- 耗散功率(Pd)
- 263W
- 输出电容(Coes)
- 42pF
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥20.14
- ¥17.27
- ¥15.48
- ¥13.65
- ¥12.82
- ¥12.46
- 广东仓
- 1583
30个/管
总额¥0
近期成交12单
- IGBT类型
- NPT(非穿通型)
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 64A
- 耗散功率(Pd)
- 500W
描述安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术,提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥74.47
- ¥64.8
- ¥58.8
- ¥53.55
- 广东仓
- 15
- 江苏仓
- 952
25个/管
总额¥0
近期成交9单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 650V
- 集电极电流(Ic)
- 80A
- 耗散功率(Pd)
- 300W
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
- 1.95V@40A,15V
描述MLG30T65FDL-F IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=30A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥6.46
- ¥5.38
- ¥4.79
- ¥4.12
- ¥3.82
- ¥3.68
- 广东仓
- 995
- 江苏仓
- 251
50个/管
总额¥0
近期成交36单
- IGBT类型
- FS(场截止)
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 16A
- 耗散功率(Pd)
- 70W
描述采用 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术的 IGBT,配备软、快恢复反并联发射极控制 HE 二极管
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥12.7
- ¥11.71
- ¥9.84
- ¥9.21
- ¥8.92
- ¥8.79
- 广东仓
- 3024
- 江苏仓
- 4753
30个/管
总额¥0
近期成交7单
- IGBT类型
- FS(场截止)
- 集射极击穿电压(Vces)
- 600V
- 集电极电流(Ic)
- 80A
- 耗散功率(Pd)
- 290W
描述安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、微波炉、电信、ESS 和 PFC 等导通和开关损耗至关重要的应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥17.52
- ¥14.93
- ¥12.63
- ¥10.97
- ¥10.22
- ¥9.89
- 广东仓
- 1823
- 江苏仓
- 1057
30个/管
总额¥0
近期成交21单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 600V
- 集电极电流(Ic)
- 160A
- 耗散功率(Pd)
- 250W
- 栅极电荷量(Qg)
- 345nC
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥54.28
- ¥52.87
- ¥47.24
- ¥42.51
- 广东仓
- 810
25个/管
总额¥0
近期成交19单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1kV
- 集电极电流(Ic)
- 60A
- 耗散功率(Pd)
- 180W
- 反向恢复时间(Trr)
- 1.2us
描述此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥78.74
- ¥64.03
- ¥58.14
- ¥53
- 广东仓
- 999
25个/管
总额¥0
近期成交6单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 650V
- 集电极电流(Ic)
- 100A
- 耗散功率(Pd)
- 235W
- 栅极阈值电压(Vge(th))
- 5V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥7.61
- ¥6.39
- ¥5.06
- ¥4.3
- ¥3.97
- ¥3.81
- 广东仓
- 5178
- 江苏仓
- 2936
30个/管
总额¥0
近期成交37单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 40A
- 耗散功率(Pd)
- 333W
描述UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用 PB档
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥10.14
- ¥8.61
- ¥7.03
- ¥6.05
- ¥5.6
- ¥5.41
- 广东仓
- 407
- 江苏仓
- 1100
25个/管
总额¥0
近期成交22单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 40A
- 耗散功率(Pd)
- 278W
描述UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥12.97
- ¥11.16
- ¥8.78
- ¥7.62
- ¥7.09
- ¥6.87
- 广东仓
- 1253
- 江苏仓
- 436
25个/管
总额¥0
近期成交33单
- IGBT类型
- FS(场截止)
- 集射极击穿电压(Vces)
- 600V
- 集电极电流(Ic)
- 80A
- 耗散功率(Pd)
- 349W
描述飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥17.22
- ¥14.9
- ¥12.28
- ¥10.8
- ¥10.13
- ¥9.84
- 广东仓
- 649
30个/管
总额¥0
近期成交15单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 650V
- 集电极电流(Ic)
- 90A
- 耗散功率(Pd)
- 395W
- 输出电容(Coes)
- 130pF
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥18.68
- ¥15.67
- ¥13.79
- ¥11.85
- ¥10.98
- 广东仓
- 726
30个/管
总额¥0
近期成交35单
- IGBT类型
- FS(场截止)
- 集射极击穿电压(Vces)
- 600V
- 集电极电流(Ic)
- 80A
- 耗散功率(Pd)
- 333W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥22.8
- ¥19.9
- ¥15.59
- ¥13.73
- ¥12.89
- ¥12.53
- 广东仓
- 293
- 江苏仓
- 2089
30个/管
总额¥0
近期成交9单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 600V
- 集电极电流(Ic)
- 140A
- 耗散功率(Pd)
- 454W
- 输出电容(Coes)
- 2420pF
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥61.31
- ¥53.71
- ¥43.67
- ¥39.79
- 广东仓
- 458
25个/管
总额¥0
近期成交8单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 4kV
- 集电极电流(Ic)
- 30A
- 耗散功率(Pd)
- 160W
- 输出电容(Coes)
- 95pF
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥517.87
- ¥492.2
- 广东仓
- 42
25个/管
总额¥0
近期成交6单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 650V
- 集电极电流(Ic)
- 10A
- 栅极电荷量(Qg)
- 8.8nC
- 开启延迟时间(Td(on))
- 7ns
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥3.55
- ¥2.91
- ¥2.58
- ¥2.26
- ¥1.83
- ¥1.73
- 广东仓
- 1566
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交15单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 25A
- 耗散功率(Pd)
- 278W
描述UPS、光伏逆变、电焊机用 高开关频率替代士兰 ST Magnachip infineon 25N12000 25A 1200V 半电流IGBT 25T120;完全兼容BT25T120CKD C2897743、IGF25T120D
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥10.83
- ¥9.21
- ¥7.35
- ¥6.34
- ¥5.89
- ¥5.69
- 广东仓
- 1934
25个/管
总额¥0
近期成交16单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 650V
- 集电极电流(Ic)
- 75A
- 耗散功率(Pd)
- 468W
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
- 1.65V
描述光伏逆变 储能 UPS 电源
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ¥11.4
- ¥9.76
- ¥8.13
- ¥7.08
- ¥6.6
- ¥6.4
- 广东仓
- 1232
- 江苏仓
- 152
25个/管
总额¥0
近期成交30单