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IGBT管/模块

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自营结果数1500+
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IKW25N120T2
IKW25N120T2
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247-3
类目
IGBT管/模块
编号
C111026
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
50A
耗散功率(Pd)
349W
正向脉冲电流(Ifm)
100A
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4910
  • 19.6
  • 16.8
  • 14.02
  • 12.33
  • 11.56
  • 11.2
现货最快4小时发货
广东仓
4871

30/

总额0

近期成交21单

650V、60A沟槽型FSII快速绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
NCE60TD65BT
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C5883265

描述采用新洁能(NCE)专有的沟槽设计和先进的第二代场截止(FS)技术,650V沟槽式FSII绝缘栅双极晶体管(IGBT)具备卓越的导通和开关性能,且易于并联运行。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1234
  • 12.89
  • 10.75
  • 9.4
  • 8.03
  • 7.4
  • 7.13
现货最快4小时发货
广东仓
1219

30/

总额0

近期成交24单

IKW40N120CS6
IKW40N120CS6
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247-3
类目
IGBT管/模块
编号
C454252
IGBT类型
FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
80A
耗散功率(Pd)
500W
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存925
  • 24.43
  • 21.12
  • 17.3
  • 15.31
  • 14.39
现货最快4小时发货
广东仓
919

30/

总额0

近期成交47单

GT50JR22(S1WLD,E,S
GT50JR22(S1WLD,E,S
品牌
TOSHIBA(东芝)
封装
TO-3P-3
类目
IGBT管/模块
编号
C2880445
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
50A
耗散功率(Pd)
250W
正向脉冲电流(Ifm)
100A
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8403
  • 10.27
  • 8.62
  • 6.61
  • 5.59
  • 5.14
  • 4.93
现货最快4小时发货
广东仓
8403

25/

总额0

近期成交20单

FGH60N60SMD
FGH60N60SMD
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C50649
IGBT类型
FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
120A
耗散功率(Pd)
600W

描述安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存733
  • 17.84
  • 14.97
  • 13.17
  • 11.32
  • 10.49
  • 10.13
现货最快4小时发货
广东仓
733

30/

总额0

近期成交41单

20 A-600 V,抗短路IGBT
STGP19NC60KD
品牌
ST(意法半导体)
封装
TO-220
类目
IGBT管/模块
编号
C59521
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
35A
耗散功率(Pd)
125W
栅极电荷量(Qg)
55nC

描述这款 IGBT 采用了先进的 PowerMESH™ 工艺,可在开关性能和低导通状态特性之间实现出色的平衡。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4676
  • 6.97
  • 5.79
  • 5.14
  • 4.18
  • 3.85
  • 3.7
现货最快4小时发货
广东仓
4673

50/

总额0

近期成交19单

600V、30A沟槽式FSII快速绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
NCE30TD60BF
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-220F-3
类目
IGBT管/模块
编号
C502942
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
60A
耗散功率(Pd)
35.5W
正向压降(Vf)
1.7V@30A
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1048
  • 7.49
  • 5.92
  • 5.13
  • 4.35
  • 3.89
  • 3.64
现货最快4小时发货
广东仓
1044

50/

总额0

近期成交37单

IKW20N60T
IKW20N60T
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C10456
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
20A
耗散功率(Pd)
166W
输出电容(Coes)
71pF

描述Vce=600V,Ic=20A,Vce(sat)=1.5V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9364
  • 8.21
  • 7.54
  • 5.6
  • 5.18
  • 4.99
  • 4.9
现货最快4小时发货
广东仓
9362
江苏仓
1077

30/

总额0

近期成交21单

IKW40N65H5
IKW40N65H5
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247-3
类目
IGBT管/模块
编号
C454249
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
74A
耗散功率(Pd)
250W
正向压降(Vf)
1.45V@20A
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存968
  • 11.51
  • 9.73
  • 7.16
  • 6.06
  • 5.57
现货最快4小时发货
广东仓
965
江苏仓
1

30/

总额0

近期成交46单

CRG40T120AK3S
CRG40T120AK3S
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C2802633
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
80A
耗散功率(Pd)
333W
正向压降(Vf)
2.4V@20A

描述具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2921
  • 13.4
  • 11.5
  • 9.4
  • 8.18
  • 7.63
  • 7.4
现货最快4小时发货
广东仓
2885
江苏仓
100

25/

总额0

近期成交58单

STGW39NC60VD
STGW39NC60VD
品牌
ST(意法半导体)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C169774
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
80A
耗散功率(Pd)
250W
栅极电荷量(Qg)
126nC
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6389
  • 14.26
  • 12.01
  • 10.6
  • 9.16
  • 8.51
  • 8.22
现货最快4小时发货
广东仓
6380

30/

总额0

近期成交20单

IHW30N160R5
IHW30N160R5
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247-3
类目
IGBT管/模块
编号
C536125
集射极击穿电压(Vces)
1.6kV
集电极电流(Ic)
60A
耗散功率(Pd)
263W
输出电容(Coes)
42pF
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1583
  • 20.14
  • 17.27
  • 15.48
  • 13.65
  • 12.82
  • 12.46
现货最快4小时发货
广东仓
1583

30/

总额0

近期成交12单

FGL40N120ANDTU
FGL40N120ANDTU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-264-3
类目
IGBT管/模块
编号
C11754
IGBT类型
NPT(非穿通型)
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
64A
耗散功率(Pd)
500W

描述安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术,提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15
  • 74.47
  • 64.8
  • 58.8
  • 53.55
现货最快4小时发货
广东仓
15
江苏仓
952

25/

总额0

近期成交9单

IGBT 30A 650V
MLG30T65FDL-F
品牌
minos(迈诺斯)
封装
TO-220F
类目
IGBT管/模块
编号
C47967306
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
80A
耗散功率(Pd)
300W
集射极饱和电压(VCE(sat))
1.95V@40A,15V

描述MLG30T65FDL-F IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=30A

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存995
  • 6.46
  • 5.38
  • 4.79
  • 4.12
  • 3.82
  • 3.68
现货最快4小时发货
广东仓
995
江苏仓
251

50/

总额0

近期成交36单

IKW08T120
IKW08T120
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247-3
类目
IGBT管/模块
编号
C168885
IGBT类型
FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
16A
耗散功率(Pd)
70W

描述采用 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术的 IGBT,配备软、快恢复反并联发射极控制 HE 二极管

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3024
  • 12.7
  • 11.71
  • 9.84
  • 9.21
  • 8.92
  • 8.79
现货最快4小时发货
广东仓
3024
江苏仓
4753

30/

总额0

近期成交7单

FGH40N60SFDTU
FGH40N60SFDTU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C49514
IGBT类型
FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
80A
耗散功率(Pd)
290W

描述安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、微波炉、电信、ESS 和 PFC 等导通和开关损耗至关重要的应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1823
  • 17.52
  • 14.93
  • 12.63
  • 10.97
  • 10.22
  • 9.89
现货最快4小时发货
广东仓
1823
江苏仓
1057

30/

总额0

近期成交21单

FGH40N60SFDTU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-247
批次
1.5年内
立推售价
  • 8.857
库存
12K

30/

总额0

SGL160N60UFDTU
SGL160N60UFDTU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-264-3
类目
IGBT管/模块
编号
C11757
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
160A
耗散功率(Pd)
250W
栅极电荷量(Qg)
345nC
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存810
  • 54.28
  • 52.87
  • 47.24
  • 42.51
现货最快4小时发货
广东仓
810

25/

总额0

近期成交19单

FGL60N100BNTDTU
FGL60N100BNTDTU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-264-3
类目
IGBT管/模块
编号
C105610
集射极击穿电压(Vces)
1kV
集电极电流(Ic)
60A
耗散功率(Pd)
180W
反向恢复时间(Trr)
1.2us

描述此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存999
  • 78.74
  • 64.03
  • 58.14
  • 53
现货最快4小时发货
广东仓
999

25/

总额0

近期成交6单

SGT50T65FD1PN
SGT50T65FD1PN
品牌
SILAN(士兰微)
封装
TO-3P-3
类目
IGBT管/模块
编号
C2761787
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
100A
耗散功率(Pd)
235W
栅极阈值电压(Vge(th))
5V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5178
  • 7.61
  • 6.39
  • 5.06
  • 4.3
  • 3.97
  • 3.81
现货最快4小时发货
广东仓
5178
江苏仓
2936

30/

总额0

近期成交37单

CRG40T120AK3SD
CRG40T120AK3SD
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C2981189
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
40A
耗散功率(Pd)
333W

描述UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用 PB档

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存409
  • 10.14
  • 8.61
  • 7.03
  • 6.05
  • 5.6
  • 5.41
现货最快4小时发货
广东仓
407
江苏仓
1100

25/

总额0

近期成交22单

CRG40T120BK3SD
CRG40T120BK3SD
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C2981191
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
40A
耗散功率(Pd)
278W

描述UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1255
  • 12.97
  • 11.16
  • 8.78
  • 7.62
  • 7.09
  • 6.87
现货最快4小时发货
广东仓
1253
江苏仓
436

25/

总额0

近期成交33单

TRENCHSTOP 5高速软开关IGBT,配备全电流额定RAPID 1二极管
IKW75N65ES5
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247-3
类目
IGBT管/模块
编号
C454250
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存856
  • 17.04
  • 14.4
  • 12.12
  • 10.42
  • 9.66
现货最快4小时发货
广东仓
856

30/

总额0

近期成交10单

FGH40N60SMD
FGH40N60SMD
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C49512
IGBT类型
FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
80A
耗散功率(Pd)
349W

描述飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存649
  • 17.22
  • 14.9
  • 12.28
  • 10.8
  • 10.13
  • 9.84
现货最快4小时发货
广东仓
649

30/

总额0

近期成交15单

IKW75N65EH5
IKW75N65EH5
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247-3
类目
IGBT管/模块
编号
C454259
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
90A
耗散功率(Pd)
395W
输出电容(Coes)
130pF
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存743
  • 18.68
  • 15.67
  • 13.79
  • 11.85
  • 10.98
现货最快4小时发货
广东仓
726

30/

总额0

近期成交35单

IKW75N65EH5
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247-3
立推售价
  • 8.25
库存
19K+

30/

总额0

IKW50N60T
IKW50N60T
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C10458
IGBT类型
FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
80A
耗散功率(Pd)
333W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存293
  • 22.8
  • 19.9
  • 15.59
  • 13.73
  • 12.89
  • 12.53
现货最快4小时发货
广东仓
293
江苏仓
2089

30/

总额0

近期成交9单

IRGP4066DPBF
IRGP4066DPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247AC
类目
IGBT管/模块
编号
C500537
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
140A
耗散功率(Pd)
454W
输出电容(Coes)
2420pF
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存458
  • 61.31
  • 53.71
  • 43.67
  • 39.79
现货最快4小时发货
广东仓
458

25/

总额0

近期成交8单

IXGF30N400
IXGF30N400
品牌
Littelfuse/IXYS
封装
ISOPLUS-I4-5.0mm
类目
IGBT管/模块
编号
C3093671
集射极击穿电压(Vces)
4kV
集电极电流(Ic)
30A
耗散功率(Pd)
160W
输出电容(Coes)
95pF
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存42
  • 517.87
  • 492.2
现货最快4小时发货
广东仓
42

25/

总额0

近期成交6单

650V、5A AlphalGBT,内置软快速恢复反并联二极管
AOD5B65MQ1E
品牌
AOS
封装
TO-252
类目
IGBT管/模块
编号
C3193928
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
10A
栅极电荷量(Qg)
8.8nC
开启延迟时间(Td(on))
7ns
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1597
  • 3.55
  • 2.91
  • 2.58
  • 2.26
  • 1.83
  • 1.73
现货最快4小时发货
广东仓
1566

2500/圆盘

总额0

近期成交15单

CRG25T120BK3S
CRG25T120BK3S
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C2982571
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
25A
耗散功率(Pd)
278W

描述UPS、光伏逆变、电焊机用 高开关频率替代士兰 ST Magnachip infineon 25N12000 25A 1200V 半电流IGBT 25T120;完全兼容BT25T120CKD C2897743、IGF25T120D

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CRG75T65AK5HD
CRG75T65AK5HD
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C3975126
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
75A
耗散功率(Pd)
468W
集射极饱和电压(VCE(sat))
1.65V

描述光伏逆变 储能 UPS 电源

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