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射频开关

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3409
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • PE4259-63
  • 品牌: pSemi(游隼半导体)
  • 封装: SC-70-6
  • 描述: PE4259UltraCMOSRF开关设计用于覆盖从10MHz到3000MHz的广泛应用。这款反射式开关集成了板载CMOS控制逻辑,具有低电压CMOS兼容控制接口,可以通过单针或互补控制输入进行控制。
  • 隔离度: 30dB
  • 插入损耗: 0.35dB
  • 工作电压: 1.8V~3.3V
  • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • FM8625H
    • 品牌: FM(富满)
    • 封装: DFN-6(0.7x1.1)
    • 描述: FM8625H是一个单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于GSM/LTE/WCDMA/WiFi的发射和接收。通过集成的GPIO接口和单个控制引脚进行切换。
    • 隔离度: 30dB
    • 插入损耗: 0.45dB
    • 工作电压: 1.62V~3.3V
    • 工作温度: -40℃~+90℃
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    • HX179-92-ST
    • 品牌: ZHHXDZ(海芯电子)
    • 封装: SOT-363
    • 描述: HX179-92-ST是一种专为L、S频段设计的GaAsMMICSPDT开关,适用于移动电话和其他L、S频段应用。它具有紧凑的6引脚超小型封装,适合高密度表面贴装。
    • 隔离度: 32dB
    • 插入损耗: 0.6dB
    • 频率: 50MHz~3GHz
    • 工作电压: 1.8V~5.3V
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    • 第四阶梯9
    • 第五阶梯9
    • 第六阶梯9
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      • ¥0.51201
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      • ¥0.4059
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    • 50+: 

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    • XA2163
    • 品牌: XINLUDA(信路达)
    • 封装: TSON-6-EP(1.5x1.5)
    • 描述: XA2163是一款GaAsMMICSPDT(单刀双掷)开关,专为2.4GHz和6GHz双频段无线局域网设计。该器件可在0.5到2.5GHz、4.9到6.0GHz和8.0GHz的频率范围内工作,具有低插入损耗和高隔离度。器件采用6引脚塑料TSON封装,适用于高密度表面贴装。
    • 隔离度: 43dB
    • 插入损耗: 0.9dB
    • 工作电压: 2.8V~5V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • WS7872DE-6/TR
    • 品牌: WILLSEMI(韦尔)
    • 封装: DFN-6-EP(1x1)
    • 描述: WS7872DE-6/TR是一个单刀双掷(SPDT)开关,具有高线性性能和低插入损耗,适用于WLAN应用,如802.11a/b/g/n。提供紧凑的无引脚扁平封装(DFN)1.0x1.0mm²。
    • 隔离度: 30dB
    • 插入损耗: 0.75dB
    • 工作电压: 2.5V~3.6V
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    • PE42641MLBD-Z
    • 品牌: pSemi(游隼半导体)
    • 封装: QFN-16-EP(3x3)
    • 描述: 100MHz至3.0GHz的高性能SP4T射频开关,采用UltraCMOs工艺技术。该开关包含4个相同的WEDGE/CDMA兼容传输路径,适用于各种GSM和WCDMA移动应用以及其他无线应用。
    • 隔离度: 29dB
    • 插入损耗: 0.45dB
    • 频率: 100MHz~3GHz
    • 工作电压: 2.65V~2.85V
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    • 隔离度: 56dB
    • 插入损耗: 1dB
    • 频率: 0Hz~6GHz
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    • MMBFJ108
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23-3
    • 描述: 此器件适用于需要极低电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。
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    • 第五阶梯9
    • 第六阶梯9
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      • ¥2.52
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      • ¥1.719
      • ¥1.584
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    • XA2214-S14
    • 品牌: XINLUDA(信路达)
    • 封装: SOT-363
    • 描述: XA2214-S14是一款适用于移动电话和其他L,S-band应用的GaAsMMICSPDT开关。该设备可以在1.8到5.3V的控制电压下进行2个控制切换,工作频率范围为0.05到3.0GHz,具有低插入损耗和高隔离度。该设备采用6引脚SOT363封装,适合高密度表面贴装。
    • 隔离度: 32dB
    • 插入损耗: 0.35dB
    • 工作电压: 1.8V~5.3V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • SKY13330-397LF
    • 品牌: SKYWORKS
    • 封装: QFN-12-EP(2x2)
    • 描述: SKY13330-397LF是一款CMOS硅绝缘体(SOI)单刀双掷(SPDT)射频开关。其高线性和低插入损耗使其成为WCDMA手机和数据卡应用的理想选择。
    • 隔离度: 42dB
    • 插入损耗: 0.8dB
    • 工作电压: 2.3V~4.8V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • HMC252AQS24ETR
    • 品牌: ADI(亚德诺)
    • 封装: SSOP-24-150mil
    • 描述: HMC252AQS24ETR是一种低成本的非反射式SP6T开关,采用24引脚QSOP封装,具有从DC到3.0GHz的宽带操作。该开关提供单个正偏压,并且与真正的TTL/CMOS兼容。集成的3:6解码器只需要3条控制线和一个正偏压即可选择每个路径。
    • 隔离度: 32dB
    • 插入损耗: 1.4dB
    • 频率: 0Hz~3GHz
    • 工作电压: 3V~5V
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    • HMC321ALP4ETR
    • 品牌: ADI(亚德诺)
    • 封装: LFCSP-24(4x4)
    • 描述: HMC321ALP4E是一款宽带非反射式GaAsSP8T射频开关,采用低成本无引脚表面贴装封装。覆盖DC至8GHz的频率范围,提供高隔离度和低插入损耗。该开关还集成了一个板载二进制3:8TTL解码器电路,减少了所需的逻辑控制线到三条。工作电压为0/+5伏,需要固定的+5伏偏置。适用于50欧姆或75欧姆系统。
    • 频率: 0Hz~8GHz
    • 工作电压: 5V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • 隔离度: 50dB
    • 插入损耗: 1.5dB
    • 频率: 0Hz~12GHz
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • 广东仓: 2980
      江苏仓: 0
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    • 隔离度: 25dB
    • 插入损耗: 1.5dB
    • 频率: 100MHz~13GHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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      江苏仓: 89
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    • ADGM1304JCPZ-RL7
    • 品牌: ADI(亚德诺)
    • 封装: LFCSP-24(4x5)
    • 描述: ADGM1304是一款宽带、单刀四掷(SP4T)开关,采用ADI公司的MEMS开关技术制造而成。其工作频率可低至0Hz/DC,是各种RF应用的理想开关解决方案。
    • 隔离度: 24dB
    • 插入损耗: 0.26dB
    • 频率: 0Hz~14GHz
    • 工作电压: 3.1V~3.3V
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  • SMT扩展库
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      ¥660.46
    • 30+: 

      ¥629.52
    现货最快4H发
    • 广东仓: 0
      江苏仓: 10
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    • 圆盘
    • 1500个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • XA17-G4K
    • 品牌: XINLUDA(信路达)
    • 封装: SOT-363
    • 描述: XA17-G4K是一款采用pHEMTGaAs工艺制造的单刀双掷射频开关。内部电路结构简单,推荐的工作频率范围为20MHz至4GHz,具有低插入损耗和超低直流功耗。提供6引脚超小型SOT-363封装,适用于高密度表面贴装应用。
    • 隔离度: 25dB
    • 插入损耗: 0.7dB
    • 频率: 20MHz~4GHz
    • 工作电压: 6V
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    • PE42423B-Z
    • 品牌: pSemi(游隼半导体)
    • 封装: TQFN-16-EP(3x3)
    • 描述: PE42423是一款采用HaRP技术增强的50ΩSPDT射频开关,支持802.11a/b/g/n/ac标准,带宽高达6GHz。
    • 隔离度: 43dB
    • 插入损耗: 0.95dB
    • 工作电压: 2.3V~5.5V
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    • HMC347ALP3E
    • 品牌: ADI(亚德诺)
    • 封装: TQFN-16-EP(3x3)
    • 描述: HMC347ALP3E是一款宽带、高隔离度、低插入损耗的非反射式GaAspHEMTSPDT开关,工作频率范围从DC到14GHz。
    • 隔离度: 38dB
    • 插入损耗: 1.9dB
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    • FM1630C
    • 品牌: FM(富满)
    • 封装: DFN-6(0.7x1.1)
    • 描述: FM1630C是一款单刀双掷(SPDT)LTETDD/FDD发射/接收和预功率放大器(PA)收发开关。通过集成的GPIO接口和单控制引脚进行切换。根据逻辑电压电平,天线端口连接到其中一个被切换的射频端口(RF1或RF2),而天线端口与另一个射频端口之间的路径处于高隔离高阻抗状态。无需外部直流阻断电容器,只要不向任何射频路径施加直流电压即可。
    • 隔离度: 32dB
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    • 工作电压: 2.5V~5V
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    • MXD8512A
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-6(0.7x1.1)
    • 描述: MXD8512A是一款基于CMOSSOI技术的单刀单掷(SPST)开关,具有高线性度和坚固性能,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。
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    • MASW-007107-TR3000
    • 品牌: MACOM
    • 封装: DFN-8-EP(2x2)
    • 描述: MASW-007107是一款采用无铅2mm8引脚PDFN封装的宽带GaAspHEMTMMICSPDT开关。典型应用包括WLANIEEE802.11a+b/g和MIMO,以及其他需要超快速切换速度的测试设备。设计用于低插入损耗,此SPDT开关在8.0GHz以下保持低损耗。
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