- 类目
- 贴片电容(MLCC)
- 贴片电阻
- DC-DC电源芯片
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- 场效应管(MOSFET)
- 线性稳压器(LDO)
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 贴片圆螺母
- 钽电容
- 肖特基二极管
- 无源晶振
- 三极管(BJT)
- 晶体管输出光耦
- 运算放大器
- RS-485/RS-422芯片
- 一体成型电感
- SMT载流铜片
- 贴片型铝电解电容
- 发光二极管/LED
- 线对板针座
多选 - 品牌
- TI(德州仪器)
- YAGEO(国巨)
- SAMSUNG(三星)
- muRata(村田)
- ST(意法半导体)
- FOJAN(富捷)
- Sinhoo(雄和远景)
- UMW(友台半导体)
- FH(风华)
- ADI(亚德诺)
- MDD(辰达半导体)
- YXC(扬兴晶振)
- HRE(芯声)
- Kyocera AVX
- onsemi(安森美)
- Chinocera(华瓷)
- CJ(江苏长电/长晶)
- Infineon(英飞凌)
- ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
- Nexperia(安世)
多选
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 功能特性
- 工作状态指示；输出电压差分采样；输出电压跟随；输出放电；过流保护
- 输入电压
- 2.375V~3.5V
- 输出电压
- 0.5V~1.8V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述TPS51200 具有用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 VTTREF 缓冲基准的 3A 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器
近期成交100+单
- 输出类型
- 固定
- 工作电压
- 1.8V~5.5V
- 输出电压
- 1.25V
- 输出电流
- 25mA
描述REF3012 采用 3 引脚 SOT-23 封装的 1.25V、50ppm/°C、50μA 输入串联（带隙）电压基准
近期成交100+单
- 输出极性
- 负极
- 工作电压
- 36V
- 输出电压
- 1.18V~33V
- 输出电流
- 200mA
描述TPS7A30 -3V 至 -35V 输入电压、-200mA、超低噪声、高 PSRR、低压降线性稳压器
近期成交100+单
- 放大器数
- 单路
- 单电源电压
- 1.8V~5.5V
- 双电源电压(Vee~Vcc)
- 900mV~2.75V；-2.75V~-900mV
- 输入失调电压(Vos)
- 2uV
描述OPA333 微功耗、1.8V、17µA 零漂移 CMOS 精密运算放大器
近期成交100+单
- 类型
- CAN收发器
- 数据速率
- 1Mbps
- 工作电压
- 3.3V
- 工作电流
- 17mA
描述适用于3.3V供电的CAN总线收发器，支持高达1Mbps的数据速率。
近期成交100+单
- 检测温度
- -40℃~+125℃
- 精度
- ±0.5℃
- 工作电压
- 1.4V~3.6V
- 待机电流
- 1uA
描述TMP112 具有 I2C/SMBus 接口且工作电压为 1.4V 的 ±0.5°C 温度传感器，支持报警功能
近期成交100+单
- 输出类型
- 固定
- 工作电压
- 5.2V~18V
- 输出电压
- 5V
- 输出电流
- 10mA
描述REF5050 5V、3μVpp/V 噪声、3ppm/°C 温漂、精密串联电压基准
近期成交100+单
- 通道类型
- 双向
- 输入信号
- CMOS
- 输出信号
- CMOS
- 工作电压(VCCA)
- 1.65V~5.5V
描述SN74LVC8T245 具有可配置电压转换和三态输出的 8 位双电源总线收发器
近期成交100+单
- 输出类型
- 固定
- 工作电压
- 2.098V~5.5V
- 输出电压
- 2.048V
- 输出电流
- 25mA
描述REF3020 采用 3 引脚 SOT-23 封装的 2.048V、50ppm/°C、50μA 输入串联（带隙）电压基准
近期成交100+单
- 通道数
- 1
- 工作电压
- 7V~44V
- 芯片类型
- V-I转换器
- 工作温度
- -55℃~+125℃
描述XTR111是一款精密电压 - 电流转换器，专为标准的0mA - 20mA或4mA - 20mA模拟信号设计，最大输出电流可达36mA。输入电压与输出电流的比例由单个电阻R̅SET'设定。该电路也可修改为电压输出。外部P沟道MOSFET晶体管确保了高输出电阻和宽泛的耐压电压范围，该范围从电源电压VVSP以下2V延伸至远低于地电位的电压。可调的3V至15V子稳压器输出为额外电路提供电源电压。XTR111提供MSOP和DFN表面贴装封装。
近期成交100+单
- 放大器数
- 双路
- 双电源电压(Vee~Vcc)
- -18V~-2V；2V~18V
- 输入失调电压(Vos)
- 50uV
- 输入失调电压温漂(Vos TC)
- 1uV/℃
描述OPA2277 10μV、0.1μV/°C、高精度、低功耗运算放大器
近期成交100+单
- 输出极性
- 正极
- 工作电压
- 15V
- 输出电压
- 3.3V
- 输出电流
- 800mA
描述LM1117 800mA 15V 线性稳压器
近期成交100+单
- 最大数据速率
- 500Kbps
- 通讯模式
- 半双工
- 隔离电压(Vrms)
- 2500
- CMTI(kV/us)
- 25kV/us
描述ADM2483差分总线收发器是一款集成式、电流隔离组件，专为平衡多点总线传输线上的双向数据通信而设计。它符合ANSI EIA/TIA - 485 - A和ISO 8482: 1987(E)标准。ADM2483采用iCoupler技术，将一个3通道隔离器、一个三态差分线路驱动器和一个差分输入接收器集成在一个封装中
近期成交100+单
- 分辨率(位)
- 16
- 采样率
- 1MHz
- 通道数
- 16
- 工作电压
- 4.75V~5.25V
描述AD7616是一款16位DAS，支持对16个通道进行双路同步采样。采用5 V单电源供电，可以处理±10 V、±5 V和±2.5 V真双极性输入信号，同时每对通道均能以高达1MSPS的吞吐速率和90.5 dB SNR采样。利用片内过采样模式可实现更高的SNR性能（过采样率 (OSR) 为2时，SNR为92 dB）。输入箝位保护电路可以耐受高达±21 V的电压。无论以何种采样频率工作，AD7616的模拟输入阻抗均为1 MΩ。它采用单电源工作方式，具有片内滤波和高输入阻抗，因此无需驱动运算放大器和外部双极性电源。该器件均内置模拟输入箝位保护、一个双路16位电荷再分配SAR模数转换器 (ADC)、一个灵活的数字滤波器、2.5 V基准电压源和基准电压缓冲器以及高速串行和并行接口。AD7616兼容串行外设接口 (SPI)/QSPI/DSP/MICROWIRE。
近期成交100+单
- 检测温度
- -55℃~+125℃
- 精度
- ±0.5℃
- 工作电压
- 3V~5.5V
- 待机电流
- 1uA
描述分辨率可编程设置的1-Wire数字温度计、 通过最少的连线实现高精度温度测量，理想用于多传感器测量系统
近期成交100+单
- 正向通道数
- 1
- 反向通道数
- 1
- 最大数据速率
- 1Mbps
- 隔离电压(Vrms)
- 2500
描述结合高速CMOS和单片变压器技术，这些隔离组件提供了优于光耦合器等替代方案的出色性能。通过避免使用LED和光电二极管，iCoupler设备消除了与光耦合器相关的设计难题。简单的iCoupler数字接口和稳定的性能特性消除了典型光耦合器对不确定电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响的担忧。这些iCoupler产品无需外部驱动器和其他分立组件
近期成交100+单
- 放大器数
- 双路
- 单电源电压
- 4.5V~55V
- 双电源电压(Vee~Vcc)
- -27.5V~-2.25V；2.25V~27.5V
- 输入失调电压(Vos)
- 5uV
描述双通道55V、EMI增强型、零漂移、超低噪声、RRO运算放大器
近期成交100+单
近期成交100+单
- 分辨率(位)
- 12
- 工作电压
- 3V~5.5V
- 接口类型
- SPI
- 芯片类型
- 热电偶数字转换器
描述MAX6675可进行冷端补偿，并将K型热电偶的信号数字化。数据以12位分辨率、SPI兼容的只读格式输出。该转换器的温度分辨率为0.25°C，可测量高达+1024°C的温度，在0°C至+700°C的温度范围内，热电偶精度为8个最低有效位（LSB）
近期成交100+单
- 分辨率(位)
- 24位
- 工作电压
- 4.75V~5.25V；2.7V~5.25V
- 信噪比
- 120dB
- 工作温度
- -40℃~+105℃
描述AD7190是一款适合高精密测量应用的低噪声完整模拟前端，内置一个低噪声、24位Σ-Δ模数转换器(ADC)。片内低噪声可编程增益级意味着可直接输入小信号。
近期成交100+单
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz 先进的 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbytes Flash，在 55℃ 下 10 kycles 后数据保留 20 年。 数据存储器：640 bytes 真正的数据 EEPROM，耐久性 300 kycles。 RAM：1 Kbytes。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制，4 种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的 16 MHz RC、内部低功耗 128 kHz RC
近期成交65单
- CPU内核
- ARM Cortex-M0
- CPU最大主频
- 48MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 16KB
描述特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V
近期成交100+单
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器
近期成交100+单
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 512KB
近期成交100+单
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。 数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
近期成交100+单
- 加速度计轴向
- X,Y,Z
- 加速度计量程(MAX)
- ±16g
- 陀螺仪轴向
- X,Y,Z
- 陀螺仪量程(MAX)
- ±2000dps
描述用于入门级/中档智能手机和便携式电脑平台的iNEMO 6DoF惯性测量单元（IMU）
近期成交100+单
- CPU内核
- ARM Cortex-M4
- CPU最大主频
- 168MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 1MB
描述特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。 存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。
近期成交100+单
- CPU内核
- ARM Cortex-M0
- CPU最大主频
- 48MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。 内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。 时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量
近期成交100+单
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 128KB
描述特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART
近期成交100+单
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 64MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C。 存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）
近期成交100+单