- 类目
- 贴片电容(MLCC)
- DC-DC电源芯片
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- 场效应管(MOSFET)
- 贴片电阻
- 线性稳压器(LDO)
- 贴片圆螺母
- 功率电感
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 钽电容
- 肖特基二极管
- 无源晶振
- 晶体管输出光耦
- 三极管(BJT)
- 运算放大器
- 发光二极管/LED
- RS-485/RS-422芯片
- SMT载流铜片
- 直插铝电解电容
- 线对板针座
多选 - 品牌
- TI(德州仪器)
- SAMSUNG(三星)
- ST(意法半导体)
- muRata(村田)
- YAGEO(国巨)
- Sinhoo(雄和远景)
- UMW(友台半导体)
- ADI(亚德诺)
- FH(风华)
- MDD(辰达半导体)
- YXC(扬兴晶振)
- Kyocera AVX
- UNI-ROYAL(厚声)
- Infineon(英飞凌)
- CJ(江苏长电/长晶)
- HRE(芯声)
- ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
- onsemi(安森美)
- Nexperia(安世)
- cjiang(长江微电)
多选
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 通道类型
- 双向
- 输入信号
- CMOS
- 输出信号
- CMOS
- 数据速率
- 100Mbps
描述TXB0102 具有自动方向感应和 +/-15kV ESD 保护的 2 位双向电压电平转换器
近期成交100单+
- 通道类型
- 双向
- 输入信号
- CMOS
- 输出信号
- CMOS
- 数据速率
- 100Mbps
描述TXB0104 具有自动方向感应和 +/-15kV ESD 保护的 4 位双向电压电平转换器
近期成交100单+
- 放大器数
- 1
- 共模电压
- -300mV~26V
- 增益
- 50V/V
- 带宽
- 14kHz
描述INA199 26V、双向电流感应放大器
近期成交100单+
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 1
- 接收器数
- 1
- 工作电压
- 3V~3.6V
描述这些器件是低功耗、半双工RS-485收发器，适用于工业应用。它们提供稳健的3.3V驱动器和接收器，并具备高级别的ESD保护。
近期成交100单+
- 通道类型
- 双向
- 数据速率
- 24Mbps
- 工作电压(VCCA)
- 1.65V~3.6V
- 工作电压(VCCB)
- 2.3V~5.5V
描述这是一款双向电压电平转换器，可用于在混合电压系统之间建立数字开关兼容性。它使用两个独立的可配置电源轨，A端口支持1.65V至3.6V的工作电压，同时跟踪VCCA电源；B端口支持2.3V至5.5V的工作电压，同时跟踪VCCB电源。这允许支持较低和较高的逻辑信号电平，同时在1.8V、2.5V、3.3V和5V电压节点之间提供双向转换能力。当输出使能（OE）输入为低电平时，所有I/O都置于高阻抗状态，这显著降低了电源静态电流消耗。为了在电源开启或关闭期间将器件置于高阻抗状态，通过下拉电阻将OE连接到GND；驱动器的电流源能力决定了电阻的最小值。
近期成交100单+
- 通道类型
- 双向
- 数据速率
- 100Mbps
- 工作电压(VCCA)
- 1.2V~3.6V
- 工作电压(VCCB)
- 1.65V~5.5V
描述TXB0108 具有自动方向感应和 +/-15kV ESD 保护的 8 位双向电压电平转换器
近期成交100单+
- 共模电压
- 300mV~40V
- 输入偏置电流(Ib)
- 10nA
- 输入失调电压(Vos)
- 2.5uV
- 工作温度
- -40℃~+125℃
描述INA226 具有警报功能的 36V、16 位、超精密 I2C 输出电流/电压/功率监控器
近期成交100单+
- 分辨率(位)
- 24
- 采样率
- 2kHz
- 通道数
- 2；4
- 工作电压
- 2.3V~5.5V
描述ADS1220 具有 PGA、VREF、SPI 和两个 IDAC 的 24 位 2kSPS 四通道低功耗 Δ-Σ ADC
近期成交100单+
- 极性
- 双向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 5.5V
- 钳位电压
- 14V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 6A@8/20us
描述TPD1E10B06 采用 0402 和 SOD-523 封装的 12pF、±5.5V、±30kV ESD 保护二极管
近期成交100单+
- 通道类型
- 双向
- 数据速率
- 24Mbps
- 工作电压(VCCA)
- 1.65V~3.6V
- 工作电压(VCCB)
- 2.3V~5.5V
描述TXS0104E 用于漏极开路应用的 4 位双向电压电平转换器
近期成交100单+
- 功能特性
- 失效保护电路；上电确定状态
描述ADM2483差分总线收发器是一款集成式、电流隔离组件，专为平衡多点总线传输线上的双向数据通信而设计。它符合ANSI EIA/TIA - 485 - A和ISO 8482: 1987(E)标准。ADM2483采用iCoupler技术，将一个3通道隔离器、一个三态差分线路驱动器和一个差分输入接收器集成在一个封装中
近期成交100单+
- 正向通道数
- 1
- 反向通道数
- 1
- 最大数据速率
- 1Mbps
- 隔离电压(Vrms)
- 2500
描述结合高速CMOS和单片变压器技术，这些隔离组件提供了优于光耦合器等替代方案的出色性能。通过避免使用LED和光电二极管，iCoupler设备消除了与光耦合器相关的设计难题。简单的iCoupler数字接口和稳定的性能特性消除了典型光耦合器对不确定电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响的担忧。这些iCoupler产品无需外部驱动器和其他分立组件
近期成交100单+
- 功能特性
- 数字滤波
描述RTD至数字输出转换器、完整解决方案，采用带有RTD故障检测和输入电压保护的数字温度读取
近期成交100单+
- 分辨率(位)
- 12
- 工作电压
- 3V~5.5V
- 接口类型
- SPI
- 芯片类型
- 热电偶数字转换器
描述MAX6675可进行冷端补偿，并将K型热电偶的信号数字化。数据以12位分辨率、SPI兼容的只读格式输出。该转换器的温度分辨率为0.25°C，可测量高达+1024°C的温度，在0°C至+700°C的温度范围内，热电偶精度为8个最低有效位（LSB）
近期成交100单+
- 放大器数
- 1
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 16V
- 轨到轨
- 轨到轨输出
- 增益带宽积(GBW)
- 2MHz
描述微微安输入偏置电流静电计放大器
近期成交100单+
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 1
- 接收器数
- 1
- 工作电压
- 3V~3.6V
描述MAX3483E系列（MAX3483E/MAX3485E/MAX3486E/MAX3488E/MAX3490E/MAX3491E）器件是用于RS - 485和RS - 422通信的±15kV ESD保护、+3.3V低功耗收发器。每个器件包含一个驱动器和一个接收器。MAX3483E和MAX3488E具有压摆率限制驱动器，可最大程度减少电磁干扰（EMI），并减少因电缆端接不当引起的反射，允许在高达250kbps的数据速率下进行无差错数据传输
近期成交100单+
- 分辨率(位)
- 24
- 采样率
- 4.7Hz
- 通道数
- 2
- 工作电压
- 3V~5.25V
描述4.8 kHz、超低噪声、24位、Σ-Δ型ADC，内置PGA
近期成交100单+
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 1
- 接收器数
- 1
- 工作电压
- 4.75V~5.25V
描述MAX13487E/MAX13488E是半双工、高数据速率的RS-485/RS-422兼容收发器，具有自动方向控制功能。
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz 先进的 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbytes Flash，在 55℃ 下 10 kycles 后数据保留 20 年。 数据存储器：640 bytes 真正的数据 EEPROM，耐久性 300 kycles。 RAM：1 Kbytes。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制，4 种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的 16 MHz RC、内部低功耗 128 kHz RC
近期成交58单
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 512KB
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。 数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M4
- CPU最大主频
- 80MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 256KB
描述特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 32MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M0
- CPU最大主频
- 48MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。 内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。 时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 32KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 中密度闪存/EEPROM：程序存储器为32 KB闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年；数据存储器为128字节真正的数据EEPROM，可承受高达100k次写/擦除周期。 RAM为2 KB。 2.95V至5.5V工作电压。 灵活的时钟控制，4个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调节的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。 带时钟监控的时钟安全系统
近期成交75单
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 64MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C。 存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）
近期成交100单+