- 类目
- 贴片电容(MLCC)
- DC-DC电源芯片
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- 场效应管(MOSFET)
- 贴片电阻
- 线性稳压器(LDO)
- 贴片圆螺母
- 功率电感
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 钽电容
- 肖特基二极管
- 无源晶振
- 晶体管输出光耦
- 三极管(BJT)
- 运算放大器
- 发光二极管/LED
- RS-485/RS-422芯片
- SMT载流铜片
- 直插铝电解电容
- 线对板针座
多选 - 品牌
- TI(德州仪器)
- SAMSUNG(三星)
- ST(意法半导体)
- muRata(村田)
- YAGEO(国巨)
- Sinhoo(雄和远景)
- UMW(友台半导体)
- ADI(亚德诺)
- FH(风华)
- MDD(辰达半导体)
- YXC(扬兴晶振)
- Kyocera AVX
- UNI-ROYAL(厚声)
- Infineon(英飞凌)
- CJ(江苏长电/长晶)
- HRE(芯声)
- ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
- onsemi(安森美)
- Nexperia(安世)
- cjiang(长江微电)
多选
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 4.5V~60V
- 输出电压
- 800mV~58.8V
- 输出电流
- 5A
描述TPS54560是一款60V、5A的降压调节器,具有集成的高压侧MOSFET。它支持轻载下的脉冲跳跃模式,以提高效率。该器件还具有宽输入电压范围（4.5V至60V）,低静态电流（146μA）和低关断电流（2μA）。开关频率可在100kHz至2.5MHz之间调整,并支持外部时钟同步。
近期成交100单+
- 类型
- CAN收发器
- 数据速率
- 1Mbps
- 工作电压
- 3.3V
- 工作电流
- 17mA
描述适用于3.3V供电的CAN总线收发器，支持高达1Mbps的数据速率。
近期成交100单+
- 检测温度
- -40℃~+125℃
- 精度
- ±0.5℃
- 工作电压
- 1.4V~3.6V
- 待机电流
- 1uA
描述TMP112 具有 I2C/SMBus 接口且工作电压为 1.4V 的 ±0.5°C 温度传感器，支持报警功能
近期成交100单+
- 输出类型
- 固定
- 工作电压
- 5.2V~18V
- 输出电压
- 5V
- 输出电流
- 10mA
描述REF5050 5V、3μVpp/V 噪声、3ppm/°C 温漂、精密串联电压基准
近期成交100单+
- 通道类型
- 双向
- 输入信号
- CMOS
- 输出信号
- CMOS
- 工作电压(VCCA)
- 1.65V~5.5V
描述SN74LVC8T245 具有可配置电压转换和三态输出的 8 位双电源总线收发器
近期成交100单+
- 输出类型
- 固定
- 工作电压
- 2.098V~5.5V
- 输出电压
- 2.048V
- 输出电流
- 25mA
描述REF3020 采用 3 引脚 SOT-23 封装的 2.048V、50ppm/°C、50μA 输入串联（带隙）电压基准
近期成交100单+
- 通道数
- 1
- 工作电压
- 7V~44V
- 芯片类型
- V-I转换器
- 工作温度
- -55℃~+125℃
描述XTR111是一款精密电压 - 电流转换器，专为标准的0mA - 20mA或4mA - 20mA模拟信号设计，最大输出电流可达36mA。输入电压与输出电流的比例由单个电阻R̅SET'设定。该电路也可修改为电压输出。外部P沟道MOSFET晶体管确保了高输出电阻和宽泛的耐压电压范围，该范围从电源电压VVSP以下2V延伸至远低于地电位的电压。可调的3V至15V子稳压器输出为额外电路提供电源电压。XTR111提供MSOP和DFN表面贴装封装。
近期成交100单+
- 输出极性
- 正极
- 工作电压
- 15V
- 输出电压
- 3.3V
- 输出电流
- 800mA
描述LM1117 800mA 15V 线性稳压器
近期成交100单+
近期成交100单+
- 输出类型
- 三态
- 工作电压
- 1.65V~5.5V
- 元件数
- 1
- 每个元件位数
- 1
描述SN74LVC1G125 具有三态输出的 1.65V 至 5.5V 单路缓冲器
近期成交100单+
- 最大数据速率
- 200Kbps
- 通讯模式
- 半双工
- 隔离电压(Vrms)
- 2500
- CMTI(kV/us)
- 25kV/us
描述ISO3082 200Kbps、半双工、2.5kVrms 隔离式 RS-485 和 RS-422 收发器
近期成交100单+
- 开关电路
- 8:1
- 通道数
- 1
- 导通电阻(Ron)
- 125Ω
- 工作电压
- 3V~20V
描述低导通阻抗和极低关断漏电流的数字控制模拟开关，适用于多种数字和模拟信号电平。
近期成交100单+
- 输出极性
- 正极
- 工作电压
- 20V
- 输出电压
- 0V~15V
- 输出电流
- 500mA
描述20V、500mA、超低噪声、超高 PSRR 线性稳压器
近期成交100单+
- 检测温度
- -55℃~+125℃
- 精度
- ±0.5℃
- 工作电压
- 3V~5.5V
- 待机电流
- 1uA
描述分辨率可编程设置的1-Wire数字温度计、 通过最少的连线实现高精度温度测量，理想用于多传感器测量系统
近期成交100单+
- 正向通道数
- 1
- 反向通道数
- 1
- 最大数据速率
- 1Mbps
- 隔离电压(Vrms)
- 2500
描述结合高速CMOS和单片变压器技术，这些隔离组件提供了优于光耦合器等替代方案的出色性能。通过避免使用LED和光电二极管，iCoupler设备消除了与光耦合器相关的设计难题。简单的iCoupler数字接口和稳定的性能特性消除了典型光耦合器对不确定电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响的担忧。这些iCoupler产品无需外部驱动器和其他分立组件
近期成交100单+
- 功能特性
- 失效保护电路；上电确定状态
描述ADM2483差分总线收发器是一款集成式、电流隔离组件，专为平衡多点总线传输线上的双向数据通信而设计。它符合ANSI EIA/TIA - 485 - A和ISO 8482: 1987(E)标准。ADM2483采用iCoupler技术，将一个3通道隔离器、一个三态差分线路驱动器和一个差分输入接收器集成在一个封装中
近期成交100单+
- 加速度计轴向
- X,Y,Z
- 加速度计量程(MAX)
- ±8.192g
- 传感器类型
- 加速度计
- 输出位数
- 20bit
描述模拟输出和数字输出是低噪声密度、低0g偏移漂移、低功耗的3轴加速度计，具有可选的测量范围。支持±2g、±4g、±8g等不同范围。提供行业领先的噪声性能、极小的温度偏移漂移和长期稳定性，可实现高精度应用，且校准工作量极小。
近期成交99单
- 放大器数
- 双路
- 单电源电压
- 4.5V~55V
- 双电源(Vee~Vcc)
- -27.5V~-2.25V；2.25V~27.5V
- 输入失调电压(Vos)
- 5uV
描述双通道55V、EMI增强型、零漂移、超低噪声、RRO运算放大器
近期成交100单+
- 功能特性
- 可调限流；过流保护
- 输入电压
- 3V~5.5V
- 输出电流
- 3A
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述是完整的单芯片温度控制器，用于珀尔帖热电冷却器 (TEC) 模块。片上功率 FET 和热控制环路电路可减少外部组件数量，同时保持高效率。可选 500kHz/1MHz 开关频率和独特的纹波消除方案可优化组件尺寸和效率，同时降低噪声。内部 MOSFET 的开关速度经过优化，可降低噪声和 EMI。超低漂移斩波放大器可保持 ±0.001℃ 的温度稳定性。直接控制输出电流而非电压，以消除电流浪涌。独立的加热和冷却电流及电压限制为 TEC 提供最高级别的保护。
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 输出通道数
- 4
- 工作电压(Vin)
- 4V~14V
- 输出电压(Vout)
- 600mV~5.5V
描述具有可配置4A输出阵列的四通道DC/DC μModule（电源模块）稳压器
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz 先进的 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbytes Flash，在 55℃ 下 10 kycles 后数据保留 20 年。 数据存储器：640 bytes 真正的数据 EEPROM，耐久性 300 kycles。 RAM：1 Kbytes。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制，4 种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的 16 MHz RC、内部低功耗 128 kHz RC
近期成交56单
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 512KB
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。 数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M4
- CPU最大主频
- 80MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 256KB
描述特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M4
- CPU最大主频
- 168MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 1MB
描述特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。 存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M0
- CPU最大主频
- 48MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。 内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。 时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 32KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 中密度闪存/EEPROM：程序存储器为32 KB闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年；数据存储器为128字节真正的数据EEPROM，可承受高达100k次写/擦除周期。 RAM为2 KB。 2.95V至5.5V工作电压。 灵活的时钟控制，4个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调节的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。 带时钟监控的时钟安全系统
近期成交66单
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 64MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C。 存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）
近期成交100单+