- 类目
- 贴片电容(MLCC)
- 贴片电阻
- DC-DC电源芯片
- 场效应管(MOSFET)
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- 线性稳压器(LDO)
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 贴片圆螺母
- 钽电容
- 肖特基二极管
- 无源晶振
- 晶体管输出光耦
- 线对板针座
- 三极管(BJT)
- 一体成型电感
- 贴片型铝电解电容
- 运算放大器
- 发光二极管/LED
- SMT载流铜片
- 直插铝电解电容
多选 - 品牌
- TI(德州仪器)
- SAMSUNG(三星)
- muRata(村田)
- YAGEO(国巨)
- ST(意法半导体)
- FH(风华)
- Sinhoo(雄和远景)
- FOJAN(富捷)
- ADI(亚德诺)
- UMW(友台半导体)
- CCTC(三环)
- onsemi(安森美)
- Nexperia(安世)
- Chinocera(华瓷)
- UNI-ROYAL(厚声)
- MDD(辰达半导体)
- YXC(扬兴晶振)
- Kyocera AVX
- R+O(宏嘉诚)
- Infineon(英飞凌)
多选
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 逻辑类型
- 与门
- 门电路数量
- 1
- 工作电压
- 2V~5.5V
- 静态电流(Iq)
- 1uA
描述SN74AHC1G08 单通道、2 输入、2V 至 5.5V 高速 (9ns) 与门
近期成交100+单
- 功能类型
- 升压型
- 工作电压
- 500mV~5.5V
- 输出电压
- 2.2V~5.5V
- 输出电流
- 3A
描述是一款具有0.5V超低输入电压的同步升压转换器。该器件可以为由多种电池和超级电容器供电的便携式设备和智能设备提供电源解决方案。在整个温度范围内，谷值开关电流限制典型值为3.7A。在0.5V至5.5V的宽输入电压范围内，支持超级电容器备用电源应用，这可能导致超级电容器深度放电
近期成交100+单
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 1
- 接收器数
- 1
- 工作电压
- 4.5V~5.5V
描述这些设备是半双工收发器，适用于 RS-485 数据总线网络。由 5V 电源供电，完全符合 TiA/EIA-485A 标准。
近期成交100+单
- 开关电路
- 4:1
- 通道数
- 2
- 导通电阻(Ron)
- 125Ω
- 工作电压
- 3V~20V
描述CD4052B 是一个差分 4-通道多路复用器，具有两个二进制控制输入 A 和 B，以及一个禁止输入。
近期成交100+单
- 类型
- 接收器
- 驱动器数
- 0
- 接收器数
- 4
- 工作电压
- 4.75V~5.25V
描述AM26LS32A和AM26LS33A设备是用于平衡和非平衡数字数据传输的四路差分线接收器。使能功能对所有四个接收器通用，并提供主动高选项。
近期成交100+单
- 类型
- 驱动器
- 驱动器数
- 4
- 接收器数
- 0
- 工作电压
- 4.75V~5.25V
描述四通道差分线驱动器，符合ANSI TIA/EIA-422-B和ITU V.11标准。单电源5V供电，TTL兼容，互补输出。
近期成交100+单
- 分辨率(位)
- 16
- 采样率
- 250kHz
- 通道数
- 8
- 工作电压
- 2.3V~5.5V
描述AD7682/AD7689是4/8通道、16位、电荷再分配逐次逼近寄存器(SAR)型模数转换器(ADC)，采用单电源VDD供电。AD7682/AD7689拥有多通道、低功耗数据采集系统所需的所有组成部分，包括：无失码的真16位SAR ADC；用于将输人配置为单端输入(使用或不使用参考地)、差分输人或双极性输入的4通道(AD7682)或8通道(AD7689)低串扰多路复用器；内部低漂移基准源(可以选择2.5V或4.096V)和缓冲器；温度传感器；可选择的单极点滤波器；以及当多通道依次连续采样时非常有用的序列器。AD7682/AD7689使用简单的SPI接口实现配置寄存器的写人和转换结果的接收。SPI接口使用单独的电源(VIO)，它被设定为主机逻辑电平。功耗与吞吐速率成正比。AD7682/AD7689采用小型20引脚LFCSP封装，工作温度范围为 -40°C至 +85°C。
近期成交100+单
- 放大器数
- 单路
- 共模抑制比(CMRR)
- 100dB
- 输入偏置电流(Ib)
- 500pA
- 输入失调电压(Vos)
- 30uV
描述低漂移、低功耗仪表放大器，增益设置范围1至10000
近期成交99单
- 最大数据速率
- 500Kbps
- 通讯模式
- 半双工
- 隔离电压(Vrms)
- 2500
- CMTI(kV/us)
- 25kV/us
描述ADM2483差分总线收发器是一款集成式、电流隔离组件，专为平衡多点总线传输线上的双向数据通信而设计。它符合ANSI EIA/TIA - 485 - A和ISO 8482: 1987(E)标准。ADM2483采用iCoupler技术，将一个3通道隔离器、一个三态差分线路驱动器和一个差分输入接收器集成在一个封装中
近期成交100+单
- 加速度计轴向
- X,Y,Z
- 加速度计量程(MAX)
- ±8.192g
- 传感器类型
- 加速度计
- 输出位数
- 20bit
描述模拟输出和数字输出是低噪声密度、低0g偏移漂移、低功耗的3轴加速度计，具有可选的测量范围。支持±2g、±4g、±8g等不同范围。提供行业领先的噪声性能、极小的温度偏移漂移和长期稳定性，可实现高精度应用，且校准工作量极小。
近期成交100+单
- CPU内核
- ARM Cortex-M0
- CPU最大主频
- 48MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 16KB
描述特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V
近期成交100+单
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器
近期成交100+单
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 512KB
近期成交100+单
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。 数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
近期成交100+单
- CPU内核
- ARM Cortex-M0
- CPU最大主频
- 48MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。 内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。 时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量
近期成交100+单
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 128KB
描述特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART
近期成交100+单
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O
近期成交100+单
- 加速度计轴向
- X,Y,Z
- 加速度计量程(MAX)
- ±16g
- 传感器类型
- 加速度计
- 输出位数
- 8bit；10bit；12bit
描述3轴MEMS加速度计，超低功耗，±2g/±4g/±8g/±16g满量程，高速I2C/SPI数字输出，内置FIFO和高性能加速度传感器，VFLGA封装
近期成交100+单
- 加速度计轴向
- X,Y,Z
- 加速度计量程(MAX)
- ±16g
- 陀螺仪轴向
- X,Y,Z
- 陀螺仪量程(MAX)
- ±2000dps
描述是一款6轴MEMS MotionTracking设备，结合了3轴陀螺仪和3轴加速度计。它具有可配置的主机接口，支持I3CSM、I²C和SPI串行通信，具有2 kB FIFO和2个可编程中断，并支持超低功耗运动唤醒功能，以最大限度地降低系统功耗。支持高精度外部时钟输入，有助于减少系统级灵敏度误差，提高陀螺仪数据的方向测量精度，降低ODR对温度和器件间差异的敏感度。该设备在FIFO中首次支持20位数据格式，以实现高数据分辨率
- CPU内核
- ARM Cortex-M4
- CPU最大主频
- 168MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 512KB
描述特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。
近期成交100+单
- CPU内核
- ARM Cortex-M4
- CPU最大主频
- 120MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 256KB
描述属于GD32 MCU系列的主流产品线，是一款基于ARM® Cortex®- M4 RISC内核的新型32位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®- M4内核实现了全套DSP指令，以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持。集成了工作频率为120 MHz的ARM® Cortex®- M4 32位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最高效率。提供高达3072 KB的片上闪存和96 KB的SRAM。大量增强型I/O和外设连接到两条APB总线
近期成交100+单
- 分辨率(位)
- 24位
- 工作电压
- 4.75V~5.25V
- 信噪比
- 121dB
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述ADS1299-x 是一个四、六或八通道的低噪声、24位、同时采样的ΔΣ模数转换器，具有内置可编程增益放大器、内部参考电压和片上振荡器。适用于颅外脑电图(EEG)和心电图(ECG)应用。
近期成交100+单
