- 类目
- 贴片电容(MLCC)
- DC-DC电源芯片
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- 场效应管(MOSFET)
- 线性稳压器(LDO)
- 钽电容
- 贴片电阻
- 贴片圆螺母
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 功率电感
- 肖特基二极管
- 无源晶振
- 线对板针座
- 晶体管输出光耦
- 运算放大器
- 直插铝电解电容
- 三极管(BJT)
- 发光二极管/LED
- RS-485/RS-422芯片
- SMT载流铜片
多选 - 品牌
- TI(德州仪器)
- SAMSUNG(三星)
- ST(意法半导体)
- muRata(村田)
- Sinhoo(雄和远景)
- YAGEO(国巨)
- UMW(友台半导体)
- ADI(亚德诺)
- FH(风华)
- Kyocera AVX
- MDD(辰达半导体)
- YXC(扬兴晶振)
- UNI-ROYAL(厚声)
- CJ(江苏长电/长晶)
- Infineon(英飞凌)
- Nexperia(安世)
- cjiang(长江微电)
- onsemi(安森美)
- XUNPU(讯普)
- ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
多选
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 输出类型
- 固定
- 工作电压
- 5.5V
- 输出电压
- 3.3V
- 输出电流
- 1A
描述TLV757P 具有使能功能的 1A、低 IQ、高精度、低压降稳压器
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 6V~100V
- 输出电流
- 1A
- 开关频率
- 1MHz
描述LM5164 是一款设计用于可靠和坚固应用的同步降压转换器,能够在宽输入电压范围内调节,支持 6V 至 100V 的输入电压范围,具有固定的 3ms 内部软启动计时器,峰值和谷值电流限制保护,输入欠压锁定和热关断保护,适合工业电源和高电池计数电池包应用。
近期成交100单+
- 通道类型
- 双向
- 数据速率
- 60Mbps
- 工作电压(VCCA)
- 1.4V~3.6V
- 工作电压(VCCB)
- 1.65V~5.5V
描述TXS0108E 8 位双向电压电平转换器，适用于漏极开路和推挽应用
近期成交100单+
- 工作电压
- 1.8V~5.5V
- 工作电流
- 35nA
- 工作温度
- -40℃~+105℃
描述TPL5010 具有看门狗功能和手动复位功能的毫微功耗系统计时器
近期成交100单+
- 工作电压(Vin)
- 2.7V~5.5V
- 静态电流(Iq)
- 390uA
- 输出电阻
- 2.5Ω
- 开关频率
- 2MHz
描述LM27762 带有集成 LDO 的低噪声正负输出电荷泵
近期成交100单+
- 放大器数
- 单路
- 单电源电压
- 1.8V~5.5V
- 双电源(Vee~Vcc)
- 900mV~2.75V；-2.75V~-900mV
- 输入失调电压(Vos)
- 2uV
描述TLV333 适用于成本敏感型系统的单路、350kHz、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器
近期成交100单+
- 放大器数
- 1
- 轨到轨
- 轨到轨输入,轨到轨输出
- 增益带宽积(GBW)
- 10MHz
- 输入失调电压(Vos)
- 1.6mV
描述TLV9061 适用于成本优化型应用的单通道、5.5V、10MHz、RRIO 运算放大器
近期成交100单+
- 放大器数
- 2
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 5.5V
- 轨到轨
- 轨到轨输入,轨到轨输出
- 增益带宽积(GBW)
- 10MHz
描述TLV9062 双路、5.5V、10MHz 运算放大器
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 4.5V~28V
- 输出电流
- 3A
- 开关频率
- 400kHz
描述TPS54302是一款4.5V至28V输入电压范围的3A同步降压转换器。该设备集成了两个MOSFET,内部环路补偿和5ms软启动时间,以减少组件数量。固定400kHz开关频率,具有低2μA关断电流和45μA静态电流。采用SOT-23封装,实现了高功率密度和小型化。
近期成交100单+
- 功能
- 串行至串行或并行
- 工作电压
- 2V~6V
- 时钟频率(fc)
- 29MHz
- 元件数
- 1
描述SN74HC595 具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器
近期成交100单+
- 输出类型
- 固定
- 工作电压
- 2.7V~18V
- 输出电压
- 2.5V
- 输出电流
- 10mA
描述REF5025 2.5V、3μVpp/V 噪声、3ppm/°C 温漂、精密串联电压基准
近期成交100单+
- 功能特性
- 可调限流；工作状态指示；内置电流感应电阻；频率同步
描述超紧凑3A热电冷却器(TEC)控制器
近期成交40单
- 分辨率(位)
- 24
- 采样率
- 19.2kHz
- 通道数
- 4
- 工作电压
- 2.7V~3.6V
描述集成PGA和基准电压源的4通道、低噪声、低功耗24位Σ-Δ型ADC
近期成交50单
近期成交100单+
描述ADM2483差分总线收发器是一款集成式、电流隔离组件，专为平衡多点总线传输线上的双向数据通信而设计。它符合ANSI EIA/TIA - 485 - A和ISO 8482: 1987(E)标准。ADM2483采用iCoupler技术，将一个3通道隔离器、一个三态差分线路驱动器和一个差分输入接收器集成在一个封装中
近期成交100单+
- 分辨率(位)
- 24
- 采样率
- 470Hz
- 通道数
- 3
- 工作电压
- 2.7V~5.25V
描述3通道、低噪声、低功耗、24位Σ-Δ型ADC，内置片内仪表放大器
近期成交63单
- 放大器数
- 单路
- 共模抑制比(CMRR)
- 100dB
- 输入偏置电流(Ib)
- 500pA
- 输入失调电压(Vos)
- 50uV
描述低漂移、低功耗仪表放大器，增益设置范围1至10000
近期成交100单+
- 工作电压
- 2.3V~5.5V
- 分辨率(位)
- 10
- 时钟频率(fc)
- 25MHz
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述AD9833是一款低功耗直接数字频率合成(DDS)设备，支持高达25 MHz的时钟速率。
近期成交100单+
- 放大器数
- 单路
- 共模抑制比(CMRR)
- 100dB
- 输入偏置电流(Ib)
- 5nA
- 输入失调电压(Vos)
- 150uV
描述10MHZ、G=1/10/100/1000ICMOS®可编程增益仪表放大器
近期成交81单
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz 先进的 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbytes Flash，在 55℃ 下 10 kycles 后数据保留 20 年。 数据存储器：640 bytes 真正的数据 EEPROM，耐久性 300 kycles。 RAM：1 Kbytes。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制，4 种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的 16 MHz RC、内部低功耗 128 kHz RC
近期成交59单
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 512KB
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。 数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M4
- CPU最大主频
- 80MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 256KB
描述特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 32MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M7
- CPU最大主频
- 480MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 2MB
描述特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1），以及DSP指令。高达2MB的闪存，支持边读边写。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护。高达168个具有中断能力的I/O端口
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 32KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 中密度闪存/EEPROM：程序存储器为32 KB闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年；数据存储器为128字节真正的数据EEPROM，可承受高达100k次写/擦除周期。 RAM为2 KB。 2.95V至5.5V工作电压。 灵活的时钟控制，4个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调节的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。 带时钟监控的时钟安全系统
近期成交98单
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 64MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C。 存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）
近期成交100单+