- 类目
- 贴片电容(MLCC)
- DC-DC电源芯片
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- 场效应管(MOSFET)
- 贴片电阻
- 线性稳压器(LDO)
- 贴片圆螺母
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 功率电感
- 钽电容
- 肖特基二极管
- 无源晶振
- 晶体管输出光耦
- 三极管(BJT)
- 运算放大器
- 发光二极管/LED
- RS-485/RS-422芯片
- SMT载流铜片
- 直插铝电解电容
- 线对板针座
多选 - 品牌
- TI(德州仪器)
- SAMSUNG(三星)
- ST(意法半导体)
- muRata(村田)
- YAGEO(国巨)
- Sinhoo(雄和远景)
- UMW(友台半导体)
- ADI(亚德诺)
- FH(风华)
- MDD(辰达半导体)
- YXC(扬兴晶振)
- Kyocera AVX
- UNI-ROYAL(厚声)
- Infineon(英飞凌)
- CJ(江苏长电/长晶)
- HRE(芯声)
- ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
- onsemi(安森美)
- Nexperia(安世)
- cjiang(长江微电)
多选
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
描述TPS2116 1.6V 至 5.5V、40mΩ、2.5A、低 IQ、优先级电源多路复用器
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 3.8V~30V
- 输出电压
- 800mV~22V
- 输出电流
- 3A
描述TPS62933 采用 SOT-583 封装的 3.8V 至 30V、3A、200kHz 至 2.2MHz、低 IQ 同步降压转换器
近期成交100单+
- 输入电压(Vin)
- 3.2V~65V
- 反向耐压
- 65V
- FET类型
- 外置FET
- 栅极驱动电压
- 15V
描述LM74700-Q1 3.2V 至 65V、80uA IQ 汽车理想二极管控制器
近期成交100单+
- 输出类型
- 固定
- 工作电压
- 6V
- 输出电压
- 800mV~5.5V
- 输出电流
- 300mA
描述TPS7A20 是一款超小型低压降 (LDO) 线性稳压器，可提供 300 mA 的输出电流。TPS7A20 旨在提供符合射频和其他敏感模拟电路要求的低噪声、高 PSRR 和出色的负载和线路瞬态性能。TPS7A20 采用创新的设计技术，无需噪声旁路电容便可提供超低的噪声性能。
近期成交100单+
- 输出类型
- 固定
- 工作电压
- 6V
- 输出电压
- 3.3V
- 输出电流
- 300mA
描述TPS7A20 是一款超小型低压降 (LDO) 线性稳压器，可提供 300 mA 的输出电流。TPS7A20 旨在提供符合射频和其他敏感模拟电路要求的低噪声、高 PSRR 和出色的负载和线路瞬态性能。TPS7A20 采用创新的设计技术，无需噪声旁路电容便可提供超低的噪声性能。
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 4.5V~60V
- 输出电压
- 800mV~58.8V
- 输出电流
- 5A
描述TPS54560B 具有 Eco-mode™ 的 4.5V 至 60V 输入、5-A、降压直流/直流转换器
近期成交100单+
- 功能类型
- 升压型
- 工作电压
- 500mV~5.5V
- 输出电压
- 2.2V~5.5V
- 输出电流
- 3A
描述是一款具有0.5V超低输入电压的同步升压转换器。该器件可以为由多种电池和超级电容器供电的便携式设备和智能设备提供电源解决方案。在整个温度范围内，谷值开关电流限制典型值为3.7A。在0.5V至5.5V的宽输入电压范围内，支持超级电容器备用电源应用，这可能导致超级电容器深度放电
近期成交100单+
- 功能类型
- 升压型
- 工作电压
- 500mV~5.5V
- 输出电压
- 2.2V~5.5V
- 输出电流
- 3A
描述TPS61022 具有 0.5V 超低输入电压的 8A 升压转换器
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 3.8V~36V
- 输出电压
- 1V~24V
- 输出电流
- 3A
描述LMR33630 具有超低 EMI 的 SIMPLE SWITCHER® 3.8V 至 36V、3A 同步降压转换器
近期成交100单+
- 放大器类型
- 跨阻放大器
- 工作温度
- -55℃~+125℃
- 输入失调电压(Vos)
- 1.5mV
- 输入失调电压温漂(Vos TC)
- 3uV/℃
描述AMC1311 2V 输入、精密电压检测增强型隔离式放大器
近期成交100单+
- 检测温度
- -55℃~+150℃
- 精度
- ±0.1℃
- 工作电压
- 1.7V~5.5V
- 待机电流
- 3.1uA
描述TMP117 具有 48 位 EEPROM、可替代 PT100/PT1000 RTD 的 0.1°C 数字温度传感器
近期成交100单+
描述ADM2483差分总线收发器是一款集成式、电流隔离组件，专为平衡多点总线传输线上的双向数据通信而设计。它符合ANSI EIA/TIA - 485 - A和ISO 8482: 1987(E)标准。ADM2483采用iCoupler技术，将一个3通道隔离器、一个三态差分线路驱动器和一个差分输入接收器集成在一个封装中
近期成交100单+
描述RTD至数字输出转换器、完整解决方案，采用带有RTD故障检测和输入电压保护的数字温度读取
近期成交100单+
- 放大器数
- 单路
- 输入失调电压(Vos)
- 100uV
- 输入失调电压温漂(Vos TC)
- 400nV/℃
- 增益带宽积(GBW)
- 8MHz
描述低噪声、精密运算放大器
近期成交100单+
- 放大器数
- 单路
- 共模抑制比(CMRR)
- 100dB
- 输入偏置电流(Ib)
- 500pA
- 输入失调电压(Vos)
- 50uV
描述低漂移、低功耗仪表放大器，增益设置范围1至10000
近期成交100单+
- 输出类型
- 可调
- 工作电压
- 20V
- 输出电压
- 0V~15V
- 输出电流
- 500mA
描述20V、500mA、超低噪声、超高 PSRR 线性稳压器
近期成交100单+
- 分辨率(位)
- 24
- 采样率
- 19.2kHz
- 通道数
- 4
- 工作电压
- 2.7V~3.6V
描述集成PGA和基准电压源的4通道、低噪声、低功耗24位Σ-Δ型ADC
近期成交47单
近期成交100单+
- 放大器类型
- 对数放大器
- 工作温度
- -40℃~+85℃
- 静态电流(Iq)
- 8mA
- 单电源
- 2.7V~5.5V
描述快速响应、直流至440MHz、电压输出、90dB对数放大器
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 512KB
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。 数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M4
- CPU最大主频
- 80MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 256KB
描述特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 32MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M7
- CPU最大主频
- 480MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 2MB
描述特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1），以及DSP指令。高达2MB的闪存，支持边读边写。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护。高达168个具有中断能力的I/O端口
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 32KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 中密度闪存/EEPROM：程序存储器为32 KB闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年；数据存储器为128字节真正的数据EEPROM，可承受高达100k次写/擦除周期。 RAM为2 KB。 2.95V至5.5V工作电压。 灵活的时钟控制，4个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调节的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。 带时钟监控的时钟安全系统
近期成交86单
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 64MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C。 存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M4
- CPU最大主频
- 168MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 1MB
描述特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。
近期成交100单+