- 类目
- 贴片电容(MLCC)
- DC-DC电源芯片
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- 场效应管(MOSFET)
- 贴片电阻
- 线性稳压器(LDO)
- 贴片圆螺母
- 功率电感
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 钽电容
- 肖特基二极管
- 无源晶振
- 晶体管输出光耦
- 三极管(BJT)
- 运算放大器
- 发光二极管/LED
- RS-485/RS-422芯片
- SMT载流铜片
- 直插铝电解电容
- 线对板针座
多选 - 品牌
- TI(德州仪器)
- SAMSUNG(三星)
- ST(意法半导体)
- muRata(村田)
- YAGEO(国巨)
- Sinhoo(雄和远景)
- UMW(友台半导体)
- ADI(亚德诺)
- FH(风华)
- MDD(辰达半导体)
- YXC(扬兴晶振)
- Kyocera AVX
- UNI-ROYAL(厚声)
- Infineon(英飞凌)
- CJ(江苏长电/长晶)
- HRE(芯声)
- ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
- onsemi(安森美)
- Nexperia(安世)
- cjiang(长江微电)
多选
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 4.5V~60V
- 输出电压
- 800mV~58.8V
- 输出电流
- 3.5A
描述TPS54360是一款60V输入、3.5A输出的降压DC-DC转换器,具有集成的高压侧MOSFET。它支持4.5V至60V的输入电压范围,具备负载突变保护、低静态电流和脉冲跳跃模式等功能,适用于工业、汽车和通信系统。
近期成交100单+
- 输出类型
- 可调
- 工作电压
- 2.5V~36V
- 输出电压
- 2.495V~36V
- 输出电流
- 100mA
描述TL431 可调精密并联稳压器
近期成交100单+
- 集成FET
- 是
- 峰值电流
- 1.9A
- 工作电压
- 1.8V~7V
- 导通电阻
- 280mΩ
描述DRV8837 12V、1.8A H 桥电机驱动器
近期成交100单+
- 开关电路
- 2:1
- 通道数
- 1
- 导通电阻(Ron)
- 6Ω
- 工作电压
- 1.65V~5.5V
描述低导通电阻，1.65V至5.5V Vcc工作电压。适用于模拟和数字信号应用。
近期成交100单+
- 放大器数
- 单路
- 共模抑制比(CMRR)
- 104dB
- 输入偏置电流(Ib)
- 35nA
- 输入失调电压(Vos)
- 150uV
描述INA826 200μA 电源电流、36V 电源精密仪表放大器
近期成交100单+
- 输出类型
- 固定
- 工作电压
- 3.05V~5.5V
- 输出电压
- 3V
- 输出电流
- 25mA
描述REF3030 采用 3 引脚 SOT-23 封装的 3V、50ppm/°C、50μA 输入串联（带隙）电压基准
近期成交100单+
- 分辨率(位)
- 16
- 采样率
- 860Hz
- 通道数
- 2
- 工作电压
- 2V~5.5V
描述ADS1115 具有 PGA、振荡器、VREF、比较器、I2C 的 16 位 860SPS 4 通道 Δ-Σ ADC
近期成交100单+
- 输出类型
- 固定
- 工作电压
- 3.35V~5.5V
- 输出电压
- 3.3V
- 输出电流
- 25mA
描述REF3033 采用 3 引脚 SOT-23 封装的 3.3V、50ppm/°C、50μA 输入串联（带隙）电压基准
近期成交100单+
- 比较器数
- 单路
- 输入失调电压(Vos)
- 7mV
- 输入偏置电流(Ib)
- 250nA
- 传播延迟(tpd)
- 600ns
描述LMV331 单通道通用低电压比较器
近期成交100单+
- 输出类型
- 固定
- 工作电压
- 1.8V~5.5V
- 输出电压
- 1.25V
- 输出电流
- 25mA
描述REF3012 采用 3 引脚 SOT-23 封装的 1.25V、50ppm/°C、50μA 输入串联（带隙）电压基准
近期成交100单+
- 输出极性
- 负极
- 工作电压
- 36V
- 输出电压
- 1.18V~33V
- 输出电流
- 200mA
描述TPS7A30 -3V 至 -35V 输入电压、-200mA、超低噪声、高 PSRR、低压降线性稳压器
近期成交100单+
- 通道类型
- 双向
- 工作电压(VCCA)
- 1.2V~3.3V
- 工作电压(VCCB)
- 1.8V~5.5V
- 元件数
- 1
描述PCA9306 2 位双向 400kHz I2C/SMBus 电压电平转换器
近期成交100单+
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 1
- 接收器数
- 1
- 工作电压
- 4.75V~5.25V
描述MAX485是用于RS-485和RS-422通信的低功耗收发器。每个部分包含一个驱动器和一个接收器。
近期成交100单+
- 加速度计轴向
- X,Y,Z
- 加速度计量程(MAX)
- ±16g
- 传感器类型
- 加速度计
- 输出位数
- 16bit
描述3轴、±2G/±4G/±8G/±16G数字加速度计
近期成交100单+
- 功能特性
- 数字滤波
描述RTD至数字输出转换器、完整解决方案，采用带有RTD故障检测和输入电压保护的数字温度读取
近期成交100单+
- 分辨率(位)
- 16
- 采样率
- 1MHz
- 通道数
- 16
- 工作电压
- 4.75V~5.25V
描述AD7616是一款16位DAS，支持对16个通道进行双路同步采样。采用5 V单电源供电，可以处理±10 V、±5 V和±2.5 V真双极性输入信号，同时每对通道均能以高达1MSPS的吞吐速率和90.5 dB SNR采样。利用片内过采样模式可实现更高的SNR性能（过采样率 (OSR) 为2时，SNR为92 dB）。输入箝位保护电路可以耐受高达±21 V的电压。无论以何种采样频率工作，AD7616的模拟输入阻抗均为1 MΩ。它采用单电源工作方式，具有片内滤波和高输入阻抗，因此无需驱动运算放大器和外部双极性电源。该器件均内置模拟输入箝位保护、一个双路16位电荷再分配SAR模数转换器 (ADC)、一个灵活的数字滤波器、2.5 V基准电压源和基准电压缓冲器以及高速串行和并行接口。AD7616兼容串行外设接口 (SPI)/QSPI/DSP/MICROWIRE。
近期成交100单+
- 通讯模式
- 全双工；半双工
- 集成电源工作电压
- 3.3V；5V
- 集成电源输出电压
- 3.3V
- 隔离电压(Vrms)
- 2500
描述2.5kV信号和电源隔离、±15kVESD保护、全/半双工RS-485收发器(500kbps)
近期成交100单+
- 最大数据速率
- 16Mbps
- 通讯模式
- 全双工；半双工
- 集成电源工作电压
- 3.3V；5V
- 集成电源输出电压
- 3.3V
描述2.5kV信号和电源隔离、±15kVESD保护、全/半双工RS-485收发器(16Mbps)
近期成交100单+
- 最大数据速率
- 1Mbps
- 集成电源工作电压
- 4.5V~5.5V
- 隔离电压(Vrms)
- 2500
- CMTI(kV/us)
- 25kV/us
描述信号和电源隔离式CAN收发器，集成隔离式DC-DC转换器
近期成交100单+
- 功能特性
- 低功耗；USB透明隔离；USB速率自适应；上电时序与隔离控制
描述全速/低速USB数字隔离器
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz 先进的 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbytes Flash，在 55℃ 下 10 kycles 后数据保留 20 年。 数据存储器：640 bytes 真正的数据 EEPROM，耐久性 300 kycles。 RAM：1 Kbytes。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制，4 种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的 16 MHz RC、内部低功耗 128 kHz RC
近期成交58单
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 512KB
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。 数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M4
- CPU最大主频
- 80MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 256KB
描述特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 32MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M0
- CPU最大主频
- 48MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。 内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。 时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 32KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 中密度闪存/EEPROM：程序存储器为32 KB闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年；数据存储器为128字节真正的数据EEPROM，可承受高达100k次写/擦除周期。 RAM为2 KB。 2.95V至5.5V工作电压。 灵活的时钟控制，4个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调节的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。 带时钟监控的时钟安全系统
近期成交66单
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 64MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C。 存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）
近期成交100单+