- 类目
- 贴片电容(MLCC)
- DC-DC电源芯片
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- 场效应管(MOSFET)
- 贴片电阻
- 线性稳压器(LDO)
- 贴片圆螺母
- 功率电感
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 钽电容
- 肖特基二极管
- 无源晶振
- 晶体管输出光耦
- 三极管(BJT)
- 运算放大器
- 发光二极管/LED
- RS-485/RS-422芯片
- SMT载流铜片
- 直插铝电解电容
- 线对板针座
多选 - 品牌
- TI(德州仪器)
- SAMSUNG(三星)
- ST(意法半导体)
- muRata(村田)
- YAGEO(国巨)
- Sinhoo(雄和远景)
- UMW(友台半导体)
- ADI(亚德诺)
- FH(风华)
- MDD(辰达半导体)
- YXC(扬兴晶振)
- Kyocera AVX
- UNI-ROYAL(厚声)
- Infineon(英飞凌)
- CJ(江苏长电/长晶)
- HRE(芯声)
- ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
- onsemi(安森美)
- Nexperia(安世)
- cjiang(长江微电)
多选
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 通道类型
- 双向
- 数据速率
- 24Mbps
- 工作电压(VCCA)
- 1.65V~3.6V
- 工作电压(VCCB)
- 2.3V~5.5V
描述这款两位同相转换器是一款双向电压电平转换器,可用于实现混合电压系统之间的数字开关兼容性。它采用两个独立的可配置电源轨,A端口在跟踪VCCA电源时支持1.65 V至3.6 V的工作电压,B端口在跟踪VCCB电源时支持2.3 V至5.5 V的工作电压。这使得它既能支持较低和较高的逻辑信号电平,又能在1.8 V、2.5 V、3.3 V和5 V的任意电压节点之间提供双向转换功能
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 4.5V~28V
- 输出电流
- 3A
- 开关频率
- 400kHz
描述TPS54302是一款4.5V至28V输入电压范围的3A同步降压转换器。该设备集成了两个MOSFET,内部环路补偿和5ms软启动时间,以减少组件数量。固定400kHz开关频率,具有低2μA关断电流和45μA静态电流。采用SOT-23封装,实现了高功率密度和小型化。
近期成交100单+
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 2
- 接收器数
- 2
- 数据速率
- 250Kbps
描述该设备包含两个线驱动器、两个线接收器和一个双电荷泵电路。它符合TIA/ElA-232-F标准,并提供异步通信控制器与串行端口连接器之间的电气接口。
近期成交100单+
- 放大器数
- 1
- 共模电压
- -200mV~26V
- 增益
- 50V/V
- 带宽
- 210kHz
描述INA180 26V、350kHz 电流检测放大器
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 4.5V~28V
- 输出电流
- 2A
- 开关频率
- 500kHz
描述TPS54202是一款4.5V至28V输入电压范围、2A输出电流的同步降压转换器。该器件集成了两个MOSFET,具有固定的500kHz开关频率,内置环路补偿和5ms软启动时间,以减少浪涌电流。此外,它还具有低关断电流(2μA)和低静态电流(45μA)。
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 4V~40V
- 输出电压
- 800mV~28V
- 输出电流
- 3.5A
描述LMR14030 具有 40uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER®、40V、3.5A 2.2MHz 降压转换器
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 4V~40V
- 输出电压
- 800mV~28V
- 输出电流
- 5A
描述LMR14050 具有 40μA IQ 的 SIMPLE SWITCHER®、40V、5A 2.2MHz 降压转换器
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 2.5V~5.5V
- 输出电压
- 600mV~5.5V
- 输出电流
- 2A
描述TLV62569 采用 SOT23 或 SOT563 封装的 2.5V-5.5V 输入、2A 高效降压转换器
近期成交100单+
- 数据速率
- 120Mbps
- 工作电压
- 1.1V~3.6V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
- 静态电流
- 24uA;12uA
描述TXS02612设计用于将手机基带与外部SDIO外设接口。该设备包括一个6通道SPDT开关,具有电压电平转换能力。这允许单个SDIO端口与两个SDIO外设接口。
近期成交100单+
- 放大器数
- 双路
- 单电源电压
- 4.5V~36V
- 双电源(Vee~Vcc)
- -18V~-2.25V;2.25V~18V
- 输入失调电压(Vos)
- 25uV
描述OPA2197 双路 36V 精密轨到轨输入/输出、低失调电压运算放大器
近期成交100单+
- 极性
- 单向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 5.5V
- 钳位电压
- 14V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 2.5A@8/20us
描述TPD4E05U06 适用于 USB、HDMI 和高速接口的四通道 0.5pF、5.5V、±12kV ESD 保护二极管
近期成交100单+
- 放大器数
- 双路
- 单电源电压
- 2.7V~36V
- 双电源(Vee~Vcc)
- -18V~-1.35V;1.35V~18V
- 输入失调电压(Vos)
- 2uV
描述36V、高精度、低功耗、90μA双运放,为高压应用提供精密、低功耗性能
近期成交100单+
- 放大器数
- 双路
- 单电源电压
- 4.5V~55V
- 双电源(Vee~Vcc)
- -27.5V~-2.25V;2.25V~27.5V
- 输入失调电压(Vos)
- 5uV
描述双通道55V、EMI增强型、零漂移、超低噪声、RRO运算放大器
近期成交100单+
- 接口类型
- I2C
- 晶振类型
- 内置
- 闹钟输出
- 有
- 工作电流
- 200uA
描述±5ppm, I2C实时时钟,集成了MEMS谐振器的温补RTC,有效降低晶体的机械失效风险
近期成交100单+
- 分辨率(位)
- 24
- 采样率
- 470Hz
- 通道数
- 3
- 工作电压
- 2.7V~5.25V
描述3通道、低噪声、低功耗、24位Σ-Δ型ADC,内置片内仪表放大器
近期成交61单
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 1
- 接收器数
- 1
- 工作电压
- 4.75V~5.25V
描述半双工 RS-485/RS-422 兼容收发器,带有自动方向控制功能。该设备具有一个驱动器和一个接收器。
近期成交100单+
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 1
- 接收器数
- 1
- 工作电压
- 3V~3.6V
描述3.3V供电,±20kV ESD保护的RS-485/RS-422收发器,支持半双工通信,数据速率高达20Mbps。
近期成交100单+
- 分辨率(位)
- 16
- 采样率
- 250kHz
- 通道数
- 8
- 工作电压
- 2.3V~5.5V
描述AD7682/AD7689是4/8通道、16位、电荷再分配逐次逼近寄存器(SAR)型模数转换器(ADC),采用单电源VDD供电。AD7682/AD7689拥有多通道、低功耗数据采集系统所需的所有组成部分,包括:无失码的真16位SAR ADC;用于将输人配置为单端输入(使用或不使用参考地)、差分输人或双极性输入的4通道(AD7682)或8通道(AD7689)低串扰多路复用器;内部低漂移基准源(可以选择2.5V或4.096V)和缓冲器;温度传感器;可选择的单极点滤波器;以及当多通道依次连续采样时非常有用的序列器。AD7682/AD7689使用简单的SPI接口实现配置寄存器的写人和转换结果的接收。SPI接口使用单独的电源(VIO),它被设定为主机逻辑电平。功耗与吞吐速率成正比。AD7682/AD7689采用小型20引脚LFCSP封装,工作温度范围为 -40°C至 +85°C。
近期成交100单+
- 分辨率(位)
- 16
- 通道数
- 8
- 工作电压
- 2.3V~5.25V
- 接口类型
- SPI
描述AD7606/AD7606-6/AD7606-4分别是16位、8/6/4通道同步采样模数数据采集系统(DAS)。各器件均内置模拟输入箱位保护、二阶抗混叠滤波器、跟踪保持放大器、16位电荷再分配逐次逼近型模数转换器(ADC)、灵活的数字滤波器、2.5V基准电压源、基准电压缓冲以及高速串行和并行接口。 AD7606/AD7606-6/AD7606-4采用5V单电源供电,可以处理 ±10V 和 ±5V 真双极性输入信号,同时所有通道均能以高达200kSPS的吞吐速率采样。
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性:16 MHz 先进的 STM8 内核,采用哈佛架构和 3 级流水线,扩展指令集。 程序存储器:8 Kbytes Flash,在 55℃ 下 10 kycles 后数据保留 20 年。 数据存储器:640 bytes 真正的数据 EEPROM,耐久性 300 kycles。 RAM:1 Kbytes。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制,4 种主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的 16 MHz RC、内部低功耗 128 kHz RC
近期成交49单
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性:ARM 32位Cortex-M3 CPU内核,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz RC,用于CPU时钟的PLL,带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器(最多16个通道),转换范围:0至3.6 V,双采样和保持能力,温度传感器。 7通道DMA控制器,支持的外设:定时器、ADC、SPI、I²C和USART
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性:核心:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和三级流水线,指令集扩展。 存储器:程序存储器:8 Kbyte闪存,在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM:1 Kbyte。数据存储器:128字节真数据EEPROM,耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理:2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制,4种主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 512KB
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和3级流水线,扩展指令集。 程序存储器:8 Kbyte闪存,在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM:1 Kbyte。 数据存储器:128字节真数据EEPROM,耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制,4种主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M4
- CPU最大主频
- 80MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 256KB
描述特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA,为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA,带RTC时为1.28μA
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 32MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性:1.65 V至3.6 V电源。 -40至125℃温度范围。 0.27 μA待机模式(2个唤醒引脚)。 0.4 μA停止模式(16个唤醒线)。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M0
- CPU最大主频
- 48MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M0 CPU,频率高达 48 MHz。 内存:16 至 64 KB 的闪存,4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:电压范围 2.4V 至 3.6V,上电/掉电复位(POR/PDR),低功耗模式(睡眠、停止、待机)。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器,32 kHz 带校准的 RTC 振荡器,内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL,内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O,均可映射到外部中断向量
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 32KB
描述特性:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和三级流水线,指令集扩展。 中密度闪存/EEPROM:程序存储器为32 KB闪存,在55℃下经过100个周期后数据保留20年;数据存储器为128字节真正的数据EEPROM,可承受高达100k次写/擦除周期。 RAM为2 KB。 2.95V至5.5V工作电压。 灵活的时钟控制,4个主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调节的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。 带时钟监控的时钟安全系统
近期成交76单
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 64MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
近期成交100单+






























