INA128UA/2K5

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-8-150mil

类目

仪表放大器

编号

C22233

放大器数

单路

共模抑制比(CMRR)

120dB

输入偏置电流(Ib)

5nA

输入失调电压(Vos)

50uV

描述INA128 130dB CMRR、700μA、低功耗、精密仪表放大器

CD4051BM96

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-16-150mil

类目

模拟开关/多路复用器

编号

C21379

开关电路

8:1

通道数

1

导通电阻(Ron)

125Ω

工作电压

3V~20V

描述低导通阻抗和极低关断漏电流的数字控制模拟开关，适用于多种数字和模拟信号电平。

TXS0108EPWR

品牌

TI(德州仪器)

封装

TSSOP-20

类目

转换器/电平移位器

编号

C17206

通道类型

双向

数据速率

60Mbps

工作电压(VCCA)

1.4V~3.6V

工作电压(VCCB)

1.65V~5.5V

描述TXS0108E 8 位双向电压电平转换器，适用于漏极开路和推挽应用

ADS1110A0IDBVR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOT-23-6

类目

模数转换芯片ADC

编号

C16598

分辨率(位)

16

采样率

15Hz

通道数

1

工作电压

2.7V~5.5V

描述ADS1110 具有 PGA、振荡器、电压基准和 I2C 的 16 位 240SPS 单通道 Δ-Σ ADC

SN74LVC2T45DCUR

品牌

TI(德州仪器)

封装

VSSOP-8

类目

缓冲器/驱动器/收发器

编号

C15741

输出类型

三态

工作电压

1.65V~5.5V

元件数

2

每个元件位数

2

描述SN74LVC2T45 具有可配置电压转换和三态输出的 2 位双电源总线收发器

TPS63020DSJR

品牌

TI(德州仪器)

封装

VSON-14-EP(3x4)

类目

DC-DC电源芯片

编号

C15483

功能类型

升降压型

工作电压

1.8V~5.5V

输出电压

1.2V~5.5V

输出电流

3A

描述TPS63020 是一款高效率的单电感升降压转换器,适用于由两节或三节碱性、镍镉或镍氢电池或单节锂离子电池供电的产品。该转换器支持高达 3A 的输出电流,采用固定频率脉宽调制控制器,具有同步整流功能,可在宽负载电流范围内保持高效。

LM311DR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-8

类目

比较器

编号

C12597

比较器数

单路

输入失调电压(Vos)

7.5mV

输入偏置电流(Ib)

250nA

传播延迟(tpd)

165ns

描述LM311 具有选通信号的高速 30V 差分比较器

SN74LVC2G14DBVR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOT-23-6

类目

反相器

编号

C12401

输入类型

施密特触发器

工作电压

1.65V~5.5V

静态电流(Iq)

10uA

通道数

2

描述SN74LVC2G14 具有施密特触发输入的 2 通道、1.65V 至 5.5V 反相器

TPS60403DBVR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOT-23-5

类目

电荷泵

编号

C11338

功能类型

反相

工作电压

1.8V~5.25V

输出电压(Vout)

-5.5V~-1.6V

输出电流(Iout)

60mA

描述TPS60403 具有固定 250kHz 操作的 60mA 充电泵电压反向器

AD623ARZ-R7

品牌

ADI(亚德诺)

封装

SOIC-8

类目

仪表放大器

编号

C9676

放大器数

单路

共模抑制比(CMRR)

80dB

输入偏置电流(Ib)

25nA

输入失调电压(Vos)

200uV

描述AD623是一款集成的单电源或双电源仪表放大器，可在3V至12V的电源电压下提供轨到轨输出摆幅。AD623通过允许单个增益设定电阻编程，并符合8引脚行业标准引脚配置，提供了卓越的用户灵活性。在没有外部电阻的情况下，AD623被配置为单位增益（G=1），而通过外部电阻，AD623可以被编程以实现高达1000的增益。AD623的高精度是由于其交流共模抑制比（CMRR）随着增益的增加而提高；由于直到200 Hz时CMRR保持恒定，因此可以抑制线噪声谐波。AD623具有宽输入共模范围，能够放大低至地电平以下150 mV的共模电压信号。AD623在双极性和单极性电源下均能保持卓越性能。

AD7606BSTZ-RL

品牌

ADI(亚德诺)

封装

LQFP-64(10x10)

类目

ADC/DAC-专用型

编号

C16725

分辨率(位)

16

通道数

8

工作电压

2.3V~5.25V

接口类型

SPI

描述AD7606/AD7606-6/AD7606-4分别是16位、8/6/4通道同步采样模数数据采集系统(DAS)。各器件均内置模拟输入箱位保护、二阶抗混叠滤波器、跟踪保持放大器、16位电荷再分配逐次逼近型模数转换器(ADC)、灵活的数字滤波器、2.5V基准电压源、基准电压缓冲以及高速串行和并行接口。 AD7606/AD7606-6/AD7606-4采用5V单电源供电，可以处理 ±10V 和 ±5V 真双极性输入信号，同时所有通道均能以高达200kSPS的吞吐速率采样。

MAX3232ESE+T

品牌

ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

封装

SO-Narrow-16

类目

RS232芯片

编号

C15846

类型

收发器

驱动器数

2

接收器数

2

数据速率

250Kbps

描述MAX3222/MAX3232/MAX3237/MAX3241是低功耗、真正的RS-232收发器，工作电压范围为3.0V至5.5V，数据速率可达1Mbps。

TMC5160A-TA-T

品牌

ADI(亚德诺)/TRINAMIC

封装

TQFP-48-EP(7x7)

类目

步进电机驱动芯片

编号

C516354

控制电压

3.3V~5V

电机驱动电压(Vm)

8V~60V

输出电流

20A

驱动类型

双极驱动

描述TMC5160 / TMC5160A是一款带有串行通信接口的高功率步进电机控制器和驱动IC。它将用于自动目标定位的灵活斜坡发生器与业界最先进的步进电机驱动器相结合。通过使用外部晶体管，可实现高动态、高扭矩驱动。基于TRINAMIC先进的SpreadCycle和StealthChop斩波器，该驱动器可确保在实现最高效率和最佳电机扭矩的同时，实现绝对无噪音运行。高度集成、高能效和小尺寸设计，使系统能够小型化和可扩展，从而实现经济高效的解决方案。完整的解决方案将学习成本降至最低，同时提供同类产品中最佳的性能。

STM8S903K3T6CTR

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-32(7x7)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C8257

CPU内核

STM8

CPU最大主频

16MHz

CPU位数

8 Bit

程序存储容量

8KB

描述特性：16 MHz 先进的 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbytes Flash，在 55℃ 下 10 kycles 后数据保留 20 年。 数据存储器：640 bytes 真正的数据 EEPROM，耐久性 300 kycles。 RAM：1 Kbytes。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制，4 种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的 16 MHz RC、内部低功耗 128 kHz RC

STM32F030F4P6TR

品牌

ST(意法半导体)

封装

TSSOP-20

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C89040

CPU内核

ARM Cortex-M0

CPU最大主频

48MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

16KB

描述特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V

STM8S003F3P6TR

品牌

ST(意法半导体)

封装

TSSOP-20

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C52717

CPU内核

STM8

CPU最大主频

16MHz

CPU位数

8 Bit

程序存储容量

8KB

描述特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器

STM8S003F3U6TR

品牌

ST(意法半导体)

封装

UFQFPN-20(3x3)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C35556

CPU内核

STM8

CPU最大主频

16MHz

CPU位数

8 Bit

程序存储容量

8KB

描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。 数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC

LSM6DS3TR-C

品牌

ST(意法半导体)

封装

LGA-14(2.5x3)

类目

姿态传感器/陀螺仪

编号

C967633

加速度计轴向

X,Y,Z

加速度计量程(MAX)

±16g

陀螺仪轴向

X,Y,Z

陀螺仪量程(MAX)

±2000dps

描述用于入门级/中档智能手机和便携式电脑平台的iNEMO 6DoF惯性测量单元（IMU）

STM32F407VGT6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-100(14x14)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C12345

CPU内核

ARM Cortex-M4

CPU最大主频

168MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

1MB

描述特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。 存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

STM32F030C8T6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-48(7x7)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C23922

CPU内核

ARM Cortex-M0

CPU最大主频

48MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

64KB

描述特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。 内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。 时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量

STM32G030C8T6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-48(7x7)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C529329

CPU内核

ARM Cortex-M0+

CPU最大主频

64MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

64KB

描述特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C。 存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

STM32F405RGT6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-64(10x10)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C15742

CPU内核

ARM Cortex-M4

CPU最大主频

168MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

1MB

描述特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

LIS2DH12TR

品牌

ST(意法半导体)

封装

LGA-12(2x2)

类目

姿态传感器/陀螺仪

编号

C110926

加速度计轴向

X,Y,Z

加速度计量程(MAX)

±16g

传感器类型

加速度计

输出位数

8bit；10bit；12bit

描述3轴MEMS加速度计，超低功耗，±2g/±4g/±8g/±16g满量程，高速I2C/SPI数字输出，内置FIFO和高性能加速度传感器，VFLGA封装

CL31A106KBHNNNE

品牌

SAMSUNG(三星)

封装

1206

类目

贴片电容(MLCC)

编号

C13585

容值

10uF

精度

±10%

额定电压

50V

温度系数

X5R