- 类目
- 贴片电容(MLCC)
- 贴片电阻
- DC-DC电源芯片
- 场效应管(MOSFET)
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- 线性稳压器(LDO)
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 贴片圆螺母
- 钽电容
- 肖特基二极管
- 无源晶振
- 晶体管输出光耦
- 线对板针座
- 三极管(BJT)
- 一体成型电感
- 运算放大器
- 贴片型铝电解电容
- 发光二极管/LED
- SMT载流铜片
- 直插铝电解电容
多选 - 品牌
- TI(德州仪器)
- SAMSUNG(三星)
- muRata(村田)
- YAGEO(国巨)
- ST(意法半导体)
- FH(风华)
- Sinhoo(雄和远景)
- UMW(友台半导体)
- FOJAN(富捷)
- ADI(亚德诺)
- CCTC(三环)
- onsemi(安森美)
- Nexperia(安世)
- Chinocera(华瓷)
- UNI-ROYAL(厚声)
- YXC(扬兴晶振)
- R+O(宏嘉诚)
- MDD(辰达半导体)
- Kyocera AVX
- Infineon(英飞凌)
多选
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 功能类型
- 升降压型
- 工作电压
- 1.6V~5.5V
- 输出电压
- 1.2V~5.3V
- 输出电流
- 2A
描述TPS631000 1.5A 输出电流、高功率密度降压/升压转换器
近期成交100+单
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 1
- 接收器数
- 1
- 工作电压
- 3V~5.5V
描述THVD1406 具有自动方向控制和 ±12kV IEC ESD 保护功能的 3.3V 至 5V 500Kbps RS-485 半双工收发器
近期成交100+单
- 功能特性
- 工作状态指示
- 输入电压
- 1.6V~5.5V
- 输出电压
- 0V~5.5V
- 输出电流
- 2.5A
描述TPS2116 1.6V 至 5.5V、40mΩ、2.5A、低 IQ、优先级电源多路复用器
近期成交100+单
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 3.8V~30V
- 输出电压
- 800mV~22V
- 输出电流
- 3A
描述TPS62933 采用 SOT-583 封装的 3.8V 至 30V、3A、200kHz 至 2.2MHz、低 IQ 同步降压转换器
近期成交100+单
- 输入电压(Vin)
- 1.5V~5.5V
- 导通电流(Imax)
- 1.5A
- FET类型
- 内置FET
- 通道数
- 1
描述LM66100 具有集成式 FET 的 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二极管
近期成交100+单
- 输出极性
- 正极
- 工作电压
- 6V
- 输出电压
- 3.3V
- 输出电流
- 300mA
描述TPS7A20 是一款超小型低压降 (LDO) 线性稳压器，可提供 300 mA 的输出电流。TPS7A20 旨在提供符合射频和其他敏感模拟电路要求的低噪声、高 PSRR 和出色的负载和线路瞬态性能。TPS7A20 采用创新的设计技术，无需噪声旁路电容便可提供超低的噪声性能。
近期成交100+单
- 输出极性
- 正极
- 工作电压
- 16V
- 输出电压
- 3.3V
- 输出电流
- 1A
描述TLV767 具有可调节输出和固定输出的 1A、16V 正电压低压降 (LDO) 线性稳压器
近期成交100+单
- 功能类型
- 升降压型
- 工作电压
- 1.3V~5.5V
- 输出电压
- 1.8V~5.2V
- 输出电流
- 2A
描述TPS63802 采用 QFN/DFN 封装的 2A 高效 11μA 静态电流降压/升压转换器
近期成交100+单
- 类型
- 负载开关
- 通道数
- 1
- 输入控制逻辑
- 高电平有效
- 工作电压
- 0V~5.5V
描述TPS22917 具备可调节上升时间和可调节输出放电功能的 5.5V、2A、80mΩ、10nA 泄露负载开关
近期成交100+单
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 1
- 接收器数
- 1
- 工作电压
- 3V~5.5V
描述THVD1450 具有 ±18kV IEC ESD 保护功能的 3.3V 至 5V RS-485 收发器
近期成交100+单
- 放大器数
- 1
- 共模电压
- -4V~80V
- 增益
- 20V/V
- 带宽(-3db)
- 400kHz
描述INA240 具有增强的 PWM 抑制能力的 -4V 至 80V、双向、超精密电流检测放大器
近期成交100+单
- 分辨率(位)
- 16
- 采样率
- 250kHz
- 通道数
- 8
- 工作电压
- 2.3V~5.5V
描述AD7682/AD7689是4/8通道、16位、电荷再分配逐次逼近寄存器(SAR)型模数转换器(ADC)，采用单电源VDD供电。AD7682/AD7689拥有多通道、低功耗数据采集系统所需的所有组成部分，包括：无失码的真16位SAR ADC；用于将输人配置为单端输入(使用或不使用参考地)、差分输人或双极性输入的4通道(AD7682)或8通道(AD7689)低串扰多路复用器；内部低漂移基准源(可以选择2.5V或4.096V)和缓冲器；温度传感器；可选择的单极点滤波器；以及当多通道依次连续采样时非常有用的序列器。AD7682/AD7689使用简单的SPI接口实现配置寄存器的写人和转换结果的接收。SPI接口使用单独的电源(VIO)，它被设定为主机逻辑电平。功耗与吞吐速率成正比。AD7682/AD7689采用小型20引脚LFCSP封装，工作温度范围为 -40°C至 +85°C。
近期成交100+单
- 放大器数
- 单路
- 共模抑制比(CMRR)
- 100dB
- 输入偏置电流(Ib)
- 500pA
- 输入失调电压(Vos)
- 30uV
描述低漂移、低功耗仪表放大器，增益设置范围1至10000
近期成交97单
- 最大数据速率
- 500Kbps
- 通讯模式
- 半双工
- 隔离电压(Vrms)
- 2500
- CMTI(kV/us)
- 25kV/us
描述ADM2483差分总线收发器是一款集成式、电流隔离组件，专为平衡多点总线传输线上的双向数据通信而设计。它符合ANSI EIA/TIA - 485 - A和ISO 8482: 1987(E)标准。ADM2483采用iCoupler技术，将一个3通道隔离器、一个三态差分线路驱动器和一个差分输入接收器集成在一个封装中
近期成交100+单
- 加速度计轴向
- X,Y,Z
- 加速度计量程(MAX)
- ±8.192g
- 传感器类型
- 加速度计
- 输出位数
- 20bit
描述模拟输出和数字输出是低噪声密度、低0g偏移漂移、低功耗的3轴加速度计，具有可选的测量范围。支持±2g、±4g、±8g等不同范围。提供行业领先的噪声性能、极小的温度偏移漂移和长期稳定性，可实现高精度应用，且校准工作量极小。
近期成交100+单
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 1
- 接收器数
- 1
- 工作电压
- 3V~5.5V
描述高速3.3V/5VRS-485/RS-422收发器，具有±35kVHBMESD保护
近期成交100+单
- 控制电压
- 3.3V~5V
- 电机驱动电压(Vm)
- 8V~60V
- 驱动类型
- 双极驱动
- 步长细分
- 256
描述TMC2160/TMC2160A是一款带SPI接口的高功率步进电机驱动IC。它具备业内最先进的步进电机驱动器，拥有简单的步进/方向接口。通过使用外部晶体管，可实现高动态、高转矩驱动
近期成交100+单
- 放大器数
- 单路
- 单电源电压
- 2.7V~5V
- 双电源电压(Vee~Vcc)
- -2.5V~-1.35V；1.35V~2.5V
- 输入失调电压(Vos)
- 1uV
描述零漂移、单电源RRIO运算放大器
近期成交100+单
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz 先进的 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbytes Flash，在 55℃ 下 10 kycles 后数据保留 20 年。 数据存储器：640 bytes 真正的数据 EEPROM，耐久性 300 kycles。 RAM：1 Kbytes。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制，4 种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的 16 MHz RC、内部低功耗 128 kHz RC
近期成交56单
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 512KB
近期成交100+单
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。 数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
近期成交100+单
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 128KB
描述特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART
近期成交100+单
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 64MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C。 存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）
近期成交100+单
- 逻辑单元数
- 101440
- 工作温度
- -40℃~+100℃
描述Artix -7 FPGAs有-3、-2、-1、-1LI和-2L速度等级，-3具有最高性能。Artix -7 FPGAs主要在1.0V核心电压下运行。1LI和-2L器件经过筛选，具有较低的最大静态功率，与-1和-2器件相比，分别可以在更低的核心电压下运行以降低动态功率。1LI器件仅在VCCINT = VCCBRAM = 0.95V下运行，并且具有与-1速度等级相同的速度规格 建议使用前先进行烘烤
近期成交100+单
- 加速度计轴向
- X,Y,Z
- 加速度计量程(MAX)
- ±16g
- 陀螺仪轴向
- X,Y,Z
- 陀螺仪量程(MAX)
- ±2000dps
描述是一款6轴MEMS MotionTracking设备，结合了3轴陀螺仪和3轴加速度计。它具有可配置的主机接口，支持I3CSM、I²C和SPI串行通信，具有2 kB FIFO和2个可编程中断，并支持超低功耗运动唤醒功能，以最大限度地降低系统功耗。支持高精度外部时钟输入，有助于减少系统级灵敏度误差，提高陀螺仪数据的方向测量精度，降低ODR对温度和器件间差异的敏感度。该设备在FIFO中首次支持20位数据格式，以实现高数据分辨率
近期成交100+单
- CPU内核
- ARM Cortex-M7
- CPU最大主频
- 480MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 2MB
描述特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1），以及DSP指令。高达2MB的闪存，支持边读边写。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护。高达168个具有中断能力的I/O端口
近期成交100+单
- 协议版本
- eMMC 5.1
- 存储容量
- 8GB
- 工作温度
- -25℃~+85℃
- 顺序读速度
- 330MB/S
描述eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此它是使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成 建议使用前先进行烘烤
近期成交100+单
- 存储器构架(格式)
- DDR3L SDRAM
- 存储容量
- 4Gbit
- 工作电压
- 1.283V~1.45V
- 工作电流
- 32mA
描述DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。 建议使用前先进行烘烤
近期成交100+单
- 存储容量
- 1Gbit
- 接口类型
- SPI
- 时钟频率(fc)
- 104MHz
- 工作电压
- 2.7V~3.6V
描述为空间、引脚和电源受限的系统提供存储解决方案。集成了流行的SPI接口和传统的大容量NAND非易失性存储空间，非常适合将代码映射到RAM。
近期成交100+单
