AGMSEMI(芯控源)

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深圳市芯控源电子科技有限公司成立于2015年，主要生产机械设备、电子产品、计算机及软件辅助设备、通讯设备和集成电路。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- IGBT管/模块
多选
封装
- DFN-8(5x6)
- TO-252
- DFN-8(3.3x3.3)
- TO-220
- SOP-8
- SOT-23(TO-236)
- TO-263
- TO-220F
- TOLL-8L
- SOT-23-6
- TO-247
- TO-252-4
- DFN-6(2x2)
- DFN-8(2x2)
- DFN-8(3x3)
- PDFN(5x6)
- SOT-89
- TO-251
- QFN-8(5x6)
- QFN-8-EP(3.3x3.3)
多选

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数据手册

自营结果数609

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

AGM18N10AP

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7509649

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 17mΩ@10V

描述AGM18N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存14K+

5+￥1.0551
50+￥0.8495
150+￥0.7614
500+￥0.6515
2500+￥0.6413
5000+￥0.6119

现货最快4小时发货

广东仓: 14K+

江苏仓: 3775

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交77单

AGM015N10LL

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5297508

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 300A

导通电阻(RDS(on)): 1.2mΩ@10V,50A

描述AGM015N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5729

9折

1+￥10.62
10+￥9.027
30+￥8.019
100+￥6.561
500+￥6.102
1000+￥5.904

现货最快4小时发货

广东仓: 5424

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交85单

AGM30P05AP

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6719406

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 5.5mΩ@10V

描述AGM30P05AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5665

5+￥1.2903
50+￥1.0131
150+￥0.8943
500+￥0.7461
2500+￥0.6612
5000+￥0.6215

现货最快4小时发货

广东仓: 5665

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单

AGM500P20D

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17701063

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 500mΩ@10V

描述AGM500P20D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

5+￥1.68
50+￥1.3274
150+￥1.1763
500+￥0.9877
2500+￥0.827
5000+￥0.7766

现货最快4小时发货

广东仓: 11K+

江苏仓: 2755

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交50单

AGM60P100A

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5373096

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 140A

导通电阻(RDS(on)): 5.5mΩ@10V；6.5mΩ@4.5V

描述AGM60P100A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5002

9.5折

1+￥4.8925
10+￥3.952
30+￥3.477
100+￥3.0115
500+￥2.641
1000+￥2.4985

现货最快4小时发货

广东仓: 4904

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

AGM405AP1

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5340050

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 5.7mΩ@10V

描述AGM405AP1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4826

9折

5+￥1.21527
50+￥0.96579
150+￥0.85887
500+￥0.72549
2500+￥0.61983
5000+￥0.5841

现货最快4小时发货

广东仓: 4720

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交88单

AGM612AP

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5349119

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 11mΩ@10V；15mΩ@4.5V

描述AGM612AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+

9折

5+￥1.29249
50+￥1.02033
150+￥0.90369
500+￥0.75816
2500+￥0.67617
5000+￥0.6372

现货最快4小时发货

广东仓: 12K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交33单

AGM405Q

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5184849

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 55A

导通电阻(RDS(on)): 4.8mΩ@10V

描述通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=40V Id=55A Rds=5.7mΩ(8.0mΩ最大)DFN5x6封装；

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6853

9折

5+￥1.38771
50+￥1.11546
150+￥0.99882
500+￥0.85329
3000+￥0.67626
6000+￥0.63738

现货最快4小时发货

广东仓: 6795

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交73单

AGM30P14MBP

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5367089

数量: 2个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 21A

导通电阻(RDS(on)): 12.3mΩ@10V

描述AGM30P14MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7769

5+￥1.408
50+￥1.1056
150+￥0.976
500+￥0.8143
2500+￥0.7423
5000+￥0.699

现货最快4小时发货

广东仓: 7460

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交29单

AGM628MAP

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22364308

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 21A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@10V；44mΩ@10V

描述AGM628MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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对比

SMT扩展库

5+￥1.4182
50+￥1.1158
150+￥0.9862
500+￥0.8245
2500+￥0.7315
5000+￥0.6883

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 6790

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交23单

AGM306AP

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5184851

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 46A

导通电阻(RDS(on)): 5.7mΩ@10V；9.5mΩ@4.5V

描述通用料，Vds=30V Id=46A Rds=5.8mΩ(8.0mΩ最大)DFN3.3*3.3封装；

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6778

9折

5+￥0.81261
50+￥0.64845
150+￥0.56637
500+￥0.50481
2500+￥0.43506
5000+￥0.4104

现货最快4小时发货

广东仓: 6765

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交21单

AGM30P08AP

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5349152

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 7.2mΩ@10V；11.5mΩ@4.5V

描述AGM30P08AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5474

5+￥1.156
50+￥0.9139
150+￥0.8101
500+￥0.6807
2500+￥0.6016
5000+￥0.567

现货最快4小时发货

广东仓: 5430

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交82单

AGM6014AP

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6719405

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 72A

导通电阻(RDS(on)): 4.3mΩ@10V

描述AGM6014AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7798

9折

5+￥2.133
50+￥1.674
150+￥1.485
500+￥1.215
2500+￥1.107
5000+￥1.044

现货最快4小时发货

广东仓: 7285

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交44单

AGM403A1

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5184861

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 2.3mΩ@10V

描述BLDC(无刷电机)推荐料,Vds=40V Id=120A Rds=2.7mΩ(3.6mΩ最大)DFN5*6封装；

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7451

9.5折

5+￥2.215115
50+￥1.760255
150+￥1.565315
500+￥1.20023
3000+￥1.09193
6000+￥1.02695

现货最快4小时发货

广东仓: 6995

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交46单

AGM40P100A

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5297499

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 130A

导通电阻(RDS(on)): 4.6mΩ@10V

描述AGM40P100A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3520

9折

1+￥3.393
10+￥2.736
30+￥2.457
100+￥2.106
500+￥1.656
1000+￥1.557

现货最快4小时发货

广东仓: 3440

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交48单

AGM035N10A

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5297509

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 112A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

描述AGM035N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2261

9折

1+￥4.743
10+￥3.906
30+￥3.492
100+￥3.069
500+￥2.421
1000+￥2.295

现货最快4小时发货

广东仓: 1462

江苏仓: 1

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交51单

AGM18N10MNA

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42372674

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@4.5V

描述类型：双N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流（Id）：35A功率(Pd）：50W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：18mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：26nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.08nF@50V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)