nvSRAM(掉电保持)
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操作
描述CY14B101NA 是一款快速静态RAM (SRAM)，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器组织为128K字节的8-Bit或64K字的16-Bit。非易失性元素采用QuantumTrap技术，提供20年的数据保留时间。支持无限次读写和RECALL操作，最多支持1百万次STORE操作。
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- ￥137.5
- ￥130.9
- ￥126.5
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1000个/圆盘
总额￥0
描述的CY14MX064Q2A将64 Kbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）与每个存储单元中的非易失性元件相结合，并配备串行SPI接口。该存储器组织为8K个8位字。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术
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- ￥58.19
- ￥50
- ￥45.01
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485个/管
总额￥0
近期成交3单
- 接口类型
- 并口(Parallel)
- 存储容量
- 4Mbit
- 工作电压
- 2.7V~3.6V
- 工作电流
- 70mA
描述Cypress CY14B104LA-ZS45XIT 是一款 4Mbit nvSRAM，具有非易失性存储单元，支持无限次读写操作，数据保持时间为 20 年，支持 1 百万次 STORE 操作。
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- ￥222.62
- ￥214.2
- ￥207
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1000个/圆盘
总额￥0
- 接口类型
- 并口(Parallel)
- 存储容量
- 256Kbit
- 工作电压
- 2.7V~3.6V
- 工作电流
- 70mA
描述的CY14B256LA是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），每个存储单元都包含一个非易失性元件。该存储器组织形式为32K字节，每字节8位。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术
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- ￥175.45
- ￥166.75
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1000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 存储容量
- 256Kbit
- 工作电压
- 2.7V~3.6V
- 工作电流
- 52mA
- 待机电流
- 5mA
描述CY14B256LA 是一款快速静态RAM，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器内部组织为32K字节，每个字节8-Bit。嵌入的非易失性元素采用QuantumTrap技术，提供无限读写和恢复周期。
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- ￥109.37
- ￥101.29
- ￥92.64
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1000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
描述CY14B101LA是一款1-Mbit nvSRAM，具有自动存储（AutoStore）和量子陷阱（QuantumTrap）技术。它支持无限次读写和召回操作，最多可进行1百万次存储操作。工作电压为3.0V ± 10%，工作温度范围为-40°C至+85°C。
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- ￥149.18
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1000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
描述CY14B256LA是一款256Kbit（32K x 8）的nvSRAM，具有快速访问时间和非易失性存储功能。该存储器在断电时自动将数据存储到非易失性单元中，并在上电时自动恢复数据。
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- ￥313.23
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1000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
描述DS1230 256k 非易失性 SRAM 是 262,144 位、全静态、非易失性 SRAM，组织形式为 32,768 字×8 位。每个非易失性 SRAM 都有一个独立的锂能源和控制电路，该电路持续监测 VCC 是否超出容差范围。当出现这种情况时，锂能源会自动开启，并且无条件启用写保护，以防止数据损坏
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- ￥405.47
- ￥385.86
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12个/管
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近期成交1单
描述的CY14X101Q将1 Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）与每个存储单元中的非易失性元件相结合，并配备串行SPI接口。该存储器组织为128K个8位字。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术
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- ￥94.26
- ￥89.65
- ￥81.65
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970个/管
总额￥0
近期成交1单
描述的CY14B101LA/CY14B101NA是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），每个存储单元中都有一个非易失性元件。该存储器的组织形式为128K×8位或64K×16位。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术
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- ￥144.7
- ￥137.21
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135个/托盘
总额￥0
近期成交1单
- 存储容量
- 256Kbit
- 工作电压
- 4.5V~5.5V
- 工作电流
- 70mA
- 待机电流
- 8mA
描述CY14E256LA是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），每个存储单元都包含一个非易失性元件。该存储器的容量为32 KB。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术
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- ￥199.41
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330个/管
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近期成交1单
描述的CY14V101QS将1 Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）与快速外设互连（QPI）接口相结合。通过使用选定的操作码，QPI接口允许以单通道（每个时钟周期通过一个I/O通道传输一位数据）、双通道（每个时钟周期通过两个I/O通道传输两位数据）或四通道（每个时钟周期通过四个I/O通道传输四位数据）模式对存储器进行读写操作。该存储器组织为128 Kbytes，每个字节由静态随机存取存储器（SRAM）和非易失性硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅（SONOS）量子阱单元组成
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- ￥55.14
- ￥53.21
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480个/托盘
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- ￥110.756724
- ￥108.94104
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1000个/圆盘
总额￥0
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- ￥160.81
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135个/托盘
总额￥0
描述DS1225AD是一款65,536-bit、全静态、非易失性SRAM，组织为8192个字节×8-Bit。每个非易失性SRAM都包含一个自含的锂能源源和控制电路，可以自动监测Vcc并在电源故障时切换到锂能源以防止数据损坏。该SRAM可以直接替代现有的8k x 8 SRAM或EEPROM，无需额外的支持电路。
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- ￥202.73
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- ￥108.63
- ￥99.76
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14个/管
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- ￥120.72
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12个/管
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描述DS1220AD 是一款16k非易失性静态随机存取存储器，具有10年的最小数据保留时间和无限次写入周期。它可以直接替代2k x 8的易失性静态RAM或EEPROM。在断电情况下，数据由内部锂能源自动保护，无需外部支持电路。提供JEDEC标准24针DIP封装，工作电压范围为4.5V至5.5V。
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- ￥128.65
- ￥117.37
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14个/管
总额￥0
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- ￥130.56
- ￥124.44
- ￥113.83
- ￥104.58
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12个/管
总额￥0
近期成交2单
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- ￥168.86
- ￥160.96
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12个/袋
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- ￥266.66
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11个/管
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- ￥322.04
- ￥312.23
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11个/管
总额￥0
描述Cypress CY14B104NA是一款4Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），具有高速访问时间和自动存储功能。它支持无限次读写和召回操作，数据保持时间为20年。
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- ￥259.77
- ￥100.53
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- ￥95.25
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299个/托盘
总额￥0
近期成交2单
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- ￥133.91
- ￥127.65
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108个/托盘
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- ￥137.86
- ￥128.29
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22个/管
总额￥0
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- ￥207
- ￥190.4
- 库存
- 3000
- 增量
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- 最小包装
- 1个
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SMT扩展库
- ￥414.25
- ￥393.92
- 广东仓
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1000个/圆盘
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SMT扩展库
- ￥3.52
- ￥1.37
- ￥1.32
- ￥1.3
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920个/管
总额￥0