TMP112AIDRLR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOT-563

类目

温度传感器

编号

C28927

温度范围

-40℃~+125℃

精度

±0.5℃

工作电压

1.4V~3.6V

待机电流

1uA

描述TMP112 具有 I2C/SMBus 接口且工作电压为 1.4V 的 ±0.5°C 温度传感器，支持报警功能

RoHSSMT扩展库

ADS1256IDBR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SSOP-28-208mil

类目

模数转换芯片ADC

编号

C28186

分辨率

24位

采样率

30kHz

通道数

4

工作电压

5V；1.8V~3.6V

描述ADS1256 适用于工厂自动化和过程控制且具有 PGA 的 24 位、30kSPS、8 通道 Δ-Σ ADC

RoHSSMT扩展库

REF5050AIDR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-8

类目

电压基准芯片

编号

C27804

输出类型

固定

工作电压

5.2V~18V

输出电压

5V

输出电流

10mA

描述REF5050 5V、3μVpp/V 噪声、3ppm/°C 温漂、精密串联电压基准

RoHSSMT扩展库

SN74LVC8T245PWR

品牌

TI(德州仪器)

封装

TSSOP-24

类目

转换器/电平移位器

编号

C27643

通道类型

双向

输入信号

CMOS

输出信号

CMOS

工作电压(VCCA)

1.65V~5.5V

描述SN74LVC8T245 具有可配置电压转换和三态输出的 8 位双电源总线收发器

RoHSSMT扩展库

OPA2277UA/2K5

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-8

类目

精密运放

编号

C24460

放大器数

双路

增益带宽积(GBP)

1MHz

输入偏置电流(Ib)

500pA

输入失调电压(Vos)

50uV

描述OPA2277 10μV、0.1μV/°C、高精度、低功耗运算放大器

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LM1117IMPX-3.3/NOPB

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOT-223

类目

线性稳压器(LDO)

编号

C23984

输出类型

固定

工作电压

15V

输出电压

3.3V

输出电流

800mA

描述LM1117 800mA 15V 线性稳压器

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TL431AIDBZR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOT-23-3

类目

电压基准芯片

编号

C23892

输出类型

可调

输出电压

2.495V~36V

输出电流

100mA

精度

±1%

描述TL431 可调精密并联稳压器

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SN74LVC1G125DBVR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOT-23-5

类目

缓冲器/驱动器/收发器

编号

C23654

输出类型

三态

工作电压

1.65V~5.5V

元件数

1

每个元件位数

1

描述SN74LVC1G125 具有三态输出的 1.65V 至 5.5V 单路缓冲器

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ISO3082DWR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-16-300mil

类目

隔离式RS485/422收发器

编号

C21710

最大数据速率

200Kbps

工作温度

-40℃~+85℃

描述ISO3082 200Kbps、半双工、2.5kVrms 隔离式 RS-485 和 RS-422 收发器

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MAX44248ASA+T

品牌

ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

封装

SO-8

类目

精密运放

编号

C92065

放大器数

双路

增益带宽积(GBP)

1MHz

输入偏置电流(Ib)

150pA

输入失调电压(Vos)

2uV

描述36V、高精度、低功耗、90μA双运放,为高压应用提供精密、低功耗性能

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ADUM1201ARZ-RL7

品牌

ADI(亚德诺)

封装

SOIC-8

类目

数字隔离器

编号

C9669

正向通道数

1

反向通道数

1

最大数据速率

1Mbps

隔离电压(Vrms)

2500

描述结合高速CMOS和单片变压器技术，这些隔离组件提供了优于光耦合器等替代方案的出色性能。通过避免使用LED和光电二极管，iCoupler设备消除了与光耦合器相关的设计难题。简单的iCoupler数字接口和稳定的性能特性消除了典型光耦合器对不确定电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响的担忧。这些iCoupler产品无需外部驱动器和其他分立组件

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DS1302ZN+T&R

品牌

ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

封装

SOIC-8

类目

实时时钟(RTC)

编号

C14334

接口类型

SPI

工作电压

2V~5.5V

工作电流

300nA

晶振

外置

描述涓流充电计时芯片包含实时时钟/日历和31字节的静态RAM。它通过简单的串行接口与微处理器通信。实时时钟/日历提供秒、分、时、日、日期、月和年信息。月末日期会自动调整少于31天的月份，包括闰年校正

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ADM2582EBRWZ-REEL7

品牌

ADI(亚德诺)

封装

SOIC-20-300mil

类目

隔离式RS485/422收发器(带电源)

编号

C39494

最大数据速率

16Mbps

通讯模式

全双工；半双工

集成电源工作电压

3.3V；5V

集成电源输出电压

3.3V

描述2.5kV信号和电源隔离、±15kVESD保护、全/半双工RS-485收发器(16Mbps)

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ADUM1201BRZ-RL7

品牌

ADI(亚德诺)

封装

SOIC-8

类目

数字隔离器

编号

C87626

正向通道数

1

反向通道数

1

最大数据速率

10Mbps

隔离电压(Vrms)

2500

描述双通道数字隔离器（1/1通道方向性）

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AD8221ARZ-R7

品牌

ADI(亚德诺)

封装

SOIC-8

类目

仪表放大器

编号

C13342

放大器数

单路

共模抑制比(CMRR)

80dB

输入偏置电流(Ib)

500pA

输入失调电压(Vos)

60uV

描述AD8221是一款增益可编程、高性能仪表放大器，其相对于频率的共模抑制比(CMRR)最高。在G = 1时，所有等级产品的最低CMRR均为80dB并宽至10kHz。相对于频率的高共模抑制比(CMRR)使得AD8221可以抑制宽带干扰和线路谐波，从而大大简化对滤波器的要求。低电压失调、低失调漂移、低增益漂移、高增益精度和高共模抑制比特性，使这款器件成为要求具备最佳直流性能应用(如桥式信号调理)的绝佳选择。可编程增益为用户提供设计灵活性。通过单一电阻，可在1到1000范围内设置增益。AD8221可以采用单电源或双电源供电，特别适合输入电压为±10V的应用。该器件采用低成本的8引脚SOIC和MSOP两种封装，且均能提供业界最佳性能。MSOP只需SOIC一半的电路板空间，因此非常适合多通道或空间受限的应用。该器件所有等级的额定温度范围均为 -40°C至 +85°C工业温度范围。此外，AD8221也能在 -40°C至 +125°C范围内工作。

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AD7799BRUZ-REEL

品牌

ADI(亚德诺)

封装

TSSOP-16

类目

模数转换芯片ADC

编号

C9670

分辨率

24位

采样率

470Hz

通道数

3

工作电压

2.7V~5.25V

描述3通道、低噪声、低功耗、24位Σ-Δ型ADC，内置片内仪表放大器

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STM32F030C8T6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-48(7x7)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C23922

CPU内核

ARM Cortex-M0

CPU最大主频

48MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

64KB

描述特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。 内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。 时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量

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STM32F407ZGT6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-144(20x20)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C19156

CPU内核

ARM Cortex-M4

CPU最大主频

168MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

1MB

描述特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

RoHSSMT扩展库

STM32F103RET6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-64(10x10)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C8322

CPU内核

ARM Cortex-M3

CPU最大主频

72MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

512KB

RoHSSMT扩展库

STM8S003F3P6TR

品牌

ST(意法半导体)

封装

TSSOP-20

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C52717

CPU内核

STM8

CPU最大主频

16MHz

CPU位数

8 Bit

程序存储容量

8KB

描述特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器

RoHSSMT扩展库

STM32L051C8T6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-48(7x7)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C110878

CPU内核

ARM Cortex-M0+

CPU最大主频

32MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

64KB

描述特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式

RoHSSMT扩展库

STM32H743VIT6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-100(14x14)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C114409

CPU内核

ARM Cortex-M7

CPU最大主频

480MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

2MB

描述特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1），以及DSP指令。高达2MB的闪存，支持边读边写。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护。高达168个具有中断能力的I/O端口

RoHSSMT扩展库

STM32F103C8T6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-48(7x7)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C8734

CPU内核

ARM Cortex-M3

CPU最大主频

72MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

64KB

描述特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O

RoHSSMT扩展库

STM32F103ZET6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-144(20x20)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C8287

CPU内核

ARM Cortex-M3

CPU最大主频

72MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

512KB

描述特性：核心：ARM 32位Cortex™-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM。 灵活的静态内存控制器，带有4个片选，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。 睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电

RoHSSMT扩展库