
Infineon(英飞凌)
进入品牌官网Infineon(英飞凌)成立于1999年,是从西门子集团的半导体部门独立出来的,总部位于德国。该公司是全球领先的半导体解决方案提供商之一。主要生产功率半导体、传感器、微控制器以及安全IC等。
Infineon(英飞凌)成立于1999年,是从西门子集团的半导体部门独立出来的,总部位于德国。该公司是全球领先的半导体解决方案提供商之一。主要生产功率半导体、传感器、微控制器以及安全IC等。
描述N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V。该型号中,“XTSA1”那是原厂的内部型号。
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描述N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V
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描述600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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描述N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
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描述600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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描述IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景
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描述N沟道,200V,18A,150mΩ@10V
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描述先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。结合快速开关速度和坚固耐用的器件设计(这是HEXFET功率MOSFET闻名之处),为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可用于各种应用。对于所有商业 - 工业应用,在功耗水平约达50瓦时,TO - 220封装是普遍首选
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描述P沟道,-55V,-42A,20mΩ@-10V
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描述N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
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描述P沟道,-30V,-10A,20mΩ@-10V
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描述P沟道,-55V,-74A,20mΩ@-10V
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描述英飞凌智能高边开关 5.5~40V 90毫欧 4通道 可并联
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描述P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
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描述600V,单通道驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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描述高电流 PN 半桥驱动IC
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描述N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
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近期成交67单
描述N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
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描述P沟道,-12V,-4.3A,50mΩ@-4.5V
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描述N沟道,100V,17A,90mΩ@10V
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描述N沟道,55V,17A,75mΩ@10V
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描述N沟道,200V,65A,19.7mΩ@10V
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描述N沟道,150V,104A,11mΩ@10V
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描述N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
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