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onsemi(安森美)

onsemi(安森美)

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安森美(onsemi)成立于1999年,通过收购和内部增长成为全球领先的半导体解决方案供应商之一。主要生产包括功率管理、模拟信号处理、逻辑IC、分立器件以及传感器等产品。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • 线性稳压器(LDO)
    • 三极管(BJT)
    • 稳压二极管
    • 缓冲器/驱动器/收发器
    • 逻辑门
    • 肖特基二极管
    • 信号开关/编解码器/多路复用器
    • 触发器
    • DC-DC电源芯片
    • EEPROM
    • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
    • 开发板
    • 监控和复位芯片
    • AC-DC控制器和稳压器
    • 数字晶体管
    • 晶体管输出光耦
    • 图像传感器
    • 插拔式接线端子
    • 通用二极管
    多选
  • 封装
    • -
    • SOP-8
    • SOT-23(TO-236)
    • TO-252
    • TO-220
    • SOP-14
    • SOT-23-5
    • SOP-16
    • TO-92
    • TO-263
    • SOD-123
    • SOT-353
    • TSSOP-14
    • DFN-8(5x6)
    • SOP-20
    • TSSOP-20
    • TO-220F
    • DIP-8
    • TSSOP-16
    • SOT-363
    多选
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价格
总库存
销量
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自营结果数1500+
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

LM358DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C7950
放大器数
双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
32V
输入失调电压(Vos)
7mV
输入失调电压温漂(Vos TC)
10uV/℃

描述双运算放大器 LM Series 0.6 V/us 32 V SMT Single Supply Quad Operational Amplifier - SOIC-8

  • 收藏
  • 对比

SMT基础库

SMT补贴嘉立创库存92K+
  • 0.4955
  • 0.3907
  • 0.3368
  • 0.2924
  • 0.275
  • 0.2645
现货最快4小时发货
广东仓
20K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

LM358DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.2605
库存
50K

2500/圆盘

总额0

LM2904DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C18229
放大器数
双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
32V
输入失调电压(Vos)
2mV
输入失调电压温漂(Vos TC)
7uV/℃
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存22K+
  • 0.63
  • 0.5077
  • 0.4448
  • 0.393
  • 0.321
  • 0.3088
现货最快4小时发货
广东仓
6605

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

LM2904DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.3003
库存
100K

2500/圆盘

总额0

LM393DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
比较器
编号
C7955
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
5mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
传播延迟(tpd)
300ns

描述LM393系列是双路独立精密电压比较器,可采用单电源或双电源供电。这些器件设计为在单电源供电时允许共模输入范围接近地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子等众多应用的理想选择。

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  • 对比

SMT基础库

SMT补贴嘉立创库存45K+
  • 0.5425
  • 0.4386
  • 0.3852
  • 0.3412
  • 0.2727
  • 0.2623
现货最快4小时发货
广东仓
12K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

LM393DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.2563
库存
135K

2500/圆盘

总额0

MMBT2222ALT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C82460
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
225mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存303K+
  • 0.0831
  • 0.0621
  • 0.0529
  • 0.0459
  • 0.0431
  • 0.0412
现货最快4小时发货
广东仓
289K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT5551LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C41095
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
300mW

描述此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存241K+
  • 0.1303
  • 0.1036
  • 0.0674
  • 0.0585
  • 0.055
  • 0.0526
现货最快4小时发货
广东仓
229K+
江苏仓
1400

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MC33078DR2G
MC33078DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C7299
放大器数
双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
36V
增益带宽积(GBP)
16MHz
输入失调电压(Vos)
150uV

描述MC33078/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列,运用创新高性能理念,适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频PNP输入晶体管,使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全NPN输出级无死区交越失真,输出电压摆幅大,相位和增益裕度出色,开环高频输出阻抗低,源极和漏极交流频率性能对称。MC33078/9系列提供双放大器和四放大器版本,采用塑料DIP和SOIC封装(后缀为P和D)。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7345
  • 0.9778
  • 0.758
  • 0.6637
  • 0.5462
  • 0.4938
  • 0.4624
现货最快4小时发货
广东仓
6670

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT3904LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C81464
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
225mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存152K+
  • 0.0876
  • 0.0688
  • 0.0475
  • 0.0412
  • 0.0387
  • 0.037
现货最快4小时发货
广东仓
146K+
江苏仓
93K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMSD4148T1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-123
类目
开关二极管
编号
C11177
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1V@10mA
直流反向耐压(Vr)
100V
整流电流
200mA

描述此开关二极管适用于高速开关应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存70K+
  • 0.1018
  • 0.0805
  • 0.0541
  • 0.047
  • 0.0442
  • 0.0423
现货最快4小时发货
广东仓
64K+
江苏仓
9350

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BAV99LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
开关二极管
编号
C82480
二极管配置
1对串联式
正向压降(Vf)
1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)
100V
整流电流
215mA

描述此开关二极管适用于高速开关应用。 此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存60K+
  • 0.1023
  • 0.0793
  • 0.0577
  • 0.0501
  • 0.0471
  • 0.045
现货最快4小时发货
广东仓
56K+
江苏仓
126K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BAV99LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.0443
库存
150K

3000/圆盘

总额0

MMBT4401LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C31776
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
225mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存87K+
  • 0.1046
  • 0.0799
  • 0.0589
  • 0.0507
  • 0.0474
  • 0.0452
现货最快4小时发货
广东仓
84K+
江苏仓
129K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BSS138LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C82045
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
50V
连续漏极电流(Id)
200mA
导通电阻(RDS(on))
5.6Ω@2.75V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存177K+
  • 0.2004
  • 0.1517
  • 0.13
  • 0.1065
  • 0.1
  • 0.0957
现货最快4小时发货
广东仓
170K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

FDV301N
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C15310
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
25V
连续漏极电流(Id)
220mA
导通电阻(RDS(on))
5Ω@2.7V,0.2A

描述此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻,所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存201K+
  • 0.2445
  • 0.199
  • 0.1756
  • 0.1252
  • 0.1185
  • 0.114
现货最快4小时发货
广东仓
198K+
江苏仓
50K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
24V
钳位电压
44V
峰值脉冲电流(Ipp)
8A@8/20us

描述VBR=26.2V,Vc=40V,Ipp=8A

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1034
  • 0.4816
  • 0.3963
  • 0.3524
  • 0.3162
  • 0.224
  • 0.2155
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
122K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BAT54SLT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
肖特基二极管
编号
C19726
二极管配置
1对串联式
正向压降(Vf)
800mV@100mA
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
200mA

描述该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存110K+
  • 0.1499
  • 0.1121
  • 0.0953
  • 0.0827
  • 0.0776
  • 0.0743
现货最快4小时发货
广东仓
107K+
江苏仓
228K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT5401LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C21488
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
150V
耗散功率(Pd)
300mW

描述此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存49K+
  • 0.1985
  • 0.1562
  • 0.1374
  • 0.0924
  • 0.0867
  • 0.083
现货最快4小时发货
广东仓
48K+
江苏仓
72K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT5401LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.0782
库存
120K

3000/圆盘

总额0

1N4148WT
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-523F
类目
开关二极管
编号
C232841
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1V@10mA
直流反向耐压(Vr)
75V
整流电流
300mA

描述小信号二极管

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存125K+
  • 0.2453
  • 0.1965
  • 0.1748
  • 0.1585
  • 0.1002
  • 0.0959
现货最快4小时发货
广东仓
124K+

8000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MBR0520LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C23848
正向压降(Vf)
385mV@500mA
直流反向耐压(Vr)
20V
整流电流
500mA
反向电流(Ir)
250uA@20V

描述此肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用势垒金属,可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装提供了无引线 34 MELF 样式封装的替代方式。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存56K+
  • 0.3629
  • 0.2999
  • 0.2675
  • 0.1747
  • 0.1654
  • 0.159
现货最快4小时发货
广东仓
55K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

SS14
品牌
onsemi(安森美)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
肖特基二极管
编号
C83852
正向压降(Vf)
500mV@1A
直流反向耐压(Vr)
40V
整流电流
1A
反向电流(Ir)
200uA@40V

描述该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存24K+
  • 0.6753
  • 0.5489
  • 0.484
  • 0.4305
  • 0.3315
  • 0.3189
现货最快4小时发货
广东仓
22K+

7500/圆盘

总额0

近期成交100单+

2N7002LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C16338
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
115mA
导通电阻(RDS(on))
7.5Ω@10V

描述N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存81K+
  • 0.1658
  • 0.1255
  • 0.1075
  • 0.0882
  • 0.0828
  • 0.0792
现货最快4小时发货
广东仓
77K+
江苏仓
10K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

2N7002LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.0782
库存
90K

3000/圆盘

总额0

极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
3.3V
钳位电压
10.5V;11.5V
峰值脉冲电流(Ipp)
2A

描述ESD9B系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,为易受ESD影响的设计提供一流的保护。因其尺寸小巧,适用于手机、MP3播放器、数码相机和许多其他对电路板空间要求苛刻的便携式应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存138K+
  • 0.18
  • 0.1389
  • 0.1207
  • 0.107
  • 0.1015
  • 0.0979
现货最快4小时发货
广东仓
131K+

8000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BSS84LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C82079
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
50V
连续漏极电流(Id)
130mA
导通电阻(RDS(on))
10Ω@5V,100mA

描述P 沟道功率 MOSFET,逻辑电平,-50V,-130mA,10Ω,SOT-23 逻辑电平

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存61K+
  • 0.2513
  • 0.2003
  • 0.1741
  • 0.1337
  • 0.1261
  • 0.121
现货最快4小时发货
广东仓
60K+
江苏仓
353K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BSS84LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.1146
库存
60K

3000/圆盘

总额0

MBR0540T1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C21353
正向压降(Vf)
510mV@500mA
直流反向耐压(Vr)
40V
整流电流
500mA
反向电流(Ir)
20uA@40V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存45K+
  • 0.3989
  • 0.3404
  • 0.3104
  • 0.1664
  • 0.1577
  • 0.1519
现货最快4小时发货
广东仓
43K+
江苏仓
19K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBFJ177LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
结型场效应管(JFET)
编号
C106763
栅源截止电压(VGS(off))
800mV@10nA
栅源击穿电压(Vgss)
30V
耗散功率(Pd)
225mW
导通电阻(RDS(on))
300Ω

描述此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

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3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBFJ177LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.3022
库存
90K

3000/圆盘

总额0

CAT24C256WI-GT3
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
EEPROM
编号
C79987
接口类型
I2C
存储容量
256Kbit
时钟频率(fc)
1MHz
工作电压
1.8V~5.5V

描述CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C,内部组织为 512 页,每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存,支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止(这样会保护整个内存)。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC(错误修正代码)使得该器件适用于高可靠性应用。

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SMT补贴嘉立创库存2481
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3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

单电源、高转换速率、低输入失调电压运算放大器
MC33274ADR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
类目
运算放大器
编号
C89847
放大器数
四路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
36V
增益带宽积(GBP)
24MHz
输入失调电压(Vos)
1mV

描述高带宽高内阻,低偏置,超宽供电电压,电力,汽车,工业,仪表用。

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2500/圆盘

总额0

近期成交54单

MC33274ADR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
批次
1.5年内
立推售价
  • 1.6975
库存
30K

2500/圆盘

总额0

MMBD7000LT1G
MMBD7000LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
开关二极管
编号
C31774
二极管配置
1对串联式
正向压降(Vf)
750mV@100mA
直流反向耐压(Vr)
100V
整流电流
200mA
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SMT补贴嘉立创库存215K+
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3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

单电源四路运算放大器
LM324DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
类目
运算放大器
编号
C63820
放大器数
四路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
32V
输入失调电压(Vos)
2mV
输入失调电压温漂(Vos TC)
5uV/℃
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2500/圆盘

总额0

近期成交78单

低噪声双/四运算放大器
MC33079DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
类目
运算放大器
编号
C9376
放大器数
四路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
36V
增益带宽积(GBP)
16MHz
输入失调电压(Vos)
150uV

描述MC33078/9 系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列,运用了创新的高性能理念,适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频 PNP 输入晶体管,使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全 NPN 输出级无死区交越失真,输出电压摆幅大,具有出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源极和漏极交流频率性能。MC33078/9 系列提供双放大器和四放大器版本,采用塑料 DIP 和 SOIC 封装(后缀为 P 和 D)。

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1420

2500/圆盘

总额0

近期成交50单

MC33079DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.7919
库存
25K

2500/圆盘

总额0

低电压、轨到轨运算放大器
MC33202DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C43122
放大器数
双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
13V
轨到轨
轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)
2.2MHz

描述MC33201/2/4系列运算放大器在输入和输出端均支持轨到轨操作。输入信号的幅度可比电源轨高200 mV,而输出端不会出现相位反转,且输出摆幅可接近每个电源轨50 mV。这种轨到轨操作使用户能够充分利用可用的电源电压范围

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1610

2500/圆盘

总额0

近期成交79单

单电源、高转换速率、低输入失调电压运算放大器
MC33272ADR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOP-8
类目
运算放大器
编号
C54559
放大器数
双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
36V
增益带宽积(GBP)
24MHz
输入失调电压(Vos)
1mV

描述高带宽高内阻,低偏置,超宽供电电压,电力,汽车,工业,仪表用。

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SMT补贴嘉立创库存1431
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1135

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

MC33272ADR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOP-8
批次
1.5年内
立推售价
  • 1.042
库存
30K

2500/圆盘

总额0