- 类目
- 贴片电容(MLCC)
- DC-DC电源芯片
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- 场效应管(MOSFET)
- 贴片电阻
- 线性稳压器(LDO)
- 贴片圆螺母
- 功率电感
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 钽电容
- 肖特基二极管
- 无源晶振
- 晶体管输出光耦
- 三极管(BJT)
- 运算放大器
- 发光二极管/LED
- RS-485/RS-422芯片
- SMT载流铜片
- 直插铝电解电容
- 线对板针座
多选 - 品牌
- TI(德州仪器)
- SAMSUNG(三星)
- ST(意法半导体)
- muRata(村田)
- YAGEO(国巨)
- Sinhoo(雄和远景)
- UMW(友台半导体)
- ADI(亚德诺)
- FH(风华)
- MDD(辰达半导体)
- YXC(扬兴晶振)
- Kyocera AVX
- UNI-ROYAL(厚声)
- Infineon(英飞凌)
- CJ(江苏长电/长晶)
- HRE(芯声)
- ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
- onsemi(安森美)
- Nexperia(安世)
- cjiang(长江微电)
多选
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 4.3V~60V
- 输出电压
- 800mV~50V
- 输出电流
- 3A
描述LMR16030是一款60V、3A的SIMPLE SWITCHER®降压转换器,具有40μA的超低工作静态电流。其输入电压范围为4.3V至60V,适用于各种工业和汽车应用。该器件集成了高侧MOSFET,支持宽范围的可调开关频率（200kHz至2.5MHz）,并具有内部补偿功能,简化了设计。
- 接口类型
- I2C；SMBus
- 数据速率
- 400Kbps
- 工作电压
- 1.65V~5.5V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述TCA9548A 具有复位和电压转换的 8 通道、1.65V 至 5.5V I2C/SMBus 开关
- 放大器数
- 1
- 共模电压
- -200mV~26V
- 增益
- 100V/V
- 带宽
- 150kHz
描述INA180 26V、350kHz 电流检测放大器
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 3V~17V
- 输出电压
- 900mV~5.5V
- 输出电流
- 3A
描述TLV62130 采用 3x3 QFN 封装的 3-17V 3A 降压转换器
- 放大器数
- 1
- 共模电压
- -200mV~26V
- 增益
- 20V/V
- 带宽
- 350kHz
描述INA180 26V、350kHz 电流检测放大器
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 4.5V~17V
- 输出电压
- 768mV~7V
- 输出电流
- 3A
描述TPS563201是一款简单易用的3A同步降压转换器,采用SOT-23封装。它支持4.5V至17V的输入电压范围,输出电压范围为0.76V至7V,具有580kHz的开关频率和低关断电流。该器件采用D-CAP2模式控制,提供快速瞬态响应,并支持低ESR输出电容器。
- 输入电压(Vin)
- 3.2V~65V
- 反向耐压
- 65V
- FET类型
- 外置FET
- 栅极驱动电压
- 15V
描述LM74700-Q1 3.2V 至 65V、80uA IQ 汽车理想二极管控制器
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 2
- 接收器数
- 2
- 数据速率
- 250Kbps
描述MAX3232设备包括两个线驱动器、两个线接收器和一个双电荷泵电路，具有±15-kV ESD保护。该设备符合TIA/EIA-232-F和ITU V.28标准，支持3-V至5.5-V Vcc电源，数据速率高达250 kbit/s。
- 放大器数
- 双路
- 单电源电压
- 4.5V~36V
- 双电源(Vee~Vcc)
- -18V~-2.25V；2.25V~18V
- 输入失调电压(Vos)
- 5uV
描述OPA2192 具有 e-trim 的 36V、精密、RRIO、低失调电压、低输入偏置电流运算放大器、轨到轨输入/输出精密运算放大器
- 功能类型
- 升降压型
- 工作电压
- 2V~16V
- 输出电压
- 2.5V~9V
- 输出电流
- 2A
描述TPS63070 宽输入电压（2V 至 16V）降压/升压转换器
- 比较器数
- 单路
- 输入失调电压(Vos)
- 1mV
- 输入偏置电流(Ib)
- 1pA
- 传播延迟(tpd)
- 40ns
描述TLV3201 5.5V 高速单路推挽比较器
- 驱动配置
- 低边
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 驱动通道数
- 1
- 灌电流(IOL)
- 4A
描述UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。 当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 2
- 接收器数
- 2
- 数据速率
- 250Kbps
描述MAX3222/MAX3232/MAX3237/MAX3241是低功耗、真正的RS-232收发器，工作电压范围为3.0V至5.5V，数据速率可达1Mbps。
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 2
- 接收器数
- 2
- 数据速率
- 250Kbps
描述该系列芯片是具有双电荷泵的低功耗、高速RS-232收发器，支持3.0V至5.5V电源电压。
- 类型
- 处理器
- 接口类型
- I2C；SPI
- 采样率
- 192kHz
- 工作电压
- 1.62V~1.98V；2.97V~3.63V；3.3V
描述完整的单芯片音频系统，包括28-/56位音频DSP、ADC、DAC和微控制器类似的控制接口。信号处理包括均衡、交叉、低音增强、多段动态处理、延迟补偿、扬声器补偿和立体声图像扩展。
- 放大器数
- 单路
- 共模抑制比(CMRR)
- 80dB
- 输入偏置电流(Ib)
- 25nA
- 输入失调电压(Vos)
- 200uV
描述AD623是一款集成的单电源或双电源仪表放大器，可在3V至12V的电源电压下提供轨到轨输出摆幅。AD623通过允许单个增益设定电阻编程，并符合8引脚行业标准引脚配置，提供了卓越的用户灵活性。在没有外部电阻的情况下，AD623被配置为单位增益（G=1），而通过外部电阻，AD623可以被编程以实现高达1000的增益。AD623的高精度是由于其交流共模抑制比（CMRR）随着增益的增加而提高；由于直到200 Hz时CMRR保持恒定，因此可以抑制线噪声谐波。AD623具有宽输入共模范围，能够放大低至地电平以下150 mV的共模电压信号。AD623在双极性和单极性电源下均能保持卓越性能。
- 放大器数
- 单路
- 共模抑制比(CMRR)
- 100dB
- 输入偏置电流(Ib)
- 500pA
- 输入失调电压(Vos)
- 50uV
描述低漂移、低功耗仪表放大器，增益设置范围1至10000
- 分辨率(位)
- 24
- 采样率
- 19.2kHz
- 通道数
- 4
- 工作电压
- 2.7V~3.6V
描述集成PGA和基准电压源的4通道、低噪声、低功耗24位Σ-Δ型ADC
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz 先进的 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbytes Flash，在 55℃ 下 10 kycles 后数据保留 20 年。 数据存储器：640 bytes 真正的数据 EEPROM，耐久性 300 kycles。 RAM：1 Kbytes。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制，4 种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的 16 MHz RC、内部低功耗 128 kHz RC
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 512KB
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。 数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
- CPU内核
- ARM Cortex-M4
- CPU最大主频
- 80MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 256KB
描述特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 32MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式
- CPU内核
- ARM Cortex-M0
- CPU最大主频
- 48MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。 内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。 时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 32KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 中密度闪存/EEPROM：程序存储器为32 KB闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年；数据存储器为128字节真正的数据EEPROM，可承受高达100k次写/擦除周期。 RAM为2 KB。 2.95V至5.5V工作电压。 灵活的时钟控制，4个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调节的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。 带时钟监控的时钟安全系统
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 64MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C。 存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）