- 类目
- 贴片电容(MLCC)
- 贴片电阻
- DC-DC电源芯片
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- 场效应管(MOSFET)
- 线性稳压器(LDO)
- 贴片圆螺母
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 钽电容
- 功率电感
- 肖特基二极管
- 无源晶振
- 晶体管输出光耦
- 三极管(BJT)
- 运算放大器
- RS-485/RS-422芯片
- SMT载流铜片
- 贴片型铝电解电容
- 线对板针座
- 直插铝电解电容
多选 - 品牌
- TI(德州仪器)
- YAGEO(国巨)
- SAMSUNG(三星)
- muRata(村田)
- ST(意法半导体)
- FOJAN(富捷)
- Sinhoo(雄和远景)
- FH(风华)
- ADI(亚德诺)
- MDD(辰达半导体)
- UMW(友台半导体)
- YXC(扬兴晶振)
- HRE(芯声)
- Kyocera AVX
- Chinocera(华瓷)
- CJ(江苏长电/长晶)
- Infineon(英飞凌)
- ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
- Nexperia(安世)
- UNI-ROYAL(厚声)
多选
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 通道类型
- 双向
- 工作电压(VCCA)
- 4.5V~5.5V
- 工作电压(VCCB)
- 2.7V~3.6V
- 元件数
- 1
描述SN74LVC4245A 具有三态输出的八通道总线收发器和 3.3V 至 5V 移位器
近期成交100单+
- 通道类型
- 双向
- 数据速率
- 420Mbps
- 工作电压(VCCA)
- 1.65V~5.5V
- 工作电压(VCCB)
- 1.65V~5.5V
描述SN74LVC1T45 具有可配置电压转换和三态输出的单位双电源总线收发器
近期成交100单+
- 输入类型
- 施密特触发器
- 输出类型
- 推挽式
- 工作电压
- 1.65V~5.5V
- 元件数
- 1
描述SN74LVC1G17 具有施密特触发输入的 1.65V 至 5.5V 单路缓冲器
近期成交100单+
- 输入类型
- 施密特触发器
- 工作电压
- 1.65V~5.5V
- 静态电流(Iq)
- 10uA
- 通道数
- 1
描述SN74LVC1G14 具有施密特触发输入的单路 1.65V 至 5.5V 反相器
近期成交100单+
- 芯片类型
- 电压监控器
- 输出类型
- 推挽
- 工作电压
- 2.5V；5V；3V；3.3V
- 复位有效电平
- 低电平有效
描述TPS3823 具有看门狗和手动复位功能的电压监控器（复位 IC）
近期成交100单+
- 逻辑类型
- 与门
- 门电路数量
- 1
- 工作电压
- 1.65V~5.5V
- 静态电流(Iq)
- 10uA
描述SN74LVC1G08 单通道、2 输入、1.65V 至 5.5V 32mA 驱动强度与门
近期成交100单+
近期成交100单+
- 分辨率(位)
- 12
- 工作电压
- 3V~5.5V
- 接口类型
- SPI
- 芯片类型
- 热电偶数字转换器
描述MAX6675可进行冷端补偿，并将K型热电偶的信号数字化。数据以12位分辨率、SPI兼容的只读格式输出。该转换器的温度分辨率为0.25°C，可测量高达+1024°C的温度，在0°C至+700°C的温度范围内，热电偶精度为8个最低有效位（LSB）
近期成交100单+
- 分辨率(位)
- 16
- 通道数
- 8
- 工作电压
- 2.3V~5.25V
- 接口类型
- SPI
描述AD7606/AD7606-6/AD7606-4分别是16位、8/6/4通道同步采样模数数据采集系统(DAS)。各器件均内置模拟输入箱位保护、二阶抗混叠滤波器、跟踪保持放大器、16位电荷再分配逐次逼近型模数转换器(ADC)、灵活的数字滤波器、2.5V基准电压源、基准电压缓冲以及高速串行和并行接口。 AD7606/AD7606-6/AD7606-4采用5V单电源供电，可以处理 ±10V 和 ±5V 真双极性输入信号，同时所有通道均能以高达200kSPS的吞吐速率采样。
近期成交100单+
- 检测温度
- -55℃~+125℃
- 精度
- ±0.5℃
- 工作电压
- 3V~5.5V
- 待机电流
- 1uA
描述分辨率可编程设置的1-Wire数字温度计、 通过最少的连线实现高精度温度测量，理想用于多传感器测量系统
近期成交100单+
- 类型
- 收发器
- 驱动器数
- 2
- 接收器数
- 2
- 数据速率
- 250Kbps
描述MAX3222/MAX3232/MAX3237/MAX3241是低功耗、真正的RS-232收发器，工作电压范围为3.0V至5.5V，数据速率可达1Mbps。
近期成交100单+
- 控制电压
- 3.3V~5V
- 电机驱动电压(Vm)
- 8V~60V
- 驱动类型
- 双极驱动
- 步长细分
- 256
描述TMC5160 / TMC5160A是一款带有串行通信接口的高功率步进电机控制器和驱动IC。它将用于自动目标定位的灵活斜坡发生器与业界最先进的步进电机驱动器相结合。通过使用外部晶体管，可实现高动态、高扭矩驱动。基于TRINAMIC先进的SpreadCycle和StealthChop斩波器，该驱动器可确保在实现最高效率和最佳电机扭矩的同时，实现绝对无噪音运行。高度集成、高能效和小尺寸设计，使系统能够小型化和可扩展，从而实现经济高效的解决方案。完整的解决方案将学习成本降至最低，同时提供同类产品中最佳的性能。
近期成交100单+
- 放大器数
- 单路
- 单电源电压
- 2.7V~5V
- 双电源电压(Vee~Vcc)
- -2.5V~-1.35V；1.35V~2.5V
- 输入失调电压(Vos)
- 1uV
描述零漂移、单电源RRIO运算放大器
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M3
- CPU最大主频
- 72MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 512KB
近期成交100单+
- CPU内核
- STM8
- CPU最大主频
- 16MHz
- CPU位数
- 8 Bit
- 程序存储容量
- 8KB
描述特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。 数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M4
- CPU最大主频
- 168MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 1MB
描述特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。 存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M0+
- CPU最大主频
- 64MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 64KB
描述特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C。 存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M4
- CPU最大主频
- 168MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 1MB
描述特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。
近期成交100单+
- 加速度计轴向
- X,Y,Z
- 加速度计量程(MAX)
- ±16g
- 传感器类型
- 加速度计
- 输出位数
- 8bit；10bit；12bit
描述3轴MEMS加速度计，超低功耗，±2g/±4g/±8g/±16g满量程，高速I2C/SPI数字输出，内置FIFO和高性能加速度传感器，VFLGA封装
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 300A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2mΩ@6V
描述N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V
近期成交100单+
- CPU内核
- ARM Cortex-M7
- CPU最大主频
- 480MHz
- CPU位数
- 32 Bit
- 程序存储容量
- 2MB
描述特性：包含意法半导体最先进的专利技术。32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，具备MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，支持读写操作。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行速度高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护
近期成交100单+
- 存储器构架(格式)
- DDR3L SDRAM
- 存储容量
- 4Gbit
- 工作电压
- 1.283V~1.45V
- 工作电流
- 32mA
描述DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。
近期成交100单+
- 类型
- CAN-FD收发器
- 数据速率
- 5Mbps
- 工作电压
- 4.5V~5.5V
- 工作电流
- 110mA
描述TJA1051是一款高速CAN收发器，用于在控制器局域网（CAN）协议控制器与物理双线CAN总线之间提供接口。该收发器专为汽车行业的高速CAN应用而设计，可为带有CAN协议控制器的微控制器提供差分发送和接收功能
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 输出通道数
- 1
- 工作电压(Vin)
- 3V~17V
- 输出电压(Vout)
- 900mV~6V
描述TPS82130 TPS82130 具有集成电感的 3A 17V 降压转换器
近期成交100单+