
minos(迈诺斯)
进入品牌官网深圳市迈诺斯科技有限公司成立于2010年,总部位于深圳,是一家集半导体研发、设计、生产和销售为一体的科技型企业。主要生产高性能功率器件,包括HV MOSTRENCH MOS、DOUBLE TRENCH MOS和IGBT工艺技术产品。
深圳市迈诺斯科技有限公司成立于2010年,总部位于深圳,是一家集半导体研发、设计、生产和销售为一体的科技型企业。主要生产高性能功率器件,包括HV MOSTRENCH MOS、DOUBLE TRENCH MOS和IGBT工艺技术产品。
描述峰极门极功率(PGM):1.5W
SMT扩展库
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
描述峰极门极功率(PGM):1.5W
SMT扩展库
50个/管
总额¥0
近期成交66单
描述类型:高性能离线式 PWM 开关电源控制器,内置800V功率MOSFET,内置高压启动回路,内置过载、过温、VDD过压、输出开/短路保护功能
SMT扩展库
4000个/圆盘
总额¥0
近期成交41单
SMT扩展库
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交25单
描述NPN 集电极—发射极电压(Vceo):100V 集电极电流(Ic):5A 功率(Pd):65W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat1)@Ic,Ib):2V@3A,12mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):1000@0.5A,3V,工作温度:+150℃@(Tj)
SMT扩展库
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交9单
SMT扩展库
800个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
50个/管
总额¥0
近期成交24单
SMT扩展库
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交30单
描述类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.32Ω@10V,6.5A
SMT扩展库
25个/管
总额¥0
近期成交55单
描述IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=600V,集电极电流Ic=100A
SMT扩展库
30个/管
总额¥0
近期成交47单
SMT扩展库
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交15单
SMT扩展库
30个/管
总额¥0
近期成交15单
描述高压、高性能的D类音频功率放大器驱动芯片,针对超大输出功率的D 类音频功放系统设计
SMT扩展库
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交8单
描述类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1500V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):250W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2Ω@10V,1.5A
800个/圆盘
总额¥0
近期成交27单
50个/管
总额¥0
近期成交60单
SMT扩展库
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交25单
描述2×50W 立体声D类音频功率放大器,宽工作电压范围: 5.5V-26V
SMT扩展库
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交37单
SMT扩展库
50个/管
总额¥0
近期成交39单
描述负载类型:MOSFET;IGBT 灌电流:1.3A 拉电流:1.0A 工作电压:5V~18V 描述:三相高低侧功率驱动芯片
SMT扩展库
5000个/圆盘
总额¥0
近期成交4单
描述类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):326A 功率(Pd):416.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4mΩ@10V,50A
SMT扩展库
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
50个/管
总额¥0
近期成交28单
描述2×50W 立体声D类音频功率放大器,宽工作电压范围: 5.5V-26V
2000个/圆盘
总额¥0
近期成交46单
描述二极管配置:1对共阴极 直流反向耐压(Vr):400V 连续正向电流IF(AV):2*40A 正向压降(Vf):1.1V@40A 反向电流(Ir):300μA@400V 反向恢复时间(trr):26ns 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
30个/管
总额¥0
近期成交7单
描述MLG30T65FDL-F IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=30A
SMT扩展库
50个/管
总额¥0
近期成交30单
描述IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=600V,集电极电流Ic=75A
SMT扩展库
30个/管
总额¥0
近期成交8单
SMT扩展库
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交9单
描述高性能离线式PWM开关,内置800V功率MOSFET,内置高压启动回路,内置过载、过温、VDD 过压、输出开/短路保护功能
4000个/圆盘
总额¥0
近期成交14单
描述类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.3mΩ@10V,50A
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交8单
描述N沟道功率MOSFET,35A,100V,25mΩ 10V 10A,采用先进的沟槽技术,提供卓越的RDS(ON),低栅极电荷
50个/管
总额¥0
近期成交20单
SMT扩展库
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交4单