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    • MMBT5551
    • 品牌: MDD(辰达半导体)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
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    • S9013
    • 品牌: MDD(辰达半导体)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 晶体管类型: NPN
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    • RS0102YH8
    • 品牌: RUNIC(润石)
    • 封装: SOT-23-8
    • 描述: 双路数据线的电平转换芯片 RS0102,数据速率支持推挽24Mbps、开漏2Mbps
    • 通道类型: 双向
    • 数据速率: 24Mbps
    • 工作电压(VCCA): 1.65V~5.5V
    • 工作电压(VCCB): 2.3V~5.5V
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    • 二极管配置: 1对串联式
    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 70V
    • 整流电流: 200mA
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    • ESD5Z5V0
    • 品牌: MDD(辰达半导体)
    • 封装: SOD-523
    • 描述: ESD5Z系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,使这些器件成为电路板空间有限的设计中ESD保护的理想选择。由于其尺寸小巧,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用
    • 极性: 单向
    • 反向截止电压(Vrwm): 5V
    • 钳位电压: 15V
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    • RS8411XF
    • 品牌: RUNIC(润石)
    • 封装: SOT-23-5
    • 描述: RS841X系列产品支持高电压(36V)工作和轨到轨输出,并且具备出色的速度/功耗比,可提供1.2MHz的出色带宽和0.67V/μs的压摆率。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且具有超低输入偏置电流。该器件在高达300pF的电容下能保持稳定
    • 放大器数: 单路
    • 最大电源宽度(Vdd-Vss): 36V
    • 轨到轨: 轨到轨输出
    • 增益带宽积(GBP): 1.2MHz
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    • 最大电源宽度(Vdd-Vss): 5.5V
    • 轨到轨: 轨到轨输入,轨到轨输出
    • 增益带宽积(GBP): 10MHz
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    • 1N5819WT
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOD-523
    • 描述: 这款SOD-523封装肖特基二极管,设计用于高效能低损耗应用。它具备40V反向耐压及0.35A正向电流承载能力,其超低的0.6V正向导通电压VF确保了出色的电源转换效率和快速响应速度,适用于开关电源、高频信号整流及电池保护电路中。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 600mV@200mA
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 350mA
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