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    • BX-XH2.54-2PZZ
    • 品牌: Bossie(博锡)
    • 封装: 插件,P=2.54mm
    • 描述: 配套胶壳型号:BX-XH2.54-2PJK 配套端子型号:BX-XH2.54-DZ 配套杜邦线型号:BX-XH2.54-2PBXC
    • 插针结构: 1x2P
    • 间距: 2.5mm
    • 安装方式: 直插
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    • MP1584EN-LF-Z
    • 品牌: MPS(芯源)
    • 封装: SOIC-8-EP
    • 描述: DCDC降压,电源输入7V~30V,1A~3A(中电流)方案,MP1584是一款高频率、非同步降压转换器,具有宽输入电压范围(4.5V至28V),内置高压侧MOSFET,提供3A输出电流,支持可编程开关频率(100kHz至1.5MHz)。该芯片适用于汽车系统、工业电源系统和分布式电源系统等应用。
    • 功能类型: 降压型
    • 工作电压: 4.5V~28V
    • 输出电压: 800mV~25V
    • 输出电流: 3A
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    • ICL7660AIBAZA-T
    • 品牌: RENESAS(瑞萨)/IDT
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: ICL7660S和ICL7660A超级电压转换器是单片CMOS电压转换集成电路,与其他类似器件相比,具有显著的性能优势。
    • 工作电压(Vin): 1.5V~12V
    • 静态电流(Iq): 100uA
    • 输出电阻: 97Ω
    • 能量效率: 98%
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    • 输入类型: DC
    • 输出类型: 光电三极管
    • 正向压降(Vf): 1.2V
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    • SI2302-HXY
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 这款N型场效应管,适用于高效能应用。具备2.8A的电流承载能力,最高20V的工作电压,以及43mΩ的典型内阻。其VGS为12V,确保了稳定的性能表现。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。(SI2302CDS-T1-GE3)
    • 数量: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.8A
    • 导通电阻(RDS(on)): 55mΩ@4.5V,2.8A
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    • 封装:  SOT-23
      描述: 这款N型场效应管,适用于高效能应用。具备2.8A的电流承载能力,最高20V的工作电压,以及43mΩ的典型内阻。其VGS为12V,确保了稳定的性能表现。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。(SI2302CDS-T1-GE3)
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    • 饱和电流(Isat): 3.3A
    • 直流电阻(DCR): 200mΩ
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    • 结构: 1x2P
    • 间距: 5.08mm
    • 颜色: 绿色
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    • X32258MOB4SI
    • 品牌: YXC(扬兴晶振)
    • 封装: SMD3225-4P
    • 描述: 全国产 贴片金属 频点:8MHZ 负载:12PF 常温频差:±10PPM 工作温度:-40~85℃ 型号升级变更为:XL2EL89COI-111YLC-8M
    • 晶振类型: 贴片晶振
    • 频率: 8MHz
    • 常温频差: ±10ppm
    • 负载电容: 12pF
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    • BX-XH2.54-4PZZ
    • 品牌: Bossie(博锡)
    • 封装: 插件,P=2.54mm
    • 描述: 配套胶壳型号:BX-XH2.54-4PJK 配套端子型号:BX-XH2.54-DZ 配套杜邦线型号:BX-XH2.54-4PBXC
    • 插针结构: 1x4P
    • 间距: 2.5mm
    • 安装方式: 直插
    • 参考系列: XH
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    • 接口类型: 内针
    • 端口数量: 1
    • 接口直径: 2mm
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    • MP9943GQ-Z
    • 品牌: MPS(芯源)
    • 封装: QFN-8(3x3)
    • 描述: DCDC降压,电源输入30V以上,3A以上(大电流)方案,
    • 功能类型: 降压型
    • 工作电压: 4V~36V
    • 输出电压: 800mV~28.5V
    • 输出电流: 3A
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    • SI2301-ZE
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,提供高效、精准的功率控制解决方案。
    • 数量: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.3A
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    • 封装:  SOT-23
      描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,提供高效、精准的功率控制解决方案。
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